JP3068917B2 - 超電導デバイス - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、積層構造の超電導ト
ランジスタ等に応用することができる超電導デバイスに
関する。
ランジスタ等に応用することができる超電導デバイスに
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、我が国における超電導エレクトロ
ニクスの進歩は目覚ましく、これに伴って転移温度Ｔｃ
の高いビスマス系超電導物質やイットリウム系超電導物
質が提案されている。
ニクスの進歩は目覚ましく、これに伴って転移温度Ｔｃ
の高いビスマス系超電導物質やイットリウム系超電導物
質が提案されている。
【０００３】ところで、上記超電導物質を用いて超電導
デバイスを作製する場合には、例えば、一定の作動電圧
を有し回路動作の安定性に優れたトンネル型接合が用い
られる。このトンネル型接合は、ＳＩＳ（Ｓは超電導薄
膜、Ｉは絶縁層）からなるサンドイッチ構造となってい
るが、この場合、Ｓ層に上記ビスマス系超電導物質等を
用いると、コヒーレンス長が短いことに起因して、Ｉ層
の厚みを１〜１．５ｎｍ以下に設定する必要を生じる。
デバイスを作製する場合には、例えば、一定の作動電圧
を有し回路動作の安定性に優れたトンネル型接合が用い
られる。このトンネル型接合は、ＳＩＳ（Ｓは超電導薄
膜、Ｉは絶縁層）からなるサンドイッチ構造となってい
るが、この場合、Ｓ層に上記ビスマス系超電導物質等を
用いると、コヒーレンス長が短いことに起因して、Ｉ層
の厚みを１〜１．５ｎｍ以下に設定する必要を生じる。
【０００４】そこで、超電導物質として、Ｂａ0.6Ｋ0.4
ＢｉＯ3という組成からなるコヒーレンス長の長い超電
導物質を用いるようなものが提案されている。この超電
導物質を用いると、転移温度Ｔｃはバルク状態でＴｃ＝
約３０Ｋと若干低く、薄膜の場合には更に低くなるが、
Ｉ層の厚みを約４ｎｍ以下に設定するればよいので、超
電導デバイスの製造が容易となる。
ＢｉＯ3という組成からなるコヒーレンス長の長い超電
導物質を用いるようなものが提案されている。この超電
導物質を用いると、転移温度Ｔｃはバルク状態でＴｃ＝
約３０Ｋと若干低く、薄膜の場合には更に低くなるが、
Ｉ層の厚みを約４ｎｍ以下に設定するればよいので、超
電導デバイスの製造が容易となる。
【０００５】ところで、上記Ｂａ0.6Ｋ0.4ＢｉＯx組成
の超電導薄膜は、ＳｒＴｉＯ3（１１０）からなる基板
に、分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）法またはマグネト
ロンスパッタリングを用いて、この基板上に（１１０）
方向に配向したＢａ0.6Ｋ0.4ＢｉＯ3を形成している。
の超電導薄膜は、ＳｒＴｉＯ3（１１０）からなる基板
に、分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）法またはマグネト
ロンスパッタリングを用いて、この基板上に（１１０）
方向に配向したＢａ0.6Ｋ0.4ＢｉＯ3を形成している。
【０００６】しかしながら、ＳｒＴｉＯ3基板は高価で
あるので、イットリウム系の超電導薄膜の基板として用
いられている安価で誘電率が低いＭｇＯ基板をＢａ0.6
Ｋ0.4ＢｉＯ3組成の超電導薄膜に用いることが考えら
れ、種々の検討がなされいる。
あるので、イットリウム系の超電導薄膜の基板として用
いられている安価で誘電率が低いＭｇＯ基板をＢａ0.6
Ｋ0.4ＢｉＯ3組成の超電導薄膜に用いることが考えら
れ、種々の検討がなされいる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、（１０
０）面または（１１０）面のＭｇＯ基板上に、Ｂａ1-x
ＫxＢｉＯ3を４００℃以下の低温の基板温度で成膜する
