JP3085498B2 - 金型への離型剤スプレー方法および装置 - Google Patents
金型への離型剤スプレー方法および装置Info
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- JP3085498B2 JP3085498B2 JP05150501A JP15050193A JP3085498B2 JP 3085498 B2 JP3085498 B2 JP 3085498B2 JP 05150501 A JP05150501 A JP 05150501A JP 15050193 A JP15050193 A JP 15050193A JP 3085498 B2 JP3085498 B2 JP 3085498B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，アルミニウム合金やマ
グネシウム合金等の軽金属を金型を用いて加圧鋳造する
際に用いる金型への離型剤スプレー方法および装置に関
するものである。
グネシウム合金等の軽金属を金型を用いて加圧鋳造する
際に用いる金型への離型剤スプレー方法および装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より，アルミニウム合金等の軽金属
合金を鋳造する際，引け巣を低減するため，溶湯を金型
に鋳込んでから凝固が完了するまでの間，常に一定の高
圧力を加圧し続ける方法が採られてきた。特に，自動車
部品等のように耐圧性，高強度等の高品質が要求される
場合，このような高圧で鋳造する方法が多く用いられて
いる。そして，金型鋳造を行う場合，鋳造品が金型から
取出しやすいように，溶湯を金型内に鋳込む前に金型の
キャビティ表面に離型剤を塗布していた。この離型剤塗
布は，通常，型開時に水溶性離型剤を金型のキャビティ
表面にスプレして塗布する方式が採用されている。
合金を鋳造する際，引け巣を低減するため，溶湯を金型
に鋳込んでから凝固が完了するまでの間，常に一定の高
圧力を加圧し続ける方法が採られてきた。特に，自動車
部品等のように耐圧性，高強度等の高品質が要求される
場合，このような高圧で鋳造する方法が多く用いられて
いる。そして，金型鋳造を行う場合，鋳造品が金型から
取出しやすいように，溶湯を金型内に鋳込む前に金型の
キャビティ表面に離型剤を塗布していた。この離型剤塗
布は，通常，型開時に水溶性離型剤を金型のキャビティ
表面にスプレして塗布する方式が採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のように，常に一
定の高圧力で加圧し続ける場合，キャビティ表面で極め
て急速に冷やされるため，次のような問題がある。 （１）金型のキャビティ表面で急速に凝固が進行するた
め，型表面からの結晶核の遊離が殆ど起こらない。ま
た，表面近傍における温度勾配が大きく，過冷却が極め
て狭くなるため，過冷却で生成する結晶核の数も限られ
たものとなる。その結果，結晶核は少なくなり，結晶核
は粗大になり，その分だけ強度は低下する。なお，高圧
力を加えると，引け巣がなくなり，２次ＤＡＳが細かく
なるため，重力鋳造，低圧鋳造よりは高強度となるのが
一般的であるが，結晶粒が粗大になった分だけその効果
は相殺される。 （２）キャビティ表面で急速に凝固した結晶は，熱流方
向に成長し柱状晶となる。その粒界もしくは各柱状晶を
構成する樹枝状晶の間で熱間割れが発生しやすくなる。 （３）樹枝状晶間に排出された溶質元素が加圧力によっ
て，製品内部の未凝固部に絞りだされて，大きな偏析を
起こす。このため，引け巣，強度低下の原因となる。
定の高圧力で加圧し続ける場合，キャビティ表面で極め
て急速に冷やされるため，次のような問題がある。 （１）金型のキャビティ表面で急速に凝固が進行するた
