JP3077372B2 - 集積回路装置用バンプ電極の製造方法 - Google Patents
集積回路装置用バンプ電極の製造方法Info
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- JP3077372B2 JP3077372B2 JP9838292A JP9838292A JP3077372B2 JP 3077372 B2 JP3077372 B2 JP 3077372B2 JP 9838292 A JP9838292 A JP 9838292A JP 9838292 A JP9838292 A JP 9838292A JP 3077372 B2 JP3077372 B2 JP 3077372B2
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- H01L2224/03—Manufacturing methods
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ実装用の集積回路
装置のフリップチップに外部接続用突起電極であるバン
プ電極を作り込む方法に関する。
装置のフリップチップに外部接続用突起電極であるバン
プ電極を作り込む方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】外部接続用バンプ電極を備える上述のフ
リップチップは、パッケージ内に収納することなくその
ままの形でチップ実装して実装のスペースと手間を大幅
に節約できる特長があるため、最近では種々な電子装置
への組み込み用に益々広く採用される傾向にあるが、使
用中に熱サイクル等が掛かってチップの表面の保護膜に
クラック等の欠陥が発生すると外気の侵入により特性の
低下を招きやすい問題がある。以下、図２を参照してこ
の欠陥発生の様子を簡単に説明する。
リップチップは、パッケージ内に収納することなくその
ままの形でチップ実装して実装のスペースと手間を大幅
に節約できる特長があるため、最近では種々な電子装置
への組み込み用に益々広く採用される傾向にあるが、使
用中に熱サイクル等が掛かってチップの表面の保護膜に
クラック等の欠陥が発生すると外気の侵入により特性の
低下を招きやすい問題がある。以下、図２を参照してこ
の欠陥発生の様子を簡単に説明する。
【０００３】図２はフリップチップ20の要部拡大断面で
あり、集積回路が作り込まれたその半導体基板１の表面
を覆う酸化シリコン等の絶縁膜２の上にアルミの配線膜
３が配設されている。図の左側のチップ周縁部では、こ
の配線膜３を覆う保護膜４に窓を明けてその中で配線膜
３と接続するよう金, 銅, はんだ等のバンプ電極７が薄
い下地膜６を介して電解めっきによって突設される。下
地膜６は通例のように電解めっき時にめっき電極として
利用されるチタン等の下側下地膜6aと導電性の良好なパ
ラジュウム等の上側下地膜6bの２層構成とされる。な
お、実装の際にはフリップチップ20を図と逆に下に向け
た姿勢でバンプ電極７を相手方と熱圧着やはんだ付けに
よって接合する。
あり、集積回路が作り込まれたその半導体基板１の表面
を覆う酸化シリコン等の絶縁膜２の上にアルミの配線膜
３が配設されている。図の左側のチップ周縁部では、こ
の配線膜３を覆う保護膜４に窓を明けてその中で配線膜
３と接続するよう金, 銅, はんだ等のバンプ電極７が薄
い下地膜６を介して電解めっきによって突設される。下
地膜６は通例のように電解めっき時にめっき電極として
利用されるチタン等の下側下地膜6aと導電性の良好なパ
ラジュウム等の上側下地膜6bの２層構成とされる。な
お、実装の際にはフリップチップ20を図と逆に下に向け
た姿勢でバンプ電極７を相手方と熱圧着やはんだ付けに
よって接合する。
【０００４】図の右側の中央部では、配線膜３が相互間
に絶縁膜２を介しこの例では２層に配線されかつ保護膜
４で覆われる。この保護膜４には窒化シリコン等の気密
