JP3069630B2 - Lead frame for semiconductor device - Google Patents
Lead frame for semiconductor deviceInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本願発明は半導体装置の組立に用
いられるリードフレームに関し、さらに詳しくは半導体
チップを搭載すべきパッドの裏面側に複数のディンプル
を備えた半導体装置用リードフレームに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame used for assembling a semiconductor device, and more particularly to a lead frame for a semiconductor device having a plurality of dimples on the back surface of a pad on which a semiconductor chip is to be mounted.
【0002】[0002]
【従来の技術】LSI等の半導体装置に用いるリードフ
レームは、例えば図2に示すように、2本のサイドレー
ル1と、これと直交する仕切枠2で囲まれた領域内に、
パッド3やこれを支持するサポートバー4、半導体チッ
プとの電気的導通をとるためのインナーリード5、イン
ナーリード5を相互に連結するタイバー6、インナーリ
ード5から伸長し外部の電子部品と電気的に接続される
アウターリード7から構成されている。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 2, for example, a lead frame used for a semiconductor device such as an LSI is provided in a region surrounded by two side rails 1 and a partition frame 2 orthogonal to the side rails.
Pads 3, support bars 4 for supporting the pads, inner leads 5 for establishing electrical continuity with the semiconductor chip, tie bars 6 for interconnecting the inner leads 5, extending from the inner leads 5 and electrically connected to external electronic components. The outer lead 7 is connected to the outer lead 7.
【0003】ところで、半導体装置は多機能化や大容量
化が進み、半導体チップが大型化するにつれて使用する
リードフレームにおけるパッド3もその面積が大きくな
る傾向にあり、その反面にパッケージサイズは小型化が
要求されており、その結果、パッケージサイズに対する
パッド3の占有面積が増大している。By the way, as semiconductor devices become more multifunctional and larger in capacity, and as semiconductor chips become larger, the area of pads 3 in a lead frame used also tends to increase, while the package size decreases. As a result, the area occupied by the pads 3 with respect to the package size has increased.
【0004】リードフレームの素材として用いられる例
えば42アロイの熱膨張係数とモールド樹脂との熱膨張
係数は約4〜6倍程の差異があるため、パッド3の端部
では熱膨張によるズレが生じ、パッド3とモールド樹脂
の密着性が悪くなって、パッケージクラックの発生や耐
湿性の低下が問題となっている。[0004] The thermal expansion coefficient of, for example, 42 alloy used as a material of the lead frame and the thermal expansion coefficient of the molding resin are different by about 4 to 6 times. In addition, the adhesion between the pad 3 and the mold resin is deteriorated, which causes problems such as generation of package cracks and deterioration of moisture resistance.
【0005】そこで、特開昭55−160449に開示
されたように、パッド3の裏面側に複数のディンプル8
を形成したリードフレームを使用することが知られてい
る。Therefore, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-160449, a plurality of dimples 8
It is known to use a lead frame formed with a lead frame.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】プレス加工によってデ
ィンプル8を形成する場合には、図3に示すような複数
の四角錐状の突起を具備したディンプル加工用パンチ1
1を1ステーションに配置した順送り金型装置が用いら
れている。When the dimple 8 is formed by pressing, the dimple punch 1 having a plurality of quadrangular pyramid-shaped projections as shown in FIG.
A progressive die apparatus in which 1 is arranged in one station is used.
【0007】このように、プレス加工によってディンプ
ル8を形成する際には、図4に示すようにパンチ11が
パッド3の裏面に食い込んだ瞬間に、ディンプル8内に
あった余肉がその周辺に押し上げられて、ディンプル8
の周囲に突起部10が形成されてしまう。As described above, when the dimple 8 is formed by the press working, as shown in FIG. Pushed up, dimple 8
Is formed around the periphery of the substrate.
【0008】通常、リードフレームメーカーでは、イン
ナーリード5の先端およびパッド3の表面にAgやPd
等の貴金属メッキを施し、図5に示すような数ピース単
位に切断した後、製品の検査を行い、複数枚を積層して
ケースに納めて、半導体メーカーへと出荷するわけであ
るが、図6に示すようにディンプル8の周辺にできた突
起部10が、その下に積層されたリードフレームのパッ
ド3の表面と擦れあって、貴金属メッキ面を傷つけると
いう問題が発生していた。[0008] Usually, in a lead frame maker, Ag or Pd
After precious metal plating, etc., and cutting into several pieces as shown in FIG. 5, the product is inspected, a plurality of sheets are stacked, put in a case, and shipped to a semiconductor manufacturer. As shown in FIG. 6, the protrusion 10 formed around the dimple 8 rubs against the surface of the pad 3 of the lead frame laminated thereunder, causing a problem that the noble metal plating surface is damaged.
