JP3095135B2 - 電力合成増幅器 - Google Patents
電力合成増幅器Info
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- JP3095135B2 JP3095135B2 JP09172375A JP17237597A JP3095135B2 JP 3095135 B2 JP3095135 B2 JP 3095135B2 JP 09172375 A JP09172375 A JP 09172375A JP 17237597 A JP17237597 A JP 17237597A JP 3095135 B2 JP3095135 B2 JP 3095135B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電力合成増幅器に関
し、特に２分岐された入力信号をそれぞれ増幅しハイブ
リッドにより合成して出力する電力合成増幅器に関す
る。
し、特に２分岐された入力信号をそれぞれ増幅しハイブ
リッドにより合成して出力する電力合成増幅器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】特開平０１−１２５００８号公報によっ
て開示された電力合成増幅器では、周囲の環境条件によ
って生じる出力変動を抑えるために、図３に示す構成と
している。同図において、入力信号は入力ハイブリッド
１１により分岐されてトランジスタ増幅器１２ａ，１２
ｂによりそれぞれ増幅された後、出力ハイブリッド１３
によって合成される。出力ハイブリッド１３の出力端子
Ｃからは合成電力が出力され、出力端子Ｄからは不平衡
電力が出力される。この不平衡電力を検波器１４によっ
て検波し、検波出力に含まれる不要波がループフィルタ
１５により除去した後、コレクタ電圧制御器１６へ送出
している。コレクタ電圧制御器１６は、検波出力に応じ
てトランジスタ増幅器１２ａ，１２ｂのコレクタ電圧を
同一制御し、不平衡電力が一定になるようにトランジス
タ増幅器１２ａ，１２ｂの出力レベルを制御することに
より、合成電力を一定に維持するようにしている。
て開示された電力合成増幅器では、周囲の環境条件によ
って生じる出力変動を抑えるために、図３に示す構成と
している。同図において、入力信号は入力ハイブリッド
１１により分岐されてトランジスタ増幅器１２ａ，１２
ｂによりそれぞれ増幅された後、出力ハイブリッド１３
によって合成される。出力ハイブリッド１３の出力端子
Ｃからは合成電力が出力され、出力端子Ｄからは不平衡
電力が出力される。この不平衡電力を検波器１４によっ
て検波し、検波出力に含まれる不要波がループフィルタ
１５により除去した後、コレクタ電圧制御器１６へ送出
している。コレクタ電圧制御器１６は、検波出力に応じ
てトランジスタ増幅器１２ａ，１２ｂのコレクタ電圧を
同一制御し、不平衡電力が一定になるようにトランジス
タ増幅器１２ａ，１２ｂの出力レベルを制御することに
より、合成電力を一定に維持するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した電力合成増幅
器は、不平衡電力が一定になるようにトランジスタ増幅
器のコレクタ電圧を同一制御することにより、合成電力
を一定に維持するようにしている。すなわち、不平衡出
力レベルが合成出力レベルにほぼ比例して変化するとい
う前提で構成されている。
器は、不平衡電力が一定になるようにトランジスタ増幅
器のコレクタ電圧を同一制御することにより、合成電力
を一定に維持するようにしている。すなわち、不平衡出
力レベルが合成出力レベルにほぼ比例して変化するとい
う前提で構成されている。
【０００４】しかし、２つのトランジスタ増幅器の出力
レベルが常に同じ変化をするとは限らず、２つのトラン
ジスタ増幅器の出力レベル差が生じて不平衡電力が増大
した場合には、合成電力が大幅に抑制されることにな
る。また、このような合成電力の抑制現象を防止するた
めにトランジスタ増幅器の出力レベルの低減量を制限し
たとしても、電力合成増幅器の調整時において過大な不
平衡電力が発生したときには検波器を焼損させる可能性
がある。検波器の耐電力を大きくすれば検波器が大型化
する。更に、トランジスタ増幅器にＦＥＴを用いた場合
には、出力レベルを低減させるためにバイアス電圧を低
下させたときに歪みが生じるという問題点を有してい
る。
レベルが常に同じ変化をするとは限らず、２つのトラン
ジスタ増幅器の出力レベル差が生じて不平衡電力が増大