と多結晶膜が形成され、配向しないという問題があり、
Ｂａ1-xＫxＢｉＯ3に対しては、ＭｇＯ基板で配向性の
あるエピタキシャル成長はできなかった。
０）面または（１１０）面のＭｇＯ基板上に、Ｂａ1-x
ＫxＢｉＯ3を４００℃以下の低温の基板温度で成膜する
と多結晶膜が形成され、配向しないという問題があり、
Ｂａ1-xＫxＢｉＯ3に対しては、ＭｇＯ基板で配向性の
あるエピタキシャル成長はできなかった。
【０００８】また、Ｂａ1-xＲｂxＢｉＯ3組成の超電導
薄膜においても、Ｂａ1-xＫxＢｉＯ3と同様に安価で誘
電率が低いＭｇＯ基板を用いて、配向性のあるエピタキ
シャル成長膜を形成することが望まれていた。
薄膜においても、Ｂａ1-xＫxＢｉＯ3と同様に安価で誘
電率が低いＭｇＯ基板を用いて、配向性のあるエピタキ
シャル成長膜を形成することが望まれていた。
【０００９】この発明は、係る現状を考慮してなされた
ものであって、生産性を向上しつつＭｇＯ基板を用いて
配向性のある超電導薄膜を提供することを目的としてい
る。
ものであって、生産性を向上しつつＭｇＯ基板を用いて
配向性のある超電導薄膜を提供することを目的としてい
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板として
結晶方位（１１１）面のＭｇＯを用い、この基板の（１
１１）面上にＢａ1-xＫxＢｉＯ3（０．２＜ｘ＜０．
５）組成からなる超電導薄膜を設けたことを特徴とす
る。
結晶方位（１１１）面のＭｇＯを用い、この基板の（１
１１）面上にＢａ1-xＫxＢｉＯ3（０．２＜ｘ＜０．
５）組成からなる超電導薄膜を設けたことを特徴とす
る。
【００１１】また、この発明は、基板として結晶方位
（１１１）面のＭｇＯを用い、この基板の（１１１）面
上にＢａ1-xＲｂxＢｉＯ3（０．２＜ｘ＜０．５）組成
からなる超電導薄膜を設けたことを特徴とする。
（１１１）面のＭｇＯを用い、この基板の（１１１）面
上にＢａ1-xＲｂxＢｉＯ3（０．２＜ｘ＜０．５）組成
からなる超電導薄膜を設けたことを特徴とする。
【００１２】
【作用】基板として結晶方位（１１１）面のＭｇＯを用
いることで、この基板上に形成されるＢａ1-xＫxＢｉＯ
3（０．２＜ｘ＜０．５）又はＢａ1-xＲｂxＢｉＯ
3（０．２＜ｘ＜０．５）組成の薄膜は（１１１）配向
で成長する。従って、ＭｇＯ基板で配向性のあるエピタ
キシャル成長膜が得られる。
いることで、この基板上に形成されるＢａ1-xＫxＢｉＯ
3（０．２＜ｘ＜０．５）又はＢａ1-xＲｂxＢｉＯ
3（０．２＜ｘ＜０．５）組成の薄膜は（１１１）配向
で成長する。従って、ＭｇＯ基板で配向性のあるエピタ
キシャル成長膜が得られる。
【００１３】
【実施例】この発明の一実施例を、図１及び図２に基づ
いて、以下に説明する。
いて、以下に説明する。
【００１４】図１はこの発明の製造方法により作成した
超電導薄膜を用いた超電導デバイスの一例を示す断面図
であり、（１１１）面のＭｇＯ基板上１に、ＳＩＳ（Ｓ
は超電導薄膜、Ｉは絶縁層）から成るサンドイッチ構造
の本体部２が形成された構造となっている。上記Ｓ層３
ａ・３ｂは厚み約１０００Åであって、（１１１）配向
で成長したＢａ0.6Ｋ0.4ＢｉＯ3（ＢＫＢＯ）またはＢ
ａ0.6Ｒｂ0.4ＢｉＯ3（ＢＲＢＯ）から構成される。一
方、上記Ｉ層４は厚み約４ｎｍであって、ＭｇＯから構
成される。
超電導薄膜を用いた超電導デバイスの一例を示す断面図
であり、（１１１）面のＭｇＯ基板上１に、ＳＩＳ（Ｓ
は超電導薄膜、Ｉは絶縁層）から成るサンドイッチ構造
の本体部２が形成された構造となっている。上記Ｓ層３
ａ・３ｂは厚み約１０００Åであって、（１１１）配向
で成長したＢａ0.6Ｋ0.4ＢｉＯ3（ＢＫＢＯ）またはＢ
ａ0.6Ｒｂ0.4ＢｉＯ3（ＢＲＢＯ）から構成される。一
方、上記Ｉ層４は厚み約４ｎｍであって、ＭｇＯから構
