JP4739111B2 - Lead frame manufacturing method and manufacturing apparatus - Google Patents

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Description

この発明は、樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームの製造方法および製造装置に関する。   The present invention relates to a manufacturing method and a manufacturing apparatus for a lead frame used in a resin-encapsulated semiconductor device.

典型的な樹脂封止型の半導体装置は、図９に示すように、半導体チップ９１を金属製のリードフレーム９２とともに樹脂製のパッケージ９３で封止した構造を有している。リードフレーム９２は、半導体チップ９１を支持するダイパッド（アイランド）９４と、このダイパッド９４の周囲に設けられる複数のリード９５とを備えている。各リード９５は、パッケージ９３の側面を貫通しており、そのパッケージ９３に封止された部分が、半導体チップ９１の表面に形成された電極９６とボンディングワイヤ９７により接続されるインナーリード部をなし、パッケージ９３から露出した部分が、この半導体装置が実装される基板との接続のためのアウターリード部をなしている。   A typical resin-sealed semiconductor device has a structure in which a semiconductor chip 91 is sealed together with a metal lead frame 92 with a resin package 93 as shown in FIG. The lead frame 92 includes a die pad (island) 94 that supports the semiconductor chip 91, and a plurality of leads 95 provided around the die pad 94. Each lead 95 penetrates the side surface of the package 93, and a portion sealed by the package 93 forms an inner lead portion connected to the electrode 96 formed on the surface of the semiconductor chip 91 by a bonding wire 97. The portion exposed from the package 93 forms an outer lead portion for connection to a substrate on which the semiconductor device is mounted.

このような樹脂封止型の半導体装置では、リードフレーム９２（ダイパッド９４）とパッケージ９３との密着性が低いと、それらの熱膨張率差に起因するクラック（パッケージクラック）がパッケージ９３に発生する。そのため、ダイパッド９４に多数のディンプル（凹部）を形成し、それらのディンプルにパッケージ９３を入り込ませることによって、ダイパッド９４とパッケージ９３との密着性の向上が図られている（たとえば、特許文献１参照）。
特開平７−１６１８９６号公報 In such a resin-encapsulated semiconductor device, if the adhesion between the lead frame 92 (die pad 94) and the package 93 is low, a crack (package crack) due to the difference in thermal expansion coefficient between them occurs in the package 93. . Therefore, the adhesiveness between the die pad 94 and the package 93 is improved by forming a large number of dimples (concave portions) in the die pad 94 and inserting the package 93 into these dimples (see, for example, Patent Document 1). ).
JP-A-7-161896

ディンプルの形成は、プレス型を用いたプレス加工により達成される。すなわち、プレス型は、一定間隔で行列状に配列された突起のパターンを有しており、このプレス型をダイパッド９４に打ちつけて、各突起をダイパッド９４に食い込ませることにより、ダイパッド９４に多数のディンプルが一括して形成される。
ところが、プレス型を用いたプレス加工では、ダイパッド９４に、ディンプルが形成された面側が凸となる反りが生じてしまう。この反り変形は、突起がダイパッド９４に食い込むときに、その部分の金属が周囲に押し出されることにより生じ、ダイパッド９４に形成されるディンプルの密度が高いほど顕著に現れる。ダイパッド９４の反り変形量が大きいと、ダイパッド９４への半導体チップ９１のダイボンディングの精度に悪影響を及ぼす。そのため、従来の手法では、ダイパッド９４におけるディンプルの密度を抑制せざるを得ず、現在のところ、ディンプルを間隔０．３ｍｍ以下でダイパッド９４に形成したリードフレームは存在しない。ダイパッド９４にディンプルを間隔０．３ｍｍ以下で形成した程度では、ダイパッド９４とパッケージ９３との密着性を期待されるほどに向上させることはできない。 The formation of dimples is achieved by press working using a press die. That is, the press die has a pattern of protrusions arranged in a matrix at regular intervals. By hitting this press die against the die pad 94 and causing each protrusion to bite into the die pad 94, a large number of die pads 94 are provided. Dimples are formed together.
However, in press working using a press die, warpage occurs in the die pad 94 such that the surface on which the dimples are formed becomes convex. This warpage deformation is caused by the metal being pushed out to the periphery when the protrusion bites into the die pad 94, and becomes more noticeable as the density of dimples formed on the die pad 94 is higher. When the warp deformation amount of the die pad 94 is large, the accuracy of die bonding of the semiconductor chip 91 to the die pad 94 is adversely affected. Therefore, in the conventional method, the density of dimples in the die pad 94 must be suppressed, and at present, there is no lead frame in which the dimples are formed on the die pad 94 with an interval of 0.3 mm or less. To the extent that dimples are formed on the die pad 94 with an interval of 0.3 mm or less, the adhesion between the die pad 94 and the package 93 cannot be improved as expected.

そこで、この発明の目的は、リードフレームにディンプルを高密度に形成することができ、かつ、そのディンプル形成によるリードフレームの反り変形の発生を抑制することができる、リードフレームの製造方法および製造装置を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a lead frame manufacturing method and a manufacturing apparatus capable of forming dimples in a lead frame with high density and suppressing occurrence of warping deformation of the lead frame due to the dimple formation. Is to provide.

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、金属薄板を打ち抜いて形成されるリードフレームの製造方法であって、前記金属薄板に、互いに直交する行方向および列方向に一定の間隔で整列して配置された、突起を有するプレス型で、第１のディンプルを形成する第１ディンプル形成工程と、前記第１ディンプル形成工程後、前記プレス型で、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する、第２のディンプルを形成する第２ディンプル形成工程とを含むことを特徴とする、リードフレームの製造方法である。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is a method of manufacturing a lead frame formed by punching a thin metal plate, wherein the metal thin plate has a constant interval in a row direction and a column direction perpendicular to each other. A first dimple forming step of forming a first dimple in a press die having a protrusion arranged in line, and after the first dimple forming step, in the row direction on the metal sheet with the press die. And the second dimple arranged in the column direction at a constant interval and having a positional relationship that is shifted from the first dimple by a half distance of the interval in the row direction and the column direction, respectively. And a second dimple forming step of forming a dimple .

この方法によれば、金属薄板の所定領域に、互いに直交する行方向および列方向に一定の間隔で整列した第１のディンプルが形成された後、行方向および列方向に第１のディンプルと同じ間隔で整列した第２のディンプルが、第１のディンプルに対して行方向および列方向にその間隔の半分の距離だけずれた位置に形成される。
第１のディンプルの形成により、金属薄板に反り変形が生じても、その反り変形は、第２のディンプルが形成されるときに、プレス型が金属薄板に打ちつけられることにより修正される。そして、その第２のディンプルが形成されるときには、その第２のディンプルが形成される位置の周囲に第１のディンプルがすでに形成されているので、第２のプレス型の突起が金属薄板に食い込むときに、その部分から押し出される金属は、第１のディンプル内に迫り出すことにより逃げる。そのため、第２のディンプルの形成によっては、金属薄板に反り変形をほとんど生じない。したがって、金属薄板からなるリードフレームにディンプルを高密度に形成することができながら、そのディンプル形成によるリードフレームの反り変形の発生を抑制することができる。
According to this method, after the first dimples arranged in the row direction and the column direction orthogonal to each other at a predetermined interval are formed in a predetermined region of the thin metal plate, the same as the first dimples in the row direction and the column direction The second dimples aligned at intervals are formed at positions shifted from the first dimples in the row and column directions by a distance that is half the interval.
The formation of the first dimples, even warpage occurs in the metal sheet, the warping, when the second dimples are formed, flop-less is corrected by being struck to the metal sheet. When the second dimple is formed, since the first dimple is already formed around the position where the second dimple is formed, the projection of the second press die bites into the metal thin plate. Sometimes the metal pushed out of that part escapes by being pushed into the first dimple. Therefore, the metal thin plate is hardly warped and deformed depending on the formation of the second dimple. Accordingly, dimples can be formed at a high density on a lead frame made of a thin metal plate, and the occurrence of warping deformation of the lead frame due to the formation of the dimples can be suppressed.

請求項２に記載の発明は、前記プレス型で、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有し、前記第２のディンプルに対して前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する、第３のディンプルを形成する第３ディンプル形成工程と、前記プレス型で、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有し、前記第２のディンプルに対して前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する、第４のディンプルを形成する第４ディンプル形成工程とをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のリードフレームの製造方法である。 According to a second aspect of the present invention, in the press die, the metal thin plate is arranged in the row direction and the column direction so as to be aligned at a constant interval, and is arranged in the row direction with respect to the first dimple. A third dimple forming a third dimple having a positional relationship shifted by a half distance of the interval and having a positional relationship shifted by a half distance of the interval in the column direction with respect to the second dimple. A dimple forming step, and the press die is arranged on the metal thin plate so as to be aligned in the row direction and the column direction at a constant interval, and is half the interval in the column direction with respect to the first dimple. And a fourth dimple forming step of forming a fourth dimple having a positional relationship shifted by a distance of half the interval in the row direction with respect to the second dimple, The Characterized in that it comprises in a method for fabricating a lead frame according to claim 1.

この方法によれば、金属薄板の所定領域に、第１のディンプルおよび第２のディンプルが形成された後、行方向および列方向に第１のディンプルと同じ間隔で整列した第３のディンプルが、第１のディンプルに対して行方向にその間隔の半分の距離だけずれ、第２のディンプルに対して列方向にその間隔の半分の距離だけずれた位置に形成される。また、行方向および列方向に第１のディンプルと同じ間隔で整列した第４のディンプルが、第１のディンプルに対して列方向にその間隔の半分の距離だけずれ、第２のディンプルに対して行方向にその間隔の半分の距離だけずれた位置に形成される。   According to this method, after the first dimple and the second dimple are formed in the predetermined region of the thin metal plate, the third dimple aligned in the row direction and the column direction at the same interval as the first dimple is provided. The first dimple is formed at a position shifted by a half of the interval in the row direction and at a position shifted by a half of the interval in the column direction with respect to the second dimple. In addition, the fourth dimple aligned in the row direction and the column direction at the same interval as the first dimple is shifted from the first dimple by a half distance in the column direction with respect to the second dimple. It is formed at a position shifted in the row direction by a distance that is half the distance.

