JP3103365B2 - 液状エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
液状エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JP3103365B2 JP3103365B2 JP18421090A JP18421090A JP3103365B2 JP 3103365 B2 JP3103365 B2 JP 3103365B2 JP 18421090 A JP18421090 A JP 18421090A JP 18421090 A JP18421090 A JP 18421090A JP 3103365 B2 JP3103365 B2 JP 3103365B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- resin
- liquid epoxy
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、TAB方式によってボンディングされた半導
体素子を封止するのに好適な液状エポキシ樹脂組成物及
び係る液状エポキシ樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導
体装置に関する。
体素子を封止するのに好適な液状エポキシ樹脂組成物及
び係る液状エポキシ樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導
体装置に関する。
（従来の技術） 近年のワープロ，電卓,ICカード等電子機器の小型
化，薄型化に伴ない、このような電子機器内部に組み込
まれる半導体装置にも、従来以上に小型，薄型化が要求
されている。このような要求に応えるために、半導体素
子のボンディングをTAB方式により行ない、係る半導体
素子に樹脂をコーティングして封止する技術が最近注目
されており、例えば特開昭59−227146号には、半導体素
子に液状エポキシ樹脂をコーティングすることによって
封止された樹脂封止型半導体装置が開示されている。
化，薄型化に伴ない、このような電子機器内部に組み込
まれる半導体装置にも、従来以上に小型，薄型化が要求
されている。このような要求に応えるために、半導体素
子のボンディングをTAB方式により行ない、係る半導体
素子に樹脂をコーティングして封止する技術が最近注目
されており、例えば特開昭59−227146号には、半導体素
子に液状エポキシ樹脂をコーティングすることによって
封止された樹脂封止型半導体装置が開示されている。
ところでこのような樹脂に対しては、係る樹脂によっ
て封止されてなる半導体装置の信頼性を確保するため、
電気特性，熱的特性，機械的特性などの諸特性が優れて
いることが求められている。特に、現在半導体素子の面
積が大型化する傾向にあり、これに伴ない、半導体素子
と樹脂との熱膨張係数の不整合に起因して樹脂中に残留
する応力が増大しているため、このような樹脂封止型半
導体装置の耐熱衝撃性を一層向上せしめることが必要と
なっている。またこのような半導体装置では、配線幅の
微細化が今後一層加速され、係る配線における腐食，マ
イグレーション等の不良発生のおそれがさらに増大する
傾向にあるため、電気特性や耐湿性に対する要求も、益
々高まっている。しかしながらこのような耐熱衝撃性，
高温電気特性，耐湿性等を鑑みた場合、液状エポキシ樹
脂をコーティングすることにより封止された樹脂封止型
半導体装置では、未だ充分な特性が得られてはいないの
が現状であった。
て封止されてなる半導体装置の信頼性を確保するため、
電気特性，熱的特性，機械的特性などの諸特性が優れて
いることが求められている。特に、現在半導体素子の面
積が大型化する傾向にあり、これに伴ない、半導体素子
と樹脂との熱膨張係数の不整合に起因して樹脂中に残留
する応力が増大しているため、このような樹脂封止型半
導体装置の耐熱衝撃性を一層向上せしめることが必要と
なっている。またこのような半導体装置では、配線幅の
微細化が今後一層加速され、係る配線における腐食，マ
イグレーション等の不良発生のおそれがさらに増大する
傾向にあるため、電気特性や耐湿性に対する要求も、益
々高まっている。しかしながらこのような耐熱衝撃性，
高温電気特性，耐湿性等を鑑みた場合、液状エポキシ樹
脂をコーティングすることにより封止された樹脂封止型
半導体装置では、未だ充分な特性が得られてはいないの
が現状であった。
（発明が解決しようとする課題） 上述したように、従来の液状エポキシ樹脂組成物によ
って半導体粒子を封止した場合、得られる半導体装置の
耐熱衝撃性，高温電気特性，耐湿性が不充分であるとい
う問題があった。
って半導体粒子を封止した場合、得られる半導体装置の
耐熱衝撃性，高温電気特性，耐湿性が不充分であるとい
う問題があった。
本発明ではこのような問題を解決して、半導体素子を
封止したとき、得られる半導体装置に優れた耐熱衝撃
性，高温電気特性及び耐湿性を付与せしめることのでき
る液状エポキシ樹脂組成物，及びこのような液状エポキ
シ樹脂組成物によって封止されてなる信頼性の高い樹脂
封止型半導体装置を提供することを目的としている。
封止したとき、得られる半導体装置に優れた耐熱衝撃
性，高温電気特性及び耐湿性を付与せしめることのでき
る液状エポキシ樹脂組成物，及びこのような液状エポキ
シ樹脂組成物によって封止されてなる信頼性の高い樹脂
封止型半導体装置を提供することを目的としている。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段及び作用） 本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、（ａ）下記一般