成される。
【００１５】ここで、上記構造の超電導デバイスを、以
下のようにして作製した。先ずＢａ0.6Ｋ0.4ＢｉＯ3を
用いた場合につき説明する。
下のようにして作製した。先ずＢａ0.6Ｋ0.4ＢｉＯ3を
用いた場合につき説明する。
【００１６】（１１１）面のＭｇＯ基板１をエチルアル
コール中で超音波洗浄した後、煮沸、乾燥させる。次
に、この洗浄された基板１を、スパッタリングターゲッ
トが装着されたｒｆ−マグネトロンスパッタ装置内に取
付けた後、装置内圧が１０-4〜１０-6Ｐａとなるまで真
空引きを行う。
コール中で超音波洗浄した後、煮沸、乾燥させる。次
に、この洗浄された基板１を、スパッタリングターゲッ
トが装着されたｒｆ−マグネトロンスパッタ装置内に取
付けた後、装置内圧が１０-4〜１０-6Ｐａとなるまで真
空引きを行う。
【００１７】次いで、装置内に、ＡｒガスとＯ2ガスと
を導入する。この際、ＡｒガスとＯ2ガスとの比は５
０：５０に、且つ装置内ガス圧は８０Ｐａとなる様に設
定した。
を導入する。この際、ＡｒガスとＯ2ガスとの比は５
０：５０に、且つ装置内ガス圧は８０Ｐａとなる様に設
定した。
【００１８】この後、装置の正負極間に５０〜１５０Ｗ
の放電電力を印加することによって装置内にプラズマを
発生させた後、装置内の加熱装置により基板１を３００
℃〜４００℃に加熱する。
の放電電力を印加することによって装置内にプラズマを
発生させた後、装置内の加熱装置により基板１を３００
℃〜４００℃に加熱する。
【００１９】しかる後、０．５〜２時間プレスパッタを
行った後、基板１を３００℃〜５００℃に加熱した状態
で、装置内シャッタを開成して本スパッタを開始する。
これにより、Ｓ層３ａの形成が開始される。この際、成
膜速度は、５００Å／ｈｒであるので、約２時間本スパ
ッタを行う。本スパッタ終了後、上記シャッタを閉成し
更にプラズマを消灯させる。このスパッタリングにより
（１１１）面のＭｇＯ基板１上にＢＫＢＯが（１１１）
配向で成長する。この後、Ａｒガスの導入を中止すると
共に、Ｏ2ガスの導入状態を維持する。これにより、基
板１がＯ2ガス雰囲気で冷却されることになる。
行った後、基板１を３００℃〜５００℃に加熱した状態
で、装置内シャッタを開成して本スパッタを開始する。
これにより、Ｓ層３ａの形成が開始される。この際、成
膜速度は、５００Å／ｈｒであるので、約２時間本スパ
ッタを行う。本スパッタ終了後、上記シャッタを閉成し
更にプラズマを消灯させる。このスパッタリングにより
（１１１）面のＭｇＯ基板１上にＢＫＢＯが（１１１）
配向で成長する。この後、Ａｒガスの導入を中止すると
共に、Ｏ2ガスの導入状態を維持する。これにより、基
板１がＯ2ガス雰囲気で冷却されることになる。
【００２０】次いで、上記Ｓ層３ａ上に、スパッタリン
グ法或いは蒸着法により、ＭｇＯ膜（厚さ４ｎｍ）を形
成してＩ層４を形成した後、上記と同様の方法でＩ層上
にＳ層３ｂを形成する。
グ法或いは蒸着法により、ＭｇＯ膜（厚さ４ｎｍ）を形
成してＩ層４を形成した後、上記と同様の方法でＩ層上
にＳ層３ｂを形成する。
【００２１】さて、上記スパッタリングターゲットは、
バリウム化合物（例えば、ＢａＣＯ3、ＢａＯ、Ｂａ
（ＮＯ）2）、カリウム化合物（例えば、ＫＯ2、Ｋ2Ｃ
Ｏ3、ＫＮＯ3）、ビスマス化合物（例えばＢｉ2Ｏ3）を
基板温度に適した所定の割合で混合した後、チッソガス
雰囲気（６００〜７００℃）で２〜５時間、酸素ガス雰
囲気（４００〜５００℃）で２〜５時間焼成し、更に、
１〜３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でプレスすることによって
作製した。
バリウム化合物（例えば、ＢａＣＯ3、ＢａＯ、Ｂａ
（ＮＯ）2）、カリウム化合物（例えば、ＫＯ2、Ｋ2Ｃ
Ｏ3、ＫＮＯ3）、ビスマス化合物（例えばＢｉ2Ｏ3）を
