JP3102194B2 - インクジェット記録ヘッドの製造方法 - Google Patents
インクジェット記録ヘッドの製造方法Info
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- JP3102194B2 JP3102194B2 JP6577893A JP6577893A JP3102194B2 JP 3102194 B2 JP3102194 B2 JP 3102194B2 JP 6577893 A JP6577893 A JP 6577893A JP 6577893 A JP6577893 A JP 6577893A JP 3102194 B2 JP3102194 B2 JP 3102194B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、シリコンなどの基板
の表面に、インク流路などからなる連通溝を形成するた
め、ドライプラズマエッチングによる浅彫りと、ウェッ
トエッチングによる深彫りを併用する方法であって、と
くにウェットエッチング前におこなうレジストマスク成
膜の基板に対する密着性を向上させ、ウェットエッチン
グによる十分な深彫りを可能にするインクジェット記録
ヘッドの製造方法に関する。
の表面に、インク流路などからなる連通溝を形成するた
め、ドライプラズマエッチングによる浅彫りと、ウェッ
トエッチングによる深彫りを併用する方法であって、と
くにウェットエッチング前におこなうレジストマスク成
膜の基板に対する密着性を向上させ、ウェットエッチン
グによる十分な深彫りを可能にするインクジェット記録
ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、微細なノズル孔よりインクを噴射
して紙などの記録媒体上に付着させて記録を行う方法
は、インクジェット記録方法として知られている。そし
て、その原理の一つとしてオン・デマンド型インクジェ
ット記録ヘッドがある。この方式の両面形インクジェッ
ト記録ヘッドは、高解像度を得るため両面にインク噴射
用ノズルを千鳥状に配置するもので、一般的には、キャ
ビティ板の溝側から見た平面図である図４と、断面図で
ある図５とに示すように、シリコン，ガラスまたはセラ
ミックスなどの板部材の両面に、インク噴射用ノズル
２，噴射流路３，インク加圧室５，インク供給路６, 絞
り８および共通なインク溜め７を形成した、基板として
のキャビティ板31と、振動板９とを積層，一体化したの
ち、振動板９の外側面のインク加圧室５に対向する位置
に電気機械変換素子としての圧電素子10が導電性膜11を
介して接合される構造をとっている。
して紙などの記録媒体上に付着させて記録を行う方法
は、インクジェット記録方法として知られている。そし
て、その原理の一つとしてオン・デマンド型インクジェ
ット記録ヘッドがある。この方式の両面形インクジェッ
ト記録ヘッドは、高解像度を得るため両面にインク噴射
用ノズルを千鳥状に配置するもので、一般的には、キャ
ビティ板の溝側から見た平面図である図４と、断面図で
ある図５とに示すように、シリコン，ガラスまたはセラ
ミックスなどの板部材の両面に、インク噴射用ノズル
２，噴射流路３，インク加圧室５，インク供給路６, 絞
り８および共通なインク溜め７を形成した、基板として
のキャビティ板31と、振動板９とを積層，一体化したの
ち、振動板９の外側面のインク加圧室５に対向する位置
に電気機械変換素子としての圧電素子10が導電性膜11を
介して接合される構造をとっている。
【０００３】加えて、図５の右端部に、コ字状のゴム成
形品またはプラスチック成形品である供給治具32が密閉
的に嵌め込まれ、接着される。供給治具32には、図示し
てないインクチューブが接続される孔33があけられ、こ
れに連通する前置空間35がインク溜め７につながる形で
設けられる。この前置空間35は、文字どおりインク溜め
７の前段に設置され、孔33から流入，供給されるインク
に対して緩衝機能、つまりインクの勢いを緩和する機能
をもつものである。
形品またはプラスチック成形品である供給治具32が密閉
的に嵌め込まれ、接着される。供給治具32には、図示し
てないインクチューブが接続される孔33があけられ、こ
れに連通する前置空間35がインク溜め７につながる形で
設けられる。この前置空間35は、文字どおりインク溜め
７の前段に設置され、孔33から流入，供給されるインク
に対して緩衝機能、つまりインクの勢いを緩和する機能
をもつものである。
【０００４】このような構造において、圧電素子10に電