式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤とし
てのフェノールアラルキル樹脂と、（ｃ）有機溶剤とを
含有することを特徴とするものである。
式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤とし
てのフェノールアラルキル樹脂と、（ｃ）有機溶剤とを
含有することを特徴とするものである。
（ただしR1,R2はそれぞれ、水素原子又は炭素数１〜20
のアルキル基を表し、ｎは０又は正の整数を示す。） 本発明において（ａ）成分の一般式（Ｉ）で表される
エポキシ樹脂は、例えば、アルキルフェノール類とヒド
ロキシベンズアルデヒドとの縮合物をエポキシ化するこ
とにより製造される。すなわち、まず周知のノボラック
を合成する反応を適用し、塩酸，硫酸等の無機酸，酢
酸,p−トルエンスルホン酸，チオグリコール酸等の有機
酸，ルイス酸等の酸性触媒下，アルキルフェノール類と
ヒドロキシベンズアルデヒドを30〜180℃の温度で縮合
させる。次いで、得られた縮合物とエピクロルヒドリン
とを苛性ソーダ等のアルカリ金属水酸化物の存在下で反
応させ、前記縮合物をエポキシ化すればよい。なお、本
発明では、このようなエポキシ樹脂の分子量が大き過ぎ
ると得られるエポキシ樹脂組成物の流動性が低下するの
で、本発明に係るエポキシ樹脂は上記一般式（Ｉ）にお
いてｎ≦20であることが好ましい。また、このような本
発明に係るエポキシ樹脂中には、一部のエポキシ基同志
が反応することにより生成される一般式（II）で表され
るエポキシ樹脂が含有されていることがあり、本発明で
は、エポキシ樹脂中にこのような一般式（II）で表され
るエポキシ樹脂が含まれていても構わない。しかしなが
ら、係る一般式（II）で表されるエポキシ樹脂の含有量
が多いと、得られる液状エポキシ樹脂組成物の特性が低
下するおそれがあるので、本発明に係る一般式（Ｉ）で
表されるエポキシ樹脂としては、このような一般式（I
I）で表されるエポキシ樹脂の含有量が少ないものを用
いるのがより望ましい。
のアルキル基を表し、ｎは０又は正の整数を示す。） 本発明において（ａ）成分の一般式（Ｉ）で表される
エポキシ樹脂は、例えば、アルキルフェノール類とヒド
ロキシベンズアルデヒドとの縮合物をエポキシ化するこ
とにより製造される。すなわち、まず周知のノボラック
を合成する反応を適用し、塩酸，硫酸等の無機酸，酢
酸,p−トルエンスルホン酸，チオグリコール酸等の有機
酸，ルイス酸等の酸性触媒下，アルキルフェノール類と
ヒドロキシベンズアルデヒドを30〜180℃の温度で縮合
させる。次いで、得られた縮合物とエピクロルヒドリン
とを苛性ソーダ等のアルカリ金属水酸化物の存在下で反
応させ、前記縮合物をエポキシ化すればよい。なお、本
発明では、このようなエポキシ樹脂の分子量が大き過ぎ
ると得られるエポキシ樹脂組成物の流動性が低下するの
で、本発明に係るエポキシ樹脂は上記一般式（Ｉ）にお
いてｎ≦20であることが好ましい。また、このような本
発明に係るエポキシ樹脂中には、一部のエポキシ基同志
が反応することにより生成される一般式（II）で表され
るエポキシ樹脂が含有されていることがあり、本発明で
は、エポキシ樹脂中にこのような一般式（II）で表され
るエポキシ樹脂が含まれていても構わない。しかしなが
ら、係る一般式（II）で表されるエポキシ樹脂の含有量
が多いと、得られる液状エポキシ樹脂組成物の特性が低
下するおそれがあるので、本発明に係る一般式（Ｉ）で
表されるエポキシ樹脂としては、このような一般式（I
I）で表されるエポキシ樹脂の含有量が少ないものを用
いるのがより望ましい。
（ただしR1,R2はそれぞれ、水素原子又は炭素数１〜20
のアルキル基を表し、ｎは０又は正の整数を示す。） 一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂の具体例として
は、EPPN−502（日本化薬（株）製，軟化点70℃，エポ
キシ当量170）,YL−932H（油化シェル（株）製，軟化点
63℃，エポキシ当量171）,ESX−221（住友化学（株）
製，軟化点85℃，エポキシ当量210）等が挙げられる。
のアルキル基を表し、ｎは０又は正の整数を示す。） 一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂の具体例として
は、EPPN−502（日本化薬（株）製，軟化点70℃，エポ
キシ当量170）,YL−932H（油化シェル（株）製，軟化点
63℃，エポキシ当量171）,ESX−221（住友化学（株）
製，軟化点85℃，エポキシ当量210）等が挙げられる。
また本発明では、一般式（Ｉ）で表される前記エポキ
シ樹脂以外のエポキシ樹脂を併用することができる。こ
のようなエポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上の
エポキシ基を有するものであれば特に限定されず、本発
明の作用効果を損わない範囲で適宜併用できる。具体的
には、フェノールノボラック型エポキシ樹脂，クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂，ナフトールタイプのノボ
ラック型エポキシ樹脂，ビスフェノールＡのノボラック
型エポキシ樹脂，トリス（ヒドロキシフェニル）アルカ
ンのエポキシ化物，テトラ（ヒドロキシフェニル）アル
カンのエポキシ化物「,2,2′,4,4′−テトラグリシドキ
シベンゾフェノン，パラアミノフェノールのトリグリシ