した場合には、合成電力が大幅に抑制されることにな
る。また、このような合成電力の抑制現象を防止するた
めにトランジスタ増幅器の出力レベルの低減量を制限し
たとしても、電力合成増幅器の調整時において過大な不
平衡電力が発生したときには検波器を焼損させる可能性
がある。検波器の耐電力を大きくすれば検波器が大型化
する。更に、トランジスタ増幅器にＦＥＴを用いた場合
には、出力レベルを低減させるためにバイアス電圧を低
下させたときに歪みが生じるという問題点を有してい
る。
【０００５】本発明の目的は、２つのトランジスタ増幅
器に出力レベル差が生じた場合でも、不平衡電力を所定
値以下に抑えることができ、歪みの発生を抑えて最適な
合成出力を得ることができる電力合成増幅器を提供する
ことにある。
器に出力レベル差が生じた場合でも、不平衡電力を所定
値以下に抑えることができ、歪みの発生を抑えて最適な
合成出力を得ることができる電力合成増幅器を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の電力合成増幅器
は、２分岐された入力信号をそれぞれ増幅する第１およ
び第２の増幅部の出力をハイブリッドにより合成する電
力合成増幅器において、第１および第２の増幅部の入力
側にそれぞれ第１および第２の可変減衰部を設け、ハイ
ブリッドから出力される不平衡電力および合成電力のレ
ベル変動をそれぞれ監視し、第１および第２の増幅部に
出力レベル差が生じたか否かを判定し、この判定結果に
応じて可変減衰部の減衰量を制御する。具体的には、不
平衡電力が増大し且つ前記合成電力が増大しない場合に
第１および第２の増幅部に出力レベル差が発生したと判
定し、第１および第２の可変減衰部の減衰量を設定値を
基準にしてそれぞれ微量増減させ、減衰量に対する不平
衡電力および合成電力の検波出力の変動状態を解析する
ことにより、不平衡電力が所定値以下であり且つ合成出
力が最大となる第１および第２の可変減衰部の減衰量を
それぞれ設定して制御する。
は、２分岐された入力信号をそれぞれ増幅する第１およ
び第２の増幅部の出力をハイブリッドにより合成する電
力合成増幅器において、第１および第２の増幅部の入力
側にそれぞれ第１および第２の可変減衰部を設け、ハイ
ブリッドから出力される不平衡電力および合成電力のレ
ベル変動をそれぞれ監視し、第１および第２の増幅部に
出力レベル差が生じたか否かを判定し、この判定結果に
応じて可変減衰部の減衰量を制御する。具体的には、不
平衡電力が増大し且つ前記合成電力が増大しない場合に
第１および第２の増幅部に出力レベル差が発生したと判
定し、第１および第２の可変減衰部の減衰量を設定値を
基準にしてそれぞれ微量増減させ、減衰量に対する不平
衡電力および合成電力の検波出力の変動状態を解析する
ことにより、不平衡電力が所定値以下であり且つ合成出
力が最大となる第１および第２の可変減衰部の減衰量を
それぞれ設定して制御する。
【０００７】また、不平衡電力および合成電力が同時に
増加または減少した場合は、第１および第２の増幅部に
出力レベル差が発生していないと判定し、合成電力が所
定レベルになるように第１および第２の可変減衰部の減
衰量を同一制御する。
増加または減少した場合は、第１および第２の増幅部に
出力レベル差が発生していないと判定し、合成電力が所
定レベルになるように第１および第２の可変減衰部の減
衰量を同一制御する。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施形態を示すブロック
図である。図１を参照すると、入力信号は入力ハイブリ
ッド１により２分岐され、可変減衰部２ａ，２ｂをそれ
ぞれ経由してＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂに供給されてそれ
ぞれ増幅された後、出力ハイブリッド４によって合成さ
れて出力される。ここで、出力ハイブリッド４の出力端
子Ｃから合成電力Ｓｏが出力され、出力端子Ｄからは不
平衡電力Ｓｕが出力される。
図である。図１を参照すると、入力信号は入力ハイブリ
ッド１により２分岐され、可変減衰部２ａ，２ｂをそれ
ぞれ経由してＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂに供給されてそれ
ぞれ増幅された後、出力ハイブリッド４によって合成さ
れて出力される。ここで、出力ハイブリッド４の出力端
子Ｃから合成電力Ｓｏが出力され、出力端子Ｄからは不
平衡電力Ｓｕが出力される。