基板温度に適した所定の割合で混合した後、チッソガス
雰囲気（６００〜７００℃）で２〜５時間、酸素ガス雰
囲気（４００〜５００℃）で２〜５時間焼成し、更に、
１〜３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でプレスすることによって
作製した。
【００２２】上記Ｓ層３をＸ線回折法により調べたの
で、その結果を図３に示す。図２から明らかなように、
このＸＲＤパターンにはＢａ0.6Ｋ0.4ＢｉＯ3（１１
１）以外には、ＭｇＯ（１１１）基板によるピークしか
みられずＳ層３は完全に（１１１）方向を向いているこ
とが確認された。また、ピークの幅は単結晶構造の基板
と近似している。このことから、Ｓ層３の膜質が良好で
あることが窺える。
で、その結果を図３に示す。図２から明らかなように、
このＸＲＤパターンにはＢａ0.6Ｋ0.4ＢｉＯ3（１１
１）以外には、ＭｇＯ（１１１）基板によるピークしか
みられずＳ層３は完全に（１１１）方向を向いているこ
とが確認された。また、ピークの幅は単結晶構造の基板
と近似している。このことから、Ｓ層３の膜質が良好で
あることが窺える。
【００２３】また、ＲＨＥＥＤ法によって得られた写真
により、Ｓ層３はエピタキシャル成長していることを確
認した。
により、Ｓ層３はエピタキシャル成長していることを確
認した。
【００２４】次に、Ｂａ0.6Ｒｂ0.4ＢｉＯ3を用いた場
合の超電導デバイスの製造方法につき説明する。
合の超電導デバイスの製造方法につき説明する。
【００２５】前述のＢａ0.6Ｋ0.4ＢｉＯ3と同様に、
（１１１）面のＭｇＯ基板１をエチルアルコール中で超
音波洗浄した後、煮沸、乾燥させる。次に、この洗浄さ
れた基板１を、スパッタリングターゲットが装着された
ｒｆ−マグネトロンスパッタ装置内に取付けた後、装置
内圧が１０-4〜１０-6Ｐａとなるまで真空引きを行う。
（１１１）面のＭｇＯ基板１をエチルアルコール中で超
音波洗浄した後、煮沸、乾燥させる。次に、この洗浄さ
れた基板１を、スパッタリングターゲットが装着された
ｒｆ−マグネトロンスパッタ装置内に取付けた後、装置
内圧が１０-4〜１０-6Ｐａとなるまで真空引きを行う。
【００２６】次いで、装置内に、ＡｒガスとＯ2ガスと
を導入する。この際、ＡｒガスとＯ2ガスとの比は５
０：５０に、且つ装置内ガス圧は８０Ｐａとなる様に設
定した。
を導入する。この際、ＡｒガスとＯ2ガスとの比は５
０：５０に、且つ装置内ガス圧は８０Ｐａとなる様に設
定した。
【００２７】この後、装置の正負極間に５０〜１５０Ｗ
の放電電力を印加することによって装置内にプラズマを
発生させた後、装置内の加熱装置により基板１を３００
℃〜４００℃に加熱する。
の放電電力を印加することによって装置内にプラズマを
発生させた後、装置内の加熱装置により基板１を３００
℃〜４００℃に加熱する。
【００２８】しかる後、０．５〜２時間プレスパッタを
行った後、基板１を３００℃〜５００℃に加熱した状態
で、装置内シャッタを開成して本スパッタを開始する。
これにより、Ｓ層３ａの形成が開始される。この際、成
膜速度は、５００Å／ｈｒであるので、約２時間本スパ
ッタを行う。本スパッタ終了後、上記シャッタを閉成し
更にプラズマを消灯させる。このスパッタリングにより
（１１１）面のＭｇＯ基板１上にＢＲＢＯが（１１１）
配向で成長する。この後、Ａｒガスの導入を中止すると
共に、Ｏ2ガスの導入状態を維持する。これにより、基
板１がＯ2ガス雰囲気で冷却されることになる。
行った後、基板１を３００℃〜５００℃に加熱した状態
で、装置内シャッタを開成して本スパッタを開始する。
これにより、Ｓ層３ａの形成が開始される。この際、成
膜速度は、５００Å／ｈｒであるので、約２時間本スパ
ッタを行う。本スパッタ終了後、上記シャッタを閉成し
更にプラズマを消灯させる。このスパッタリングにより