性の高い無機絶縁材料が用いられ、膜質が緻密である反
面硬くて張力が掛かると脆い欠点があり、図のように被
覆段差の大きな個所に熱応力が集中してクラックＣが発
生することがある。かかる欠陥が発生するとそこから外
気, とくに水分が侵入して配線膜３のアルミを腐食させ
やすく、さらに半導体基板１の方にも侵入して集積回路
の動作特性を低下させるおそれがある。
に絶縁膜２を介しこの例では２層に配線されかつ保護膜
４で覆われる。この保護膜４には窒化シリコン等の気密
性の高い無機絶縁材料が用いられ、膜質が緻密である反
面硬くて張力が掛かると脆い欠点があり、図のように被
覆段差の大きな個所に熱応力が集中してクラックＣが発
生することがある。かかる欠陥が発生するとそこから外
気, とくに水分が侵入して配線膜３のアルミを腐食させ
やすく、さらに半導体基板１の方にも侵入して集積回路
の動作特性を低下させるおそれがある。
【０００５】このため、高信頼性を要するフリップチッ
プでは従来から無機質の保護膜４を有機質の膜で保護し
ている。この有機保護膜には強靱で耐熱性のよいポリイ
ミド樹脂等が用いられる。図３にこの樹脂膜を備える場
合のバンプ電極７を作り込む従来方法を示す。まず同図
(a) のように保護膜４に窓4aを明けた後、同図(b) のよ
うに樹脂膜５用にポリイミド樹脂等をスピンコートして
300〜400 ℃の温度で充分に硬化させた上で、これに同
図(c) のように窓5aをドライエッチング法等により明
け、窓4aと5aの中に同図(d) のように上述の２層の下地
膜６を介しバンプ電極７を電解めっきにより成長させ
る。なお、同図(b) の工程で樹脂膜５として感光性をも
つポリイミド樹脂をスピンコートして、同図(c) の工程
でそのフォトプロセスにより窓5aを明けた後に硬化させ
ることもできる。
プでは従来から無機質の保護膜４を有機質の膜で保護し
ている。この有機保護膜には強靱で耐熱性のよいポリイ
ミド樹脂等が用いられる。図３にこの樹脂膜を備える場
合のバンプ電極７を作り込む従来方法を示す。まず同図
(a) のように保護膜４に窓4aを明けた後、同図(b) のよ
うに樹脂膜５用にポリイミド樹脂等をスピンコートして
300〜400 ℃の温度で充分に硬化させた上で、これに同
図(c) のように窓5aをドライエッチング法等により明
け、窓4aと5aの中に同図(d) のように上述の２層の下地
膜６を介しバンプ電極７を電解めっきにより成長させ
る。なお、同図(b) の工程で樹脂膜５として感光性をも
つポリイミド樹脂をスピンコートして、同図(c) の工程
でそのフォトプロセスにより窓5aを明けた後に硬化させ
ることもできる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように無機質の
保護膜４の上に有機質の樹脂膜５を重ねることにより、
保護膜４にクラック等の欠陥が発生しても樹脂膜５によ
り外気の侵入を防止してフリップチップ20の信頼性を大
幅に高めることができるが、樹脂膜５を追加しただけ余
分に手間が掛かるほかそれに付随して新たに問題が発生
する。すなわち、フォトプロセスが従来の保護膜４のほ
かに樹脂膜５にも必要になるのでその分がコスト高にな
る。さらに、図３(b) の工程で配線膜３に付着した樹脂
膜５を次の図３(c) の工程で完全に取り切れないことが
あり、そのアルミ表面に樹脂膜５の残渣やそれによる汚
染があるとバンプ電極７の接続不良が発生し製造歩留ま
りが低下する。本発明の目的は樹脂膜の追加によるかか
るコスト高や歩留まり低下の問題を解決できるバンプ電
極の製造方法を提供することにある。
保護膜４の上に有機質の樹脂膜５を重ねることにより、
保護膜４にクラック等の欠陥が発生しても樹脂膜５によ
り外気の侵入を防止してフリップチップ20の信頼性を大
幅に高めることができるが、樹脂膜５を追加しただけ余
分に手間が掛かるほかそれに付随して新たに問題が発生
する。すなわち、フォトプロセスが従来の保護膜４のほ