【００１０】検波部５，６は、例えば方向性結合器とダ
イオードとで構成されている。そして、検波部５は出力
ハイブリッド４の出力端子Ｄ側に設けられ、不平衡電力
Ｓｕのレベルを示す検波出力Ｖｕを送出する。また、検
波部６は出力ハイブリッド４の出力端子Ｃ側に設けら
れ、合成電力Ｓｏのレベルを示す検波出力Ｖｏを送出す
る。
イオードとで構成されている。そして、検波部５は出力
ハイブリッド４の出力端子Ｄ側に設けられ、不平衡電力
Ｓｕのレベルを示す検波出力Ｖｕを送出する。また、検
波部６は出力ハイブリッド４の出力端子Ｃ側に設けら
れ、合成電力Ｓｏのレベルを示す検波出力Ｖｏを送出す
る。
【００１１】減衰量制御手段７は、検波出力Ｖｕおよび
Ｖｏに基づいて可変減衰部２ａ，２ｂの減衰量を制御
し、不平衡電力レベルが所定値以下であり、且つ合成出
力が最大になるようにＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂの入力信
号レベルを制御する。このようにＦＥＴ増幅部３ａ，３
ｂのバイアス電圧を変化させることなく出力レベルを制
御するので、歪みの発生を防止できる。
Ｖｏに基づいて可変減衰部２ａ，２ｂの減衰量を制御
し、不平衡電力レベルが所定値以下であり、且つ合成出
力が最大になるようにＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂの入力信
号レベルを制御する。このようにＦＥＴ増幅部３ａ，３
ｂのバイアス電圧を変化させることなく出力レベルを制
御するので、歪みの発生を防止できる。
【００１２】ところで、一般に出力ハイブリッド４に入
力する２信号の振幅や位相に差があるときに不平衡電力
が発生する。すなわち、出力ハイブリッドに入力する２
信号の振幅または位相が同じになったときに不平衡電力
が最小となる。ここで、不平衡電力が最小になるように
電力合成増幅器を調整した後に、ＦＥＴ増幅部３ａ，３
ｂの出力レベル（振幅）が変動した場合を考察すると、
ＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂの出力レベルが同時に同じだけ
増加または減少したとすれば、不平衡電力および合成電
力が同時に増減する。また、ＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂの
出力レベルに差が生じたとすれば、不平衡電力が増大す
る。
力する２信号の振幅や位相に差があるときに不平衡電力
が発生する。すなわち、出力ハイブリッドに入力する２
信号の振幅または位相が同じになったときに不平衡電力
が最小となる。ここで、不平衡電力が最小になるように
電力合成増幅器を調整した後に、ＦＥＴ増幅部３ａ，３
ｂの出力レベル（振幅）が変動した場合を考察すると、
ＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂの出力レベルが同時に同じだけ
増加または減少したとすれば、不平衡電力および合成電
力が同時に増減する。また、ＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂの
出力レベルに差が生じたとすれば、不平衡電力が増大す
る。
【００１３】従って、不平衡電力の検波出力Ｖｕおよび
合成電力の検波出力Ｖｏの変動を監視し、不平衡電力お
よび合成電力が同時に増減した場合には、ＦＥＴ増幅部
３ａ，３ｂの出力レベルが同時に同じだけ増減したと判
定できるので、合成電力が所定レベルになるように可変
減衰部２ａ，２ｂの減衰量を同じように制御すればよ
い。また、不平衡電力が増大し、且つ合成電力が増大し
ない場合には、ＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂの出力レベル差
が生じたと判定できるので、可変減衰部２ａ，２ｂの減
衰量をそれぞれ微量変化させて探索することにより、不
平衡電力が所定値以下、且つ合成電力が最大になるよう
に減衰量の制御状態を設定すればよい。
合成電力の検波出力Ｖｏの変動を監視し、不平衡電力お
よび合成電力が同時に増減した場合には、ＦＥＴ増幅部
３ａ，３ｂの出力レベルが同時に同じだけ増減したと判
定できるので、合成電力が所定レベルになるように可変
減衰部２ａ，２ｂの減衰量を同じように制御すればよ
い。また、不平衡電力が増大し、且つ合成電力が増大し
ない場合には、ＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂの出力レベル差
が生じたと判定できるので、可変減衰部２ａ，２ｂの減
衰量をそれぞれ微量変化させて探索することにより、不
平衡電力が所定値以下、且つ合成電力が最大になるよう
に減衰量の制御状態を設定すればよい。
【００１４】次に減衰量制御手段７について説明する。
【００１５】減衰量制御手段７は、図１に示したよう
に、ＦＥＴ増幅部の出力レベル差の有無を判定する判定
部７１と、ＦＥＴ増幅部の出力レベルに差が発生したと
きに可変減衰部２ａ，２ｂの減衰量をそれぞれ微量変化
させて最適な減衰量を探索し制御する探索制御部７２
と、ＦＥＴ増幅部の出力レベルに差が発生していないと
きに合成電力が所定レベルになるように制御する合成出
力制御部７３と、制御切替スイッチ７４とを有してい
る。
に、ＦＥＴ増幅部の出力レベル差の有無を判定する判定
部７１と、ＦＥＴ増幅部の出力レベルに差が発生したと
きに可変減衰部２ａ，２ｂの減衰量をそれぞれ微量変化
させて最適な減衰量を探索し制御する探索制御部７２
と、ＦＥＴ増幅部の出力レベルに差が発生していないと
きに合成電力が所定レベルになるように制御する合成出
力制御部７３と、制御切替スイッチ７４とを有してい
る。
【００１６】判定部７１は、不平衡電力の検波出力Ｖｕ
および合成電力の検波出力Ｖｏの変動を監視し、不平衡
電力が増大し且つ合成電力が増大しない場合には、ＦＥ
Ｔ増幅部３ａ，３ｂに出力レベル差が生じたと判定す
る。不平衡電力および合成電力が同時に増減した場合に
は、ＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂの出力レベル差なしと判定
する。そして、判定結果を探索制御部７２、合成出力制
御部７３および制御切替スイッチ７４へ送出する。
および合成電力の検波出力Ｖｏの変動を監視し、不平衡
電力が増大し且つ合成電力が増大しない場合には、ＦＥ
Ｔ増幅部３ａ，３ｂに出力レベル差が生じたと判定す
る。不平衡電力および合成電力が同時に増減した場合に
は、ＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂの出力レベル差なしと判定
する。そして、判定結果を探索制御部７２、合成出力制
御部７３および制御切替スイッチ７４へ送出する。
【００１７】判定部７１がＦＥＴ増幅部の出力レベル差
ありと判定したとき、制御切替スイッチ７４は探索制御
部７２側に切替わり、同時に探索制御部７２が動作す
る。また、出力レベル差なしと判定したとき、制御切替
スイッチ７４は合成出力制御部７３側に切替わり、同時
に合成出力制御部７３が動作する。
ありと判定したとき、制御切替スイッチ７４は探索制御
部７２側に切替わり、同時に探索制御部７２が動作す
る。また、出力レベル差なしと判定したとき、制御切替
スイッチ７４は合成出力制御部７３側に切替わり、同時
に合成出力制御部７３が動作する。
【００１８】探索制御部７２は、まず、可変減衰部２ａ
の設定減衰値を基準にして減衰量を微量増減させ、減衰
量に対する不平衡電力の検波出力Ｖｕおよび合成電力の
検波出力Ｖｏの変動を記憶する。次に、可変減衰部２ｂ
の設定減衰値を基準にして減衰量を微量増減させ、減衰
量に対する不平衡電力の検波出力Ｖｕおよび合成電力の
検波出力Ｖｏの変動を記憶する。その後、減衰量に対す
る不平衡電力の検波出力Ｖｕおよび合成電力の検波出力
Ｖｏの変動状態を読み出して解析し、不平衡電力が所定
値以下であり、且つ合成出力が最大になる減衰量を設定
して可変減衰部２ａ，２ｂをそれぞれ制御する。なお、
探索時に可変減衰部２ａ，２ｂの減衰量を増減させる量
は、予め設定される一定量である。
の設定減衰値を基準にして減衰量を微量増減させ、減衰
量に対する不平衡電力の検波出力Ｖｕおよび合成電力の
検波出力Ｖｏの変動を記憶する。次に、可変減衰部２ｂ
の設定減衰値を基準にして減衰量を微量増減させ、減衰
量に対する不平衡電力の検波出力Ｖｕおよび合成電力の
検波出力Ｖｏの変動を記憶する。その後、減衰量に対す
る不平衡電力の検波出力Ｖｕおよび合成電力の検波出力
Ｖｏの変動状態を読み出して解析し、不平衡電力が所定
値以下であり、且つ合成出力が最大になる減衰量を設定
して可変減衰部２ａ，２ｂをそれぞれ制御する。なお、
探索時に可変減衰部２ａ，２ｂの減衰量を増減させる量
は、予め設定される一定量である。
【００１９】合成出力制御部７３は、合成電力の検波出
力Ｖｏに基づいて、合成電力が所定レベルになるように
可変減衰部２ａ，２ｂの減衰量を同じように制御する。
力Ｖｏに基づいて、合成電力が所定レベルになるように