第３のディンプルが形成されるときには、その第３のディンプルが形成される位置の周囲に第１のディンプルおよび第２のディンプルがすでに形成されているので、プレス型の突起が金属薄板に食い込むときに、その部分から押し出される金属は、第１のディンプルおよび第２のディンプル内に迫り出すことにより逃げる。そのため、第３のディンプルの形成によっては、金属薄板に反り変形をほとんど生じない。また同様に、第４のディンプルの形成によっても、金属薄板に反り変形をほとんど生じない。したがって、金属薄板からなるリードフレームにディンプルをより高密度に形成することができながら、そのディンプル形成によるリードフレームの反り変形の発生を抑制することができる。 When the third dimples are formed, since the first dimple and the second dimple around the position where the third dimples are formed has been already formed, flop-less projection bites into the metal sheet Sometimes the metal pushed out of the part escapes by being pushed into the first dimple and the second dimple. Therefore, warp deformation hardly occurs in the metal thin plate depending on the formation of the third dimple. Similarly, even when the fourth dimple is formed, the metal thin plate is hardly warped and deformed. Therefore, while dimples can be formed at a higher density on the lead frame made of a thin metal plate, it is possible to suppress the warping deformation of the lead frame due to the formation of the dimples.

前記第２ディンプル形成工程においては、前記所定領域と前記プレス型との相対的な位置関係を、前記所定領域に対して前記プレス型の前記突起の対向する位置が、前記第１ディンプル形成工程で前記所定領域に対して前記プレス型の前記突起が対向する位置から前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の半分の距離だけずれた位置となるように決定する。また、前記第３ディンプル形成工程においては、前記所定領域と前記プレス型との相対的な位置関係を、前記所定領域に対して前記プレス型の前記突起の対向する位置が、前記第１ディンプル形成工程で前記所定領域に対して前記プレス型の前記突起が対向する位置から前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置となるように決定する。さらに、前記第４ディンプル形成工程においては、前記所定領域と前記プレス型との相対的な位置関係を、前記所定領域に対して前記プレス型の前記突起の対向する位置が、前記第１ディンプル形成工程で前記所定領域に対して前記プレス型の前記突起が対向する位置から前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置となるように決定する。こうすることにより、前記第２のディンプルを、前記第１のディンプルに対して、前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の半分の距離だけずれた位置に形成することができ、前記第３のディンプルおよび前記第４のディンプルを、前記第１のディンプルに対して、それぞれ前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の半分の距離だけずれた位置に形成することができる。 Before SL In the second dimple formation step, the predetermined region and the relative positional relationship between the press die, a position facing the press die of the projections with respect to the predetermined region, the first dimple formation step Thus, the position of the press die is determined so as to be shifted from the position facing the predetermined region in the row direction and the column direction by half the distance. Further, in the above third dimple formation step, a relative positional relationship between the predetermined region and the press die, the opposing positions of the press die of the projections with respect to the predetermined area, the first dimples formed In the process, the position of the press die is determined so as to be shifted from the position where the projection of the press die is opposed to the predetermined region by a half distance of the interval in the row direction. Further, in the above fourth dimple formation step, a relative positional relationship between the predetermined region and the press die, the opposing positions of the press die of the projections with respect to the predetermined area, the first dimples formed In the process, the position of the press die is determined so as to be shifted from the position where the projection of the press die is opposed to the predetermined region by a half the distance in the row direction. In this way, the second dimple can be formed at a position shifted from the first dimple by a half distance of the interval in the row direction and the column direction, respectively. The dimples and the fourth dimples can be formed at positions shifted from the first dimple by half the distance in the row direction and the column direction, respectively.

このような方法は、後述の請求項１６に記載されたリードフレームの製造装置によって実施することができる。
請求項３に記載の発明は、前記リードフレームがダイパッドを有し、前記第１および第２のディンプルがダイパッドに形成される、請求項１または２に記載のリードフレームの製造方法である。
請求項４に記載の発明は、前記リードフレームがさらにリードを有し、前記第１および第２のディンプルが前記リードに形成される、請求項３に記載のリードフレームの製造方法である。
請求項５に記載の発明は、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の１／４の距離だけずれた位置関係を有する、第５のディンプルを形成する第５ディンプル形成工程をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法である。
請求項６に記載の発明は、前記金属薄板を平面で押圧することにより、前記ディンプルの形成時に各ディンプルの周縁上に盛り上がった金属を各ディンプルに向けて迫り出させ、各ディンプルの周縁に内側に向けて突出する鉤部を形成する工程をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法である。
請求項７に記載の発明は、前記間隔が、０．１２ｍｍである、請求項１〜６のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法である。
請求項８に記載の発明は、金属薄板を打ち抜いて形成されるリードフレームを有する半導体装置の製造方法であって、前記金属薄板に、互いに直交する行方向および列方向に一定の間隔で整列して配置された、突起を有するプレス型で、第１のディンプルを形成する第１ディンプル形成工程と、前記第１ディンプル形成工程後、前記プレス型で、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する、第２のディンプルを形成する第２ディンプル形成工程とを含むことを特徴とする、リードフレームを有する半導体装置の製造方法である。
請求項９に記載の発明は、前記プレス型で、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有し、前記第２のディンプルに対して前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する、第３のディンプルを形成する第３ディンプル形成工程と、前記プレス型で、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有し、前記第２のディンプルに対して前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する、第４のディンプルを形成する第４ディンプル形成工程とをさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法である。
請求項１０に記載の発明は、前記リードフレームがダイパッドを有し、前記第１および第２のディンプルがダイパッドに形成される、請求項８または９に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法である。
請求項１１に記載の発明は、前記リードフレームがさらにリードを有し、前記第１および第２のディンプルが前記リードに形成される、請求項１０に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法である。
請求項１２に記載の発明は、前記ダイパッドの前記第１および第２のディンプルが形成された表面とは反対側の面に半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップおよびダイパッドを内部に収容するように前記半導体チップを封止する樹脂製のパッケージを形成する工程とをさらに含む、請求項１０または１１に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法である。
請求項１３に記載の発明は、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の１／４の距離だけずれた位置関係を有する、第５のディンプルを形成する第５ディンプル形成工程をさらに含む、請求項８〜１２のいずれか一項に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法である。
請求項１４に記載の発明は、前記金属薄板を平面で押圧することにより、前記ディンプルの形成時に各ディンプルの周縁上に盛り上がった金属を各ディンプルに向けて迫り出させ、各ディンプルの周縁に内側に向けて突出する鉤部を形成する工程をさらに含む、請求項８〜１３のいずれか一項に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法である。
請求項１５に記載の発明は、前記間隔が、０．１２ｍｍである、請求項８〜１４のいずれか一項に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法である。
請求項１６に記載の発明は、金属薄板を打ち抜いて形成されるリードフレームの製造装置であって、互いに直交する行方向および列方向に一定の間隔で整列して配置された突起を有するプレス型と、前記プレス型を移動させて、前記金属薄板に対して前記突起を押し付けるためのプレス型移動機構と、前記金属薄板と前記プレス型とを前記行方向および前記列方向に相対的に移動させる相対移動手段と、前記プレス型移動機構および前記相対移動手段を制御して、前記金属薄板の所定領域に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置された第１のディンプル、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する第２のディンプル、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有し、前記第２のディンプルに対して前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する第３のディンプル、ならびに、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有し、前記第２のディンプルに対して前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する第４のディンプルを形成するための制御手段とを含むことを特徴とする、リードフレームの製造装置である。 Such a method can be performed by a lead frame manufacturing apparatus described in claim 16 described later .
According to a third aspect of the present invention, in the lead frame manufacturing method according to the first or second aspect , the lead frame has a die pad, and the first and second dimples are formed on the die pad.
The invention according to claim 4 is the method for manufacturing a lead frame according to claim 3 , wherein the lead frame further has a lead, and the first and second dimples are formed on the lead.
According to a fifth aspect of the present invention, the thin metal plates are arranged in the row direction and the column direction so as to be aligned at a certain interval, and are respectively arranged in the row direction and the column direction with respect to the first dimple. having a quarter of the distance shifted by the positional relationship of the interval, the fifth further comprising a fifth dimple formation step of forming a dimple, a method of manufacturing a lead frame according to any one of claims 1-4 It is.
According to the sixth aspect of the present invention, by pressing the thin metal plate with a flat surface, the metal raised on the periphery of each dimple is pushed out toward each dimple at the time of forming the dimple, and the inside of the periphery of each dimple is It is a manufacturing method of the lead frame as described in any one of Claims 1-5 which further includes the process of forming the collar part which protrudes toward.
A seventh aspect of the present invention is the lead frame manufacturing method according to any one of the first to sixth aspects, wherein the distance is 0.12 mm .
The invention according to claim 8 is a method of manufacturing a semiconductor device having a lead frame formed by punching a thin metal plate, and the thin metal plate is aligned at a predetermined interval in a row direction and a column direction perpendicular to each other. A first dimple forming step of forming a first dimple in a press die having a protrusion, and after the first dimple forming step, the metal plate is arranged in the row direction and the column by the press die after the first dimple formation step. Forming a second dimple that is arranged in a line at a constant interval and has a positional relationship that is shifted from the first dimple in the row direction and the column direction by a distance that is half the interval. A method for manufacturing a semiconductor device having a lead frame .
According to a ninth aspect of the present invention, in the press die, the metal thin plate is arranged in the row direction and the column direction so as to be aligned at a constant interval, and is arranged in the row direction with respect to the first dimple. A third dimple forming a third dimple having a positional relationship shifted by a half distance of the interval and having a positional relationship shifted by a half distance of the interval in the column direction with respect to the second dimple. A dimple forming step, and the press die is arranged on the metal thin plate so as to be aligned in the row direction and the column direction at a constant interval, and is half the interval in the column direction with respect to the first dimple. And a fourth dimple forming step of forming a fourth dimple having a positional relationship shifted by a distance of half the interval in the row direction with respect to the second dimple, The Characterized in that it comprises in a method for manufacturing a semiconductor device having a lead frame according to claim 8.
The invention according to claim 10 is a method of manufacturing a semiconductor device having a lead frame according to claim 8 or 9 , wherein the lead frame has a die pad, and the first and second dimples are formed on the die pad. It is.
The invention according to claim 11 is the method of manufacturing a semiconductor device having a lead frame according to claim 10 , wherein the lead frame further has a lead, and the first and second dimples are formed on the lead. It is.
According to a twelfth aspect of the present invention, a step of mounting a semiconductor chip on the surface of the die pad opposite to the surface on which the first and second dimples are formed, and the semiconductor chip and the die pad are accommodated therein. further comprising a step of forming a resin package sealing the semiconductor chip as a method for manufacturing a semiconductor device having a lead frame according to claim 10 or 11.
According to a thirteenth aspect of the present invention, the thin metal plates are arranged in the row direction and the column direction at regular intervals, and are arranged in the row direction and the column direction with respect to the first dimple, respectively. The semiconductor having a lead frame according to any one of claims 8 to 12 , further comprising a fifth dimple forming step of forming a fifth dimple having a positional relationship shifted by a distance of 1/4 of the interval. It is a manufacturing method of an apparatus.
In the invention described in claim 14 , by pressing the thin metal plate with a flat surface, the metal raised on the periphery of each dimple is pushed out toward each dimple at the time of forming the dimple, and the inside of the periphery of each dimple is further comprising the step of forming a hook portion protruding toward the a method for manufacturing a semiconductor device having a lead frame according to any one of claims 8-13.
A fifteenth aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device having a lead frame according to any one of the eighth to fourteenth aspects, wherein the distance is 0.12 mm .
The invention as set forth in claim 16 is a lead frame manufacturing apparatus formed by punching a thin metal plate, and has a press die having protrusions arranged at regular intervals in a row direction and a column direction perpendicular to each other. And a press die moving mechanism for moving the press die to press the protrusion against the thin metal plate, and relatively moving the thin metal plate and the press die in the row direction and the column direction. Controlling the relative movement means, the press-type movement mechanism and the relative movement means, the first arrangement is arranged in a predetermined region of the metal thin plate aligned at a certain interval in the row direction and the column direction. The dimples are arranged at regular intervals in the row direction and the column direction, and are half the distance in the row direction and the column direction with respect to the first dimple, respectively. Second dimples having a positional relationship shifted by a certain distance, arranged in the row direction and the column direction at regular intervals, and arranged at a certain distance in the row direction with respect to the first dimples. A third dimple having a shifted positional relationship and having a positional relationship shifted by half the distance in the column direction with respect to the second dimple, and constant in the row direction and the column direction Arranged at the intervals, the first dimples have a positional relationship shifted in the column direction by a half distance of the intervals, and the intervals in the row direction with respect to the second dimples. And a control means for forming a fourth dimple having a positional relationship shifted by a half of the distance .