【0009】ここで、ディンプル8周辺の突起部10を
コイン加工等の手段によって押し潰すことも考えられる
が、押し潰された突起部10がディンプル8の内部に逃
げてディンプル8の深さや開口面積が大幅に減少してし
まうことになり、期待した効果は得ることができなかっ
た。Here, it is conceivable to crush the protruding portion 10 around the dimple 8 by means such as coin processing. Was greatly reduced, and the expected effect could not be obtained.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本願発明は上記実情に鑑
みてなされたもので、ディンプル8の周辺に発生する突
起部10によって貴金属メッキが傷つけられることを防
止することを目的としてなされたもので、パッド3の表
面でかつディンプル8と対峙する部分に凹部9を設けた
ことを特徴とするリードフレームを提供するものであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has been made for the purpose of preventing a noble metal plating from being damaged by a projection 10 generated around a dimple 8. And a concave portion 9 provided on the surface of the pad 3 and at a portion facing the dimple 8.
【0011】好ましくは、パッド3の表面でかつディン
プル8と対峙する部分に、ディンプル8よりも開口面積
の大きい凹部9を設けるものであり、さらに好ましく
は、開口面積がディンプル8よりも大きく、深さがディ
ンプル8よりも浅い凹部9を設ける。Preferably, a recess 9 having a larger opening area than the dimple 8 is provided on the surface of the pad 3 and at a portion facing the dimple 8, and more preferably, the opening area is larger than the dimple 8 and A recess 9 shallower than the dimple 8 is provided.
【0012】[0012]
【作用】パッド3の裏面に設けたディンプル8と対峙す
るパッド3の表面に凹部9を設けることにより、ディン
プル8の付与加工に伴ってその周辺に発生する突起部1
0が、積層状態において裏面に接触するリードフレーム
の貴金属メッキを傷つけることを防止することが可能と
なる。The concave portion 9 is provided on the surface of the pad 3 facing the dimple 8 provided on the back surface of the pad 3, so that the projection 1 generated around the dimple 8 is provided along with the processing of applying the dimple 8.
0 can prevent the noble metal plating of the lead frame contacting the back surface in the laminated state from being damaged.
【0013】また、パッド3の表面の凹部9がディンプ
ル8よりも大きく開口することにより、パッド3に対し
て施される貴金属メッキの厚みによって開口面積が減少
しても、ディンプル8の周辺に発生した突起部10を充
分に収めることができるばかりでなく、パッド3の表面
に設けた凹部9の深さを、ディンプル8の深さよりも浅
く設定することで、ディンプル8の深さを充分に採るこ
とができる。Further, since the concave portion 9 on the surface of the pad 3 has an opening larger than the dimple 8, even if the opening area is reduced due to the thickness of the noble metal plating applied to the pad 3, the concave portion 9 is formed around the dimple 8. The depth of the dimple 8 can be sufficiently obtained by setting the depth of the concave portion 9 provided on the surface of the pad 3 to be shallower than the depth of the dimple 8, as well as being able to accommodate the projected portion 10 sufficiently. be able to.
【0014】[0014]
【実施例】図面に基づき本願発明の実施例について説明
する。図1は本願発明に係るリードフレームを複数枚積
層した状態におけるパッド3の一部を拡大して示すもの
で、当該パッド3は前述の図2に示したようにサポート
バー4で支持されており、当該パッド3の裏面に設けた
ディンプル8の周囲には、余肉が盛り上がって突起部1
0を形成しており、その下段に積層されたリードフレー
ムのパッド3に設けた凹部9に、その突起部10が入り
込んで、貴金属メッキに当接することはない。An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an enlarged view of a part of a pad 3 in a state where a plurality of lead frames according to the present invention are stacked, and the pad 3 is supported by a support bar 4 as shown in FIG. Around the dimple 8 provided on the back surface of the pad 3, the excess
0 is formed, and the projection 10 does not enter the recess 9 provided in the pad 3 of the lead frame laminated thereunder, and does not come into contact with the noble metal plating.
【0015】積層状態に多少のズレがあっても、ディン
プル8の周囲に発生した突起部10は、その下のリード
フレームのパッド3に設けた凹部9の内部で移動する程
度に留まり、パッド3の表面の貴金属メッキにまで悪影
響を及ぼすことはない。Even if there is some deviation in the laminated state, the protrusion 10 generated around the dimple 8 moves only inside the recess 9 provided in the pad 3 of the lead frame under the dimple 8, and the pad 3 It does not adversely affect the noble metal plating on the surface.
【0016】パッド3の表面への凹部9の形成は、ディ
ンプル加工後あるいは加工前に順送り金型装置の1ステ
ーションに設けた凹部9形成用のパンチで所望箇所を押
圧することで容易に形成することができる。The recess 9 is easily formed on the surface of the pad 3 by pressing a desired portion with a punch for forming the recess 9 provided at one station of the progressive die apparatus after or before the dimple processing. be able to.
【0017】また、パッド3の表面に設ける凹部9の開
口形状は、円形や四角形など種々選択可能であり、順送
り金型装置の1ステーションにおけるパンチの形状によ
って変更可能であり、ディンプル8の形状に応じて適宜
対応することができる。The shape of the opening of the recess 9 provided on the surface of the pad 3 can be variously selected, such as a circle or a square, and can be changed by the shape of the punch in one station of the progressive die apparatus. It can respond accordingly.