気信号としての電圧を印加すると、振動板９がインク加
圧室５の内側に変位してインク加圧室５の容積を急激に
減少させ、その容積分に相当するインクがノズル２から
噴射され、それがインク滴となって、対向する記録紙に
点着して印字される。図4 において、さらに若干、具体
的に補足説明すると、ノズル２は、一方の表面に間隔(
ピッチ)254μｍで24本配設され、他方の表面に千鳥状に
配設されるものとともに、両面で合計48本がピッチ127
μｍで配設され、200dpiの解像度に対応する。一般にノ
ズル2 は、幅50, 深さ40( 以下、単位：μｍ) 、絞り8
は、幅300,深さ40、噴射流路3 とインク供給路6 は、幅
300,深さ140 、インク加圧室5は、幅1500, 深さ140 に
設定される。また、シリコンウェハは高価であるから、
一つのシリコンウェハから無駄なく複数個取りすること
がおこなわれる。図６の配置図において、寸法が35×45
mmの記録ヘッドに対するキャビティ板41の４個が円環状
に配置され、１個の直径４インチのシリコンウェハ20か
ら取られる。この円環状配置された４個のキャビティ板
41のインク溜め，インク加圧室，ノズルなどの溝が、同
時に加工される。
気信号としての電圧を印加すると、振動板９がインク加
圧室５の内側に変位してインク加圧室５の容積を急激に
減少させ、その容積分に相当するインクがノズル２から
噴射され、それがインク滴となって、対向する記録紙に
点着して印字される。図4 において、さらに若干、具体
的に補足説明すると、ノズル２は、一方の表面に間隔(
ピッチ)254μｍで24本配設され、他方の表面に千鳥状に
配設されるものとともに、両面で合計48本がピッチ127
μｍで配設され、200dpiの解像度に対応する。一般にノ
ズル2 は、幅50, 深さ40( 以下、単位：μｍ) 、絞り8
は、幅300,深さ40、噴射流路3 とインク供給路6 は、幅
300,深さ140 、インク加圧室5は、幅1500, 深さ140 に
設定される。また、シリコンウェハは高価であるから、
一つのシリコンウェハから無駄なく複数個取りすること
がおこなわれる。図６の配置図において、寸法が35×45
mmの記録ヘッドに対するキャビティ板41の４個が円環状
に配置され、１個の直径４インチのシリコンウェハ20か
ら取られる。この円環状配置された４個のキャビティ板
41のインク溜め，インク加圧室，ノズルなどの溝が、同
時に加工される。
【０００５】ところで、キャビティ板1 がシリコンから
なるとき、そのノズル2,噴射流路3,インク加圧室5,イン
ク供給路6,絞り8 などからなる溝、およびインク溜め7
の形成には、一般にはエッチングまたは機械加工による
方式が用いられるが、加工精度と加工効率の点から、最
近はドライプラズマエッチングとウェットエッチングと
の併用による方式が用いられることが多い。
なるとき、そのノズル2,噴射流路3,インク加圧室5,イン
ク供給路6,絞り8 などからなる溝、およびインク溜め7
の形成には、一般にはエッチングまたは機械加工による
方式が用いられるが、加工精度と加工効率の点から、最
近はドライプラズマエッチングとウェットエッチングと
の併用による方式が用いられることが多い。
【０００６】ドライプラズマエッチングは、ガス雰囲気
中に置かれた電極間に高周波電圧を印加し、そのときに
励起するプラズマをシリコンウェハの表面に照射して加
工をする方法である。この際、溝深さは、単位領域内で
の加工部分の周縁長（以下、周縁長密度という）に反比
例する。したがって、加工すべき溝の近くに適当なダミ
ーパターンを配置することによって、1 回のドライプラ
ズマエッチングによって、数10μｍ程度なら、一つのシ
リコンウェハの中で溝深さに差をつけることが可能であ
る。この加工部分の周縁長密度と深さの関係は、実験に
よって明確である。したがって、溝深さの差がある範囲
までなら、容易に設計, 加工することができる。
中に置かれた電極間に高周波電圧を印加し、そのときに
励起するプラズマをシリコンウェハの表面に照射して加
工をする方法である。この際、溝深さは、単位領域内で
の加工部分の周縁長（以下、周縁長密度という）に反比
例する。したがって、加工すべき溝の近くに適当なダミ
ーパターンを配置することによって、1 回のドライプラ
ズマエッチングによって、数10μｍ程度なら、一つのシ
リコンウェハの中で溝深さに差をつけることが可能であ
る。この加工部分の周縁長密度と深さの関係は、実験に
よって明確である。したがって、溝深さの差がある範囲
までなら、容易に設計, 加工することができる。
【０００７】しかし、ノズル2,絞り8 と、インク加圧室
5,インク供給路6 などとの深さのように、100 μｍの差
をつけるには、1 回のドライプラズマエッチングだけで
は不可能で、ノズル2 などに対する浅彫りと、インク加
圧室5,インク供給路6 などに対する深彫りとの2 回のエ
ッチングをおこなう必要がある。しかも、ノズル2 と絞
り8 とは、インク噴射特性に影響が大きいため、その深
さの加工精度は高く要求されるから、この箇所はドライ
プラズマエッチングによる。その後、深さ140μｍの噴
射流路3,インク供給路6,インク加圧室5 などは加工効率
の高いウェットエッチングによって加工される。
5,インク供給路6 などとの深さのように、100 μｍの差
をつけるには、1 回のドライプラズマエッチングだけで
は不可能で、ノズル2 などに対する浅彫りと、インク加
圧室5,インク供給路6 などに対する深彫りとの2 回のエ
ッチングをおこなう必要がある。しかも、ノズル2 と絞
り8 とは、インク噴射特性に影響が大きいため、その深
さの加工精度は高く要求されるから、この箇所はドライ
プラズマエッチングによる。その後、深さ140μｍの噴
射流路3,インク供給路6,インク加圧室5 などは加工効率
の高いウェットエッチングによって加工される。
【０００８】ウェットエッチング用のレジストマスク
は、深さが数μｍ程度のウェットエッチングなら問題な
いが、深さが100 μｍを超える程度になると、素材とレ
ジストマスクの境界面にエッチング液が浸透してレジス
トマスクを浮き上がらせる。したがって、素材とレジス
トマスクとの密着性を向上させるために、アンカー効果
を利用している。このことについて、以下に図3 を参照
しながら説明する。図3はウェットエッチング前のレジ
ストマスク状態に関し、(a) は深彫り箇所の断面図、
(b) は浅彫り箇所の断面図である。図3 (a),(b) におい
て、キャビティ板1の表面に、厚さ1 μｍ程度の酸化膜1
3を成膜した後、酸化膜13より選択比の大きいエッチン
グを施し、酸化膜13の縁を回り込む形で、キャビティ板
1 がえぐられて、いわゆるアンダカット部15が形成され
る。えぐられた底面部分を残す形で、酸化膜13の表面か
らアンダカット部15に至る部分にレジストマスク14を成
膜すると、このレジストマスク14は、アンダカット部15
に基づく機械的鉤掛け作用、つまりアンカー効果によっ
てキャビティ板1 に対する密着性が非常に向上する。
は、深さが数μｍ程度のウェットエッチングなら問題な
いが、深さが100 μｍを超える程度になると、素材とレ
ジストマスクの境界面にエッチング液が浸透してレジス
トマスクを浮き上がらせる。したがって、素材とレジス
トマスクとの密着性を向上させるために、アンカー効果
を利用している。このことについて、以下に図3 を参照
しながら説明する。図3はウェットエッチング前のレジ
ストマスク状態に関し、(a) は深彫り箇所の断面図、
(b) は浅彫り箇所の断面図である。図3 (a),(b) におい
て、キャビティ板1の表面に、厚さ1 μｍ程度の酸化膜1
3を成膜した後、酸化膜13より選択比の大きいエッチン
グを施し、酸化膜13の縁を回り込む形で、キャビティ板
1 がえぐられて、いわゆるアンダカット部15が形成され
る。えぐられた底面部分を残す形で、酸化膜13の表面か
らアンダカット部15に至る部分にレジストマスク14を成
膜すると、このレジストマスク14は、アンダカット部15
に基づく機械的鉤掛け作用、つまりアンカー効果によっ
てキャビティ板1 に対する密着性が非常に向上する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来方法において、溝
の深さの浅い部分は、ドライプラズマエッチングで、深
い部分は、ウェットエッチングで加工する併用方式がと
られ、それなりに加工精度が高く、加工効率も高い結果
が得られた。しかし、図4 において、隣り合う溝の中間
領域が広いから、この周辺区域は加工部分の周縁長密度
が低く、図3(a)に示したようなアンカー効果に基づくレ
ジストマスクの成膜を施しても、ウェットエッチングの
深さが100 μｍを超える程度になると、キャビティ板と
レジストマスクの境界面にエッチング液が浸透してレジ
ストマスクを浮き上がらせる、という問題を起こすこと
になる。
の深さの浅い部分は、ドライプラズマエッチングで、深
い部分は、ウェットエッチングで加工する併用方式がと
られ、それなりに加工精度が高く、加工効率も高い結果
が得られた。しかし、図4 において、隣り合う溝の中間
領域が広いから、この周辺区域は加工部分の周縁長密度
が低く、図3(a)に示したようなアンカー効果に基づくレ
ジストマスクの成膜を施しても、ウェットエッチングの
深さが100 μｍを超える程度になると、キャビティ板と
レジストマスクの境界面にエッチング液が浸透してレジ
ストマスクを浮き上がらせる、という問題を起こすこと
になる。
【００１０】この発明の課題は、従来の技術がもつ以上
の問題点を解消し、ウェットエッチング前におこなうレ
ジストマスク成膜の基板に対する密着性を向上させ、ウ
ェットエッチングによる十分な深彫りを可能にするイン
クジェット記録ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
の問題点を解消し、ウェットエッチング前におこなうレ
ジストマスク成膜の基板に対する密着性を向上させ、ウ
ェットエッチングによる十分な深彫りを可能にするイン
クジェット記録ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るインクジ
ェット記録ヘッドの製造方法は、シリコン，ガラスまた
はセラミックスからなる基板の表面に、インク溜め、お
よびインク加圧室とインク噴射用ノズルとインク流路と
を有する連通溝を形成するため、ドライプラズマエッチ
ングによる部分的浅彫りと、ウェットエッチングによる
部分的深彫りとが併用される方法において、隣り合う連
通溝の中間領域にそれと連通しないで孤立的に位置し、
ドライプラズマエッチングによって連通溝と同時に浅彫
され、ウェットエッチングによる深彫りはなされないダ
ミーパターンを設ける。
ェット記録ヘッドの製造方法は、シリコン，ガラスまた
はセラミックスからなる基板の表面に、インク溜め、お
よびインク加圧室とインク噴射用ノズルとインク流路と
を有する連通溝を形成するため、ドライプラズマエッチ
ングによる部分的浅彫りと、ウェットエッチングによる
部分的深彫りとが併用される方法において、隣り合う連
通溝の中間領域にそれと連通しないで孤立的に位置し、
ドライプラズマエッチングによって連通溝と同時に浅彫
され、ウェットエッチングによる深彫りはなされないダ
ミーパターンを設ける。
【００１２】請求項２に係るインクジェット記録ヘッド
の製造方法は、１個のシリコン，ガラスまたはセラミッ
クスからなる板材料から基板の複数個取りをするとき、
各基板における、インク溜めおよび、インク加圧室とイ
ンク噴射用ノズルとインク流路とを有する連通溝を形成
するため、ドライプラズマエッチングによる部分的浅彫
りと、ウェットエッチングによる部分的深彫りとが併用
される方法において、隣り合う基板の中間領域に孤立的
に位置し、ドライプラズマエッチングによって連通溝と
同時に浅彫され、ウェットエッチングによる深彫りはな
されないダミーパターンを設ける。
の製造方法は、１個のシリコン，ガラスまたはセラミッ
クスからなる板材料から基板の複数個取りをするとき、
各基板における、インク溜めおよび、インク加圧室とイ
ンク噴射用ノズルとインク流路とを有する連通溝を形成
するため、ドライプラズマエッチングによる部分的浅彫
りと、ウェットエッチングによる部分的深彫りとが併用
される方法において、隣り合う基板の中間領域に孤立的
に位置し、ドライプラズマエッチングによって連通溝と
同時に浅彫され、ウェットエッチングによる深彫りはな
されないダミーパターンを設ける。
【００１３】請求項３に係るインクジェット記録ヘッド
の製造方法は、請求項１または２に記載の方法におい
て、ダミーパターンが格子状溝である。請求項４に係る
インクジェット記録ヘッドの製造方法は、請求項１ない
し３のいずれかの項に記載の方法において、ウェットエ
ッチングがアンカー効果を有するレジストマスク成膜の
後におこなわれる。
の製造方法は、請求項１または２に記載の方法におい
て、ダミーパターンが格子状溝である。請求項４に係る
インクジェット記録ヘッドの製造方法は、請求項１ない
し３のいずれかの項に記載の方法において、ウェットエ
ッチングがアンカー効果を有するレジストマスク成膜の
後におこなわれる。
【００１４】
【作用】請求項１，３または４に係るインクジェット記
録ヘッドの製造方法では、ダミーパターンが、隣り合う
連通溝の中間領域にそれと連通しないで孤立的に位置す
るように形成されるから、隣り合う連通溝の中間領域に
おける加工部分の周縁長密度が高くなり、基板に対する
レジストマスクの密着性が向上する。
録ヘッドの製造方法では、ダミーパターンが、隣り合う
連通溝の中間領域にそれと連通しないで孤立的に位置す
るように形成されるから、隣り合う連通溝の中間領域に
おける加工部分の周縁長密度が高くなり、基板に対する
レジストマスクの密着性が向上する。
【００１５】請求項２ないし４のいずれかの項に係るイ
ンクジェット記録ヘッドの製造方法では、１個のシリコ
ン，ガラスまたはセラミックスからなる板材料から基板
の複数個取りをするとき、ダミーパターンが、隣り合う
基板の中間領域に孤立的に位置するように形成されるか
ら、隣り合う基板の中間領域における加工部分の周縁長
密度が高くなって、板材料に対するレジストマスクの密
着性が向上する。
ンクジェット記録ヘッドの製造方法では、１個のシリコ
ン，ガラスまたはセラミックスからなる板材料から基板
の複数個取りをするとき、ダミーパターンが、隣り合う
基板の中間領域に孤立的に位置するように形成されるか
ら、隣り合う基板の中間領域における加工部分の周縁長
密度が高くなって、板材料に対するレジストマスクの密
着性が向上する。
【００１６】とくに請求項３に係るインクジェット記録
ヘッドの製造方法では、ダミーパターンが格子状溝であ
るから、形成に係る設計やマスク製作が容易であるとと
もに、加工部分の周縁長密度の調整が容易である。とく
に請求項４に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法
では、ウェットエッチング用レジストマスクがアンカー
効果を有するから、基本的に基板に対する密着性が高
い。
ヘッドの製造方法では、ダミーパターンが格子状溝であ
るから、形成に係る設計やマスク製作が容易であるとと
もに、加工部分の周縁長密度の調整が容易である。とく
に請求項４に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法
では、ウェットエッチング用レジストマスクがアンカー
効果を有するから、基本的に基板に対する密着性が高
い。
【００１７】
【実施例】この発明に係るインクジェット記録ヘッドの
製造方法の実施例について、以下に図を参照しながら説
明する。図１は第１実施例のキャビティ板要部の模式的
平面図である。図において、隣り合うインク供給路6 の
中間領域が比較的広く、したがってこの中間領域に、そ
れと連通しなで孤立的に位置するダミーパターン12が形
成される。このダミーパターン12は、幅15μｍ, 深さ40
μｍの溝が縦, 横の間隔0.1mm の格子状をなしたもので
ある。
製造方法の実施例について、以下に図を参照しながら説
明する。図１は第１実施例のキャビティ板要部の模式的
平面図である。図において、隣り合うインク供給路6 の
中間領域が比較的広く、したがってこの中間領域に、そ
れと連通しなで孤立的に位置するダミーパターン12が形
成される。このダミーパターン12は、幅15μｍ, 深さ40
μｍの溝が縦, 横の間隔0.1mm の格子状をなしたもので
ある。
【００１８】ここで、全体的な加工について、エッチン
グの工程順に説明すると、 (1) ノズル2,絞り8,ダミーパターン12は、その深さが40
μｍ程度で浅い部分であるから、噴射流路3,インク加圧
室5,インク供給路6,インク溜め7 とともに、まずドライ
プラズマエッチングによって浅彫りされる。 (2) 次に、レジストマスク14が、噴射流路3,インク加圧
室5,インク供給路6,インク溜め7 の箇所には、図3 (a)
に示すように、またノズル2,絞り8 ダミーパターン12の
箇所には、図3 (b) に示すように、それぞれ施される。
すなわち、レジストマスク14は、図3 (a) では、浅彫り
された部分の底面だけ残す形で、図3 (b)では、浅彫り
された底面部分も含んで全体的に施される。しかも、図
1 の隣り合うインク供給路6 の中間領域は比較的広いか
ら、従来例におけるようにこの中間領域になにもない
と、加工部分の周縁長密度が低く、したがって基板に対
するレジストマスクの密着性が低下する。しかし、実際
には中間領域にダミーパターン12が成形されるから、加
工部分の周縁長密度が高くなり、基板に対するレジスト
マスクの密着性が向上する。 (3) したがって、その後のウェットエッチングにより、
噴射流路3,インク加圧室5,インク供給路6,インク溜め7
は、レジストマスク14の施されない底面部分が、図3
(a) に破線で示すように140 μｍ程度に深彫りされる。
しかも、中間領域のダミーパターン12の形成によって、
キャビティ板1 に対するレジストマスク14の密着性が向
上しているから、エッチング液の浸透によるレジストマ
スク14の浮き上がりもなく、ウェットエッチングによる
140 μｍ程度の深彫りが十分可能になる。なお、他方の
ノズル2,絞り8,ダミーパターン12は、図3 (b) に示すよ
うに全面にレジストマスク14が施されるから、当然なが
ら深彫りされず、浅彫りの状態のままである。
グの工程順に説明すると、 (1) ノズル2,絞り8,ダミーパターン12は、その深さが40
μｍ程度で浅い部分であるから、噴射流路3,インク加圧
室5,インク供給路6,インク溜め7 とともに、まずドライ
プラズマエッチングによって浅彫りされる。 (2) 次に、レジストマスク14が、噴射流路3,インク加圧
室5,インク供給路6,インク溜め7 の箇所には、図3 (a)
に示すように、またノズル2,絞り8 ダミーパターン12の
箇所には、図3 (b) に示すように、それぞれ施される。
すなわち、レジストマスク14は、図3 (a) では、浅彫り
された部分の底面だけ残す形で、図3 (b)では、浅彫り
された底面部分も含んで全体的に施される。しかも、図
1 の隣り合うインク供給路6 の中間領域は比較的広いか
ら、従来例におけるようにこの中間領域になにもない
と、加工部分の周縁長密度が低く、したがって基板に対
するレジストマスクの密着性が低下する。しかし、実際
には中間領域にダミーパターン12が成形されるから、加
工部分の周縁長密度が高くなり、基板に対するレジスト
マスクの密着性が向上する。 (3) したがって、その後のウェットエッチングにより、
噴射流路3,インク加圧室5,インク供給路6,インク溜め7
は、レジストマスク14の施されない底面部分が、図3
(a) に破線で示すように140 μｍ程度に深彫りされる。
しかも、中間領域のダミーパターン12の形成によって、
キャビティ板1 に対するレジストマスク14の密着性が向
上しているから、エッチング液の浸透によるレジストマ
スク14の浮き上がりもなく、ウェットエッチングによる
140 μｍ程度の深彫りが十分可能になる。なお、他方の
ノズル2,絞り8,ダミーパターン12は、図3 (b) に示すよ
うに全面にレジストマスク14が施されるから、当然なが
ら深彫りされず、浅彫りの状態のままである。
【００１９】第２実施例について図2 を参照しながら説
明する。図２は第２実施例におけるシリコンウェハの４
個取りキャビティ板の配置図である。図において、1 個
の直径4 インチのシリコンウェハ20から、寸法が35×45
mmの記録ヘッドに対するキャビティ板21の4 個が円環状
に配置されて、いわゆる4 個取りされる。キャビティ板
21の隣り合う中間領域は、広い非加工部分であるから、
ここに第１実施例におけるのと同様に、ダミーパターン
22を形成し、加工部分の周縁長密度を高める。こうする
ことによって、レジストマスクの密着性を向上させるこ
とができる。ところで、各キャビティ板21は、エッチン
グによる溝加工がなされ、図示してないガラスの振動板
が接合された後に、一点鎖線および輪郭に沿って切断,
分離される。その後さらに、若干の削除, 整形がなされ
て完成する。
明する。図２は第２実施例におけるシリコンウェハの４
個取りキャビティ板の配置図である。図において、1 個
の直径4 インチのシリコンウェハ20から、寸法が35×45
mmの記録ヘッドに対するキャビティ板21の4 個が円環状
に配置されて、いわゆる4 個取りされる。キャビティ板
21の隣り合う中間領域は、広い非加工部分であるから、
ここに第１実施例におけるのと同様に、ダミーパターン
22を形成し、加工部分の周縁長密度を高める。こうする
ことによって、レジストマスクの密着性を向上させるこ
とができる。ところで、各キャビティ板21は、エッチン
グによる溝加工がなされ、図示してないガラスの振動板
が接合された後に、一点鎖線および輪郭に沿って切断,
分離される。その後さらに、若干の削除, 整形がなされ
て完成する。
【００２０】
【発明の効果】請求項１，３または４に係るインクジェ
ット記録ヘッドの製造方法では、ダミーパターンが、隣
り合う連通溝の中間領域に、それと連通しないで孤立的
に位置するように形成されるから、隣り合う連通溝の中
間領域における加工部分の周縁長密度が高くなり、基板
に対するレジストマスクの密着性が向上する。したがっ
て、ウェットエッチングによって、噴射流路，インク供
給路，インク加圧室, インク溜めの部分の品質の良い深
彫りを、効率良くおこなうことができ、コスト低減が図
れる。
ット記録ヘッドの製造方法では、ダミーパターンが、隣
り合う連通溝の中間領域に、それと連通しないで孤立的
に位置するように形成されるから、隣り合う連通溝の中
間領域における加工部分の周縁長密度が高くなり、基板
に対するレジストマスクの密着性が向上する。したがっ
て、ウェットエッチングによって、噴射流路，インク供
給路，インク加圧室, インク溜めの部分の品質の良い深
彫りを、効率良くおこなうことができ、コスト低減が図
れる。
【００２１】請求項２ないし４のいずれかの項に係るイ
ンクジェット記録ヘッドの製造方法では、１個のシリコ
ン，ガラスまたはセラミックスからなる板材料から基板
の複数個取りをするとき、ダミーパターンが、隣り合う
基板の中間領域に孤立的に位置するように形成されるか
ら、隣り合う基板の中間領域における加工部分の周縁長
密度が高くなって、板材料に対するレジストマスクの密
着性が向上する。ウェットエッチングによって、各基板
の噴射流路，インク供給路，インク加圧室, インク溜め
の部分の品質の良い深彫りを、効率良くおこなうことが
でき、コスト低減とが図れる。
ンクジェット記録ヘッドの製造方法では、１個のシリコ
ン，ガラスまたはセラミックスからなる板材料から基板
の複数個取りをするとき、ダミーパターンが、隣り合う
基板の中間領域に孤立的に位置するように形成されるか
ら、隣り合う基板の中間領域における加工部分の周縁長
密度が高くなって、板材料に対するレジストマスクの密
着性が向上する。ウェットエッチングによって、各基板
の噴射流路，インク供給路，インク加圧室, インク溜め
の部分の品質の良い深彫りを、効率良くおこなうことが
でき、コスト低減とが図れる。
【００２２】とくに請求項３に係るインクジェット記録
ヘッドの製造方法では、ダミーパターンが格子状溝であ
るから、形成に係る設計やマスク製作が容易であると共
に、加工部分の周縁長密度の調整が容易であり、基板の
噴射流路，インク供給路，インク加圧室, インク溜めの
部分の品質向上と、効率向上と、コスト低減とが支援さ
れる。
ヘッドの製造方法では、ダミーパターンが格子状溝であ
るから、形成に係る設計やマスク製作が容易であると共
に、加工部分の周縁長密度の調整が容易であり、基板の
噴射流路，インク供給路，インク加圧室, インク溜めの
部分の品質向上と、効率向上と、コスト低減とが支援さ
れる。
【００２３】とくに請求項４に係るインクジェット記録
ヘッドの製造方法では、ウェットエッチング用レジスト
マスクがアンカー効果を有するから、基本的に基板に対
する密着性が高く、基板の噴射流路，インク供給路，イ
ンク加圧室, インク溜めの部分の品質向上と、効率向上
と、コスト低減とが支援される。
ヘッドの製造方法では、ウェットエッチング用レジスト
マスクがアンカー効果を有するから、基本的に基板に対
する密着性が高く、基板の噴射流路，インク供給路，イ
ンク加圧室, インク溜めの部分の品質向上と、効率向上
と、コスト低減とが支援される。
【図１】発明に係る第１実施例のキャビティ板要部の模
式的平面図
式的平面図
【図２】第２実施例におけるシリコンウェハの４個取り
キャビティ板の配置図
キャビティ板の配置図
【図３】各実施例に共通なウェットエッチング前のレジ
ストマスク状態に関し、(a) は深彫り箇所の断面図、
(b) は浅彫り箇所の断面図
ストマスク状態に関し、(a) は深彫り箇所の断面図、
(b) は浅彫り箇所の断面図
【図４】従来例においてキャビティ板の平面図
【図５】同じくその断面図
【図６】従来例におけるシリコンウェハの４個取りキャ
ビティ板の配置図
ビティ板の配置図
１ キャビティ板 ２ ノズル ３ 噴射流路 ５ インク加圧室 ６ インク供給路 ７ インク溜め ８ 絞り １２ ダミーパターン ２０ シリコンウェハ ２１ キャビティ板 ２２ ダミーパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 幹彦 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−116656（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−57889（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−169257（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−230954（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−122205（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41J 2/16 B41J 2/045 B41J 2/055
Claims (4)
- 【請求項１】シリコン，ガラスまたはセラミックスから
なる基板の表面に、インク溜めおよび、インク加圧室と
インク噴射用ノズルとインク流路とを有する連通溝を形
成するため、ドライプラズマエッチングによる部分的浅
彫りと、ウェットエッチングによる部分的深彫りとが併
用される方法において、隣り合う連通溝の中間領域にそ
れと連通しないで孤立的に位置し、ドライプラズマエッ
チングによって連通溝と同時に浅彫され、ウェットエッ
チングによる深彫りはなされないダミーパターンを設け
ることを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方
法。 - 【請求項２】１個のシリコン，ガラスまたはセラミック
スからなる板材料から基板の複数個取りをするとき、各
基板における、インク溜めおよび、インク加圧室とイン
ク噴射用ノズルとインク流路とを有する連通溝を形成す
るため、ドライプラズマエッチングによる部分的浅彫り
と、ウェットエッチングによる部分的深彫りとが併用さ
れる方法において、隣り合う基板の中間領域に孤立的に
位置し、ドライプラズマエッチングによって連通溝と同
時に浅彫され、ウェットエッチングによる深彫りはなさ
れないダミーパターンを設けることを特徴とするインク
ジェット記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の方法において、
ダミーパターンは、格子状溝であることを特徴とするイ
ンクジェット記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかの項に記載の
方法において、ウェットエッチングは、アンカー効果を
有するレジストマスク成膜の後におこなわれることを特
徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6577893A JP3102194B2 (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6577893A JP3102194B2 (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06270407A JPH06270407A (ja) | 1994-09-27 |
| JP3102194B2 true JP3102194B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=13296842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6577893A Expired - Fee Related JP3102194B2 (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3102194B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7651204B2 (en) | 2006-09-14 | 2010-01-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device |
| US7914125B2 (en) | 2006-09-14 | 2011-03-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with deflective flexible membrane |
| US8042913B2 (en) | 2006-09-14 | 2011-10-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with deflective flexible membrane |
| JP5640984B2 (ja) | 2009-09-16 | 2014-12-17 | 日産化学工業株式会社 | 重合性液晶化合物、重合性液晶組成物および配向フィルム |
| JP2012071594A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | 液体吐出ヘッドおよびそれを用いた記録装置 |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP6577893A patent/JP3102194B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06270407A (ja) | 1994-09-27 |
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