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る製造方法により製造されるリードフレームの平面図である。
このリードフレーム１は、長い帯状の金属薄板（たとえば、銅薄板）を打ち抜いて形成され、その金属薄板の長手方向に延びる両端部をなす１対のレール１１の間に、複数の単位部分がリードフレーム１の長手方向に連設された構成を有している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a plan view of a lead frame manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
The lead frame 1 is formed by punching a long strip-shaped metal thin plate (for example, a copper thin plate), and a plurality of unit portions lead between a pair of rails 11 forming both ends extending in the longitudinal direction of the metal thin plate. The frame 1 is configured to be continuous in the longitudinal direction.

各単位部分は、１つのダイパッド１２と、このダイパッド１２の周囲に配置される複数のリード１３とを備えている。
ダイパッド１２は、平面視略矩形状に形成されている。このダイパッド１２は、各レール１１とこれらに対向する各辺とを連結する吊りリード１４により、両レール１１の間に支持されている。 Each unit portion includes one die pad 12 and a plurality of leads 13 arranged around the die pad 12.
The die pad 12 is formed in a substantially rectangular shape in plan view. The die pad 12 is supported between the rails 11 by suspension leads 14 that connect the rails 11 and the sides facing the rails 11.

リード１３は、たとえば、リードフレーム１の長手方向におけるダイパッド１２の両側に４本ずつ設けられている。各側の４本のリード１３は、リードフレーム１の長手方向と直交する方向に等間隔で並べられ、それぞれリードフレーム１の長手方向に沿って直線状に延びている。また、４本のリード１３は、それらの長手方向の中間部を連結するタイバー１５によって、１対のレール１１の間に支持されている。   For example, four leads 13 are provided on both sides of the die pad 12 in the longitudinal direction of the lead frame 1. The four leads 13 on each side are arranged at equal intervals in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the lead frame 1, and extend linearly along the longitudinal direction of the lead frame 1. Further, the four leads 13 are supported between the pair of rails 11 by tie bars 15 that connect intermediate portions in the longitudinal direction.

このリードフレーム１は、樹脂封止型の半導体装置に用いられる。樹脂封止型の半導体装置の製造工程では、まず、ダイパッド１２上に半導体チップが搭載（ダイボンディング）される。つづいて、その半導体チップの表面に形成されている電極と、各リード１３のダイパッド１２側の端部とが、金細線などのボンディングワイヤによって接続される。その後、樹脂製のパッケージが形成され、このパッケージによって、半導体チップおよびボンディングワイヤが封止される。パッケージは、半導体チップおよびボンディングワイヤとともにダイパッド１２を内部に収容し、リード１３および吊りリード１４が側面を貫通して、タイバー１５が外部に露出するように形成される。そして、そのパッケージの外部に露出する吊りリード１４およびタイバー１５が切除されることにより、１対のレール１１から分離した半導体装置が得られる。   The lead frame 1 is used for a resin-encapsulated semiconductor device. In the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device, first, a semiconductor chip is mounted on the die pad 12 (die bonding). Subsequently, the electrode formed on the surface of the semiconductor chip and the end of each lead 13 on the die pad 12 side are connected by a bonding wire such as a gold thin wire. Thereafter, a resin package is formed, and the semiconductor chip and the bonding wire are sealed by the package. The package is formed so that the die pad 12 is housed inside together with the semiconductor chip and the bonding wire, the lead 13 and the suspension lead 14 penetrate the side surface, and the tie bar 15 is exposed to the outside. Then, the semiconductor device separated from the pair of rails 11 is obtained by cutting away the suspension leads 14 and tie bars 15 exposed to the outside of the package.

図２は、ダイパッド１２の裏面（半導体チップが搭載される面と反対側の面）を拡大して示す平面図である。
ダイパッド１２の裏面には、多数のディンプル１６が形成されている。ディンプル１６は、互いに直交する行方向および列方向に一定の間隔（ディンプル１６の最深部間の間隔）Ｓｄで設けられ、全体として行列状に整列して配置されている。このディンプル１６の間隔Ｓｄは、後述するように、従来のリードフレームにおけるディンプルの間隔（約０．３ｍｍ）よりもはるかに小さく、ディンプル１６の密度は、従来のリードフレームにおけるディンプルの密度よりもはるかに高い。また、各ディンプル１６は、略四角錐状をなし、ダイパッド１２の裏面から最深部までの深さが約０．０２〜０．０３ｍｍに形成されている。 FIG. 2 is an enlarged plan view showing the back surface of the die pad 12 (the surface opposite to the surface on which the semiconductor chip is mounted).
A large number of dimples 16 are formed on the back surface of the die pad 12. The dimples 16 are provided at regular intervals (intervals between the deepest portions of the dimples 16) Sd in the row direction and the column direction orthogonal to each other, and are arranged in a matrix as a whole. As will be described later, the distance Sd between the dimples 16 is much smaller than the distance between dimples (about 0.3 mm) in the conventional lead frame, and the density of the dimples 16 is much higher than the density of the dimples in the conventional lead frame. Very expensive. Each dimple 16 has a substantially quadrangular pyramid shape, and the depth from the back surface of the die pad 12 to the deepest portion is about 0.02 to 0.03 mm.

このように、リードフレーム１のダイパッド１２の裏面には、ディンプル１６が高密度に形成されている。そのため、このリードフレーム１を樹脂封止型の半導体装置に用いることにより、ダイパッド１２とパッケージとの良好な密着性を発揮することができ、ダイパッド１２の材料である金属とパッケージの材料である樹脂との熱膨張率差に起因するパッケージクラックの発生を防止することができる。   Thus, the dimples 16 are formed on the back surface of the die pad 12 of the lead frame 1 with high density. Therefore, by using this lead frame 1 for a resin-encapsulated semiconductor device, good adhesion between the die pad 12 and the package can be exhibited, and the metal that is the material of the die pad 12 and the resin that is the material of the package. The generation of package cracks due to the difference in thermal expansion coefficient with respect to can be prevented.

図３は、リードフレーム１を製造するための装置の構成（参考形態）を図解的に示す図である。
このリードフレーム製造装置２は、たとえば、供給リール２１Ａから巻取リール２１Ｂへ向けて、リードフレーム１の基材となる金属薄板を送るための複数組のフィードローラ２２と、これらのフィードローラ２２を駆動するためのローラ駆動機構２３と、金属薄板を打ち抜いて、レール１１、ダイパッド１２、リード１３、吊りリード１４およびタイバー１５を形成するためのパンチング加工機（図示せず）と、ダイパッド１２の裏面にディンプル１６を形成するためのプレス加工機２４とを備えている。 FIG. 3 is a diagram schematically showing a configuration (reference form) of an apparatus for manufacturing the lead frame 1.
The lead frame manufacturing apparatus 2 includes, for example, a plurality of sets of feed rollers 22 for feeding a thin metal plate serving as a base material of the lead frame 1 from the supply reel 21A to the take-up reel 21B, and these feed rollers 22 A roller driving mechanism 23 for driving, a punching machine (not shown) for punching a thin metal plate to form the rail 11, die pad 12, lead 13, suspension lead 14, and tie bar 15; And a press working machine 24 for forming the dimples 16.

金属薄板は、供給リール２１Ａに巻回されており、フィードローラ２２により送られて、巻取リール２１Ｂに巻き取られていく。この途中で、金属薄板は、パンチング加工機およびプレス加工機２４を順に通過し、パンチング加工機によるパンチング加工およびプレス加工機２４によるプレス加工を受ける。これにより、前述した構成のリードフレーム１が得られる。   The thin metal plate is wound around the supply reel 21A, is fed by the feed roller 22, and is wound around the take-up reel 21B. In the middle of this, the thin metal plate sequentially passes through the punching machine and the press machine 24 and is subjected to punching by the punching machine and press processing by the press machine 24. Thereby, the lead frame 1 having the above-described configuration is obtained.