め，型表面からの結晶核の遊離が殆ど起こらない。ま
た，表面近傍における温度勾配が大きく，過冷却が極め
て狭くなるため，過冷却で生成する結晶核の数も限られ
たものとなる。その結果，結晶核は少なくなり，結晶核
は粗大になり，その分だけ強度は低下する。なお，高圧
力を加えると，引け巣がなくなり，２次ＤＡＳが細かく
なるため，重力鋳造，低圧鋳造よりは高強度となるのが
一般的であるが，結晶粒が粗大になった分だけその効果
は相殺される。 （２）キャビティ表面で急速に凝固した結晶は，熱流方
向に成長し柱状晶となる。その粒界もしくは各柱状晶を
構成する樹枝状晶の間で熱間割れが発生しやすくなる。 （３）樹枝状晶間に排出された溶質元素が加圧力によっ
て，製品内部の未凝固部に絞りだされて，大きな偏析を
起こす。このため，引け巣，強度低下の原因となる。
【０００４】一方，水溶性離型剤を金型にスプレする方
式では，離型剤が垂れる。また，金型のパーティング面
にも不必要に離型剤成分が付着し，金型の汚れ，堆積等
の原因にもなっている。さらに，離型剤希釈液を排水す
る場合，排水処理を行う必要もあり，面倒であり，か
つ，そのための装置を設置する必要もある。
式では，離型剤が垂れる。また，金型のパーティング面
にも不必要に離型剤成分が付着し，金型の汚れ，堆積等
の原因にもなっている。さらに，離型剤希釈液を排水す
る場合，排水処理を行う必要もあり，面倒であり，か
つ，そのための装置を設置する必要もある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そのため，本発明におい
ては，離型剤として，粉体の離型剤を用いた。また，上
記のような欠点を解消するために，金型表面に生成した
結晶粒を遊離させて微細等軸晶組織が得られるように，
金型表面に付着させた粉体離型剤の層厚が不均一になる
ことを目的とした。
ては，離型剤として，粉体の離型剤を用いた。また，上
記のような欠点を解消するために，金型表面に生成した
結晶粒を遊離させて微細等軸晶組織が得られるように，
金型表面に付着させた粉体離型剤の層厚が不均一になる
ことを目的とした。
【０００６】そして，本発明においては，金型のキャビ
ティ表面に絶縁膜を分散させた状態で形成させ，この金
型に電圧を加えてキャビティ表面の絶縁膜を誘電分極さ
せ，この電圧を除去した後に，金型と逆の極性の電圧を
加えた粉体離型剤を金型のキャビティ表面に塗布するよ
うにした。
ティ表面に絶縁膜を分散させた状態で形成させ，この金
型に電圧を加えてキャビティ表面の絶縁膜を誘電分極さ
せ，この電圧を除去した後に，金型と逆の極性の電圧を
加えた粉体離型剤を金型のキャビティ表面に塗布するよ
うにした。
【０００７】また，そのための装置は，金型のキャビテ
ィ表面に絶縁膜を分散させた金型と，この金型に電圧を
加えたり除去したりする加電圧手段と，金型と逆の極性
の電圧を加えた粉体離型剤を金型のキャビティ表面に塗
布する塗布手段とからなる金型への離型剤スプレー装置
とした。
ィ表面に絶縁膜を分散させた金型と，この金型に電圧を
加えたり除去したりする加電圧手段と，金型と逆の極性
の電圧を加えた粉体離型剤を金型のキャビティ表面に塗
布する塗布手段とからなる金型への離型剤スプレー装置
とした。
【０００８】
【作用】まず，金型のキャビティ表面に多数の小さい凹
凸をつけ，そこに絶縁膜を付着させた後，その絶縁膜の
凸部を削り落して絶縁膜が凹部のみに付着している状態
にし，金型のキャビティの表面に絶縁膜をミクロに分散
させた状態で形成させる。次に，この金型に正の電圧を
加えて絶縁膜を誘電分極させた後，電圧を除去すると，
絶縁膜の部分だけ正に帯電した状態になる。この状態
で，負に帯電した粉体離型剤を塗布すると，粉体離型剤
が，絶縁膜の部分に厚く，その他の部分に薄く付着す
る。
凸をつけ，そこに絶縁膜を付着させた後，その絶縁膜の
凸部を削り落して絶縁膜が凹部のみに付着している状態
にし，金型のキャビティの表面に絶縁膜をミクロに分散
させた状態で形成させる。次に，この金型に正の電圧を
加えて絶縁膜を誘電分極させた後，電圧を除去すると，
絶縁膜の部分だけ正に帯電した状態になる。この状態
で，負に帯電した粉体離型剤を塗布すると，粉体離型剤
が，絶縁膜の部分に厚く，その他の部分に薄く付着す
る。
【０００９】この粉体離型剤の層厚のむらは，金型キャ
ビティ表面の熱伝達を不均一にして，金型キャビティ表
面近傍に溶湯温度の揺らぎを生じさせる効果を持つ。こ
の熱的な揺らぎにより，粉体離型剤が薄い部分では熱伝
達が大きく，溶湯温度が比較的に低くなり，結晶粒が生
成するが，粉体離型剤が厚い部分では熱伝達が小さく，
溶湯温度が比較的に高く保たれ，凝固殻が形成されず，
金型キャビティ表面に生成した結晶粒の遊離が促進され
る。その結果，結晶核の増殖により，鋳造物の表面部分
を含む内面全体に微細等軸晶組織が形成されるし，等軸
晶帯に溶質元素の偏析ができることもない。そして，熱
間割れの発生がなく，引け巣もほとんど発生しない，高
強度で靭性を有する高品質の鋳込製品が容易に得られ
る。
ビティ表面の熱伝達を不均一にして，金型キャビティ表
面近傍に溶湯温度の揺らぎを生じさせる効果を持つ。こ
の熱的な揺らぎにより，粉体離型剤が薄い部分では熱伝
達が大きく，溶湯温度が比較的に低くなり，結晶粒が生
成するが，粉体離型剤が厚い部分では熱伝達が小さく，
溶湯温度が比較的に高く保たれ，凝固殻が形成されず，
金型キャビティ表面に生成した結晶粒の遊離が促進され
る。その結果，結晶核の増殖により，鋳造物の表面部分
を含む内面全体に微細等軸晶組織が形成されるし，等軸
晶帯に溶質元素の偏析ができることもない。そして，熱
間割れの発生がなく，引け巣もほとんど発生しない，高
強度で靭性を有する高品質の鋳込製品が容易に得られ
る。
【００１０】
【実施例】図１は，本発明の方法を実施するための装置
の１実施例を示す概略図である。ダイカストマシンを示
す図１において，１は固定盤，２は可動盤，３は固定金
型，４は可動金型，５は鋳込スリーブ，５ａは注湯口，
５ｂは鋳込スリーブ５内を摺動するプランジャチップで
ある。６は，粉体離型剤７を流動エアで供給して溜めて
おく粉体タンク，８は吐出エアの作用で粉体タンク６内
の粉体離型剤７を送り出すエジェクタ，９は粉体離型剤
７搬送用で先端部を鋳込スリーブ５の途中に連結してい
るパイプ，１０はパイプ９の先端付近に設けた静電ノズ
ルであり，これら粉体タンク６，エジェクタ８，パイプ
９，静電ノズル１０等によって，粉体離型剤供給装置１
１を構成した。
の１実施例を示す概略図である。ダイカストマシンを示
す図１において，１は固定盤，２は可動盤，３は固定金
型，４は可動金型，５は鋳込スリーブ，５ａは注湯口，
５ｂは鋳込スリーブ５内を摺動するプランジャチップで
ある。６は，粉体離型剤７を流動エアで供給して溜めて
おく粉体タンク，８は吐出エアの作用で粉体タンク６内
の粉体離型剤７を送り出すエジェクタ，９は粉体離型剤
７搬送用で先端部を鋳込スリーブ５の途中に連結してい
るパイプ，１０はパイプ９の先端付近に設けた静電ノズ
ルであり，これら粉体タンク６，エジェクタ８，パイプ
９，静電ノズル１０等によって，粉体離型剤供給装置１
１を構成した。
【００１１】固定金型３と可動金型４の内面側には，そ
れぞれ入子３ａ，４ａをはめ込んで固定した。１２は可
動金型４側の入子４ａの凹み部に取付けた絶縁体，４ｂ
は絶縁体１２の内側にあってキャビティ表面の一部を形
成する入子，１３は金型３，４のキャビティである。１
４ａ，１４ｂは電源，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ
はスイッチ，１６ａ，１６ｂはアース部であり，これら
は入子４ｂとパイプ９とアース部１６ａ，１６ｂの間
で，図１に示すような電気回路になるように配線した。
れぞれ入子３ａ，４ａをはめ込んで固定した。１２は可
動金型４側の入子４ａの凹み部に取付けた絶縁体，４ｂ
は絶縁体１２の内側にあってキャビティ表面の一部を形
成する入子，１３は金型３，４のキャビティである。１
４ａ，１４ｂは電源，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ
はスイッチ，１６ａ，１６ｂはアース部であり，これら
は入子４ｂとパイプ９とアース部１６ａ，１６ｂの間
で，図１に示すような電気回路になるように配線した。
【００１２】つぎに，このような装置における作用を説
明する。まず，金型４のキャビティ１３表面に絶縁膜１
７を分散させた状態で形成させるが，その方法，順序を
図２によって説明する。最初，入子４ｂを含む金型４の
表面は図２（ａ）に示すように平面になっているが，金
型表面に例えばショットブラストを施して，図２（ｂ）
に示すように，あえて凹凸を付けた後，図２（ｃ）に示
すように，イオンコーティングして金型４の表面全体
に，例えば，Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉ3 Ｎ4 等の絶縁膜１７を
付着させる。その後，金型４の表面の凸部を削り落し
て，図２（ｄ）に示すように，絶縁膜１７が凹部のみに
付着した状態にする。
明する。まず，金型４のキャビティ１３表面に絶縁膜１
７を分散させた状態で形成させるが，その方法，順序を
図２によって説明する。最初，入子４ｂを含む金型４の
表面は図２（ａ）に示すように平面になっているが，金
型表面に例えばショットブラストを施して，図２（ｂ）
に示すように，あえて凹凸を付けた後，図２（ｃ）に示
すように，イオンコーティングして金型４の表面全体
に，例えば，Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉ3 Ｎ4 等の絶縁膜１７を
付着させる。その後，金型４の表面の凸部を削り落し
て，図２（ｄ）に示すように，絶縁膜１７が凹部のみに
付着した状態にする。
【００１３】このようにして表面に絶縁膜１７をミクロ
に分散させた金型４に、図１（ａ）に示したように、ス
イッチ１５ａを入れて、正の電圧を加え、絶縁膜１７を
図１（ｂ）に示すように誘電分極する。この後、スイッ
チ１５ａ、１５ｄを切り、スイッチ１５ｃを入れて、電
圧を除去すると、図３（ａ）に示すように、絶縁膜１７
の部分だけが正に帯電した状態になる。次に、この状態
からスイッチ１５ｂを入れるとともに、吐出エアをエジ
ェクタ８内に送り、エジェクタ８の作用で粉体タンク６
内の粉体離型剤７を送り出してキャビティ１３内に供給
し、図３（ｂ）に示すように、負に帯電した粉体離型剤
７を金型４のキャビティ１３面に塗布する。そして、こ
の状態から、スイッチ１５ｂ、１５ｃも切った状態にす
ると、図３（ｃ）に示すように、粉体離型剤７が絶縁膜
１７の部分に厚く、その他の部分に薄く付着し、粉体層
７ａが形成される。
に分散させた金型４に、図１（ａ）に示したように、ス
イッチ１５ａを入れて、正の電圧を加え、絶縁膜１７を
図１（ｂ）に示すように誘電分極する。この後、スイッ
チ１５ａ、１５ｄを切り、スイッチ１５ｃを入れて、電
圧を除去すると、図３（ａ）に示すように、絶縁膜１７
の部分だけが正に帯電した状態になる。次に、この状態
からスイッチ１５ｂを入れるとともに、吐出エアをエジ
ェクタ８内に送り、エジェクタ８の作用で粉体タンク６
内の粉体離型剤７を送り出してキャビティ１３内に供給
し、図３（ｂ）に示すように、負に帯電した粉体離型剤
７を金型４のキャビティ１３面に塗布する。そして、こ
の状態から、スイッチ１５ｂ、１５ｃも切った状態にす
ると、図３（ｃ）に示すように、粉体離型剤７が絶縁膜
１７の部分に厚く、その他の部分に薄く付着し、粉体層
７ａが形成される。
【００１４】なお，粉体離型剤７としては，例えば，黒
鉛，窒化ホウ素，雲母，タルク等の無機固体に，高分子
化合物，油脂類，合成油等の付着付与剤を混合したり，
まぶしたものを使用する。
鉛，窒化ホウ素，雲母，タルク等の無機固体に，高分子
化合物，油脂類，合成油等の付着付与剤を混合したり，
まぶしたものを使用する。
【００１５】このようにして生じた粉体離型剤７の層厚
のむらは，金型４の表面の熱伝達を不均一にして，表面
近傍に溶湯温度の比較的に高い所と比較的に低い所から
なる揺らぎを生じさせる効果を持つ。そして，この熱的
な揺らぎにより，金型表面に生成した結晶粒の遊離を促
進する。特に，特願平４−３４２５７５号明細書に記載
した，加圧力を溶湯にパルス的に加える方法と組合せる
と，さらに容易に結晶核を増殖し，微細等軸晶組織を得
ることができる。
のむらは，金型４の表面の熱伝達を不均一にして，表面
近傍に溶湯温度の比較的に高い所と比較的に低い所から
なる揺らぎを生じさせる効果を持つ。そして，この熱的
な揺らぎにより，金型表面に生成した結晶粒の遊離を促
進する。特に，特願平４−３４２５７５号明細書に記載
した，加圧力を溶湯にパルス的に加える方法と組合せる
と，さらに容易に結晶核を増殖し，微細等軸晶組織を得
ることができる。
【００１６】すなわち，熱的な揺らぎにより，粉体離型
剤７が薄い部分では熱伝達が大きく，溶湯温度が比較的
に低くなり，優先的に結晶粒が生成するが，絶縁膜１７
がコーティングされており粉体離型剤７が厚い部分では
熱伝達が小さく，溶湯温度が比較的に高く保たれ，凝固
初期において金型表面に安定な凝固殻が形成されず，金
型キャビティ表面に生成した結晶粒の遊離が促進され
る。その結果，結晶核の増殖により，鋳造物の表面部分
を含む内面全体に微細等軸晶組織が形成されるし，等軸
晶帯に溶質元素の偏析ができることもない。そして，熱
間割れの発生がなく，引け巣もほとんど発生しない，高
強度で靭性を有する高品質の鋳込製品が容易に得られ
る。
剤７が薄い部分では熱伝達が大きく，溶湯温度が比較的
に低くなり，優先的に結晶粒が生成するが，絶縁膜１７
がコーティングされており粉体離型剤７が厚い部分では
熱伝達が小さく，溶湯温度が比較的に高く保たれ，凝固
初期において金型表面に安定な凝固殻が形成されず，金
型キャビティ表面に生成した結晶粒の遊離が促進され
る。その結果，結晶核の増殖により，鋳造物の表面部分
を含む内面全体に微細等軸晶組織が形成されるし，等軸
晶帯に溶質元素の偏析ができることもない。そして，熱
間割れの発生がなく，引け巣もほとんど発生しない，高
強度で靭性を有する高品質の鋳込製品が容易に得られ
る。
【００１７】なお，粉体離型剤７の均一な塗布によって
も，粉体離型剤７をある程度厚く塗布すれば，急速に安
定な凝固殻が生じないようにし，ある程度，結晶粒が遊
離し易く，等軸晶が生成しやすくすることはできる。し
かし，本発明のようにして粉体離型剤７を不均一膜にし
た場合，薄膜部で急冷されて熱流方向には急速に粒成長
するにもかかわらず，厚膜部で粒成長が阻止されて，結
晶粒は顔でっかちの遊離し易い形状になる。このため，
厚膜の場合よりも，等軸晶は格段に多く生成される。
も，粉体離型剤７をある程度厚く塗布すれば，急速に安
定な凝固殻が生じないようにし，ある程度，結晶粒が遊
離し易く，等軸晶が生成しやすくすることはできる。し
かし，本発明のようにして粉体離型剤７を不均一膜にし
た場合，薄膜部で急冷されて熱流方向には急速に粒成長
するにもかかわらず，厚膜部で粒成長が阻止されて，結
晶粒は顔でっかちの遊離し易い形状になる。このため，
厚膜の場合よりも，等軸晶は格段に多く生成される。
【００１８】不均一膜の厚膜部で粒成長が阻止される理
由としては，次のことが考えられる。 （１）厚膜部前方の湯温が高いこと。 （２）結晶粒の周辺には溶質元素が排出され，それによ
って液相線温度が下り，凝固が遅れる。不均一膜の場
合，結晶粒の成長が速い分だけ，排出される溶質元素の
量は厚膜に比べて多くなり，液相線温度は著しく低下す
る。
由としては，次のことが考えられる。 （１）厚膜部前方の湯温が高いこと。 （２）結晶粒の周辺には溶質元素が排出され，それによ
って液相線温度が下り，凝固が遅れる。不均一膜の場
合，結晶粒の成長が速い分だけ，排出される溶質元素の
量は厚膜に比べて多くなり，液相線温度は著しく低下す
る。
【００１９】なお，前記実施例においては，本発明を可
動金型４側にのみ施した例を示したが，これは勿論，固
定金型３側や中子等にも施すことができるし，キャビテ
ィ１３表面の全面に施すこともできる。また，本発明を
用いて金型３，４のキャビティ１３内に溶湯を鋳造する
前に，例えば特公昭５８−４６３８６号公報に記載され
ているような真空吸引装置を用いてキャビティ１３内を
真空にした後に，溶湯を鋳込むようにすることもできる
し，例えば特公昭５８−４６３８７号公報や特公昭５９
−３０９号公報に記載されたような金型のガス抜き装置
を併用して鋳込作業を行うこともできる。
動金型４側にのみ施した例を示したが，これは勿論，固
定金型３側や中子等にも施すことができるし，キャビテ
ィ１３表面の全面に施すこともできる。また，本発明を
用いて金型３，４のキャビティ１３内に溶湯を鋳造する
前に，例えば特公昭５８−４６３８６号公報に記載され
ているような真空吸引装置を用いてキャビティ１３内を
真空にした後に，溶湯を鋳込むようにすることもできる
し，例えば特公昭５８−４６３８７号公報や特公昭５９
−３０９号公報に記載されたような金型のガス抜き装置
を併用して鋳込作業を行うこともできる。
【００２０】
【発明の効果】本発明においては，特許請求の範囲に記
載したように，金型のキャビティ表面に絶縁膜を分散さ
せた状態で形成させ，この金型に粉体離型剤を塗布する
ようにしたので，粉体離型剤の厚みが厚い所と薄い所が
生じ，鋳造時に熱的な揺らぎが生じ，凝固初期において
金型表面に安定な凝固殻が形成されず，金型キャビティ
表面に生成した結晶粒は遊離する。その結果，結晶核の
増殖により，鋳造物の表面部分を含む内面全体に微細等
軸晶組織が形成されるし，等軸晶帯に溶質元素の偏析が
できることもない。そして，熱間割れの発生がなく，引
け巣もほとんど発生しない，高強度で靭性を有する高品
質の鋳込製品が容易に得られる。なお，本発明において
は，粉体離型剤を用いるので，金型の分離面がきれい
で，オイルミストの低減により水蒸気の発生がなく，エ
アブロー不要のために工場内騒音が低減でき，作業環境
も良く，また，排水処理も不要で，コスト的にも有利に
なる。
載したように，金型のキャビティ表面に絶縁膜を分散さ
せた状態で形成させ，この金型に粉体離型剤を塗布する
ようにしたので，粉体離型剤の厚みが厚い所と薄い所が
生じ，鋳造時に熱的な揺らぎが生じ，凝固初期において
金型表面に安定な凝固殻が形成されず，金型キャビティ
表面に生成した結晶粒は遊離する。その結果，結晶核の
増殖により，鋳造物の表面部分を含む内面全体に微細等
軸晶組織が形成されるし，等軸晶帯に溶質元素の偏析が
できることもない。そして，熱間割れの発生がなく，引
け巣もほとんど発生しない，高強度で靭性を有する高品
質の鋳込製品が容易に得られる。なお，本発明において
は，粉体離型剤を用いるので，金型の分離面がきれい
で，オイルミストの低減により水蒸気の発生がなく，エ
アブロー不要のために工場内騒音が低減でき，作業環境
も良く，また，排水処理も不要で，コスト的にも有利に
なる。
【図１】本発明の方法を実施するための装置の１実施例
を示す縦断面図およびＡ部拡大図である。
を示す縦断面図およびＡ部拡大図である。
【図２】本発明における金型表面の加工方法の１実施例
を説明するための工程図である。
を説明するための工程図である。
【図３】本発明における金型表面への帯電状態と粉体離
型剤の塗布状態の１実施例を説明するための工程図であ
る。
型剤の塗布状態の１実施例を説明するための工程図であ
る。
３ 固定金型 ４ 可動金型 ４ａ，４ｂ 入子 ５ 鋳込スリーブ ５ｂ プランジャチップ ６ 粉体タンク ７ 粉体離型剤 ８ エジェクタ １１ 粉体離型剤供給装置 １２ 絶縁体 １３ キャビティ １４ａ，１４ｂ 電源 １５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ スイッチ １７ 絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−299752（ＪＰ，Ａ) 特公 昭51−37045（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭45−23225（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B22C 9/06 B22C 23/02 B22D 17/20
Claims (2)
- 【請求項１】 金型のキャビティ表面に絶縁膜を分散さ
せた状態で形成させ，この金型に電圧を加えてキャビテ
ィ表面の絶縁膜を誘電分極させ，この電圧を除去した後
に，金型と逆の極性の電圧を加えた粉体離型剤を金型の
キャビティ表面に塗布するようにした金型への離型剤ス
プレー方法。 - 【請求項２】 金型のキャビティ表面に絶縁膜を分散さ
せた金型と，この金型に電圧を加えたり除去したりする
加電圧手段と，金型と逆の極性の電圧を加えた粉体離型
剤を金型のキャビティ表面に塗布する塗布手段とからな
る金型への離型剤スプレー装置。
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|---|---|---|---|
| JP05150501A JP3085498B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 金型への離型剤スプレー方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP05150501A JP3085498B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 金型への離型剤スプレー方法および装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH071100A JPH071100A (ja) | 1995-01-06 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP05150501A Expired - Fee Related JP3085498B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 金型への離型剤スプレー方法および装置 |
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| JP (1) | JP3085498B2 (ja) |
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1993
- 1993-06-22 JP JP05150501A patent/JP3085498B2/ja not_active Expired - Fee Related
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