ジルエーテル，ポリアリルグリシジルエーテル,1,3,5−
トリグリシジルエーテルベンゼン,2,2′,4,4′−テトラ
グリシドキシビフェニル等が挙げられる。これらのうち
１種又は２種以上を用いることができる。
シ樹脂以外のエポキシ樹脂を併用することができる。こ
のようなエポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上の
エポキシ基を有するものであれば特に限定されず、本発
明の作用効果を損わない範囲で適宜併用できる。具体的
には、フェノールノボラック型エポキシ樹脂，クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂，ナフトールタイプのノボ
ラック型エポキシ樹脂，ビスフェノールＡのノボラック
型エポキシ樹脂，トリス（ヒドロキシフェニル）アルカ
ンのエポキシ化物，テトラ（ヒドロキシフェニル）アル
カンのエポキシ化物「,2,2′,4,4′−テトラグリシドキ
シベンゾフェノン，パラアミノフェノールのトリグリシ
ジルエーテル，ポリアリルグリシジルエーテル,1,3,5−
トリグリシジルエーテルベンゼン,2,2′,4,4′−テトラ
グリシドキシビフェニル等が挙げられる。これらのうち
１種又は２種以上を用いることができる。
本発明においては、（ｂ）成分の硬化剤としてフェノ
ールアラルキル樹脂を用いることにより、得られる樹脂
封止型半導体装置の耐熱衝撃性向上が顕著となる。この
ようなフェノールアラルキル樹脂は、例えば、フェノー
ル類とアラルキルエーテルとをフリーデルクラフツ反応
によって縮合させることにより製造される。このときの
フェノール類としては、フェノール，メチルフェノー
ル，ビスフェノールなどを用いることができ、またアラ
ルキルエーテルとしては、α，α−ジメトキシ−ｐ−キ
シレン，α，α−ジメトキシ−Ｏ−キシレン，α，α−
ジメトキシ−ｍ−キシレン，α，α−ジエトキシ−ｐ−
キシレン，α，α−ジブトキシ−ｐ−キシレン等２価以
上のアルコキシメチル基を持つ芳香族が一般に使用され
る。係るフェノールアラルキル樹脂の具体例としては、
XL−225（三井東圧化学（株）製，軟化点94℃）,XL−22
5L（三井東圧化学（株）製，軟化点84℃，水酸基当量18
0）,XL−325（三井東圧化学（株）製，軟化点95℃）等
が挙げられる。
ールアラルキル樹脂を用いることにより、得られる樹脂
封止型半導体装置の耐熱衝撃性向上が顕著となる。この
ようなフェノールアラルキル樹脂は、例えば、フェノー
ル類とアラルキルエーテルとをフリーデルクラフツ反応
によって縮合させることにより製造される。このときの
フェノール類としては、フェノール，メチルフェノー
ル，ビスフェノールなどを用いることができ、またアラ
ルキルエーテルとしては、α，α−ジメトキシ−ｐ−キ
シレン，α，α−ジメトキシ−Ｏ−キシレン，α，α−
ジメトキシ−ｍ−キシレン，α，α−ジエトキシ−ｐ−
キシレン，α，α−ジブトキシ−ｐ−キシレン等２価以
上のアルコキシメチル基を持つ芳香族が一般に使用され
る。係るフェノールアラルキル樹脂の具体例としては、
XL−225（三井東圧化学（株）製，軟化点94℃）,XL−22
5L（三井東圧化学（株）製，軟化点84℃，水酸基当量18
0）,XL−325（三井東圧化学（株）製，軟化点95℃）等
が挙げられる。
また本発明では、フェノールアラルキル樹脂以外のフ
ェノール樹脂を硬化剤として併用することができる。こ
のようなフェノール樹脂としては一般にエポキシ樹脂の
硬化剤として用いられる１分子中に２個以上のフェノー
ル性水酸基を有するものであればいかなるものでも良
く、例えば、フェノールノボラック樹脂、ポリオキシス
チレン、下記構造式で表されるトリス（ヒドロキシフェ
ニル）アルカンなどを用いることができる。
ェノール樹脂を硬化剤として併用することができる。こ
のようなフェノール樹脂としては一般にエポキシ樹脂の
硬化剤として用いられる１分子中に２個以上のフェノー
ル性水酸基を有するものであればいかなるものでも良
く、例えば、フェノールノボラック樹脂、ポリオキシス
チレン、下記構造式で表されるトリス（ヒドロキシフェ
ニル）アルカンなどを用いることができる。
（式中、R1、R2は水素原子又は炭素数１〜20のアルキル
基を示し、同一でも異なっていてもよい。R3は単結合、
又はメチレン、エチレンなどのアルキレン基を示す。） また、硬化剤としてのフェノールアラルキル樹脂の配
合量は、フェノールアラルキル樹脂中のフェノール性水
酸基とエポキシ樹脂中のエポキシ基との比が0.5〜2.0の
範囲内となるように設定することが好ましい。これは上
述したような比が0.5未満だと得られる樹脂の強度が低
下し、2.0を越えると樹脂の耐湿性が低下するおそれが
ある。さらには、上記したようなフェノール性水酸基と
エポキシ基の数が化学量論的に等しくなるように前記フ
ェノールアラルキル樹脂を配合するのがより好ましい。
基を示し、同一でも異なっていてもよい。R3は単結合、
又はメチレン、エチレンなどのアルキレン基を示す。） また、硬化剤としてのフェノールアラルキル樹脂の配
合量は、フェノールアラルキル樹脂中のフェノール性水
酸基とエポキシ樹脂中のエポキシ基との比が0.5〜2.0の
範囲内となるように設定することが好ましい。これは上
述したような比が0.5未満だと得られる樹脂の強度が低
下し、2.0を越えると樹脂の耐湿性が低下するおそれが
ある。さらには、上記したようなフェノール性水酸基と
エポキシ基の数が化学量論的に等しくなるように前記フ
ェノールアラルキル樹脂を配合するのがより好ましい。
本発明において、（ｃ）成分の有機溶剤は、通常液状
エポキシ樹脂組成物に用いられるものであれば特に限定