プレス加工機２４は、リードフレーム１（金属薄板）の表面（半導体チップが搭載される面）に対向する下ブロック２５と、この下ブロック２５の上方に配置され、リードフレーム１の裏面に対向する上ブロック２６と、上ブロック２６を下ブロック２５に対して昇降させるためのプレス昇降機構２７とを備えている。
下ブロック２５には、４つの下側プレス金型２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄが、リードフレーム１の送り方向（以下、単に「送り方向」という。）に、リードフレーム１におけるダイパッド１２と同じピッチで並べて配置されている。各下側プレス金型２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄは、下ブロック２５と上ブロック２６との間を通過するリードフレーム１と接触する表面が平面に形成されている。 The press machine 24 is disposed above the lower block 25 facing the front surface (surface on which the semiconductor chip is mounted) of the lead frame 1 (metal thin plate), and is opposed to the back surface of the lead frame 1. An upper block 26 and a press elevating mechanism 27 for elevating the upper block 26 relative to the lower block 25 are provided.
In the lower block 25, four lower press dies 28A, 28B, 28C, 28D have the same pitch as the die pad 12 in the lead frame 1 in the lead frame 1 feed direction (hereinafter simply referred to as “feed direction”). Are arranged side by side. Each of the lower press dies 28A, 28B, 28C, 28D has a flat surface in contact with the lead frame 1 passing between the lower block 25 and the upper block 26.

上ブロック２６には、４つの上側プレス金型２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄが、それぞれ下側プレス金型２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄと上下に対向する位置に設けられている。各上側プレス金型２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄのリードフレーム１との対向面には、多数の略四角錐状の突起３０が形成されている。突起３０は、送り方向に沿う行方向およびこれと直交する列方向に一定の間隔（突起３０の頂点間の間隔）Ｓｐで設けられ、全体として行列状に整列して配置されている。この例では、突起３０の間隔Ｓｐは、現在の加工技術で実現可能な最小の間隔である０．１２ｍｍに設定されている。 In the upper block 26, four upper press dies 29A, 29B, 29C, and 29D are provided at positions that vertically oppose the lower press dies 28A, 28B, 28C, and 28D, respectively. A large number of substantially quadrangular pyramidal projections 30 are formed on the surface of each upper press die 29A, 29B, 29C, 29D facing the lead frame 1. The protrusions 30 are provided at a constant interval (interval between the apexes of the protrusions 30) Sp in the row direction along the feed direction and the column direction perpendicular thereto, and are arranged in a matrix as a whole. In this example , the interval Sp of the protrusions 30 is set to 0.12 mm, which is the minimum interval that can be realized with the current processing technology.

また、このリードフレーム製造装置２は、ローラ駆動機構２３およびプレス昇降機構２７を含む各部の動作を制御するための制御装置３１を備えている。
図４は、ディンプル１６を形成する工程（参考形態）を示す図である。また、図５は、ディンプル１６が形成されていく様子を図解的に示す平面図である。
以下では、図４および図５を主に参照し、リードフレーム１に備えられる複数のダイパッド１２のうちの１つに着目して、そのダイパッド１２にディンプル１６が形成される工程を説明する。 Further, the lead frame manufacturing apparatus 2 includes a control device 31 for controlling the operation of each part including the roller driving mechanism 23 and the press elevating mechanism 27.
FIG. 4 is a diagram showing a process (reference form) for forming the dimple 16. FIG. 5 is a plan view schematically showing how the dimples 16 are formed.
Hereinafter, with reference mainly to FIGS. 4 and 5, focusing on one of the plurality of die pads 12 provided in the lead frame 1, a process of forming the dimples 16 on the die pad 12 will be described.

制御装置３１による制御の下、ローラ駆動機構２３によりフィードローラ２２が駆動され、そのダイパッド１２が送り方向の最上流側に位置する第１のプレス型としての上側プレス金型２９Ａと対向すると（ステップＳ１）、フィードローラ２２の駆動が停止される。
つづいて、プレス昇降機構２７により上ブロック２６が下降され、上側プレス金型２９Ａがダイパッド１２に打ちつけられて（プレス）、上側プレス金型２９Ａの突起３０がダイパッド１２の裏面に食い込むことにより、その突起３０に対応するディンプル１６が形成される（ステップＳ２）。突起３０は、行方向および列方向に一定の間隔Ｓｐで形成されているので、ダイパッド１２の裏面には、図５（ａ）に○印で示すように、行方向および列方向に一定の間隔Ｓｐで整列したディンプル１６が形成される。 Under the control of the control device 31, the feed roller 22 is driven by the roller drive mechanism 23, and the die pad 12 faces the upper press die 29A as the first press die located on the most upstream side in the feed direction (step) S1), the drive of the feed roller 22 is stopped.
Subsequently, the upper block 26 is lowered by the press elevating mechanism 27, the upper press die 29A is struck onto the die pad 12 (press), and the protrusion 30 of the upper press die 29A bites into the back surface of the die pad 12, A dimple 16 corresponding to the protrusion 30 is formed (step S2). Since the protrusions 30 are formed at a constant interval Sp in the row direction and the column direction, the back surface of the die pad 12 has a constant interval in the row direction and the column direction as indicated by a circle in FIG. The dimples 16 aligned with Sp are formed.

なお、以下では、上側プレス金型２９Ａを「第１の上側プレス金型２９Ａ」といい、この第１の上側プレス金型２９Ａの突起３０によって形成されるディンプル１６を「第１のディンプル１６」という。
その後、フィードローラ２２が駆動され、リードフレーム１が送られる。そして、ダイパッド１２が第２のプレス型としての上側プレス金型２９Ｂと対向すると（ステップＳ３）、フィードローラ２２の駆動が停止される。 In the following, the upper press die 29A is referred to as “first upper press die 29A”, and the dimple 16 formed by the protrusion 30 of the first upper press die 29A is referred to as “first dimple 16”. That's it.
Thereafter, the feed roller 22 is driven and the lead frame 1 is fed. When the die pad 12 faces the upper press die 29B as the second press die (step S3), the drive of the feed roller 22 is stopped.

つづいて、プレス昇降機構２７により上ブロック２６が下降され、上側プレス金型２９Ｂがダイパッド１２に打ちつけられて（プレス）、上側プレス金型２９Ｂの突起３０がダイパッド１２の裏面に食い込むことにより、図５（ｂ）に△印で示すように、その突起３０に対応するディンプル１６が、行方向および列方向に一定の間隔Ｓｐで整列して形成される（ステップＳ４）。   Subsequently, the upper block 26 is lowered by the press elevating mechanism 27, the upper press die 29B is struck onto the die pad 12 (press), and the protrusion 30 of the upper press die 29B bites into the back surface of the die pad 12, thereby As indicated by Δ in 5 (b), the dimples 16 corresponding to the protrusions 30 are formed at regular intervals Sp in the row and column directions (step S4).

なお、以下では、上側プレス金型２９Ｂを「第２の上側プレス金型２９Ｂ」といい、この第２の上側プレス金型２９Ｂの突起３０によって形成されるディンプル１６を「第２のディンプル１６」という。
第２の上側プレス金型２９Ｂの突起３０は、図６に示すように、第１のディンプル１６に対して、行方向および列方向にそれぞれ突起３０の間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２だけずれた位置と対向するように配置されている。そのため、第２のディンプル１６は、図５（ｂ）に○印で示される第１のディンプル１６に対して、行方向および列方向にそれぞれ距離Ｓｐ／２だけずれた位置関係を有する。 Hereinafter, the upper press die 29B is referred to as a “second upper press die 29B”, and the dimple 16 formed by the protrusion 30 of the second upper press die 29B is referred to as a “second dimple 16”. That's it.
As shown in FIG. 6, the protrusion 30 of the second upper press die 29B is shifted from the first dimple 16 by a distance Sp / 2 that is half the interval Sp of the protrusion 30 in the row direction and the column direction. It is arranged so as to face the position. Therefore, the second dimple 16 has a positional relationship shifted from the first dimple 16 indicated by a circle in FIG. 5B by a distance Sp / 2 in the row direction and the column direction.

その後、フィードローラ２２が駆動され、リードフレーム１がさらに送られる。そして、ダイパッド１２が第３のプレス型としての上側プレス金型２９Ｃと対向すると（ステップＳ５）、フィードローラ２２の駆動が停止される。
つづいて、プレス昇降機構２７により上ブロック２６が下降され、上側プレス金型２９Ｃがダイパッド１２に打ちつけられて（プレス）、上側プレス金型２９Ｃの突起３０がダイパッド１２の裏面に食い込むことにより、図５（ｃ）に×印で示すように、その突起３０に対応するディンプル１６が、行方向および列方向に一定の間隔Ｓｐで整列して形成される（ステップＳ６）。 Thereafter, the feed roller 22 is driven, and the lead frame 1 is further fed. Then, when the die pad 12 faces the upper press die 29C as the third press die (step S5), the drive of the feed roller 22 is stopped.
Subsequently, the upper block 26 is lowered by the press elevating mechanism 27, the upper press die 29C is struck onto the die pad 12 (press), and the protrusion 30 of the upper press die 29C bites into the back surface of the die pad 12. As indicated by a cross in 5 (c), the dimples 16 corresponding to the protrusions 30 are formed at regular intervals Sp in the row and column directions (step S6).

なお、以下では、上側プレス金型２９Ｃを「第３の上側プレス金型２９Ｃ」といい、この第３の上側プレス金型２９Ｃの突起３０によって形成されるディンプル１６を「第３のディンプル１６」という。
第３の上側プレス金型２９Ｃの突起３０は、第１のディンプル１６に対して行方向に突起３０の間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２だけずれ、第２のディンプル１６に対して列方向に間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２だけずれた位置と対向するように配置されている。そのため、第３のディンプル１６は、図５（ｃ）に○印で示される第１のディンプル１６に対して行方向に距離Ｓｐ／２だけずれた位置関係を有し、図５（ｃ）に△印で示される第２のディンプル１６に対して列方向に距離Ｓｐ／２だけずれた位置関係を有する。 In the following, the upper press die 29C is referred to as “third upper press die 29C”, and the dimple 16 formed by the protrusion 30 of the third upper press die 29C is “third dimple 16”. That's it.
The projections 30 of the third upper press die 29C are shifted in the row direction by a distance Sp / 2 that is half the spacing Sp of the projections 30 with respect to the first dimple 16, and in the column direction with respect to the second dimple 16. It is arranged so as to face a position shifted by a distance Sp / 2 that is half the interval Sp. For this reason, the third dimple 16 has a positional relationship shifted by a distance Sp / 2 in the row direction with respect to the first dimple 16 indicated by a circle in FIG. 5C, and FIG. The second dimple 16 indicated by the Δ mark has a positional relationship shifted by a distance Sp / 2 in the column direction.

その後、フィードローラ２２が駆動され、リードフレーム１がさらに送られる。そして、ダイパッド１２が送り方向の最下流側に位置する第４のプレス型としての上側プレス金型２９Ｃと対向すると（ステップＳ７）、フィードローラ２２の駆動が停止される。
つづいて、プレス昇降機構２７により上ブロック２６が下降され、上側プレス金型２９Ｄがダイパッド１２に打ちつけられて（プレス）、上側プレス金型２９Ｄの突起３０がダイパッド１２の裏面に食い込むことにより、図５（ｃ）に□印で示すように、その突起３０に対応するディンプル１６が、行方向および列方向に一定の間隔Ｓｐで整列して形成される（ステップＳ８）。 Thereafter, the feed roller 22 is driven, and the lead frame 1 is further fed. When the die pad 12 faces the upper press die 29C as the fourth press die located on the most downstream side in the feed direction (step S7), the drive of the feed roller 22 is stopped.
Subsequently, the upper block 26 is lowered by the press elevating mechanism 27, the upper press die 29D is struck onto the die pad 12 (press), and the protrusion 30 of the upper press die 29D bites into the back surface of the die pad 12, thereby As indicated by □ in FIG. 5C, the dimples 16 corresponding to the protrusions 30 are formed at regular intervals Sp in the row and column directions (step S8).

なお、以下では、上側プレス金型２９Ｄを「第４の上側プレス金型２９Ｄ」といい、この第４の上側プレス金型２９Ｄの突起３０によって形成されるディンプル１６を「第４のディンプル１６」という。
第４の上側プレス金型２９Ｄの突起３０は、第１のディンプル１６に対して列方向に突起３０の間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２だけずれ、第２のディンプル１６に対して行方向に間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２だけずれた位置と対向するように配置されている。そのため、第４のディンプル１６は、図５（ｄ）に○印で示される第１のディンプル１６に対して列方向に距離Ｓｐ／２だけずれた位置関係を有し、図５（ｄ）に△印で示される第２のディンプル１６に対して行方向に距離Ｓｐ／２だけずれた位置関係を有する。この結果、ダイパッド１２には、行方向および列方向に突起３０の間隔Ｓｐの半分の間隔Ｓｄ＝Ｓｐ／２＝０．０６ｍｍで整列したディンプル１６が形成される。 Hereinafter, the upper press die 29D is referred to as a “fourth upper press die 29D”, and the dimple 16 formed by the protrusion 30 of the fourth upper press die 29D is referred to as a “fourth dimple 16”. That's it.
The protrusions 30 of the fourth upper press die 29D are shifted from the first dimples 16 in the column direction by a distance Sp / 2 that is half the spacing Sp of the protrusions 30, and in the row direction with respect to the second dimples 16. It is arranged so as to face a position shifted by a distance Sp / 2 that is half the interval Sp. Therefore, the fourth dimple 16 has a positional relationship that is shifted by a distance Sp / 2 in the column direction with respect to the first dimple 16 indicated by a circle in FIG. 5D. FIG. The second dimple 16 indicated by the Δ mark has a positional relationship shifted by a distance Sp / 2 in the row direction. As a result, the dimples 16 are formed in the die pad 12 so as to be aligned in the row direction and the column direction with a spacing Sd = Sp / 2 = 0.06 mm which is half the spacing Sp of the protrusions 30.

以上のように、リードフレーム１のダイパッド１２に、互いに直交する行方向および列方向に一定の間隔Ｓｐで整列した第１のディンプル１６が形成された後、行方向および列方向に第１のディンプル１６と同じ間隔Ｓｐで整列した第２のディンプル１６が、第１のディンプル１６に対して行方向および列方向にその間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２だけずれた位置に形成される。その後、行方向および列方向に第１のディンプル１６と同じ間隔Ｓｐで整列した第３のディンプル１６が、第１のディンプル１６に対して行方向にその間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２だけずれ、第２のディンプル１６に対して列方向にその間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２だけずれた位置に形成される。また、行方向および列方向に第１のディンプル１６と同じ間隔Ｓｐで整列した第４のディンプル１６が、第１のディンプル１６に対して列方向にその間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２だけずれ、第２のディンプル１６に対して行方向にその間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２だけずれた位置に形成される。   As described above, after the first dimples 16 are formed on the die pad 12 of the lead frame 1 so as to be aligned in the row direction and the column direction orthogonal to each other at a constant interval Sp, the first dimples are formed in the row direction and the column direction. The second dimples 16 aligned at the same interval Sp as 16 are formed at positions shifted from the first dimple 16 by a distance Sp / 2 that is half the interval Sp in the row direction and the column direction. Thereafter, the third dimples 16 aligned in the row direction and the column direction at the same interval Sp as the first dimples 16 are shifted from the first dimple 16 by a distance Sp / 2 that is half the interval Sp in the row direction. The second dimple 16 is formed at a position shifted in the column direction by a distance Sp / 2 that is half of the interval Sp. Further, the fourth dimple 16 aligned at the same interval Sp as the first dimple 16 in the row direction and the column direction is shifted from the first dimple 16 by a distance Sp / 2 that is half the interval Sp in the column direction. The second dimple 16 is formed at a position shifted in the row direction by a distance Sp / 2 that is half of the interval Sp.

第１のディンプル１６の形成により、ダイパッド１２に反り変形が生じても、その反り変形は、第２のディンプル１６が形成されるときに、第２の上側プレス金型２９Ｂがダイパッド１２に打ちつけられることにより修正される。そして、第２のディンプル１６が形成されるときには、その第２のディンプル１６が形成される位置の周囲に第１のディンプル１６がすでに形成されているので、第２の上側プレス金型２９Ｂの突起３０がダイパッド１２に食い込むときに、その部分から押し出される金属は、第１のディンプル１６内に迫り出すことにより逃げる。そのため、第２のディンプル１６の形成によっては、ダイパッド１２に反り変形をほとんど生じない。また、第３のディンプル１６が形成されるときには、その第３のディンプル１６が形成される位置の周囲に第１のディンプル１６および第２のディンプル１６がすでに形成されているので、第３の上側プレス金型２９Ｃの突起３０がダイパッド１２に食い込むときに、その部分から押し出される金属は、第１のディンプル１６および第２のディンプル１６内に迫り出すことにより逃げる。そのため、第３のディンプル１６の形成によっては、ダイパッド１２に反り変形をほとんど生じない。また、第４のディンプルの形成によっても、第３のディンプルの形成の場合と同様に、ダイパッド１２に反り変形をほとんど生じない。したがって、ダイパッド１２にディンプル１６を高密度に形成することができながら、そのディンプル形成によるダイパッド１２（リードフレーム１）の反り変形の発生を抑制することができる。   Even if warpage deformation occurs in the die pad 12 due to the formation of the first dimple 16, the warpage deformation causes the second upper press die 29B to be struck against the die pad 12 when the second dimple 16 is formed. It is corrected by this. When the second dimple 16 is formed, the first dimple 16 is already formed around the position where the second dimple 16 is formed, so that the protrusion of the second upper press die 29B is formed. When 30 bites into the die pad 12, the metal pushed out from that portion escapes by being pushed into the first dimple 16. Therefore, the die pad 12 is hardly warped and deformed depending on the formation of the second dimple 16. When the third dimple 16 is formed, the first dimple 16 and the second dimple 16 are already formed around the position where the third dimple 16 is formed. When the protrusion 30 of the press die 29C bites into the die pad 12, the metal pushed out from the portion escapes by being pushed into the first dimple 16 and the second dimple 16. Therefore, the die pad 12 is hardly warped and deformed depending on the formation of the third dimple 16. Further, even when the fourth dimple is formed, the warp deformation hardly occurs in the die pad 12 as in the case of the third dimple. Accordingly, the dimples 16 can be formed on the die pad 12 with high density, and the occurrence of warp deformation of the die pad 12 (lead frame 1) due to the formation of the dimples can be suppressed.

また、４つの下側プレス金型２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄが、送り方向にリードフレーム１におけるダイパッド１２と同じピッチで並べられ、４つの上側プレス金型２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄが、それぞれ下側プレス金型２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄと上下に対向する位置に設けられているので、各下側プレス金型２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄにダイパッド１２を同時に対向させることができる。そのため、上ブロック２６の１回の昇降（ストローク）で、各下側プレス金型２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄに対向するダイパッド１２に、それぞれ第１〜第４のディンプル１６を同時に形成することができる。したがって、プレス加工機２４における上ブロック２６のストローク速度（１分間あたりのストローク回数）と同じ速度で、ディンプル１６が形成されたダイパッド１２を備えるリードフレーム１の単位部分を得ることができる。たとえば、プレス加工機２４における上ブロック２６のストローク速度が毎分１００〜６００ストロークであれば、１分間に、１００〜６００個の単位部分を得ることができる。   Four lower press dies 28A, 28B, 28C, 28D are arranged at the same pitch as the die pad 12 in the lead frame 1 in the feed direction, and four upper press dies 29A, 29B, 29C, 29D are respectively provided. Since the lower press dies 28A, 28B, 28C, and 28D are provided at positions that face vertically, the die pad 12 can be simultaneously opposed to the lower press dies 28A, 28B, 28C, and 28D. Therefore, the first to fourth dimples 16 can be simultaneously formed on the die pad 12 facing each of the lower press dies 28A, 28B, 28C, and 28D by one raising / lowering (stroke) of the upper block 26, respectively. it can. Therefore, the unit portion of the lead frame 1 including the die pad 12 on which the dimples 16 are formed can be obtained at the same speed as the stroke speed (the number of strokes per minute) of the upper block 26 in the press machine 24. For example, if the stroke speed of the upper block 26 in the press machine 24 is 100 to 600 strokes per minute, 100 to 600 unit parts can be obtained in one minute.

図７は、この発明の他の参考形態を説明するための工程図である。
前述の参考形態では、ダイパッド１２にディンプル１６を形成するためのプレス加工機２４として、下ブロック２５に４つの下側プレス金型２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄを配置することができ、上ブロック２６に４つの上側プレス金型２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄを配置することができる構成のものを取り上げた。これに対し、プレス加工機２４として、下ブロック２５および上ブロック２６に、それぞれ１つの下側プレス金型および上側プレス金型のみ配置することができる構成のものを採用しても、前述した構成のリードフレーム１を製造することができる。 Figure 7 is a process diagram for explaining another reference embodiment of the present invention.
In the above-described reference embodiment, as the press working machine 24 for forming the dimple 16 on the die pad 12, four lower press dies 28A, 28B, 28C, and 28D can be disposed on the lower block 25, and the upper block 26 In this example, four upper press dies 29A, 29B, 29C, and 29D can be arranged. On the other hand, even if the press machine 24 has a configuration in which only one lower press die and one upper press die can be arranged in the lower block 25 and the upper block 26, respectively, the above-described configuration The lead frame 1 can be manufactured.

まず、プレス加工機２４の下ブロック２５および上ブロック２６に、それぞれ下側プレス金型２８Ａおよび上側プレス金型２９Ａを取り付ける。そして、リードフレーム１（金属薄板）を供給リール２１Ａから巻取リール２１Ｂへ搬送し、その途中で、ダイパッド１２を順に下側プレス金型２８Ａおよび上側プレス金型２９Ａでプレスして、すべてのダイパッド１２に第１のディンプル１６を形成する（ステップＴ１）。   First, the lower press die 28A and the upper press die 29A are attached to the lower block 25 and the upper block 26 of the press machine 24, respectively. Then, the lead frame 1 (metal thin plate) is conveyed from the supply reel 21A to the take-up reel 21B, and on the way, the die pad 12 is sequentially pressed by the lower press die 28A and the upper press die 29A, and all the die pads are pressed. First dimples 16 are formed on the substrate 12 (step T1).

次に、第１のディンプル１６が形成されたリードフレーム１を供給リール２１Ａにセットする。また、プレス加工機２４の下ブロック２５および上ブロック２６から、それぞれ下側プレス金型２８Ａおよび上側プレス金型２９Ａを取り外し、下ブロック２５および上ブロック２６に、それぞれ下側プレス金型２８Ｂおよび上側プレス金型２９Ｂを取り付ける。そして、リードフレーム１を供給リール２１Ａから巻取リール２１Ｂへ搬送し、その途中で、第１のディンプル１６が形成されているダイパッド１２を順に下側プレス金型２８Ｂおよび上側プレス金型２９Ｂでプレスして、すべてのダイパッド１２に第２のディンプル１６を形成する（ステップＴ２）。   Next, the lead frame 1 on which the first dimple 16 is formed is set on the supply reel 21A. Further, the lower press die 28A and the upper press die 29A are respectively removed from the lower block 25 and the upper block 26 of the press machine 24, and the lower press die 28B and the upper block 26A are respectively attached to the lower block 25 and the upper block 26. A press die 29B is attached. Then, the lead frame 1 is conveyed from the supply reel 21A to the take-up reel 21B, and the die pad 12 on which the first dimples 16 are formed is pressed by the lower press die 28B and the upper press die 29B in order. Then, the second dimples 16 are formed on all the die pads 12 (step T2).

その後、第１および第２のディンプル１６が形成されたリードフレーム１を供給リール２１Ａにセットする。また、プレス加工機２４の下ブロック２５および上ブロック２６から、それぞれ下側プレス金型２８Ｂおよび上側プレス金型２９Ｂを取り外し、下ブロック２５および上ブロック２６に、それぞれ下側プレス金型２８Ｃおよび上側プレス金型２９Ｃを取り付ける。そして、リードフレーム１を供給リール２１Ａから巻取リール２１Ｂへ搬送し、その途中で、第１および第２のディンプル１６が形成されているダイパッド１２を順に下側プレス金型２８Ｃおよび上側プレス金型２９Ｃでプレスして、すべてのダイパッド１２に第３のディンプル１６を形成する（ステップＴ３）。   Thereafter, the lead frame 1 on which the first and second dimples 16 are formed is set on the supply reel 21A. Further, the lower press die 28B and the upper press die 29B are removed from the lower block 25 and the upper block 26 of the press machine 24, respectively, and the lower press die 28C and the upper press die are respectively attached to the lower block 25 and the upper block 26. A press die 29C is attached. Then, the lead frame 1 is conveyed from the supply reel 21A to the take-up reel 21B, and on the way, the die pad 12 on which the first and second dimples 16 are formed is sequentially connected to the lower press die 28C and the upper press die. Press at 29C to form the third dimples 16 on all the die pads 12 (step T3).

つづいて、第１〜第３のディンプル１６が形成されたリードフレーム１を供給リール２１Ａにセットする。また、プレス加工機２４の下ブロック２５および上ブロック２６から、それぞれ下側プレス金型２８Ｃおよび上側プレス金型２９Ｃを取り外し、下ブロック２５および上ブロック２６に、それぞれ下側プレス金型２８Ｄおよび上側プレス金型２９Ｄを取り付ける。そして、リードフレーム１を供給リール２１Ａから巻取リール２１Ｂへ搬送し、その途中で、第１〜第３のディンプル１６が形成されているダイパッド１２を順に下側プレス金型２８Ｄおよび上側プレス金型２９Ｄでプレスして、すべてのダイパッド１２に第４のディンプル１６を形成する（ステップＴ４）。この結果、すべてのダイパッド１２に、行方向および列方向に突起３０の間隔Ｓｐの半分の間隔Ｓｄ＝Ｓｐ／２＝０．０６ｍｍで整列したディンプル１６が形成される。   Subsequently, the lead frame 1 on which the first to third dimples 16 are formed is set on the supply reel 21A. Further, the lower press die 28C and the upper press die 29C are respectively removed from the lower block 25 and the upper block 26 of the press machine 24, and the lower press die 28D and the upper block 26C are respectively attached to the lower block 25 and the upper block 26. A press die 29D is attached. Then, the lead frame 1 is transported from the supply reel 21A to the take-up reel 21B, and the die pad 12 on which the first to third dimples 16 are formed in the middle of the lower press die 28D and the upper press die. The fourth dimple 16 is formed on all the die pads 12 by pressing at 29D (step T4). As a result, the dimples 16 are formed on all the die pads 12 so as to be aligned in the row direction and the column direction at intervals Sd = Sp / 2 = 0.06 mm, which is half the interval Sp of the protrusions 30.

図８は、この発明の一実施形態を説明するための工程図である。
前述の参考形態では、４つの下側プレス金型２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄと、これらにそれぞれ対応する上側プレス金型２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄとを用いて、ダイパッド１２にディンプル１６を形成する場合を取り上げた。これに対し、プレス加工機２４の下ブロック２５および上ブロック２６に、たとえば、それぞれ１つの下側プレス金型２８Ａおよびこれに対応する上側プレス金型２９Ａを配置して、下側プレス金型２８Ａおよび上側プレス金型２９Ａとリードフレーム１（金属薄板）とを送り方向と直交する列方向に相対的に移動させるための相対移動機構（図示せず）を追加した構成によっても、前述した構成のリードフレーム１を製造することができる。 FIG. 8 is a process diagram for explaining one embodiment of the present invention.
In the above-described reference embodiment, the dimple 16 is formed on the die pad 12 using the four lower press dies 28A, 28B, 28C, and 28D and the upper press dies 29A, 29B, 29C, and 29D corresponding thereto. I took up the case. On the other hand, for example, one lower press die 28A and an upper press die 29A corresponding thereto are arranged on the lower block 25 and the upper block 26 of the press machine 24, respectively, so that the lower press die 28A is disposed. The above-described configuration is also achieved by adding a relative movement mechanism (not shown) for relatively moving the upper press die 29A and the lead frame 1 (metal thin plate) in the row direction orthogonal to the feed direction. The lead frame 1 can be manufactured.

この構成では、リードフレーム１が供給リール２１Ａから巻取リール２１Ｂへ搬送され、その途中で、リードフレーム１のダイパッド１２が下側プレス金型２８Ａおよび上側プレス金型２９Ａに対向すると（ステップＥ１）、リードフレーム１の搬送が中断される。そして、ダイパッド１２が下側プレス金型２８Ａおよび上側プレス金型２９Ａでプレスされて、そのダイパッド１２に、図５（ｄ）に○印で示すディンプル１６が形成される（ステップＥ２）。   In this configuration, the lead frame 1 is transported from the supply reel 21A to the take-up reel 21B, and the die pad 12 of the lead frame 1 faces the lower press die 28A and the upper press die 29A in the middle (step E1). The transport of the lead frame 1 is interrupted. Then, the die pad 12 is pressed by the lower press die 28A and the upper press die 29A, and the dimple 16 indicated by a circle in FIG. 5D is formed on the die pad 12 (step E2).

つづいて、下側プレス金型２８Ａおよび上側プレス金型２９Ａまたはリードフレーム１が、列方向の一方側に突起３０の間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２＝０．０６ｍｍだけずらされる（ステップＥ３）。そして、ダイパッド１２が下側プレス金型２８Ａおよび上側プレス金型２９Ａでプレスされる。これにより、ダイパッド１２に、図５（ｄ）に□印で示すディンプル１６が形成される（ステップＥ４）。   Subsequently, the lower press die 28A and the upper press die 29A or the lead frame 1 are shifted to one side in the column direction by a distance Sp / 2 = 0.06 mm which is a half of the interval Sp of the protrusions 30 (step E3). . Then, the die pad 12 is pressed by the lower press die 28A and the upper press die 29A. As a result, the dimples 16 indicated by □ in FIG. 5D are formed on the die pad 12 (step E4).

この後、リードフレーム１が、送り方向に、突起３０の間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２＝０．０６ｍｍだけ送られる（ステップＥ５）。そして、ダイパッド１２が下側プレス金型２８Ａおよび上側プレス金型２９Ａでプレスされる。これにより、ダイパッド１２に、図５（ｄ）に△印で示すディンプル１６が形成される（ステップＥ６）。
つづいて、下側プレス金型２８Ａおよび上側プレス金型２９Ａまたはリードフレーム１が、列方向の他方側に突起３０の間隔Ｓｐの半分の距離Ｓｐ／２＝０．０６ｍｍだけずらされる（ステップＥ７）。そして、ダイパッド１２が下側プレス金型２８Ａおよび上側プレス金型２９Ａでプレスされる。これにより、ダイパッド１２に、図５（ｄ）に×印で示すディンプル１６が形成される（ステップＥ８）。この結果、すべてのダイパッド１２に、行方向および列方向に突起３０の間隔Ｓｐの半分の間隔Ｓｄ＝Ｓｐ／２＝０．０６ｍｍで整列したディンプル１６が形成される。 Thereafter, the lead frame 1 is fed in the feeding direction by a distance Sp / 2 = 0.06 mm which is a half of the interval Sp between the protrusions 30 (step E5). Then, the die pad 12 is pressed by the lower press die 28A and the upper press die 29A. As a result, the dimples 16 indicated by Δ in FIG. 5D are formed on the die pad 12 (step E6).
Subsequently, the lower press die 28A and the upper press die 29A or the lead frame 1 are shifted to the other side in the column direction by a distance Sp / 2 = 0.06 mm which is a half of the interval Sp between the protrusions 30 (step E7). . Then, the die pad 12 is pressed by the lower press die 28A and the upper press die 29A. As a result, the dimples 16 indicated by x in FIG. 5D are formed on the die pad 12 (step E8). As a result, the dimples 16 are formed on all the die pads 12 so as to be aligned in the row direction and the column direction at intervals Sd = Sp / 2 = 0.06 mm, which is half the interval Sp of the protrusions 30.

以上、参考形態および実施形態を説明したが、さらに他の形態を以下に示す。たとえば、各上側プレス金型２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄの突起３０は、送り方向に沿う行方向およびこれと直交する列方向に一定の間隔Ｓｐで設けられているとしたが、その行方向は、送り方向に沿う方向でなくてもよく、送り方向と交差する方向であってもよい。 Having described the reference embodiment and embodiments, it is shown another form below al. For example, the protrusions 30 of the upper press dies 29A, 29B, 29C, and 29D are provided at regular intervals Sp in the row direction along the feed direction and in the column direction perpendicular to the feed direction. The direction does not have to be along the feed direction, and may be a direction crossing the feed direction.

また、前述の参考形態および実施形態では、リードフレーム１のダイパッド１２にディンプル１６が形成されるとしたが、ダイパッド１２のみならず、リード１３にもディンプル１６が形成されてもよい。
また、図４に示すステップＳ５〜Ｓ８が省略されて、図５（ｂ）に○印および△印で示すディンプル１６が形成されたリードフレーム１が製造されてもよい。この図５（ｂ）に○印および△印で示すディンプル１６が形成されたリードフレーム１は、図７に示すステップＴ３，Ｔ４を省略することによっても形成することができ、図８に示すステップＥ４，Ｅ７，Ｅ８を省略することによっても形成することができる。 In the reference embodiment and the embodiment described above, the dimple 16 is formed on the die pad 12 of the lead frame 1. However, the dimple 16 may be formed not only on the die pad 12 but also on the lead 13.
Further, the steps S5 to S8 shown in FIG. 4 may be omitted, and the lead frame 1 in which the dimples 16 indicated by ◯ and Δ in FIG. 5B are formed may be manufactured. The lead frame 1 in which the dimples 16 indicated by ◯ and Δ in FIG. 5B are formed can also be formed by omitting the steps T3 and T4 shown in FIG. 7, and the steps shown in FIG. It can also be formed by omitting E4, E7, and E8.

また、ダイパッド１２と対向したときに、図５（ｄ）に○印で示すディンプル１６に対して行方向および列方向に突起３０の間隔Ｓｐの１／４の距離Ｓｐ／４だけずれた位置と対向する突起を有するプレス型がさらに用いられて、図５（ｄ）に○印で示すディンプル１６に対して行方向および列方向に突起３０の間隔Ｓｐの１／４の距離Ｓｐ／４だけずれた位置にディンプル１６が追加して形成されてもよい。   Further, when facing the die pad 12, a position shifted by a distance Sp / 4 that is ¼ of the interval Sp of the protrusions 30 in the row direction and the column direction with respect to the dimples 16 indicated by ◯ in FIG. A press die having opposing protrusions is further used, and is shifted by a distance Sp / 4 that is ¼ of the spacing Sp of the protrusions 30 in the row direction and the column direction with respect to the dimples 16 indicated by ◯ in FIG. A dimple 16 may be additionally formed at the position.

さらにまた、突起３０がダイパッド１２に食い込むときに、その部分から押し出される金属の一部は、各ディンプル１６の周縁上に盛り上がるので、ディンプル１６の形成後に、ダイパッド１２の裏面を平面で押圧して、その盛り上がった金属を各ディンプル１６内に向けて迫り出させることにより、各ディンプル１６の周縁に内側に向けて突出する鉤部が形成されてもよい。この鉤部が形成されることにより、各ディンプル１６に入り込む樹脂とダイパッド１２との密着性をさらに高めることができる。   Furthermore, when the protrusion 30 bites into the die pad 12, a part of the metal pushed out from the portion rises on the peripheral edge of each dimple 16, so that after the dimple 16 is formed, the back surface of the die pad 12 is pressed with a plane. The protruding metal may protrude toward the inside of each dimple 16, so that a flange that protrudes inward may be formed on the periphery of each dimple 16. By forming the flange portion, the adhesion between the resin entering each dimple 16 and the die pad 12 can be further enhanced.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

この発明の一実施形態に係る製造方法により製造されるリードフレームの平面図である。It is a top view of the lead frame manufactured by the manufacturing method concerning one embodiment of this invention. ダイパッドの裏面（半導体チップが搭載される面と反対側の面）を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows the back surface (surface on the opposite side to the surface where a semiconductor chip is mounted) of a die pad. リードフレームを製造するための装置の構成（参考形態）を図解的に示す図である。It is a figure which shows the structure (reference form) of the apparatus for manufacturing a lead frame schematically. ディンプルを形成する工程（参考形態）を示す図である。It is a figure which shows the process (reference form) which forms a dimple. ディンプルが形成されていく様子を図解的に示す平面図である。It is a top view which shows a mode that dimples are formed. 第１のディンプルと第２の上側プレス金型の突起との位置関係を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the positional relationship of a 1st dimple and the protrusion of a 2nd upper side press die. 他の参考形態を説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating another reference form. この発明の一実施形態を説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating one Embodiment of this invention. 樹脂封止型の半導体装置の構造を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of a resin sealing type semiconductor device.

符号の説明Explanation of symbols

１ リードフレーム
２ リードフレーム製造装置
１２ ダイパッド（所定領域）
１３ リード
１６ ディンプル
２２ フィードローラ（搬送手段、相対移動手段）
２３ ローラ駆動機構（搬送手段、相対移動手段）
２７ プレス昇降機構（プレス型移動機構）
２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄ 上側プレス金型
３０ 突起
３１ 制御装置（制御手段） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 2 Lead frame manufacturing apparatus 12 Die pad (predetermined area)
13 Lead 16 Dimple 22 Feed roller (conveying means, relative moving means)
23 Roller drive mechanism (conveying means, relative moving means)
27 Press lifting mechanism (press type moving mechanism)
29A, 29B, 29C, 29D Upper press mold 30 Protrusion 31 Control device (control means)

Claims (16)