（１１１）面のＭｇＯ基板１上にＢＲＢＯが（１１１）
配向で成長する。この後、Ａｒガスの導入を中止すると
共に、Ｏ2ガスの導入状態を維持する。これにより、基
板１がＯ2ガス雰囲気で冷却されることになる。
【００２９】次いで、上記Ｓ層３ａ上に、スパッタリン
グ法或いは蒸着法により、ＭｇＯ膜（厚さ４ｎｍ）を形
成してＩ層４を形成した後、上記と同様の方法でＩ層上
にＳ層３ｂを形成する。
グ法或いは蒸着法により、ＭｇＯ膜（厚さ４ｎｍ）を形
成してＩ層４を形成した後、上記と同様の方法でＩ層上
にＳ層３ｂを形成する。
【００３０】上記スパッタリングターゲットは、バリウ
ム化合物（例えば、ＢａＣＯ3、ＢａＯ、Ｂａ（Ｎ
Ｏ）2）、ルビジウム化合物（例えば、ＲｂＯ2、Ｒｂ2
ＣＯ3、ＲｂＮＯ3）、ビスマス化合物（例えばＢｉ
2Ｏ3）を基板温度に適した所定の割合で混合した後、チ
ッソガス雰囲気（６００〜７００℃）で２〜５時間、酸
素ガス雰囲気（４００〜５００℃）で２〜５時間焼成
し、更に、１〜３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でプレスするこ
とによって作製した。
ム化合物（例えば、ＢａＣＯ3、ＢａＯ、Ｂａ（Ｎ
Ｏ）2）、ルビジウム化合物（例えば、ＲｂＯ2、Ｒｂ2
ＣＯ3、ＲｂＮＯ3）、ビスマス化合物（例えばＢｉ
2Ｏ3）を基板温度に適した所定の割合で混合した後、チ
ッソガス雰囲気（６００〜７００℃）で２〜５時間、酸
素ガス雰囲気（４００〜５００℃）で２〜５時間焼成
し、更に、１〜３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でプレスするこ
とによって作製した。
【００３１】上記Ｓ層３をＸ線回折法により調べた結
果、このＸＲＤパターンにはＢａ0.6Ｒｂ0.4ＢｉＯ
3（１１１）以外には、ＭｇＯ（１１１）基板によるピ
ークしかみられずＳ層３は完全に（１１１）方向を向い
ていることが確認された。また、ピークの幅は単結晶構
造の基板と近似している。このことから、Ｓ層３の膜質
が良好であることが窺える。
果、このＸＲＤパターンにはＢａ0.6Ｒｂ0.4ＢｉＯ
3（１１１）以外には、ＭｇＯ（１１１）基板によるピ
ークしかみられずＳ層３は完全に（１１１）方向を向い
ていることが確認された。また、ピークの幅は単結晶構
造の基板と近似している。このことから、Ｓ層３の膜質
が良好であることが窺える。
【００３２】また、ＲＨＥＥＤ法によって得られた写真
により、Ｓ層３はエピタキシャル成長していることを確
認した。
により、Ｓ層３はエピタキシャル成長していることを確
認した。
【００３３】尚、上述した実施例においては、スッパタ
リング法により、Ｂａ0.6Ｋ0.4ＢｉＯ3又はＢａ0.6Ｒｂ
0.4ＢｉＯ3を形成したが、スッパタリング法に限らず、
分子線エピタキシャル法、蒸着法等により、Ｂａ0.6Ｋ
0.4Ｂｉ3Ｏ又はＢａ0.6Ｒｂ0.4ＢｉＯ3膜を（１１１）
方向に同様に形成することができる。
リング法により、Ｂａ0.6Ｋ0.4ＢｉＯ3又はＢａ0.6Ｒｂ
0.4ＢｉＯ3を形成したが、スッパタリング法に限らず、
分子線エピタキシャル法、蒸着法等により、Ｂａ0.6Ｋ
0.4Ｂｉ3Ｏ又はＢａ0.6Ｒｂ0.4ＢｉＯ3膜を（１１１）
方向に同様に形成することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、基板として結晶方位（１１１）面のＭｇＯを用いる
ことで、この基板上に（１１１）配向でＢａ1-XＫXＢｉ
Ｏ3（０．２＜Ｘ＜０．５）又はＢａ1-XＲｂXＢｉＯ
3（０．２＜Ｘ＜０．５）組成の薄膜を成長させること
ができ、ＭｇＯ基板で配向性のあるエピタキシャル成長
膜を得ることができる。
ば、基板として結晶方位（１１１）面のＭｇＯを用いる
ことで、この基板上に（１１１）配向でＢａ1-XＫXＢｉ
Ｏ3（０．２＜Ｘ＜０．５）又はＢａ1-XＲｂXＢｉＯ
3（０．２＜Ｘ＜０．５）組成の薄膜を成長させること
ができ、ＭｇＯ基板で配向性のあるエピタキシャル成長
膜を得ることができる。
【図１】この発明の超電導薄膜（Ｓ層）を用いた超電導
デバイスの一例を示す断面図である。
デバイスの一例を示す断面図である。
【図２】Ｓ層のＸ線回折パターンを示すグラフである。
１ 基板 ２ 本体部 ３ａ Ｓ層 ３ｂ Ｓ層 ４ Ｉ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 和彦 守口市京阪本通２丁目18番地 三洋電機 株式会社内 (72)発明者 善里 順信 守口市京阪本通２丁目18番地 三洋電機 株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−107597（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−114678（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−107581（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 39/00 H01L 39/22 - 39/24
Claims (2)
- 【請求項１】 基板として結晶方位（１１１）面のＭｇ
Ｏを用い、この基板の（１１１）面上にＢａ1-xＫxＢｉ
Ｏ3（０．２＜ｘ＜０．５）組成からなる超電導薄膜を
設けたことを特徴とする超電導デバイス。 - 【請求項２】 基板として結晶方位（１１１）面のＭｇ
Ｏを用い、この基板の（１１１）面上にＢａ1-xＲｂxＢ
ｉＯ3（０．２＜ｘ＜０．５）組成からなる超電導薄膜
を設けたことを特徴とする超電導デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3285620A JP3068917B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 超電導デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3285620A JP3068917B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 超電導デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102537A JPH05102537A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3068917B2 true JP3068917B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=17693890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3285620A Expired - Fee Related JP3068917B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 超電導デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3068917B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP3285620A patent/JP3068917B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05102537A (ja) | 1993-04-23 |
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