されず、エチルアルコール等のアルコール類，アセトン
等のケトン類，エチルエーテル等のエーテル類，プロピ
レンオキサイド等のオキサイド類，酢酸エチル等のエス
テル類，四塩化炭素等の塩素化炭化水素類，フロン113
等のフッ素化炭化水素類，トルエン等の炭化水素類，エ
チルセロソルブ，メチルセロソルブ，酢酸セロソルブ等
のセロソルブ類等が挙げられる。
エポキシ樹脂組成物に用いられるものであれば特に限定
されず、エチルアルコール等のアルコール類，アセトン
等のケトン類，エチルエーテル等のエーテル類，プロピ
レンオキサイド等のオキサイド類，酢酸エチル等のエス
テル類，四塩化炭素等の塩素化炭化水素類，フロン113
等のフッ素化炭化水素類，トルエン等の炭化水素類，エ
チルセロソルブ，メチルセロソルブ，酢酸セロソルブ等
のセロソルブ類等が挙げられる。
さらに本発明の液状エポキシ樹脂組成物においては、
必要に応じて無機質充填剤を添加，配合せしめることも
できる。本発明ではこのような無機質充填剤の添加によ
り、液状エポキシ樹脂組成物の熱膨張係数を調整するこ
とができる。係る無機質充填剤の具体例としては、石英
粉末，溶融シリカ粉末，酸化チタン粉末，窒化ケイ素粉
末，窒化アルミニウム粉末，タルク，アルミナ粉末，ケ
イ藻土，水和アルミナ粉末，ガラス繊維，球状ガラス粉
末，ガラスマイクロバルーン，球状溶融シリカ粉末，セ
ラミック粉末，ウィスカ，酸化アンチモン粉末等が挙げ
られる。なお、このような無機質充填剤の配合量は特に
限定されないが、通常有機溶剤を除く他の成分に対し
て、40〜75vol％程度である。
必要に応じて無機質充填剤を添加，配合せしめることも
できる。本発明ではこのような無機質充填剤の添加によ
り、液状エポキシ樹脂組成物の熱膨張係数を調整するこ
とができる。係る無機質充填剤の具体例としては、石英
粉末，溶融シリカ粉末，酸化チタン粉末，窒化ケイ素粉
末，窒化アルミニウム粉末，タルク，アルミナ粉末，ケ
イ藻土，水和アルミナ粉末，ガラス繊維，球状ガラス粉
末，ガラスマイクロバルーン，球状溶融シリカ粉末，セ
ラミック粉末，ウィスカ，酸化アンチモン粉末等が挙げ
られる。なお、このような無機質充填剤の配合量は特に
限定されないが、通常有機溶剤を除く他の成分に対し
て、40〜75vol％程度である。
また本発明の液状エポキシ樹脂組成物では、エポキシ
樹脂と硬化剤としてのフェノールアラルキル樹脂との硬
化反応を促進するため、適当な硬化促進剤を添加，配合
しても良い。このような硬化促進剤の具体例としては、
２−メチルイミダゾール,2−エチル−４−メチルイミダ
ゾール,1−シアノエチル−２−エチル−メチルイミダゾ
ール等のイミダゾール化合物，ベンジルジメチルアミ
ン，トリスジメチルアミノメチルフェノール等の第三級
アミン化合物，トリフェニルホスフィン，トリシクロヘ
キシルホスフィン，トリブチルホスフィン，メチルジフ
ェニルホスフィン等の有機ホスフィン化合物，ジアザビ
シクロウンデセンやその塩等が挙げられる。
樹脂と硬化剤としてのフェノールアラルキル樹脂との硬
化反応を促進するため、適当な硬化促進剤を添加，配合
しても良い。このような硬化促進剤の具体例としては、
２−メチルイミダゾール,2−エチル−４−メチルイミダ
ゾール,1−シアノエチル−２−エチル−メチルイミダゾ
ール等のイミダゾール化合物，ベンジルジメチルアミ
ン，トリスジメチルアミノメチルフェノール等の第三級
アミン化合物，トリフェニルホスフィン，トリシクロヘ
キシルホスフィン，トリブチルホスフィン，メチルジフ
ェニルホスフィン等の有機ホスフィン化合物，ジアザビ
シクロウンデセンやその塩等が挙げられる。
さらに本発明では、難燃性付与剤として上記液状エポ
キシ樹脂組成物中にハロゲン化エポキシ樹脂を含有せし
めることもできる。このようなハロゲン化エポキシ樹脂
としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、臭
素，塩素等のハロゲン原子を含むもの、すなわちビスフ
ェノール型エポキシ樹脂やノボラック型エポキシ樹脂の
臭素化物等を用いることができ、好ましくは臭素含有量
20重量％以上の臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂，
臭素化ノボラック型エポキシ樹脂であり、さらに好まし
くは、臭素含有量40重量％以上の臭素化ビスフェノール
型エポキシ樹脂である。係るハロゲン化エポキシ樹脂の
具体例としては、AER−735（臭素含有量48.1重量％，エ
ポキシ当量350,軟化点室温で柔軟，ビスフェノール型，
旭化成工業（株）製）,AER−745（臭素含有量48.5重量
％，エポキシ当量402,軟化点71℃，ビスフェノール型，
旭化成工業（株）製）,AER−755（臭素含有量48.5重量
％，エポキシ当量459,軟化点81℃，ビスフェノール型，
旭化成工業（株）製）,AER−765（臭素含有量49.6重量
％，エポキシ当量602,軟化点101℃，ビスフェノール
型，旭化成工業（株）製）,BREN（臭素含有量35〜37重
量％，エポキシ当量270〜300,融点80〜90℃，フェノー
ルノボラック型，日本化薬（株）製）,BREN−Ｓ（臭素
含有量35.8重量％，エポキシ当量289,軟化点88℃，フェ
ノールノボラック型，日本化薬（株）製）,Br化EPPN500
（臭素含有量43.7重量％，エポキシ当量285,軟化点93.2
℃，日本化薬（株）製），エピコートYL−6084（臭素含
有量42.9重量％，エポキシ当量509,軟化点100℃，油化
シェルエポキシ（株）製）,AER−711（臭素含有量20重
量％，エポキシ当量445〜520,軟化点68〜80℃，ビスフ
ェノール型，旭化成工業（株）製）,AER−714（臭素含
有量20重量％，エポキシ当量600〜800,軟化点85〜100
℃，ビスフェノール型，旭化成工業（株）製），エピク
ロン152（臭素含有量44〜48重量％，エポキシ当量340〜
380,融点55〜56℃，大日本インキ化学（株）製），エピ
クロン1120（臭素含有量18〜22重量％，エポキシ当量46
0〜510,融点70〜80℃，大日本インキ化学（株）製），
エピクロン160（臭素含有量47〜51重量％，エポキシ当
量440〜500,軟化点77〜87℃，大日本インキ化学（株）
製），エピクロン165（臭素含有量48〜52重量％，エポ
キシ当量640〜690,軟化点96〜104℃，大日本インキ化学
（株）製）等が挙げられる。
キシ樹脂組成物中にハロゲン化エポキシ樹脂を含有せし
めることもできる。このようなハロゲン化エポキシ樹脂
としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、臭
素，塩素等のハロゲン原子を含むもの、すなわちビスフ
ェノール型エポキシ樹脂やノボラック型エポキシ樹脂の
臭素化物等を用いることができ、好ましくは臭素含有量
20重量％以上の臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂，
臭素化ノボラック型エポキシ樹脂であり、さらに好まし
くは、臭素含有量40重量％以上の臭素化ビスフェノール
型エポキシ樹脂である。係るハロゲン化エポキシ樹脂の
具体例としては、AER−735（臭素含有量48.1重量％，エ
ポキシ当量350,軟化点室温で柔軟，ビスフェノール型，
旭化成工業（株）製）,AER−745（臭素含有量48.5重量
％，エポキシ当量402,軟化点71℃，ビスフェノール型，
旭化成工業（株）製）,AER−755（臭素含有量48.5重量
％，エポキシ当量459,軟化点81℃，ビスフェノール型，
旭化成工業（株）製）,AER−765（臭素含有量49.6重量
％，エポキシ当量602,軟化点101℃，ビスフェノール
型，旭化成工業（株）製）,BREN（臭素含有量35〜37重
量％，エポキシ当量270〜300,融点80〜90℃，フェノー
ルノボラック型，日本化薬（株）製）,BREN−Ｓ（臭素
含有量35.8重量％，エポキシ当量289,軟化点88℃，フェ
ノールノボラック型，日本化薬（株）製）,Br化EPPN500
（臭素含有量43.7重量％，エポキシ当量285,軟化点93.2
℃，日本化薬（株）製），エピコートYL−6084（臭素含
有量42.9重量％，エポキシ当量509,軟化点100℃，油化
シェルエポキシ（株）製）,AER−711（臭素含有量20重
量％，エポキシ当量445〜520,軟化点68〜80℃，ビスフ
ェノール型，旭化成工業（株）製）,AER−714（臭素含
有量20重量％，エポキシ当量600〜800,軟化点85〜100
℃，ビスフェノール型，旭化成工業（株）製），エピク
ロン152（臭素含有量44〜48重量％，エポキシ当量340〜
380,融点55〜56℃，大日本インキ化学（株）製），エピ
クロン1120（臭素含有量18〜22重量％，エポキシ当量46
0〜510,融点70〜80℃，大日本インキ化学（株）製），
エピクロン160（臭素含有量47〜51重量％，エポキシ当
量440〜500,軟化点77〜87℃，大日本インキ化学（株）
製），エピクロン165（臭素含有量48〜52重量％，エポ
キシ当量640〜690,軟化点96〜104℃，大日本インキ化学
（株）製）等が挙げられる。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、さらに必要に
応じて上述したような成分の他に、シランカップリング
剤等の表面処理剤，カーボン，染料等の着色剤，アンチ
モン，リン等の難燃助剤，界面活性剤等を配合せしめる
こともできる。
応じて上述したような成分の他に、シランカップリング
剤等の表面処理剤，カーボン，染料等の着色剤，アンチ
モン，リン等の難燃助剤，界面活性剤等を配合せしめる
こともできる。
また本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記液状エポ
キシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することによ
り製造される。このような本発明の樹脂封止型半導体装
置では、上述したように構成することにより、耐熱衝撃
性，高温電気特性，耐湿性の向上が達成される。
キシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することによ
り製造される。このような本発明の樹脂封止型半導体装
置では、上述したように構成することにより、耐熱衝撃
性，高温電気特性，耐湿性の向上が達成される。
（実施例） 以下に、本発明を実施例により詳細に説明する。
まず、第１表に示す組成の各成分を配合し、実施例及
び比較例に係る液状エポキシ樹脂組成物を製造した。す
なわち、まず有機溶剤を除いた各成分を、万能混合器や
ロールなどの混合器により均一に混合した後、混合物を
有機溶剤に溶解して上述した液状エポキシ樹脂組成物を
得た。ただし、本発明の液状エポキシ樹脂組成物の構成
成分中、一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂として
は、ESX−221（住友化学製、軟化点85℃、エポキシ当量
220）、フェノールアラルキル樹脂としては、XL−225L
（三井東圧化学製、フェノールアラルキル樹脂、軟化点
84℃、水酸基当量180）、有機溶剤としては、酢酸セロ
ソルブ、トルエン及びMEK（メチルエチルケトン）をそ