金属薄板を打ち抜いて形成されるリードフレームの製造方法であって、
前記金属薄板に、互いに直交する行方向および列方向に一定の間隔で整列して配置された、突起を有するプレス型で、第１のディンプルを形成する第１ディンプル形成工程と、
前記第１ディンプル形成工程後、前記プレス型で、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する、第２のディンプルを形成する第２ディンプル形成工程とを含むことを特徴とする、リードフレームの製造方法。 A method of manufacturing a lead frame formed by punching a thin metal plate,
A first dimple forming step of forming a first dimple with a press die having protrusions arranged on the metal thin plate in a row direction and a column direction orthogonal to each other at a constant interval;
After the first dimple formation step, the press die is arranged on the metal thin plate in the row direction and the column direction so as to be aligned at a certain interval, and the row direction and the first dimple are arranged. And a second dimple forming step of forming a second dimple having a positional relationship shifted in the column direction by a distance that is half the interval. 前記プレス型で、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有し、前記第２のディンプルに対して前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する、第３のディンプルを形成する第３ディンプル形成工程と、
前記プレス型で、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有し、前記第２のディンプルに対して前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する、第４のディンプルを形成する第４ディンプル形成工程とをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のリードフレームの製造方法。 In the press die, the metal thin plate is arranged in the row direction and the column direction so as to be aligned at a certain interval, and is shifted from the first dimple in the row direction by a distance that is half the interval. A third dimple forming step for forming a third dimple having a positional relationship and having a positional relationship shifted by a half of the interval in the column direction with respect to the second dimple;
The press die is arranged on the metal thin plate so as to be aligned in the row direction and the column direction at a constant interval, and is shifted from the first dimple in the column direction by a half distance of the interval. And a fourth dimple forming step of forming a fourth dimple having a positional relationship and having a positional relationship shifted by a half of the interval in the row direction with respect to the second dimple. The method of manufacturing a lead frame according to claim 1 , wherein 前記リードフレームがダイパッドを有し、前記第１および第２のディンプルがダイパッドに形成される、請求項１または２に記載のリードフレームの製造方法。 It said lead frame has a die pad, said first and second dimples are formed on the die pad, manufacturing method of lead frame according to claim 1 or 2. 前記リードフレームがさらにリードを有し、前記第１および第２のディンプルが前記リードに形成される、請求項３に記載のリードフレームの製造方法。 The lead frame manufacturing method according to claim 3 , wherein the lead frame further includes a lead, and the first and second dimples are formed on the lead. 前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の１／４の距離だけずれた位置関係を有する、第５のディンプルを形成する第５ディンプル形成工程をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。 The metal thin plate is arranged in the row direction and the column direction at a constant interval, and is a distance of 1/4 of the interval in the row direction and the column direction with respect to the first dimple. The lead frame manufacturing method according to any one of claims 1 to 4 , further comprising a fifth dimple forming step of forming a fifth dimple having a shifted positional relationship. 前記金属薄板を平面で押圧することにより、前記ディンプルの形成時に各ディンプルの周縁上に盛り上がった金属を各ディンプルに向けて迫り出させ、各ディンプルの周縁に内側に向けて突出する鉤部を形成する工程をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。 By pressing the thin metal plate with a flat surface, the metal raised on the periphery of each dimple is pushed out toward each dimple at the time of forming the dimple, and a flange projecting inward is formed at the periphery of each dimple. further comprising, a manufacturing method of a lead frame according to any one of claims 1 to 5 steps of. 前記間隔が、０．１２ｍｍである、請求項１〜６のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。 The distance is a 0.12 mm, the manufacturing method of lead frame according to any one of claims 1-6. 金属薄板を打ち抜いて形成されるリードフレームを有する半導体装置の製造方法であって、
前記金属薄板に、互いに直交する行方向および列方向に一定の間隔で整列して配置された、突起を有するプレス型で、第１のディンプルを形成する第１ディンプル形成工程と、
前記第１ディンプル形成工程後、前記プレス型で、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する、第２のディンプルを形成する第２ディンプル形成工程とを含むことを特徴とする、リードフレームを有する半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device having a lead frame formed by punching a thin metal plate,
A first dimple forming step of forming a first dimple with a press die having protrusions arranged on the metal thin plate in a row direction and a column direction orthogonal to each other at a constant interval;
After the first dimple formation step, the press die is arranged on the metal thin plate in the row direction and the column direction so as to be aligned at a certain interval, and the row direction and the first dimple are arranged. A method of manufacturing a semiconductor device having a lead frame, comprising: a second dimple forming step of forming a second dimple having a positional relationship shifted in the column direction by a distance that is half of the interval. 前記プレス型で、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有し、前記第２のディンプルに対して前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する、第３のディンプルを形成する第３ディンプル形成工程と、
前記プレス型で、前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有し、前記第２のディンプルに対して前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する、第４のディンプルを形成する第４ディンプル形成工程とをさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法。 In the press die, the metal thin plate is arranged in the row direction and the column direction so as to be aligned at a certain interval, and is shifted from the first dimple in the row direction by a distance that is half the interval. A third dimple forming step for forming a third dimple having a positional relationship and having a positional relationship shifted by a half of the interval in the column direction with respect to the second dimple;
The press die is arranged on the metal thin plate so as to be aligned in the row direction and the column direction at a constant interval, and is shifted from the first dimple in the column direction by a half distance of the interval. And a fourth dimple forming step of forming a fourth dimple having a positional relationship and having a positional relationship shifted by a half of the interval in the row direction with respect to the second dimple. A method of manufacturing a semiconductor device having a lead frame according to claim 8 . 前記リードフレームがダイパッドを有し、前記第１および第２のディンプルがダイパッドに形成される、請求項８または９に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法。 10. The method of manufacturing a semiconductor device having a lead frame according to claim 8 , wherein the lead frame has a die pad, and the first and second dimples are formed on the die pad. 前記リードフレームがさらにリードを有し、前記第１および第２のディンプルが前記リードに形成される、請求項１０に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法。 11. The method of manufacturing a semiconductor device having a lead frame according to claim 10 , wherein the lead frame further has a lead, and the first and second dimples are formed on the lead. 前記ダイパッドの前記第１および第２のディンプルが形成された表面とは反対側の面に半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップおよびダイパッドを内部に収容するように前記半導体チップを封止する樹脂製のパッケージを形成する工程とをさらに含む、請求項１０または１１に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法。 Mounting a semiconductor chip on the surface of the die pad opposite to the surface on which the first and second dimples are formed;
The semiconductor further comprises the step of forming a resin package for sealing the semiconductor chip to the chip and the die pad accommodated therein, a method of manufacturing a semiconductor device having a lead frame according to claim 10 or 11. 前記金属薄板に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の１／４の距離だけずれた位置関係を有する、第５のディンプルを形成する第５ディンプル形成工程をさらに含む、請求項８〜１２のいずれか一項に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法。 The metal thin plate is arranged in the row direction and the column direction at a constant interval, and is a distance of 1/4 of the interval in the row direction and the column direction with respect to the first dimple. The method for manufacturing a semiconductor device having a lead frame according to any one of claims 8 to 12 , further comprising a fifth dimple forming step of forming a fifth dimple having a shifted positional relationship. 前記金属薄板を平面で押圧することにより、前記ディンプルの形成時に各ディンプルの周縁上に盛り上がった金属を各ディンプルに向けて迫り出させ、各ディンプルの周縁に内側に向けて突出する鉤部を形成する工程をさらに含む、請求項８〜１３のいずれか一項に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法。 By pressing the thin metal plate with a flat surface, the metal raised on the periphery of each dimple is pushed out toward each dimple at the time of forming the dimple, and a flange projecting inward is formed at the periphery of each dimple. further comprising a method of manufacturing a semiconductor device having a lead frame according to any one of claims 8-13. 前記間隔が、０．１２ｍｍである、請求項８〜１４のいずれか一項に記載のリードフレームを有する半導体装置の製造方法。 The distance is a 0.12 mm, the manufacturing method of a semiconductor device having a lead frame according to any one of claims 8-14. 金属薄板を打ち抜いて形成されるリードフレームの製造装置であって、
互いに直交する行方向および列方向に一定の間隔で整列して配置された突起を有するプレス型と、
前記プレス型を移動させて、前記金属薄板に対して前記突起を押し付けるためのプレス型移動機構と、
前記金属薄板と前記プレス型とを前記行方向および前記列方向に相対的に移動させる相対移動手段と、
前記プレス型移動機構および前記相対移動手段を制御して、前記金属薄板の所定領域に、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置された第１のディンプル、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向および前記列方向にそれぞれ前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する第２のディンプル、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有し、前記第２のディンプルに対して前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する第３のディンプル、ならびに、前記行方向および前記列方向に一定の前記間隔で整列して配置され、前記第１のディンプルに対して前記列方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有し、前記第２のディンプルに対して前記行方向に前記間隔の半分の距離だけずれた位置関係を有する第４のディンプルを形成するための制御手段とを含むことを特徴とする、リードフレームの製造装置。 A lead frame manufacturing apparatus formed by punching a thin metal plate,
A press die having protrusions arranged at regular intervals in a row direction and a column direction orthogonal to each other;
A press mold moving mechanism for moving the press mold to press the projection against the metal thin plate;
Relative movement means for relatively moving the metal thin plate and the press die in the row direction and the column direction;
A first dimple arranged in the row direction and the column direction at a predetermined interval in the row direction and the column direction by controlling the press-type moving mechanism and the relative movement means, and the row direction; And a second dimple that is arranged in the column direction at a constant interval and has a positional relationship that is shifted from the first dimple by a half distance of the interval in the row direction and the column direction, respectively. , Arranged in the row direction and the column direction at regular intervals, and having a positional relationship that is shifted with respect to the first dimple by a half distance of the interval in the row direction, A third dimple having a positional relationship shifted in the column direction by a distance of half of the interval with respect to the dimples, and aligned in the row direction and the column direction at a constant interval. And has a positional relationship that is shifted by a half of the interval in the column direction with respect to the first dimple, and is shifted by a half of the interval in the row direction with respect to the second dimple. And a control means for forming a fourth dimple having a positional relationship.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017208486A (en) * 2016-05-19 2017-11-24 株式会社ミスズ工業 Metallic member having irregularity on surface, heat spreader, semiconductor package, and method of manufacturing them
JP2021034705A (en) * 2019-08-29 2021-03-01 Ｊｘ金属株式会社 Metal plate, metal-resin composite, semiconductor device, and manufacturing method of metal plate
JP2021077718A (en) * 2019-11-07 2021-05-20 Ｓｈプレシジョン株式会社 Lead frame and method for manufacturing the same
WO2024075445A1 (en) * 2022-10-06 2024-04-11 富士電機株式会社 Semiconductor module, semiconductor device, and vehicle
WO2024090029A1 (en) * 2022-10-25 2024-05-02 富士電機株式会社 Semiconductor module, semiconductor device, and vehicle

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6280342U (en) * 1985-11-08 1987-05-22
JPH01194448A (en) * 1988-01-29 1989-08-04 Mitsui High Tec Inc Lead frame manufacturing equipment
JPH05218275A (en) * 1992-02-04 1993-08-27 Hitachi Cable Ltd Lead frame for semiconductor device
JPH07273270A (en) * 1994-04-01 1995-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lead frame and its manufacture as well as semiconductor device using it
JPH08316402A (en) * 1995-05-11 1996-11-29 Mitsui High Tec Inc Lead frame for semiconductor device
JPH10284677A (en) * 1997-04-04 1998-10-23 Samsung Electron Co Ltd Lead frame and manufacture therefor

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6280342A (en) * 1985-10-04 1987-04-13 Toyota Motor Corp Control in idle operation of automatic transmission for car

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6280342U (en) * 1985-11-08 1987-05-22
JPH01194448A (en) * 1988-01-29 1989-08-04 Mitsui High Tec Inc Lead frame manufacturing equipment
JPH05218275A (en) * 1992-02-04 1993-08-27 Hitachi Cable Ltd Lead frame for semiconductor device
JPH07273270A (en) * 1994-04-01 1995-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lead frame and its manufacture as well as semiconductor device using it
JPH08316402A (en) * 1995-05-11 1996-11-29 Mitsui High Tec Inc Lead frame for semiconductor device
JPH10284677A (en) * 1997-04-04 1998-10-23 Samsung Electron Co Ltd Lead frame and manufacture therefor

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