JP3082636B2 - 歪み測定装置 - Google Patents

歪み測定装置

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JP3082636B2 JP07269800A JP26980095A JP3082636B2 JP 3082636 B2 JP3082636 B2 JP 3082636B2 JP 07269800 A JP07269800 A JP 07269800A JP 26980095 A JP26980095 A JP 26980095A JP 3082636 B2 JP3082636 B2 JP 3082636B2
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  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】本発明は精度向上を図った歪み測
定装置に関し、詳しくは増幅器のゲインドリフトやA/
D,D/A変換器のオフセット,ゲインドリフトの影響
を少なくした歪み測定装置に関するものである。
【0001】
【従来の技術】図2は従来の歪み測定装置の一例を示す
構成図である。図において1は歪ゲージ1aを一辺とし
他辺を固定抵抗器1b,1c,1dで構成した抵抗ブリ
ッジであり、この抵抗ブリッジの入力端子2,3にはブ
リッジ電源(+VB,−VB)が接続されている。またブ
リッジ1の出力端子4,5は差動増幅器6の入力端子6
a,6bに接続されている。7は加算器でこの加算器の
出力はプログラマブルゲイン増幅器(以下PGAとい
う)8に入力して増幅される。9はA/D変換器であ
り、このA/D変換器9の出力が歪み信号として後段の
演算手段11に入力されて所定の演算が施され表示・記
録が行われる。
【0002】なお、歪み信号は演算手段11,D/A変
換器10を介して加算器7に加えられ、ブリッジの初期
不平衡を補正する(歪みゲージのばらつきをキャンセル
するために、歪み零の状態でA/D変換器9への入力が
所定の値(一般には零付近)になるように調整)。
【0003】始めに歪みゲージに加わる歪みをブリッジ
を用いて測定する場合の原理について簡単に説明する。
歪みゲージは導体に変位(伸び縮み)が加わると抵抗値
が変化することを利用して、抵抗値を測定することによ
り変位(歪み量)を測定するものであり、歪み量Δlと
抵抗値の変化ΔRの関係は ΔR/R=K0Δl/l…(1-1-1) ただし,K0=ゲージ率(通常2.0程度) で与えられる。
【0004】そして図2の様にブリッジの一辺1aを歪
みゲージとし、抵抗ブリッジの入力端子2,3にブリッ
ジ電源VBを接続した場合、ブリッジの出力Voutは次式
により求められる。 Vout=[−R/(2R+ΔR)]2VB+VB =[−1/(1+ΔR/2R)]VB+VB ≒[−1+(ΔR/2R)]VB+VB =(ΔR/2R)VB 従ってVout=(Δl/l)VB (K0=2.0)…(1-1-2) となるので、Voutを測定することで(Δl/l)を検知
することができる。
【0005】次にこのVoutが差動増幅器6で増幅(ゲ
インG1)された出力信号V1(=G1Vout)がA/D変
換器9によりディジタル信号Doutに変換されるまでは
次の様になる。 Dout=α11=α11out∝(Δl/l)→α1は係数
【0006】一般に歪みセンサは初期誤差を持っている
ので、歪み零の状態での歪みセンサの抵抗値は理想値と
はREだけずれ(R+RE)となっている。この場合、歪
み量と初期誤差を区別することはできないので、センサ
の歪み量が零の状態でDoutの出力が零になる様に演算
手段30からの出力に基づいてD/A変換器10及び加
算器7を用いて初期誤差の影響を除去(イニシアルバラ
ンス)しておく。このように構成することにより正確な
歪み量の測定が可能となる。
【0007】なお、図2中PGA8は広い測定範囲をカ
バーするためのもので、例えばG3=1のとき−100
0με〜1000μεの測定範囲が、G3=10のとき
は−100με〜100μεとなるので、一定の分解能
を有するA/D変換器を用いても細かな測定が可能とな
る。
【0008】ここで、差動増幅器6,PGA8,A/D