可変減衰部２ａ，２ｂの減衰量を同じように制御する。
【００２０】図２は減衰量制御手段７の動作を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【００２１】不平衡電力の検波出力Ｖｕおよび合成電力
の検波出力Ｖｏの変動を監視し、不平衡電力が所定値以
上に増加したとき（ステップ１０１）、合成電力も増加
したならば（ステップ１０２）、ＦＥＴ増幅部３ａ，３
ｂの出力レベル差なしと判定し（ステップ１０３）、合
成出力制御部７３による制御を行う（ステップ１０
４）。ステップ１０２において合成電力が増加しないな
らば、ＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂに出力レベル差が生じた
と判定し（ステップ１０５）、探索制御部７２による制
御を行う（ステップ１０６）。なお、ステップ１０１に
おいて不平衡電力が所定値以上に増加しないならば、合
成出力制御部７３による制御を行う（ステップ１０１，
１０４）。
の検波出力Ｖｏの変動を監視し、不平衡電力が所定値以
上に増加したとき（ステップ１０１）、合成電力も増加
したならば（ステップ１０２）、ＦＥＴ増幅部３ａ，３
ｂの出力レベル差なしと判定し（ステップ１０３）、合
成出力制御部７３による制御を行う（ステップ１０
４）。ステップ１０２において合成電力が増加しないな
らば、ＦＥＴ増幅部３ａ，３ｂに出力レベル差が生じた
と判定し（ステップ１０５）、探索制御部７２による制
御を行う（ステップ１０６）。なお、ステップ１０１に
おいて不平衡電力が所定値以上に増加しないならば、合
成出力制御部７３による制御を行う（ステップ１０１，
１０４）。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、２
分岐された入力信号をそれぞれ増幅する第１および第２
の増幅部の出力をハイブリッドにより合成する電力合成
増幅器において、第１および第２の増幅部の入力側にそ
れぞれ第１および第２の可変減衰部を設け、ハイブリッ
ドから出力される不平衡電力および合成電力のレベル変
動をそれぞれ監視し、不平衡電力が増大し且つ合成電力
が増大しない場合に第１および第２の増幅部に出力レベ
ル差が発生したと判定し、第１および第２の可変減衰部
の設定減衰値を基準にして減衰量をそれぞれ微量増減さ
せ、減衰量に対する不平衡電力および合成電力の検波出
力の変動状態を解析し、不平衡電力が所定値以下であり
且つ合成出力が最大となる第１および第２の可変減衰部
の減衰量をそれぞれ設定して制御することにより、２つ
の増幅部の出力レベル差が大きくなった場合でも、不平
衡出力レベルを所定値以下に抑えることができ、歪みの
発生を抑えて最大の合成出力を得ることができる。
分岐された入力信号をそれぞれ増幅する第１および第２
の増幅部の出力をハイブリッドにより合成する電力合成
増幅器において、第１および第２の増幅部の入力側にそ
れぞれ第１および第２の可変減衰部を設け、ハイブリッ
ドから出力される不平衡電力および合成電力のレベル変
動をそれぞれ監視し、不平衡電力が増大し且つ合成電力
が増大しない場合に第１および第２の増幅部に出力レベ
ル差が発生したと判定し、第１および第２の可変減衰部
の設定減衰値を基準にして減衰量をそれぞれ微量増減さ
せ、減衰量に対する不平衡電力および合成電力の検波出
力の変動状態を解析し、不平衡電力が所定値以下であり
且つ合成出力が最大となる第１および第２の可変減衰部
の減衰量をそれぞれ設定して制御することにより、２つ
の増幅部の出力レベル差が大きくなった場合でも、不平
衡出力レベルを所定値以下に抑えることができ、歪みの
発生を抑えて最大の合成出力を得ることができる。
【図１】本発明の一実施形態を示すブロック図である。
【図２】図１に示した減衰量制御手段７の動作を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図３】従来例を示すブロック図である。
２ａ，２ｂ 可変減衰部 ３ａ，３ｂ ＦＥＴ増幅部 ４ 出力ハイブリッド ５ 不平衡電力の検波部 ６ 合成電力の検波部 ７ 減衰量制御手段 ７１ 判定部 ７２ 探索制御部 ７３ 合成出力制御部 Ｖｏ 合成電力の検波出力 Ｖｕ 不平衡電力の検波出力
Claims (3)
- 【請求項１】 ２分岐された入力信号をそれぞれ増幅す
る第１および第２の増幅部の出力をハイブリッドにより
合成する電力合成増幅器において、前記第１および第２
の増幅部の入力側にそれぞれ設けられる第１および第２
の可変減衰部と、前記ハイブリッドから出力される不平
衡電力を検出する検波器と、前記ハイブリッドから出力
される合成電力を検出する検波器と、前記不平衡電力の
検波出力および前記合成電力の検波出力に基づき前記第
１および第２の可変減衰部の減衰量を制御する減衰量制
御手段とを備え、前記減衰量制御手段は、前記不平衡電
力の検波出力および前記合成電力の検波出力をそれぞれ
受け、前記不平衡電力が増大し且つ前記合成電力が増大
しない場合に前記第１および第２の増幅部に出力レベル
差が発生したと判定し、前記不平衡電力が所定値以下で
あり且つ前記合成出力が最大となるように前記可変減衰
部の第１および第２の減衰量を制御することを特徴とす
る電力合成増幅器。 - 【請求項２】 前記減衰量制御手段は、前記不平衡電力
が増大し且つ前記合成電力が増大しない場合に前記第１
および第２の増幅部に出力レベル差が発生したと判定
し、前記不平衡電力および前記合成電力が同時に増加ま
たは減少した場合に前記第１および第２の増幅部の出力
レベル差が発生していないと判定する判定部と、前記出
力レベル差が発生したと判定されたときに前記不平衡電
力が所定値以下であり且つ前記合成出力が最大となるよ
うに前記第１および第２の可変減衰部の減衰量を探索し
て制御する探索制御部と、前記出力レベル差が発生して
いないと判定されたときに前記合成電力が所定レベルに
なるように前記第１および第２の可変減衰部を同一制御
する合成出力制御部とを有していることを特徴とする請
求項１記載の電力合成増幅器。 - 【請求項３】 前記探索制御部は、前記第１および第２
の可変減衰部の減衰量を設定値を基準にして予め設定さ
れた一定量をそれぞれ増減させ、減衰量に対する前記不
平衡電力の検波出力および前記合成電力の検波出力の変
動を記憶し、記憶した変動結果により前記不平衡電力が
所定値以下であり且つ前記合成出力が最大となる前記第
１および第２の可変減衰部の減衰量をそれぞれ探索して
制御することを特徴とする請求項２記載の電力合成増幅
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09172375A JP3095135B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 電力合成増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09172375A JP3095135B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 電力合成増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117469A JPH1117469A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3095135B2 true JP3095135B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=15940750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09172375A Expired - Fee Related JP3095135B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 電力合成増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3095135B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020029169A (ko) * | 2000-10-12 | 2002-04-18 | 박종섭 | 전력증폭기의 혼용이 가능한 합성기 |
| US7098859B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Antenna unit |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP09172375A patent/JP3095135B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1117469A (ja) | 1999-01-22 |
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