かに樹脂膜５にも必要になるのでその分がコスト高にな
る。さらに、図３(b) の工程で配線膜３に付着した樹脂
膜５を次の図３(c) の工程で完全に取り切れないことが
あり、そのアルミ表面に樹脂膜５の残渣やそれによる汚
染があるとバンプ電極７の接続不良が発生し製造歩留ま
りが低下する。本発明の目的は樹脂膜の追加によるかか
るコスト高や歩留まり低下の問題を解決できるバンプ電
極の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的は本発明方法
によれば、バンプ電極を突設すべき配線膜の上にまず保
護膜を被着した後その上に硬化前に現像液により可溶な
樹脂膜を塗着し、この樹脂膜上に塗着したフォトレジス
ト膜にバンプ電極パターンの指定窓を明けると同時にそ
れ用の現像液によって樹脂膜に上部窓を明け、ついで樹
脂膜をマスクとするエッチングにより保護膜に下部窓を
明け、下部窓の中に露出された配線膜の上にバンプ電極
の金属を従来と同じ要領で電解めっきにより選択的に成
長させることによって達成される。
によれば、バンプ電極を突設すべき配線膜の上にまず保
護膜を被着した後その上に硬化前に現像液により可溶な
樹脂膜を塗着し、この樹脂膜上に塗着したフォトレジス
ト膜にバンプ電極パターンの指定窓を明けると同時にそ
れ用の現像液によって樹脂膜に上部窓を明け、ついで樹
脂膜をマスクとするエッチングにより保護膜に下部窓を
明け、下部窓の中に露出された配線膜の上にバンプ電極
の金属を従来と同じ要領で電解めっきにより選択的に成
長させることによって達成される。
【０００８】本発明方法でも樹脂膜にポリイミド樹脂を
用いるのがよく、その溶解用現像液は有機アルカリ性，
とくにアンモニア系のものが有利で、これに対応してフ
ォトレジスト膜にポジ形を用いるのがよい。下部窓と上
部窓からなるバンプ電極用の窓をそれに有利な上広がり
の形状の縦断面に形成するには、保護膜の下部窓明け工
程に引き続き現像液により樹脂膜の上部窓を側方に広げ
る工程をバンプ電極の成長工程の前に施すのが望まし
い。なお、樹脂膜の加熱硬化はバンプ電極の成長工程に
先立って行なうのがよい。
用いるのがよく、その溶解用現像液は有機アルカリ性，
とくにアンモニア系のものが有利で、これに対応してフ
ォトレジスト膜にポジ形を用いるのがよい。下部窓と上
部窓からなるバンプ電極用の窓をそれに有利な上広がり
の形状の縦断面に形成するには、保護膜の下部窓明け工
程に引き続き現像液により樹脂膜の上部窓を側方に広げ
る工程をバンプ電極の成長工程の前に施すのが望まし
い。なお、樹脂膜の加熱硬化はバンプ電極の成長工程に
先立って行なうのがよい。
【０００９】
【作用】本発明方法は、従来と異なり配線膜を覆う保護
膜にバンプ電極用の窓を明ける前に樹脂膜を塗着し、か
つこれに硬化前に現像液により可溶なものを用いること
により、フォトレジスト膜にバンプ電極パターンを指定
する窓を明けると同時にそれ用の現像液により樹脂膜に
上部窓を明け、保護膜に対してはそれをマスクとするエ
ッチングにより下部窓を明けることにより、従来のよう
に樹脂膜のためにフォトプロセスを追加する必要をなく
して工程数を減少させ、かつ全工程を通じ配線膜に樹脂
膜が接触しないようにしてその汚染等によるバンプ電極
と配線膜の接続不良の発生を防止するものである。
膜にバンプ電極用の窓を明ける前に樹脂膜を塗着し、か
つこれに硬化前に現像液により可溶なものを用いること
により、フォトレジスト膜にバンプ電極パターンを指定
する窓を明けると同時にそれ用の現像液により樹脂膜に
上部窓を明け、保護膜に対してはそれをマスクとするエ
ッチングにより下部窓を明けることにより、従来のよう
に樹脂膜のためにフォトプロセスを追加する必要をなく
して工程数を減少させ、かつ全工程を通じ配線膜に樹脂
膜が接触しないようにしてその汚染等によるバンプ電極
と配線膜の接続不良の発生を防止するものである。
【００１０】
【実施例】図１を参照して本発明の実施例を説明する。
バンプ電極は各フリップチップに単離する前のウエハに
作り込まれ、本発明方法を構成する主な工程ごとの状態
が同図(a) 〜(f) にウエハ10の要部拡大断面で示され、
図２以降に対応する部分に同じ符号が付けられている。
図１(a) に示すようにバウエハ10の集積回路が作り込ま
れた半導体基板１の表面は酸化シリコンや燐シリケート
ガラスの絶縁膜２により 0.5〜１μｍの膜厚で覆われ、
その上側に図示以外の個所で集積回路と接続された１μ
ｍ程度の厚みのアルミの配線膜３が配設されている。
バンプ電極は各フリップチップに単離する前のウエハに
作り込まれ、本発明方法を構成する主な工程ごとの状態
が同図(a) 〜(f) にウエハ10の要部拡大断面で示され、
図２以降に対応する部分に同じ符号が付けられている。
図１(a) に示すようにバウエハ10の集積回路が作り込ま
れた半導体基板１の表面は酸化シリコンや燐シリケート
ガラスの絶縁膜２により 0.5〜１μｍの膜厚で覆われ、
その上側に図示以外の個所で集積回路と接続された１μ
ｍ程度の厚みのアルミの配線膜３が配設されている。
【００１１】図１(a) は保護膜被着工程と樹脂膜被着工
程とを終了した状態を示す。保護膜被着工程では配線膜
３の上を含むウエハ10の全面に窒化シリコン等の保護膜
４を通例のようにプラズマＣＶＤ法等により例えば１μ
ｍの膜厚で被着する。従来はこの段階で図３(a) のよう
に保護膜４に窓を明けていたが、本発明方法では窓を明
けることなく引き続いて次の樹脂膜被着工程でその上に
樹脂膜５を塗着する。この樹脂膜５には硬化後に強靱な
強度を有しかつ耐熱性が高いポリイミド樹脂を用いるの
がよく、溶剤で適宜な粘度に希釈したその樹脂液を２〜
３μｍの膜厚でウエハ10の全面にスピンコートし、かつ
この樹脂膜塗着工程では溶剤だけを蒸発させて未硬化で
従って現像液に可溶な状態に留めて置く。
程とを終了した状態を示す。保護膜被着工程では配線膜
３の上を含むウエハ10の全面に窒化シリコン等の保護膜
４を通例のようにプラズマＣＶＤ法等により例えば１μ
ｍの膜厚で被着する。従来はこの段階で図３(a) のよう
に保護膜４に窓を明けていたが、本発明方法では窓を明
けることなく引き続いて次の樹脂膜被着工程でその上に
樹脂膜５を塗着する。この樹脂膜５には硬化後に強靱な
強度を有しかつ耐熱性が高いポリイミド樹脂を用いるの
がよく、溶剤で適宜な粘度に希釈したその樹脂液を２〜
３μｍの膜厚でウエハ10の全面にスピンコートし、かつ
この樹脂膜塗着工程では溶剤だけを蒸発させて未硬化で
従って現像液に可溶な状態に留めて置く。
【００１２】図１(b) に上部窓明け工程を示す。この工
程ではまずウエハ10の全面にフォトレジスト膜30をスピ
ンコートし、これにフォトプロセスでふつうは数十μｍ
径や角であるバンプ電極のパターンを焼き付けた上、現
像液によってそれに窓30ａを抜くと同時に同じ現像液で
樹脂膜５を溶解させて上部窓5aを明ける。かかる同時窓
明け用の現像液にはアンモニア系の有機アルカリ (例え
ばAZ303)を用いるのがよく、これに対応してフォトレジ
スト膜30にポジ形を用いるのがよい。
程ではまずウエハ10の全面にフォトレジスト膜30をスピ
ンコートし、これにフォトプロセスでふつうは数十μｍ
径や角であるバンプ電極のパターンを焼き付けた上、現
像液によってそれに窓30ａを抜くと同時に同じ現像液で
樹脂膜５を溶解させて上部窓5aを明ける。かかる同時窓
明け用の現像液にはアンモニア系の有機アルカリ (例え
ばAZ303)を用いるのがよく、これに対応してフォトレジ
スト膜30にポジ形を用いるのがよい。
【００１３】図１(c) に下部窓明け工程を示す。この工
程では上部窓5aを備える樹脂膜５をマスクとするエッチ
ングにより保護膜４に下部窓4aを明けて配線膜３のアル
ミを露出させる。この窓明けエッチングには通例のよう
に５〜10％のO2を含む CF4を反応ガスとするドライエッ
チングを利用することでよいが、この際に保護膜４の下
部窓4aが樹脂膜５の上部窓5aより若干広くなるまでオー
バエッチングを施して配線膜３の表面を充分に清浄化す
るのが望ましい。なお、ウエハ10の図示以外の個所にそ
れをチップに単離するためのスクライブゾーンがあるの
で、図１(b) と(c) の工程でこのゾーンから樹脂膜５と
保護膜４が除去される。
程では上部窓5aを備える樹脂膜５をマスクとするエッチ
ングにより保護膜４に下部窓4aを明けて配線膜３のアル
ミを露出させる。この窓明けエッチングには通例のよう
に５〜10％のO2を含む CF4を反応ガスとするドライエッ
チングを利用することでよいが、この際に保護膜４の下
部窓4aが樹脂膜５の上部窓5aより若干広くなるまでオー
バエッチングを施して配線膜３の表面を充分に清浄化す
るのが望ましい。なお、ウエハ10の図示以外の個所にそ
れをチップに単離するためのスクライブゾーンがあるの
で、図１(b) と(c) の工程でこのゾーンから樹脂膜５と
保護膜４が除去される。
【００１４】以上でバンプ電極の作り込みに必要な上部
窓5aと下部窓4aとが明けられるが、次工程で下地膜を被
着する際に上部窓5aが下部窓4aより広いめの方がよいの
で、この実施例では図１(d) に示す上部窓広げ工程でフ
ォトレジスト膜30をマスクとして上述の現像液により樹
脂膜５を溶解して上部窓5aを図で5bで示すよう側方に広
げる。この際の樹脂膜５の溶解量は数μｍ以下でよいの
でウエハ10を現像液に短時間浸漬するだけでよい。この
工程終了後は、フォトレジスト膜30を除去した上でウエ
ハ10を 300〜400 ℃の温度に30分程度加熱することによ
って樹脂膜５のポリイミド樹脂を完全に硬化させる。な
お、この上部窓広げ工程を含めてフォトレジスト膜30は
図１(b) の上部窓明け工程用に付けたままの状態で利用
される。このように、本発明方法ではフォトレジスト膜
30に対する１回のフォトプロセスだけで樹脂膜５の上部
窓5aと保護膜４の下部窓4aとを明けることができ、従っ
て従来よりフォトプロセス回数を減少させることができ
る。
窓5aと下部窓4aとが明けられるが、次工程で下地膜を被
着する際に上部窓5aが下部窓4aより広いめの方がよいの
で、この実施例では図１(d) に示す上部窓広げ工程でフ
ォトレジスト膜30をマスクとして上述の現像液により樹
脂膜５を溶解して上部窓5aを図で5bで示すよう側方に広
げる。この際の樹脂膜５の溶解量は数μｍ以下でよいの
でウエハ10を現像液に短時間浸漬するだけでよい。この
工程終了後は、フォトレジスト膜30を除去した上でウエ
ハ10を 300〜400 ℃の温度に30分程度加熱することによ
って樹脂膜５のポリイミド樹脂を完全に硬化させる。な
お、この上部窓広げ工程を含めてフォトレジスト膜30は
図１(b) の上部窓明け工程用に付けたままの状態で利用
される。このように、本発明方法ではフォトレジスト膜
30に対する１回のフォトプロセスだけで樹脂膜５の上部
窓5aと保護膜４の下部窓4aとを明けることができ、従っ
て従来よりフォトプロセス回数を減少させることができ
る。
【００１５】図１(e) にバンプ電極成長工程を示す。こ
の要領は従来と同じであって、まずチタン等の 0.2〜0.
5 μｍの膜厚の下側下地膜6aと0.02μｍ程度のごく薄い
金の被覆を備えるパラジュウム等の 0.4〜0.6 μｍの膜
厚の上側下地膜6bとからなる下地膜６を配線膜３と接続
するようにスパッタ法等によりウエハ10の全面に被着し
た上で、フォトエッチングにより上側下地膜6bを上部窓
5aより若干大きいめにパターンニングする。次に、フォ
トレジスト膜31を付けてフォトプロセスにより上側下地
膜6bのみを露出させる窓を明け、これをめっき用マスク
としウエハ10の全面を覆う下側下地膜6aをめっき電極と
する選択的な電解めっきによってバンプ電極７用に例え
ば金を10〜20μｍの高さに成長させる。
の要領は従来と同じであって、まずチタン等の 0.2〜0.