変換器9,D/A変換器10,ブリッジ電源(+VB
−VB)が全て理想的に動作した場合、D/A変換器1
0によってイニシャルバランスが完全にとれるので、歪
み零のときDoutは零となる。その結果、 Dout=α131out(このVoutはイニシャル誤差を除いた値) =α131B(Δl/l)…(1-1-3) となる。α1,G3,G1,VBは予めわかっているのでD
outを測定することにより歪み量Δl/lを正確に求める
ことができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述の(1-1
-3)式はあくまで各電子部品が理想的に動作した場合で
あり、現実には増幅器のオフセットやゲインエラー、周
囲温度の変化によるドリフト等により測定誤差が発生す
る。即ち、差動増幅器6の出力はG1V+Vos1、PGA
8の出力はG3V+Vos3、A/D変換器9の出力はG4
V+Vos4、D/A変換器10の出力はG2D+Vos2
なる(ただしVos1〜Vos4はオフセット,G1〜G4はゲ
インエラーを含んだ値)。
【0010】従ってA/D変換器9の出力Dout上式において、の部分がゲインエラーを含んだ項で
の部分がオフセットを含んだ項となる。
【0011】ここで、Vout=VB(Δl/l)なので上
式にはVBの誤差も含まれている。そして上記(1-2-1)式
のG3とG4に5%ずつのゲインエラーがあった場合、ゲ
イン分のみで10%の測定誤差が生じることになる。そ
のため、装置の精度はこれら電子部品固有の特性に左右
される。従って所定の精度を確保する為には高品質の素
子を用いなければならず高価な装置になるという問題が
あった。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するためになされたもので、歪み検出素子が接続さ
れブリッジ電圧が印加される抵抗ブリッジと、該抵抗ブ
リッジの出力を増幅する差動増幅器と、該差動増幅器の
出力と、イニシャルバランス調整用D/A変換器の出力
を加算する加算器と、該加算器の出力を増幅するプログ
ラマブルゲイン増幅器と、該プログラマブルゲイン増幅
器の出力をデジタル信号に変換するA/D変換器と、前
記歪み検出素子のフルスケール出力相当の電圧を発生す
る第1電圧発生手段と、前記歪み検出素子の零入力相当
の電圧を発生する第2電圧発生手段と、前記抵抗ブリッ
ジの出力と第1,第2電圧発生手段からの出力を切換え
る切換え手段と、からなり、前記歪み検出素子に歪みを
加えた測定時の抵抗ブリッジの出力を前記第1電圧発生
手段の出力で除した値と、前記歪み検出素子に歪みを加
えない状態の抵抗ブリッジの出力を前記第1電圧発生手
段の出力で除した値の差を演算する演算手段を備えたこ
とを特徴とするものである。
【0013】
【作用】測定時の抵抗ブリッジの出力(VBM)を第1電
圧発生手段の出力(VF)で除した値(VBM/VF)と歪
み検出素子に歪みを加えない状態の抵抗ブリッジの出力
(VB0)を、第1電圧発生手段の出力(VF)で除した
値(VB0/VF)を求め、その差(VBM/VF)−(VB0
/VF)を演算する。この演算を行うことによりブリッ
ジ電源の誤差,各増幅器やA/D,D/A変換器のゲイ
ンエラーやオフセットエラーをキャンセルした出力を得
ることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の一実
施例を説明する。図1は本発明の一実施例を示す構成図
である。なお、図2に示す従来例と同一要素については
同一符号を付して重複する説明は省略するが、この実施
例においては、歪み検出素子を含むブリッジがn(1〜
1n)個配列された場合を示している。図において、1
1〜12nはスキャナであり演算手段(CPU)からの
指令によりスイッチングされる。13は切換えスイッチ
で、このスイッチ13はスキャナにより選択された歪み
検出素子1〜1nの信号を順次差動増幅器6に入力す
る。
【0015】20は第1電圧発生手段であり、この第1
電圧発生手段20は安定な抵抗R1,2,3にブリッジ
電圧+VB,−VBが加えられ、フルスケール相当の電圧
を発生するものであり、切換えスイッチ14により選択
される。なお、この電圧は例えば次のようにして決定す
る。
【0016】歪みセンサのフルスケール歪み量をμsと
すれば差動増幅器6に入力される電圧(VF)は VF=μs・2VB/2 μs;ΔR/R, となる。このVFと同じ値になるように抵抗値が決定さ
れる。この実施例では3抵抗としているので、 VF={R2/(R1+R2+R3)}・E ={R2/(R1+R2+R3)}・μs/2 を満たすように各抵抗の抵抗値を設定する。なお、この
抵抗は4つの抵抗を用いて作ることもできるし、この実
施例に限定されない。21は第2電圧発生手段であり、
この第2電圧発生手段は接地電位とされ、スイッチ15
により選択される。
【0017】30はA/D変換器9の後段に配置された
演算手段(CPU)、31は演算結果を表示したり記録
する表示・記録手段である。上記の構成において、オー
トバランス時に以下に示す測定を行う。 歪みを与えない状態VB0で差動増幅器6のゲインを
1,PGA8のゲインをG3としたときの、A/D変換
器9の出力XBは、前述の(1-2-1)式と同様 XB=G34(G1B0+Vos1−G2D−Vos2)+G4os3+Vos4 …(2-1-1) ここで、D/A変換器10の設定はXB0の出力が零(若
しくは零付近)となるように設定する。となる。
【0018】 次に、スイッチ13をオフとしてスイ
ッチ15をオン、PGA8のゲインをG3、D/A変換
器10の設定出力を零として、第2電圧発生手段21か
ら零出力の電圧VBZを印加する。このときのA/D変換
器9の出力XBZは、 XBZ=G34(G1B0+Vos1−G2D−Vos2)+G4os3+Vos4 …(2-1-2) となる。ここで、上記(2-1-1)式から(2-1-2)式を減じる
と XB−XBZ=G34(G1B0−G2D)…(2-1-3) となる。
【0019】 次に、スイッチ15をオフ、スイッチ
14をオンとし、第1電圧発生手段20からフルスケー
ル相当の電圧VFを印加する。このときD/A変換器1
0の設定出力は零とし、PGAのゲインを1とする。こ
のときのA/D変換器9の出力XFは、 XF=G4(G1F+Vos1−Vos2)+G4os3+Vos4…(2-1-4) となる。
【0020】 次に、スイッチ14をオフ、スイッチ
15をオンとして、第2電圧発生手段21から零出力の
電圧VZを印加する。このときD/A変換器10の設定
出力は零とし、PGAのゲインを1とする。このときの
A/D変換器9の出力XZは、 XZ=G4(Vos1−Vos2)+G4os3+Vos4…(2-1-5) となる。ここで、上記(2-1-4)式から(2-1-5)式を減じる
と XF−XZ=G41F…(2-1-6) となる。
【0021】 次に、前記と同様スイッチ14をオ
フ、スイッチ15およびPGAのゲインはそのままの状
態でD/A変換器10の設定をフルスケール相当の出力
とする。このときのA/D変換器9の出力XDFは、 XDF=G4(Vos1-2F−Vos2)+G4os3+Vos4 …(2-1-7) となる。
【0022】そして、上記(2-1-7)式から(2-1-5)式を
減じると XDF−XZ=−G42F…(2-1-8) となる。ここで、上記(2-1-3),(2-1-6),(2-1-8)式から XB−XBZ=G3{(XF−XZ)/VF}VB0+G3{(D
/DF)(XDF−XZ) なので VB0/VF=(1/G3){(XB-XBZ)/(XF-XZ)}-{(XDF-XZ)/(XF-XZ)}(D/DF)…(2-1-9) となる。そして、前述の〜XB,XBZ,XF,XZ
DFの5つの値から(2-1-9)式の右辺を計算するとVB0
/VFを求めることができる。なおこの式中にはVOS
1,G2,G4の項がない。このことは電子部品のゲイ
ンエラーやオフセットエラーがあってもキャンセルされ
て正確に測定可能なことを示している。
【0023】一方左辺を注目すると、 VB0=(1/2)VB(RE/R) VF=VBα (αはVF生成用抵抗によって決まる値で
あり、機器の仕様によって定められたフルスケール相当
の値(μs)で決定される。ここではα=R2/(R1
2+R3)で決定され、フルスケール歪みが大きければ
αも大きくなる) 故に VB0/VF=(1/2α)(RE/R) となってVBが消滅する。このことは、ブリッジ電源VB
の誤差の影響も受けないことを意味している。
【0024】次に、歪み測定時の場合について考察す
る。オートバランス時と同様に VBM/VF=(1/G3){(XBM-XBZ)/(XF-XZ)}-{(XDF-XZ)/(XF-XZ)}(D/DF)…(2-1-10) ここで、VBMは測定時の歪みゲージの出力であり、XBM
は前述の(2-1-2)式と同様にPGA8のゲインをG3
し、D/A変換器10の設定をXBMの出力を零(若しく
は零付近)となるように設定したときの、A/D変換器
9の出力である。
【0025】なお、VBM≒(ΔR/R+RE/R)(1
/2)VB なので(2-1-9),(2-1-10)式で求めた値よ
り測定時の歪み量Yは Y={(VBM/VF)−(VB0/VF)}…(2-1-11) により求めることができる。そして(VBM/VF)-(VB0/VF)=
(1/2)(1/α)(ΔR/R+RE/R)-(1/2α)(RE/R)=(1/2
α)(ΔR/R)=(1/α)(Δl/l)となり、歪
み量とαとの比となる。その結果、オフセット誤差,ゲ
イン誤差,ブリッジ電源の誤差を含まずに正確な測定を
行うことができる。
【0026】 また、図1に示したように歪み測定素子が
複数個あり、その測定素子からの入力をスキャナにより
順次取り込んで測定する様な場合、始めに上記差動増幅
器,PGA,加算器及びA/D,D/A変換器のオフセ
ットを演算し、歪み量測定時にその測定値からこれを減
算すれば、各検出素子においてもオフセットをキャンセ
ルした出力を得ることができる。なお、本発明では抵抗
ブリッジとして一つの歪素子と3つの固定抵抗を用いた
例(1ゲージ法)について説明したが、ブリッジの構成
は本例に限ることなく、例えば2ゲージ法や4ゲージ法
を用いたものでもよい。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
歪み検出素子に歪みを加えた測定時の抵抗ブリッジの出
力を第1電圧発生手段の出力で除した値と、歪み検出素
子に歪みを加えない状態の抵抗ブリッジの出力を第1電
圧発生手段の出力で除した値を求め、その差を演算する
ことにより、差動増幅器,加算器,PGAのゲインドリ
フトおよびA/D変換器,D/A変換器のオフセット,
ゲインドリフトを除去する様にしたので、高い精度の部
品を用いることなく比較的安い部品を用いて精密な歪み
測定装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の歪み測定装置の一実施例を示す構成図
である。
【図2】従来の歪み測定装置の構成例を示す図である。
【符号の説明】
1a〜1n 抵抗ブリッジ 6 差動増幅器 7 加算器 8 プログラマブルゲイン増幅器(PGA) 9 A/D変換器 10 D/A変換器 12〜15 切換えスイッチ 20 第1電圧発生手段 21 第2電圧発生手段 30 演算手段(CPU) 31 表示・記録手段

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】歪み検出素子が接続されブリッジ電圧が印
    加される抵抗ブリッジと、該抵抗ブリッジの出力を増幅
    する差動増幅器と、該差動増幅器の出力と、イニシャル
    バランス調整用D/A変換器の出力を加算する加算器
    と、該加算器の出力を増幅するプログラマブルゲイン増
    幅器と、該プログラマブルゲイン増幅器の出力をデジタ
    ル信号に変換するA/D変換器と、前記歪み検出素子の
    フルスケール出力相当の電圧を発生する第1電圧発生手
    段と、前記歪み検出素子の零入力相当の電圧を発生する
    第2電圧発生手段と、前記抵抗ブリッジの出力と第1,
    第2電圧発生手段からの出力を切換える切換え手段と、
    からなり、 前記歪み検出素子に歪みを加えた測定時の抵抗ブリッジ
    の出力を前記第1電圧発生手段の出力で除した値と、前
    記歪み検出素子に歪みを加えない状態の抵抗ブリッジの
    出力を前記第1電圧発生手段の出力で除した値を求め、
    その差を演算する演算手段を備えたことを特徴とする歪
    み測定装置。 【0000】
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