れぞれ用い、また比較例ではエポキシ樹脂として、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂ESCN−195（住友化学
製、エポキシ当量195）、硬化剤のフェノール樹脂とし
て、BRG−556（昭和高分子製、フェノールノボラック樹
脂、水酸基当量104）を使用した。また上記液状エポキ
シ樹脂組成物では、上述したような構成成分の他に、ハ
ロゲン化エポキシ樹脂AER−755T（旭化成工業製，臭素
含有量48.5重量％，エポキシ当量460），シランカップ
リング剤（UCC社製Ａ−187），シリカ充填剤（東芝セラ
ミック製,SG−Ａ），カーボンブラック（三菱化成製,CB
−30），イミダゾール系硬化促進剤（四国化成製2E4M
Z）を併用した。次いで得られた液状エポキシ樹脂組成
物について、高温電気特性，耐熱衝撃性及び耐湿性の評
価試験を以下に示すような方法により行なった。
び比較例に係る液状エポキシ樹脂組成物を製造した。す
なわち、まず有機溶剤を除いた各成分を、万能混合器や
ロールなどの混合器により均一に混合した後、混合物を
有機溶剤に溶解して上述した液状エポキシ樹脂組成物を
得た。ただし、本発明の液状エポキシ樹脂組成物の構成
成分中、一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂として
は、ESX−221（住友化学製、軟化点85℃、エポキシ当量
220）、フェノールアラルキル樹脂としては、XL−225L
（三井東圧化学製、フェノールアラルキル樹脂、軟化点
84℃、水酸基当量180）、有機溶剤としては、酢酸セロ
ソルブ、トルエン及びMEK（メチルエチルケトン）をそ
れぞれ用い、また比較例ではエポキシ樹脂として、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂ESCN−195（住友化学
製、エポキシ当量195）、硬化剤のフェノール樹脂とし
て、BRG−556（昭和高分子製、フェノールノボラック樹
脂、水酸基当量104）を使用した。また上記液状エポキ
シ樹脂組成物では、上述したような構成成分の他に、ハ
ロゲン化エポキシ樹脂AER−755T（旭化成工業製，臭素
含有量48.5重量％，エポキシ当量460），シランカップ
リング剤（UCC社製Ａ−187），シリカ充填剤（東芝セラ
ミック製,SG−Ａ），カーボンブラック（三菱化成製,CB
−30），イミダゾール系硬化促進剤（四国化成製2E4M
Z）を併用した。次いで得られた液状エポキシ樹脂組成
物について、高温電気特性，耐熱衝撃性及び耐湿性の評
価試験を以下に示すような方法により行なった。
まず高温電気特性については、前記液状エポキシ樹脂
組成物をAl製基板上に膜厚が約0.2mmとなるように均一
に塗布した後、80℃×30分,120℃×30分,150℃×２時間
の硬化条件により硬化して試験片を作成し、JISK6911に
準拠して150℃における体積抵抗率を測定した。
組成物をAl製基板上に膜厚が約0.2mmとなるように均一
に塗布した後、80℃×30分,120℃×30分,150℃×２時間
の硬化条件により硬化して試験片を作成し、JISK6911に
準拠して150℃における体積抵抗率を測定した。
また耐熱衝撃性については、まず12mm□の評価試験用
TAB素子に、ディスペンサーにより液状エポキシ樹脂組
成物をポッティングし、次いで80℃×30分,120℃×30
分,150℃×２時間の条件で硬化してサンプルを作成し
た。第１図に、このようなサンプルの縦断面図を模式的
に示す。第１図に示されるように、評価試験用TAB素子
はポリイミドフィルム基板（１）上に形成されたCuリー
ド線（２）に半導体素子（３）の電極パッドがバンプ
（４）を介してボンディングされており、液状エポキシ
樹脂組成物（５）は、半導体素子（３）とポリイミドフ
ィルム基板（１）との接続部にのみ塗布した。この後、
得られたサンプル24個を−65℃,30分／室温,5分/150゜,
30分／室温,5分を１サイクルとする冷熱サイクルにさら
して、所定サイクル終了毎にTAB素子の不良発生数を調
べた。
TAB素子に、ディスペンサーにより液状エポキシ樹脂組
成物をポッティングし、次いで80℃×30分,120℃×30
分,150℃×２時間の条件で硬化してサンプルを作成し
た。第１図に、このようなサンプルの縦断面図を模式的
に示す。第１図に示されるように、評価試験用TAB素子
はポリイミドフィルム基板（１）上に形成されたCuリー
ド線（２）に半導体素子（３）の電極パッドがバンプ
（４）を介してボンディングされており、液状エポキシ
樹脂組成物（５）は、半導体素子（３）とポリイミドフ
ィルム基板（１）との接続部にのみ塗布した。この後、
得られたサンプル24個を−65℃,30分／室温,5分/150゜,
30分／室温,5分を１サイクルとする冷熱サイクルにさら
して、所定サイクル終了毎にTAB素子の不良発生数を調
べた。
さらに耐湿性については、上述したような耐熱衝撃性
試験と同様，評価試験用TAB素子に液状エポキシ樹脂組
成物をポッティングしてサンプルを作成した後、サンプ
ル24個を85℃,85％RHの高温高湿槽中に所定時間放置し
た時の不良発生数で評価した。
試験と同様，評価試験用TAB素子に液状エポキシ樹脂組
成物をポッティングしてサンプルを作成した後、サンプ
ル24個を85℃,85％RHの高温高湿槽中に所定時間放置し
た時の不良発生数で評価した。
上述したような高温電気特性、耐熱衝撃性及び耐湿性
の評価試験の結果を第２表に示す。第２表から明らかな
ように、一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂を用いた実施例１〜３ではクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹
脂を用いた比較例１、２と比べて良好な結果が得られて
いる。またさらに、硬化剤としてフェノールアラルキル
樹脂を用いた実施例１〜３では、硬化剤としてフェノー
ルノボラック樹脂を用いた比較例３よりも、優れた耐熱
衝撃性が得られたことが確認された。
の評価試験の結果を第２表に示す。第２表から明らかな
ように、一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂を用いた実施例１〜３ではクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹
脂を用いた比較例１、２と比べて良好な結果が得られて
いる。またさらに、硬化剤としてフェノールアラルキル
樹脂を用いた実施例１〜３では、硬化剤としてフェノー
ルノボラック樹脂を用いた比較例３よりも、優れた耐熱
衝撃性が得られたことが確認された。
［発明の効果］ 以上詳述したように、本発明の液状エポキシ樹脂組成
物は、係る液状エポキシ樹脂組成物によって封止された
樹脂封止型半導体装置に優れた耐熱衝撃性，高温電気特
性及び耐湿性を付与せしめることができる。而して係る
液状エポキシ樹脂組成物を用いれば、小型かつ薄型で、
しかも信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を実現するこ
とができ、その工業的な価値は大なるものがある。
物は、係る液状エポキシ樹脂組成物によって封止された
樹脂封止型半導体装置に優れた耐熱衝撃性，高温電気特
性及び耐湿性を付与せしめることができる。而して係る
液状エポキシ樹脂組成物を用いれば、小型かつ薄型で、
しかも信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を実現するこ
とができ、その工業的な価値は大なるものがある。
第１図は、本発明の液状エポキシ樹脂組成物によって封
止された評価試験用TAB素子を模式的に示す縦断面図で
ある。 １……ポリイミドフィルム基板， ２……Cuリード線， ３……半導体素子,4……バンプ， ５……液状エポキシ樹脂組成物
止された評価試験用TAB素子を模式的に示す縦断面図で
ある。 １……ポリイミドフィルム基板， ２……Cuリード線， ３……半導体素子,4……バンプ， ５……液状エポキシ樹脂組成物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 善積 章 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−209720（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−252625（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−16148（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−209948（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−223268（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−296521（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−296522（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 59/24 C08G 59/32 C08L 63/00 - 63/10 H01L 23/29
Claims (2)
- 【請求項１】（ａ）下記一般式（Ｉ） （ただしR1、R2はそれぞれ、水素原子又は炭素数１〜20
のアルキル基を表し、ｎは０又は正の整数を示す。） で表されるエポキシ樹脂と、 （ｂ）硬化剤としてのフェノールアラルキル樹脂と、 （ｃ）有機溶剤 とを含有することを特徴とする液状エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項２】請求項１記載の液状エポキシ樹脂組成物を
用いて半導体素子が封止されてなることを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18421090A JP3103365B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 液状エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18421090A JP3103365B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 液状エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0477518A JPH0477518A (ja) | 1992-03-11 |
| JP3103365B2 true JP3103365B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=16149292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18421090A Expired - Lifetime JP3103365B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 液状エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3103365B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100337465B1 (ko) * | 1994-07-23 | 2002-10-31 | 아오야마 요시타카 | 진동식부품공급기의부품공급제어장치 |
| JP4194859B2 (ja) | 2003-02-24 | 2008-12-10 | リーダー電子株式会社 | 映像信号監視装置 |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP18421090A patent/JP3103365B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0477518A (ja) | 1992-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20070036981A1 (en) | Molding compositions containing quaternary organophosphonium salts | |
| US4923912A (en) | Epoxy resin composition | |
| US6617021B2 (en) | Adhesive composition and adhesive sheet for semiconductor devices | |
| US5306747A (en) | Flexibilizers of hydroxyphenyl silicone oil-epoxy resin product and epoxy silicone oil-phenol resin product | |
| US5346743A (en) | Resin encapsulation type semiconductor device | |
| US6255365B1 (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation | |
| JPH05331263A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP3103365B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2001151867A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP2002275445A (ja) | プリント配線板用接着剤 | |
| JPH05259316A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0867805A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2000239349A (ja) | エポキシ樹脂、組成物、および樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3147317B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3003887B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPH06216280A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JPH11140167A (ja) | ポリエステル化合物、その製造方法および用途 | |
| JP3068896B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3046443B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2001031841A (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3204706B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3139825B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH08333428A (ja) | 低軟化点フェニルフェノールアラルキル樹脂およびその樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物 | |
| JP3281633B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3235798B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070825 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080825 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090825 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090825 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100825 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |