JP3085625B2 - Dielectric porcelain composition - Google Patents

Dielectric porcelain composition

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JP3085625B2 JP06118415A JP11841594A JP3085625B2 JP 3085625 B2 JP3085625 B2 JP 3085625B2 JP 06118415 A JP06118415 A JP 06118415A JP 11841594 A JP11841594 A JP 11841594A JP 3085625 B2 JP3085625 B2 JP 3085625B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、誘電体粒子とガラスか
らなる誘電体磁器組成物に関するものであり、特に高周
波領域で使用する電子回路基板や電子部品等に適用され
る誘電体磁器組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric porcelain composition comprising dielectric particles and glass, and more particularly to a dielectric porcelain composition applied to electronic circuit boards and electronic components used in a high frequency range. It is about.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より誘電体材料として各種誘電体セ
ラミックスが電子回路基板や電子部品等に広く使用され
ており、近年、携帯電話に代表される移動体通信等の高
周波機器の発展と普及に伴い、高周波領域で使用する電
子回路基板や電子部品として誘電体セラミックスが積極
的に利用されるようになってきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, various dielectric ceramics have been widely used as dielectric materials for electronic circuit boards and electronic components. In recent years, with the development and spread of high-frequency equipment such as mobile communication represented by mobile phones. Accordingly, dielectric ceramics have been actively used as electronic circuit boards and electronic components used in a high frequency range.

【0003】前記誘電体セラミックスからなる電子回路
基板等と導体とを同時焼成するに際しては、基板上に印
刷された導体が誘電体セラミックスの焼成温度で溶融す
ることがないように、該導体には、アルミナ、ステアタ
イト、フォルステライト等の誘電体セラミックスの焼成
温度よりも高い融点を有する、例えば、Pt、Pd、
W、Mo等の金属が用いられていた。
[0003] When simultaneously sintering an electronic circuit board or the like made of the dielectric ceramic and the conductor, the conductor printed on the substrate should not be melted at the firing temperature of the dielectric ceramic so that the conductor is not melted. Having a melting point higher than the firing temperature of dielectric ceramics such as alumina, steatite, and forsterite, for example, Pt, Pd,
Metals such as W and Mo have been used.

【0004】しかしながら、前記金属は導通抵抗が大き
いことから、従来の電子回路基板では、共振回路やイン
ダクタンスのQ値が小さくなってしまい、導体線路の伝
送損失が大きくなる等の問題があった。従来、上記のよ
うな問題点を解消するために導通抵抗の小さいAgやC
u等の金属を導体に採用し、低温で同時焼成できる磁器
として、特開昭59−107596号公報に開示される
ものが知られている。
However, since the metal has a large conduction resistance, the conventional electronic circuit board has a problem that the resonance circuit and the Q value of the inductance become small, and the transmission loss of the conductor line becomes large. Conventionally, to solve the above-mentioned problems, Ag or C having a small conduction resistance is used.
As a porcelain which employs a metal such as u for a conductor and can be co-fired at a low temperature, a porcelain disclosed in JP-A-59-107596 is known.

【0005】この公報に開示される磁器は、ガラスと、
セラミックフィラーとしての石英ガラス等からなること
が開示されている。
The porcelain disclosed in this publication includes glass,
It is disclosed that it is made of quartz glass or the like as a ceramic filler.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この特
開昭59−107596号公報に開示される磁器組成物
は多層配線回路基板に用いられるもので、電子回路の信
号伝達速度を高速とするため1MHzでの比誘電率εr
が5以下と非常に小さく、また誘電損失も大きいため、
高誘電率で高Q値が要求される電子部品等の誘電体磁器
組成物としては全く適さなかった。
However, the porcelain composition disclosed in JP-A-59-107596 is used for a multilayer wiring circuit board, and has a frequency of 1 MHz to increase the signal transmission speed of an electronic circuit. Relative permittivity ε r at
Is very small at 5 or less, and the dielectric loss is also large.
It was not at all suitable as a dielectric ceramic composition for electronic parts and the like that require a high dielectric constant and a high Q value.