5 μｍの膜厚の下側下地膜6aと0.02μｍ程度のごく薄い
金の被覆を備えるパラジュウム等の 0.4〜0.6 μｍの膜
厚の上側下地膜6bとからなる下地膜６を配線膜３と接続
するようにスパッタ法等によりウエハ10の全面に被着し
た上で、フォトエッチングにより上側下地膜6bを上部窓
5aより若干大きいめにパターンニングする。次に、フォ
トレジスト膜31を付けてフォトプロセスにより上側下地
膜6bのみを露出させる窓を明け、これをめっき用マスク
としウエハ10の全面を覆う下側下地膜6aをめっき電極と
する選択的な電解めっきによってバンプ電極７用に例え
ば金を10〜20μｍの高さに成長させる。
【００１６】図１(f) にバンプ電極７の完成状態を示
す。このためには図１(e) の状態からまずフォトレジス
ト膜31を除去した上で、通例のように上側下地膜6bをマ
スクとする希ふっ酸等を用いるエッチングによって下側
下地膜6aを樹脂膜５の表面から除去することでよい。も
ちろん、ウエハ10をスクライブすることによりフリップ
チップが単離される。この完成状態では樹脂膜５により
保護膜４のクラック等の欠陥が保護されて外気の侵入が
防止される。また、上述の工程からわかるように本発明
方法では配線膜３に樹脂膜５が接触することがないの
で、その表面が常に清浄に保たれてバンプ電極７が下地
膜６を介してごく低い電気抵抗で配線膜３と確実に接続
される。
す。このためには図１(e) の状態からまずフォトレジス
ト膜31を除去した上で、通例のように上側下地膜6bをマ
スクとする希ふっ酸等を用いるエッチングによって下側
下地膜6aを樹脂膜５の表面から除去することでよい。も
ちろん、ウエハ10をスクライブすることによりフリップ
チップが単離される。この完成状態では樹脂膜５により
保護膜４のクラック等の欠陥が保護されて外気の侵入が
防止される。また、上述の工程からわかるように本発明
方法では配線膜３に樹脂膜５が接触することがないの
で、その表面が常に清浄に保たれてバンプ電極７が下地
膜６を介してごく低い電気抵抗で配線膜３と確実に接続
される。
【００１７】
【発明の効果】以上のとおり本発明方法によれば、バン
プ電極を突設すべき配線膜の上にまず保護膜を被着した
後その上に硬化前に現像液により可溶な樹脂膜を塗着
し、この樹脂膜上に塗着したフォトレジスト膜にバンプ
電極パターンの指定窓を明けると同時にそれ用の現像液
によって樹脂膜に上部窓を明け、ついで樹脂膜をマスク
とするエッチングにより保護膜に下部窓を明け、下部窓
の中に露出された配線膜の上にバンプ電極の金属を電解
めっきにより選択的に成長させることにより、次の効果
を上げることができる。
プ電極を突設すべき配線膜の上にまず保護膜を被着した
後その上に硬化前に現像液により可溶な樹脂膜を塗着
し、この樹脂膜上に塗着したフォトレジスト膜にバンプ
電極パターンの指定窓を明けると同時にそれ用の現像液
によって樹脂膜に上部窓を明け、ついで樹脂膜をマスク
とするエッチングにより保護膜に下部窓を明け、下部窓
の中に露出された配線膜の上にバンプ電極の金属を電解
めっきにより選択的に成長させることにより、次の効果
を上げることができる。
【００１８】(a) バンプ電極を接続すべき配線膜を覆う
保護膜にバンプ電極用の窓を明ける前に樹脂膜を塗着
し、かつこれに硬化前に現像液により可溶なものを用い
ることにより、フォトレジスト膜にバンプ電極パターン
を指定する窓を明けると同時にそれ用の現像液により樹
脂膜に上部窓を明け、保護膜に対してはそれをマスクと
するエッチングにより下部窓を明けることにより、従来
のように樹脂膜のためにフォトプロセスを追加する必要
をなくして工程数を減少させ、集積回路装置用のフリッ
プチップの製造を合理化することができる。 (b) 全工程を通じて配線膜に樹脂膜が直接に接触するこ
とがないので配線膜の表面を常に清浄に保って、従来の
ような樹脂膜の残渣やその汚染等によるバンプ電極と配
線膜の接続不良の発生を防止してフリップチップの製造
歩留まりを向上するとともに、樹脂膜による保護膜の欠
陥の保護効果と合わせてその長期信頼性を高めることが
できる。 このように本発明は高信頼性の集積回路装置のフリップ
チップの製造コストを低減し製造歩留まりを向上して経
済性を高める効果を有する。
保護膜にバンプ電極用の窓を明ける前に樹脂膜を塗着
し、かつこれに硬化前に現像液により可溶なものを用い
ることにより、フォトレジスト膜にバンプ電極パターン
を指定する窓を明けると同時にそれ用の現像液により樹
脂膜に上部窓を明け、保護膜に対してはそれをマスクと
するエッチングにより下部窓を明けることにより、従来
のように樹脂膜のためにフォトプロセスを追加する必要
をなくして工程数を減少させ、集積回路装置用のフリッ
プチップの製造を合理化することができる。 (b) 全工程を通じて配線膜に樹脂膜が直接に接触するこ
とがないので配線膜の表面を常に清浄に保って、従来の
ような樹脂膜の残渣やその汚染等によるバンプ電極と配
線膜の接続不良の発生を防止してフリップチップの製造
歩留まりを向上するとともに、樹脂膜による保護膜の欠
陥の保護効果と合わせてその長期信頼性を高めることが
できる。 このように本発明は高信頼性の集積回路装置のフリップ
チップの製造コストを低減し製造歩留まりを向上して経
済性を高める効果を有する。
【図１】本発明によるバンプ電極の製造方法の実施例を
主な工程ごとのウエハの状態により示し、同図(a) は保