【0018】さらに、パッド3の表面に設ける凹部9
は、半導体チップが搭載されない領域など、貴金属メッ
キの程度が問われない領域においては、ディンプル8の
全てに対応して設ける必要はなく、また、パッド3の任
意の箇所において凹部9とディンプル8が連通していて
もよい。Further, a concave portion 9 provided on the surface of the pad 3
In a region where the degree of noble metal plating does not matter, such as a region where a semiconductor chip is not mounted, it is not necessary to provide corresponding portions of the dimples 8. It may be in communication.
【0019】前記パッド3の表面に凹部9形成した後、
当該パッド3およびインナーリードの先端に例えばAg
やPd等の貴金属めっきが施されている。After the recess 9 is formed on the surface of the pad 3,
For example, Ag is applied to the tip of the pad 3 and the inner lead.
Noble metal plating such as Pd or Pd is applied.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本願発明に
係るリードフレームによれば、ディンプル8の付与加工
に伴ってその周辺に発生する突起部10が、積層状態に
おいて裏面に接触するリードフレームの貴金属メッキを
傷つけることを防止することが可能となる。As described above in detail, according to the lead frame according to the present invention, the protrusions 10 generated around the dimples 8 in contact with the dimples 8 are brought into contact with the back surface in the laminated state. It is possible to prevent the noble metal plating from being damaged.
【0021】また、プレス加工によるディンプル8の付
与作業によって、パッド3に反りが発生することが知ら
れているが、本願発明によればパッド3の表面側にも裏
面側と同等の加工歪みが与えられるため、反りの発生が
相殺されて変形のない寸法精度の良好なリードフレーム
が得られる。It is known that the pad 3 is warped by the work of applying the dimple 8 by the press working. However, according to the present invention, the processing distortion on the front side of the pad 3 is the same as that on the back side. As a result, the occurrence of warpage is canceled out, and a lead frame with good dimensional accuracy without deformation can be obtained.
【0022】なお、パッド3の内部に滞有する残留歪み
については、焼鈍によって容易に除去することができ
る。Incidentally, the residual strain remaining inside the pad 3 can be easily removed by annealing.
【図1】本願発明に係るリードフレームの積層状態にお
けるパッド部を示す図FIG. 1 is a diagram showing a pad portion in a laminated state of a lead frame according to the present invention.
【図2】リードフレームの外観概略図FIG. 2 is a schematic external view of a lead frame.
【図3】ディプレス加工用パンチの要部概念図FIG. 3 is a conceptual diagram of a main part of a depressing punch.
【図4】ディンプルの加工状態を示す図FIG. 4 is a diagram showing a processing state of a dimple.
【図5】5ピース単位に切断されたリードフレームの積
層状態を示す図FIG. 5 is a view showing a laminated state of a lead frame cut in units of five pieces;
【図6】従来技術によるリードフレームの積層状態にお
けるパッド部を示す図FIG. 6 is a diagram showing a pad portion in a laminated state of a lead frame according to the related art.
1・・・・サイドレール 2・・・・仕切枠 3・・・・パッド 4・・・・サポートバー 5・・・・インナーリード 6・・・・タイバー 7・・・・アウターリード 8・・・・ディンプル 9・・・・凹部 10・・・・突起部 11・・・・ディンプル加工用パンチ 1 ... Side rail 2 ... Partition frame 3 ... Pad 4 ... Support bar 5 ... Inner lead 6 ... Tie bar 7 ... Outer lead 8 ... ··· Dimple 9 ··· Recess 10 ··· Projection 11 ··· Punch for dimple processing
Claims (2)
側に複数のディンプルを備えた半導体装置用リードフレ
ームにおいて、前記パッドの表面でかつ前記ディンプル
と対峙する部分に、前記ディンプルよりも開口面積の大
きい凹部を設けたことを特徴とする半導体装置用リード
フレーム。1. A lead frame for a semiconductor device having a plurality of dimples on a back surface side of a pad on which a semiconductor chip is to be mounted, a portion having an opening area larger than that of the dimple on a surface of the pad and opposed to the dimple. A lead frame for a semiconductor device, wherein a large recess is provided.
側に複数のディンプルを備えた半導体装置用リードフレ
ームにおいて、前記パッドの表面でかつ前記ディンプル
と対峙する部分に、開口面積が前記ディンプルよりも大
きく、深さが前記ディンプルよりも浅い凹部を設けたこ
とを特徴とする半導体装置用リードフレーム。2. A lead frame for a semiconductor device having a plurality of dimples on a back surface side of a pad on which a semiconductor chip is to be mounted, wherein an opening area is larger on the surface of the pad and on a portion facing the dimple than on the dimple. A lead frame for a semiconductor device, wherein a concave portion which is large and has a depth smaller than that of the dimple is provided.
Priority Applications (1)
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JP7138369A JP3069630B2 (en) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | Lead frame for semiconductor device |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP7138369A JP3069630B2 (en) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | Lead frame for semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH08316402A JPH08316402A (en) | 1996-11-29 |
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