【0007】また、従来、高い比誘電率を有する誘電体
磁器組成物としてBaTiO3 、CaTiO3 が知られ
ているが、この誘電体磁器組成物をセラミックフィラー
とし、これにガラスを添加した場合には、フィラーとガ
ラスが反応し、高い比誘電率を有する誘電体材料を用い
たとしても、比誘電率が低下するという問題があった。
これは、フィラーとガラスが反応し、誘電体粒子の結晶
構造が崩れ、本来誘電体粒子が有する高誘電率、高Q値
等の特性が得られなくなるからである。このような傾向
は、より低温で焼成するためにガラス成分を多量に添加
する程顕著となるため、従来では、比誘電率等を維持す
るためガラスの添加は僅かであり、焼成温度もこれに伴
い高かった。
Conventionally, BaTiO 3 and CaTiO 3 have been known as dielectric porcelain compositions having a high relative permittivity. However, when this dielectric porcelain composition is used as a ceramic filler and glass is added thereto, However, even if a filler reacts with glass and a dielectric material having a high relative dielectric constant is used, there is a problem that the relative dielectric constant is reduced.
This is because the filler and the glass react with each other, the crystal structure of the dielectric particles is broken, and characteristics such as a high dielectric constant and a high Q value originally possessed by the dielectric particles cannot be obtained. Such a tendency becomes more remarkable as a large amount of a glass component is added for firing at a lower temperature.Therefore, in the related art, the addition of glass is small in order to maintain a relative dielectric constant and the like, and the firing temperature is also lower than this. It was high.

【0008】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
ガラス成分を比較的多量に含む誘電体磁器組成物であっ
て、850〜950℃の比較的低温でAgやCu等の導
体金属と同時に焼成できるとともに、ガラスとセラミッ
クフィラーとの反応を抑制することができる誘電体磁器
組成物を提供することを目的とする。
[0008] The present invention has been made in view of the above problems,
A dielectric porcelain composition containing a relatively large amount of a glass component, which can be fired simultaneously with a conductive metal such as Ag or Cu at a relatively low temperature of 850 to 950 ° C. and suppresses the reaction between glass and a ceramic filler. It is an object of the present invention to provide a dielectric porcelain composition that can be used.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、金属元素
を少なくとも2種以上を含有する酸化物で表面をアルミ
ナで被覆した誘電体粒子(セラミックフィラー)とガラ
スからなる誘電体磁器組成物は、ガラスとセラミックフ
ィラーとの反応を抑制することができることを見出し、
本発明に到った。
Means for Solving the Problems The present inventors have made a dielectric porcelain composition comprising glass and dielectric particles (ceramic filler) whose surface is coated with alumina by an oxide containing at least two metal elements. Found that the reaction between glass and ceramic filler could be suppressed,
The present invention has been made.

【0010】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、金属
元素を少なくとも2種以上を含有する酸化物からなり、
その表面がアルミナで被覆されている誘電体粒子30〜
70体積%と、ガラス70〜30体積%とからなるもの
である。
That is, the dielectric porcelain composition of the present invention comprises an oxide containing at least two metal elements,
Dielectric particles 30 whose surfaces are coated with alumina
It is composed of 70% by volume and 70 to 30% by volume of glass.

【0011】誘電体粒子としては、高周波材料として用
いられる(Mg0.95Ca0.05)TiO3 、Ba2 Ti9
20等のチタン酸塩やBa(Mg1/3 Ta2/3 )O3
La(Mg1/3 Ti2/3 )O3 −CaTiO3 、コンデ
ンサ材料として用いられるBaTiO3 、CaTi
3 、SrTiO3 等の金属元素を少なくとも2種以上
を含有したものが使用されるが、上記に限定されること
なく、従来知られている高誘電率材料であっても良い。
As the dielectric particles, (Mg 0.95 Ca 0.05 ) TiO 3 and Ba 2 Ti 9 used as high frequency materials
Titanates such as O 20 and Ba (Mg 1/3 Ta 2/3 ) O 3 ,
La (Mg 1/3 Ti 2/3 ) O 3 -CaTiO 3 , BaTiO 3 used as a capacitor material, CaTi
A material containing at least two kinds of metal elements such as O 3 and SrTiO 3 is used. However, the material is not limited to the above and may be a conventionally known high dielectric constant material.

【0012】本発明によれば、この誘電体粒子の表面が
アルミナにより被覆されている。アルミナの被覆は、例
えば、水酸化アルミニウムの溶液を誘電体粒子に吹き付
け、熱処理したり、また、誘電体粒子にスパッタリング
することにより行われるが、アルミナ被覆層は0.01
〜1μm程度形成することが望ましい。このようにアル
ミナで被覆した誘電体粒子を用いることにより、焼結体
中において、誘電体粒子とガラスとの間にアルミナが存
在するため、誘電体粒子がガラスと直接接触することが
なく、分散された組織となる。これにより、誘電体粒子
とガラスとの反応が抑制され、高Q値と高比誘電率をも
った材料が得られる。
According to the present invention, the surface of the dielectric particles is coated with alumina. The coating of alumina is performed, for example, by spraying a solution of aluminum hydroxide on the dielectric particles and heat-treating the same, or by sputtering the dielectric particles.
It is desirable to form it to about 1 μm. By using the dielectric particles coated with alumina in this way, since alumina exists between the dielectric particles and the glass in the sintered body, the dielectric particles do not come into direct contact with the glass and are dispersed. Organization. Thereby, the reaction between the dielectric particles and the glass is suppressed, and a material having a high Q value and a high relative dielectric constant can be obtained.

【0013】本発明において、磁器組成物中の誘電体粒
子量を30〜70体積%と、ガラス量を30〜70体積
%に限定したのは、誘電体粒子が30体積%よりも少な
い場合(ガラスが70体積%よりも多い場合)には、焼
成温度が低下し、Q値および比誘電率が低下するからで
ある。誘電体粒子が70体積%よりも多い場合(ガラス
が30体積%よりも少ない場合)には、焼成温度が95
0℃以上に上昇し、反応によるボイドが多数発生し、比
誘電率およびQ値が低下するからである。誘電体粒子は
40〜70体積%、ガラスは60〜30体積%が望まし
い。
In the present invention, the amount of dielectric particles in the porcelain composition is limited to 30 to 70% by volume and the amount of glass is limited to 30 to 70% by volume when the dielectric particles are less than 30% by volume ( This is because when the glass content is more than 70% by volume), the firing temperature decreases, and the Q value and the relative dielectric constant decrease. If the dielectric particles are more than 70% by volume (the glass is less than 30% by volume), the firing temperature is 95%.
This is because the temperature rises to 0 ° C. or higher, many voids are generated due to the reaction, and the relative dielectric constant and the Q value decrease. Desirably, the dielectric particles are 40 to 70% by volume, and the glass is 60 to 30% by volume.

【0014】本発明において用いられるガラスは、その
軟化温度Tsが1000℃以下であることが望ましい
が、これは、軟化温度Tsが1000℃よりも高い場合
には、850〜950℃の焼成温度では緻密化しなくな
るからである。具体的なガラスの組成としては、例え
ば、SiO2 を30〜80重量%、B2 3 を3〜20
重量%、BaOを5〜30重量%、Al2 3 を3〜1
0重量%、CaOを3〜15重量%からなるものがあ
る。
The glass used in the present invention desirably has a softening temperature Ts of 1000 ° C. or lower. This is because when the softening temperature Ts is higher than 1000 ° C., the firing temperature of 850 to 950 ° C. This is because it does not become dense. The composition of concrete glass, for example, a SiO 2 30 to 80 wt%, B 2 O 3 3-20
Wt%, a BaO 5 to 30 wt%, the Al 2 O 3 3 to 1
There is one containing 0% by weight and 3 to 15% by weight of CaO.

【0015】本発明の誘電体磁器組成物は、例えば、そ
れ自体がコンデンサとなる電子部品や周知のガラスセラ
ミック基板内に内蔵される誘電体層として用いられる。
その場合ガラスセラミック基板と同時焼成も可能であ
る。
The dielectric ceramic composition of the present invention is used, for example, as an electronic component which itself becomes a capacitor or as a dielectric layer incorporated in a known glass ceramic substrate.
In that case, simultaneous firing with a glass ceramic substrate is also possible.

【0016】本発明の誘電体磁器組成物は、先ず、アル
ミナで被覆した誘電体粒子を作製する。例えば、BaT
iO3 からなる誘電体粒子をアルミナで被覆する場合に
は、BaTiO3 の原料となるBaCO3 およびTiO
2 をボールミルを用いて湿式混合し、この混合物を乾燥
した後、1100〜1400℃で1〜4時間仮焼し、こ
れを粉砕してBaTiO3 からなる誘電体粒子を得る。
このようなBaTiO3 は原料として市販されているも
のを最初から使用しても良い。この後、水酸化アルミニ
ウムの溶液を誘電体粒子に吹き付け、水酸化アルミニウ
ムの被覆層を形成した後、1000〜1200℃で熱処
理することにより、誘電体粒子にアルミナを被覆する。
In the dielectric ceramic composition of the present invention, first, dielectric particles coated with alumina are prepared. For example, BaT
When the dielectric particles made of iO 3 are coated with alumina, BaCO 3 and TiO, which are the raw materials of BaTiO 3 , are used.
2 is wet-mixed using a ball mill, and after drying this mixture, it is calcined at 1100 to 1400 ° C. for 1 to 4 hours, and crushed to obtain dielectric particles made of BaTiO 3 .
Such BaTiO 3 may be commercially available as a raw material from the beginning. Thereafter, a solution of aluminum hydroxide is sprayed on the dielectric particles to form a coating layer of aluminum hydroxide, and then heat-treated at 1000 to 1200 ° C. to coat the dielectric particles with alumina.

【0017】そして、このようなアルミナで被覆された
誘電体粒子と、例えば、SiO2 ,B2 3 ,Al2
3 等を含有するガラスを上記した組成で添加混合し、こ
の混合物にバインダーを添加して整粒し、得られた粉末
を、例えば、ドクターブレード法やプレス成形により所
定形状に成形し、300〜500℃で2〜12時間脱バ
インダー処理し、さらに850〜950℃の温度で0.
1〜2時間、大気中或いは窒素雰囲気中で焼成する。
The dielectric particles coated with such alumina are mixed with, for example, SiO 2 , B 2 O 3 , and Al 2 O.
Glass containing 3 and the like is added and mixed with the above composition, a binder is added to the mixture, and the mixture is sized.The obtained powder is formed into a predetermined shape by, for example, a doctor blade method or press molding, and is subjected to The binder is removed at 500 ° C. for 2 to 12 hours.
Bake in air or nitrogen atmosphere for 1 to 2 hours.

【0018】また、導体と同時に焼成する場合には上記
成形体表面にAgやCuの導体ペーストをスクリーン印
刷して所望により積層圧着した後、上記と同様な条件で
焼成すれば良い。Cuの導体を同時焼成する場合には、
酸化を防止するため窒素雰囲気中で焼成する。
In the case of baking simultaneously with the conductor, a conductor paste of Ag or Cu may be screen-printed on the surface of the molded body, laminated and pressed as desired, and then fired under the same conditions as above. When co-firing Cu conductors,
It is fired in a nitrogen atmosphere to prevent oxidation.

【0019】本発明は、アルミナで被覆した誘電体粒子
とガラスからなるものであるが、誘電体粒子やガラスか
ら混入する不純物が混入しても良いし、さらに、製造過
程においては、粉砕用のボールから混入する元素等を含
有しても良い。
The present invention comprises dielectric particles coated with alumina and glass. However, impurities mixed from the dielectric particles or glass may be mixed. It may contain elements mixed from balls.

【0020】[0020]

【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、比較的ガラス
を多量に含有する場合であっても、ガラスと誘電体粒子
との反応を抑制することができるとともに、850〜9
50℃の比較的低温でAgやCu等の導体金属と同時に
焼成でき、さらに、高い比誘電率を得ることができる。
According to the dielectric ceramic composition of the present invention, the reaction between the glass and the dielectric particles can be suppressed even when the glass contains a relatively large amount of glass.
It can be fired simultaneously with a conductive metal such as Ag or Cu at a relatively low temperature of 50 ° C., and a high relative dielectric constant can be obtained.

【0021】[0021]

【実施例】以下、本発明の誘電体磁器組成物を実施例に
基づいて詳細に説明する。先ず、(Mg0.95Ca0.05
TiO3 からなる誘電体粒子を作製するために、出発原
料としてMgCO3 ,CaCO3 ,TiO2 を準備し、
組成が上記組成となるように秤量後、純水を加え、めの
う玉石を用いて24時間湿式混合を行った。この混合物
を乾燥後、1200℃で1時間仮焼した。さらに、純水
とめのう玉石を用いて平均結晶粒径が0.5〜5μmの
適度な粒径に調製し、これを誘電体粒子とした。
EXAMPLES Hereinafter, the dielectric ceramic composition of the present invention will be described in detail based on examples. First, (Mg 0.95 Ca 0.05 )
In order to prepare dielectric particles composed of TiO 3 , MgCO 3 , CaCO 3 and TiO 2 are prepared as starting materials,
After weighing so that the composition became the above composition, pure water was added and wet mixing was performed for 24 hours using an agate ball. After drying this mixture, it was calcined at 1200 ° C. for 1 hour. Furthermore, using pure water and agate cobblestone, the average crystal grain size was adjusted to an appropriate particle size of 0.5 to 5 μm, and this was used as dielectric particles.

【0022】そして、この誘電体粒子を水酸化アルミニ
ウムの溶液を吹き付け、1000℃で熱処理することに
より、誘電体粒子をアルミナで被覆した。
Then, the dielectric particles were sprayed with a solution of aluminum hydroxide and heat-treated at 1000 ° C. to coat the dielectric particles with alumina.

【0023】また、SiO2 を50重量%、B2 3
10重量%、BaOを25重量%、Al2 3 を5重量
%、CaOを12重量%を含有する硼珪酸ガラス(軟化
温度Ts800℃)を準備し、前述した誘電体粒子と硼
珪酸ガラスを、その比が表1になるように秤量後、純水
を添加し、めのう玉石を用いて24時間湿式混合を行っ
た。この混合物に約1重量%のバインダーとしてポリビ
ニルアルコールを添加して整粒し、得られた粉末を1t
on/cm2 の圧力でプレス成形し、直径20mm、高
さ10mmの歪みのない円柱状の成形体を作製した。こ
の後、この成形体を400℃で4時間脱バインダー処理
し、さらに表1に示す温度で30分間大気中で焼成し
た。
A borosilicate glass containing 50% by weight of SiO 2 , 10% by weight of B 2 O 3 , 25% by weight of BaO, 5% by weight of Al 2 O 3 and 12% by weight of CaO (softening temperature) (Ts 800 ° C.) was prepared, and the above-mentioned dielectric particles and borosilicate glass were weighed so that the ratio was as shown in Table 1. Then, pure water was added, and wet mixing was performed using an agate ball for 24 hours. About 1% by weight of polyvinyl alcohol was added as a binder to this mixture, and the mixture was sized.
Press molding was performed under a pressure of on / cm 2 to produce a cylindrical molded body having a diameter of 20 mm and a height of 10 mm without distortion. Thereafter, the molded body was subjected to a binder removal treatment at 400 ° C. for 4 hours, and was further baked at a temperature shown in Table 1 for 30 minutes in the air.

【0024】得られた磁器を平面研磨および円筒研削し
試料を得た。この試料を用いて誘電体円柱共振器法によ
り共振周波数6GHzにて比誘電率,Q値を測定し、ま
た、−40〜+85℃までの温度範囲における共振周波
数の温度変化を測定し共振周波数の温度係数(τf)を
計算した。これらの結果を表1に示した。
The obtained porcelain was ground and polished to obtain a sample. Using this sample, the dielectric constant and the Q value are measured at a resonance frequency of 6 GHz by the dielectric cylinder resonator method, and the temperature change of the resonance frequency in a temperature range from -40 to + 85 ° C. is measured. The temperature coefficient (τf) was calculated. The results are shown in Table 1.

【0025】[0025]

【表1】 [Table 1]

【0026】この表1の結果から、本発明の誘電体磁器
組成物では、850〜950℃で焼成することができる
とともに、比誘電率が9.5以上、Q値が580以上、
温度係数(τf)が0〜5ppm/℃以内であり、焼結
体自体のボイド状態も良好であった。
From the results shown in Table 1, the dielectric ceramic composition of the present invention can be fired at 850 to 950 ° C., has a relative dielectric constant of 9.5 or more, a Q value of 580 or more,
The temperature coefficient (τf) was within 0 to 5 ppm / ° C., and the sintered body itself had a good void state.

【0027】尚、本発明者等は、得られた試料No.2〜
6をX線回折装置により誘電体粒子を調べたところ、誘
電体粒子の相が殆ど残存していることを確認でき、ガラ
スと誘電体粒子が反応していないことを確認した。
Incidentally, the inventors of the present invention have obtained the samples No. 2 to No. 2.
As a result of examining dielectric particles of Sample No. 6 using an X-ray diffractometer, it was confirmed that almost all phases of the dielectric particles remained, and it was confirmed that the glass and the dielectric particles did not react.

【0028】また、比較例としてアルミナをコーティン
グしなかった試料(試料No.8)を作製したところ、比
誘電率が低く、また、Q値が低くて測定不能であった。
As a comparative example, when a sample not coated with alumina (sample No. 8) was prepared, the relative dielectric constant was low, and the Q value was too low to measure.

【0029】実施例2 本発明者等は、上記実施例1において、誘電体粒子をB
a(Mg1/3 Ta2/3)O3 、Ba2 Ti9 20に置き
換えた以外は上記実施例と同様にして実験を行った。こ
の結果を表1に示した。
Example 2 The present inventors set the dielectric particles in Example 1 to B
An experiment was performed in the same manner as in the above example, except that a (Mg 1/3 Ta 2/3 ) O 3 and Ba 2 Ti 9 O 20 were used. The results are shown in Table 1.

【0030】また、誘電体粒子を、BaTiO3 、Ca
TiO3 、SrTiO3 に置き換えた以外は上記実施例
と同様にして実験を行った。この結果を表2に示した。
The dielectric particles are made of BaTiO 3 , Ca
An experiment was performed in the same manner as in the above example except that TiO 3 and SrTiO 3 were used. The results are shown in Table 2.

【0031】[0031]

【表2】 [Table 2]

【0032】尚、BaTiO3 、CaTiO3 、SrT
iO3 はコンデンサ材料として使用されるため、温度係
数(τf)は測定しなかった。
Incidentally, BaTiO 3 , CaTiO 3 , SrT
Since iO 3 was used as a capacitor material, the temperature coefficient (τf) was not measured.

【0033】これらの表1,2より、本発明の誘電体磁
器組成物では、850〜950℃で焼成することができ
るとともに、高い比誘電率を得ることができ、焼結体自
体のボイド状態も良好であった。
From these Tables 1 and 2, the dielectric ceramic composition of the present invention can be fired at 850 to 950 ° C., can obtain a high relative dielectric constant, and has a void state of the sintered body itself. Was also good.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、850〜
950℃の比較的低温でAgやCu等の導体金属と同時
に焼成でき、さらに、ガラスと誘電体粒子との反応を抑
制して高い比誘電率を得ることができ、高周波電子回路
基板の小型化と高性能化を実現できる。また、コンデン
サ材料としても優れた特性を有する。
The dielectric porcelain composition of the present invention has a composition of 850 to 850.
At a relatively low temperature of 950 ° C., it can be fired simultaneously with a conductive metal such as Ag or Cu, and furthermore can suppress the reaction between glass and dielectric particles to obtain a high relative dielectric constant. And high performance can be realized. It also has excellent characteristics as a capacitor material.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤川 信儀 鹿児島県国分市山下町1番4号 京セラ 株式会社総合研究所内 審査官 深草 祐一 (56)参考文献 特開 平6−345530(JP,A) 特開 平4−193762(JP,A) 特開 昭63−151645(JP,A) 特開 昭61−31342(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C04B 35/14 - 35/495 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Nobuyoshi Fujikawa 1-4-4 Yamashita-cho, Kokubu-shi, Kagoshima Examiner at Kyocera Research Institute Yuichi Fukakusa (56) References JP-A-6-345530 (JP, A) JP-A-4-193762 (JP, A) JP-A-63-151645 (JP, A) JP-A-61-31342 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) C04B 35/14-35/495

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】金属元素を少なくとも2種以上を含有する
酸化物からなり、その表面がアルミナで被覆されている
誘電体粒子30〜70体積%と、ガラス70〜30体積
%とからなることを特徴とする誘電体磁器組成物。
The present invention relates to: an oxide containing at least two kinds of metal elements, the surface of which is made of 30 to 70% by volume of dielectric particles coated with alumina and 70 to 30% by volume of glass. Characteristic dielectric porcelain composition.
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