護膜被着工程および樹脂膜塗着工程、同図(b) は上部窓
明け工程、同図(c) は下部窓明け工程、同図(d) は上部
窓広げ工程、同図(e) はバンプ電極成長工程の状態をそ
れぞれ示すウエハの要部拡大断面図、同図(f) は完成状
態のウエハの要部拡大断面図である。
主な工程ごとのウエハの状態により示し、同図(a) は保
護膜被着工程および樹脂膜塗着工程、同図(b) は上部窓
明け工程、同図(c) は下部窓明け工程、同図(d) は上部
窓広げ工程、同図(e) はバンプ電極成長工程の状態をそ
れぞれ示すウエハの要部拡大断面図、同図(f) は完成状
態のウエハの要部拡大断面図である。
【図２】樹脂膜を備えない従来のフリップチップの要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図３】樹脂膜を備えるフリップチップ用にバンプ電極
を作り込む従来の方法を示し、同図(a) は保護膜形成工
程、同図(b) は樹脂膜塗着工程、同図(c) は樹脂膜への
窓明け工程、同図(d) はバンプ電極成長工程のフリップ
チップの状態を示す要部拡大断面図である。
を作り込む従来の方法を示し、同図(a) は保護膜形成工
程、同図(b) は樹脂膜塗着工程、同図(c) は樹脂膜への
窓明け工程、同図(d) はバンプ電極成長工程のフリップ
チップの状態を示す要部拡大断面図である。
１ 集積回路装置の半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ 配線膜 ４ 保護膜 4a バンプ電極用の下部窓 ５ 樹脂膜 5a バンプ電極用の上部窓 ６ 下地膜 6a 下側下地膜 6b 上側下地膜 ７ バンプ電極ないしはそれ用の金属
Claims (3)
- 【請求項１】集積回路装置にその配線膜に接続されたバ
ンプ電極を作り込む方法であって、配線膜上に保護膜を
被着する工程と、保護膜上に硬化前に現像液により可溶
な樹脂膜を塗着する工程と、樹脂膜上に塗着したフォト
レジスト膜にバンプ電極パターンを指定する窓を明ける
と同時にそれ用の現像液により樹脂膜に上部窓を明ける
工程と、この樹脂膜をマスクとするエッチングにより保
護膜に下部窓を明ける工程と、下部窓の中に露出された
配線膜の上にバンプ電極の金属を電解めっきにより選択
的に成長させる工程とを含むことを特徴とする集積回路
装置用バンプ電極の製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の方法において、樹脂膜に
ポリイミド樹脂膜を用いることを特徴とする集積回路装
置用バンプ電極の製造方法。 - 【請求項３】請求項１に記載の方法において、下部窓明
け工程に続いて上部窓を側方に広げる工程を経た上でバ
ンプ電極の成長工程を施すようにしたことを特徴とする
集積回路装置用バンプ電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9838292A JP3077372B2 (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 集積回路装置用バンプ電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9838292A JP3077372B2 (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 集積回路装置用バンプ電極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299421A JPH05299421A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3077372B2 true JP3077372B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=14218324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9838292A Expired - Fee Related JP3077372B2 (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 集積回路装置用バンプ電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077372B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3387478B2 (ja) | 1999-06-30 | 2003-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN102306692A (zh) * | 2011-09-06 | 2012-01-04 | 协鑫光电科技（张家港）有限公司 | Led的制程方法 |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP9838292A patent/JP3077372B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05299421A (ja) | 1993-11-12 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |