JP3065040B2

JP3065040B2 - 成膜方法及び装置

Info

Publication number: JP3065040B2
Application number: JP10308658A
Authority: JP
Inventors: 優一和田; 弘行鎗田; 恒相田; 尚美吉田
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 1998-10-29
Filing date: 1998-10-29
Publication date: 2000-07-12
Anticipated expiration: 2018-10-29
Also published as: JP2000133618A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
の製造プロセス技術に関し、特に、有機金属を主成分と
して含有する液体（有機金属含有液体）を用いて成膜を
行う技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化、微細
化は急速な進展をみせており、現在のサブハーフミクロ
ンからサブクォータミクロンへと着実に移行しようとし
ている。このような次世代の半導体デバイスの開発にお
いては、成膜プロセスが極めて重要となる。

【０００３】また、半導体デバイスの高集積化、微細化
の要請に対応し、配線材料をアルミニウム系から銅系に
転換することが考えられている。現在においても、例え
ば（ｈｆａｃ）Ｃｕ⁺¹（ｔｍｖｓ）のような有機金属
（常温、常圧下では液状）をを気化して処理チャンバに
導入し、当該処理チャンバ内で保持された基板上で熱分
解反応させながら成膜を行うというＭＯＣＶＤ（有機金
属化学気相成長）法が実用化されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＭＯＣ
ＶＤ法は、ステップカバレッジに優れた方法であり、超
薄膜を形成する場合には非常に有効である。しかしなが
ら、ＭＯＣＶＤ法では、処理チャンバ内で気化した有機
金属は排出ポンプの駆動によってチャンバ外部に排出さ
れるため、有機金属の使用効率が極めて悪いという問題
があった。また、成膜に用いられなかったＣｕ等の副生
成物も同様にチャンバ外部に排出されてしまう。しか
も、これらの排出されたガスに基づいて、有機金属を再
生することはできないため、有機金属の使用効率を向上
することはできなかった。特に、有機金属として上述の
（ｈｆａｃ）Ｃｕ⁺¹（ｔｍｖｓ）のような高価な材料を
用いた場合は、有機金属の使用効率が低いと、大幅なコ
ストアップを招くことになる。

【０００５】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、有機金属含有液体を用いる成膜方
法及び装置において、有機金属の使用効率を高くするこ
とができるものを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、有機金属含有液体は液状であっても
加熱することにより熱分解反応を生じて成膜が可能、す
なわち、有機金属含有液体を気化させずに成膜が可能で
あるという知見に基づき、本発明を創案した。

【０００７】ここで、基板を加熱しながら有機金属含有
液体を塗布することも考えられるが、この場合は、有機
金属含有液体が気化する可能性が高いため、有機金属の
使用効率を向上することは困難である。

【０００８】そこで、本発明は、熱分解反応により成膜
材料を析出する有機金属を主成分とした有機金属含有液
体を用意する第１ステップと、有機金属の未反応領域の
温度において、被処理体上に有機金属含有液体を塗布す
る第２ステップと、第２ステップの後、被処理体を所定
温度に加熱し、被処理体上に塗布された有機金属含有液
体中の有機金属を熱分解反応させ膜を被処理体上に形成
する第３ステップと、を含む成膜方法であって、第２ス
テップにおいて、有機金属の未反応領域の温度で、被処
理体に塗布された有機金属含有液体のうち余剰の有機金
属含有液体を回収する回収ステップを備えることを特徴
としている。

【０００９】この方法では、有機金属の未反応領域の温
度において被処理体上に有機金属含有液体を塗布した
後、被処理体を所定温度に加熱することによって被処理
体上に膜が形成される。特に、本発明では、有機金属の
未反応領域の温度において被処理体上に有機金属含有液
体が塗布されるため、有機金属含有液体は気化しない。
そして、被処理体上に有機金属含有液体を塗布した際に
余りが生じるが、当該余剰の有機金属含有液体は、当該
有機金属含有液体が塗布される際に有機金属の未反応領
域の温度において回収されるため、有機金属の使用効率
が向上される。なお、有機金属含有液体の回収は、被処
理体を加熱する前に行えばよい。

【００１０】ここで、有機金属含有液体中の有機金属
は、銅の金属錯体である（ｈｆａｃ）Ｃｕ^＋1（ｔｍｖ
ｓ）又は（ｈｆａｃ）Ｃｕ^＋1（ｔｅｏｖｓ）であり、
この錯体のみから成るものであっても、この錯体とその
溶剤とを混合した液体から成るものであってもよい。な
お、本明細書において、「混合した液体」と表現したの
は、有機金属が溶剤に完全に溶け込んだ場合の他、一部
がサスペンションの状態となっている場合もあるからで
ある。また、「塗布」という表現は、有機金属含有液体
に被処理体を浸漬した場合や噴霧状にとして付着させた
場合等を含む概念である。また、本発明は、第３ステッ
プにおいて、前記被処理体を加熱して熱分解反応を行う
処理チャンバ内の圧力を、有機金属含有液体の自然蒸発
を抑制すべく大気圧よりも高い圧力とすることを特徴と
している。

【００１１】また、上記方法を実施するための成膜装置
としては、（ｈｆａｃ）Ｃｕ^＋1（ｔｍｖｓ）及び（ｈ
ｆａｃ）Ｃｕ^＋1（ｔｅｏｖｓ）からなる群から選択さ
れた有機金属を主成分とした有機金属含有液体を供給す
る供給手段と、供給手段から供給された有機金属含有液
体を被処理体上に塗布する塗布手段と、塗布手段により
有機金属含有液体が塗布された被処理体を所定温度に加
熱する加熱手段と、加熱手段が設けられている処理チャ
ンバ内に配置された被処理体に塗布された有機金属含有
液体の自然蒸発を抑制すべく、処理チャンバ内の圧力を
大気圧よりも高い所定の圧力とするための不活性ガス供
給源と、被処理体に塗布された有機金属含有液体のうち
余剰の有機金属含有液体を回収する回収手段とを備える
ものが好適である。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る複数の好適な実施形態について詳細に説明する。な
お、全図を通し、同一又は相当部分には同一符号を付
し、繰り返しとなる説明は省略する。また、以下の実施
形態では、膜原料として有機金属である（ｈｆａｃ）Ｃ
ｕ⁺¹（ｔｍｖｓ）を用い、半導体基板の表面に銅の薄膜
を形成する場合を想定している。（ｈｆａｃ）Ｃｕ
⁺¹（ｔｍｖｓ）の構造式は下の通りであり、常温、常圧
の環境では液状となっている。また、（ｈｆａｃ）Ｃｕ
⁺¹（ｔｍｖｓ）は粘性が低く、そのままでも以下で述べ
る本発明の成膜方法に適用可能であるが、以下の実施形
態では、取扱性等を考慮して、ヘプタデカンを有機溶剤
として混合させている。以下、この（ｈｆａｃ）Ｃｕ⁺¹
（ｔｍｖｓ）を含む有機金属含有液体を「成膜液」と称
することとする。

【００１３】

【化１】

【００１４】図１は、本発明に係る成膜装置の実施形態
を示している。図示の成膜装置１０は、成膜液を被処理
体である半導体基板Ｗに塗布する処理が行われる第１の
処理チャンバ１２と、基板Ｗ上の有機金属すなわち（ｈ
ｆａｃ）Ｃｕ⁺¹（ｔｍｖｓ）を熱分解する処理が行われ
る第２の処理チャンバ１４とを備えている。

【００１５】第１の処理チャンバ１２と第２の処理チャ
ンバ１４との間はトランスファチャンバ１６により連通
されており、適当な搬送手段（図示せず）により基板Ｗ
を処理チャンバ１２，１４間で受け渡すことが可能とな
っている。図中、符号１８，２０は、処理チャンバ１
２，１４とトランスファチャンバ１６との間を開閉する
スリットバルブである。

【００１６】第１の処理チャンバ１２内には、半導体基
板Ｗを支持するためのターンテーブル２２が配置されて
いる。このターンテーブル２２は、その上面に基板Ｗが
水平に載置され、図示しない真空チャック等の適当な固
定手段により固定されるようになっている。図示のター
ンテーブル２２の直径は基板Ｗの直径よりも小さいが、
これは、基板Ｗよりもターンテーブル２２が大きい場
合、成膜液が基板Ｗのみならずターンテーブル２２の露
出部分に付着し、次続の基板Ｗに対して悪影響を与える
からである。また、ターンテーブル２２は、第１の処理
チャンバ１２の外部に配置された駆動モータ２４により
比較的高速で回転されるよう構成されている。

【００１７】第１の処理チャンバ１２には、更に、成膜
液を基板Ｗの表面に塗布するための塗布装置（塗布手
段）２６が設けられている。塗布装置２６は、第１の処
理チャンバ１２の外部に配置された成膜液の供給系（供
給手段）２８からの成膜液が導入される供給用配管３０
と、この供給用配管３０の上端部から水平方向に延び先
端が下向きのノズル３２とを備えている。供給系２８
は、（ｈｆａｃ）Ｃｕ⁺¹（ｔｍｖｓ）の供給源３４と、
ヘプタデカンの供給源３６と、これらの供給源３４，３
６からの液体を混合して成膜液とする混合装置３８とを
主たる構成要素としている。供給用配管３０は、駆動モ
ータ等のアクチュエータ４０により正逆両方向に回転駆
動可能となっており、これによりノズル３２は供給用配
管３０の軸線を中心にして揺動可能になっている。供給
用配管３０の軸線からノズル３２の先端までの距離は、
供給用配管３０の軸線からターンテーブル２２の回転中
心までの距離とほぼ等しくされているため、ノズル３２
の先端はターンテーブル２２上に支持された基板Ｗの中
心の真上を通過することができる。

【００１８】ターンテーブル２２の近傍にはドレイン管
４２が配置されている。このドレイン管４２の上端の液
受けは、ノズル３２の先端がターンテーブル２２上から
退避された初期位置にあるとき、ノズル３２の先端の直
下となるよう位置決めされている。これにより、ノズル
３２から滴下する成膜液を未反応状態のままで回収系
（図示せず）に回収することが可能となる。

【００１９】また、ターンテーブル２２の周囲には、本
実施形態の特徴であるリング状の樋状部材（回収手段）
４６が配置されている。この樋状部材４６は、基板Ｗか
ら飛散される成膜液を回収するために用いられる。（ｈ
ｆａｃ）Ｃｕ⁺¹（ｔｍｖｓ）は高価な材料であるため、
回収して再利用することが好ましく、樋状部材４６を用
いる手段以外にも、処理チャンバ１２底面に回収口を形
成する等、色々な手段が考えられる。回収後の成膜液
は、そこから（ｈｆａｃ）Ｃｕ⁺¹（ｔｍｖｓ）を再生成
することも可能である。この場合、有機金属を低価格で
製造でき、原料コストの低減に寄与する。また、成膜液
の回収後、フィルタリング処理して、そのまま再使用す
ることも可能である。

【００２０】一方、第２の処理チャンバ１４内にも、基
板Ｗを回転可能に支持するためのターンテーブル４８が
配置されている。このターンテーブル４８は基本的には
第１の処理チャンバ１２におけるターンテーブル２２と
同様な機構であり、駆動モータ５０により回転され、真
空チャック等の適当な手段で基板Ｗを固定することがで
きる。しかしながら、ターンテーブル４８は、第１の処
理チャンバ１２におけるターンテーブル２２よりも低速
で回転される。また、ターンテーブル４８の直径は基板
Ｗの直径よりも大きくされている。このような違いは、
第２の処理チャンバ１２では、基板Ｗの表面で有機金属
を熱分解反応させるので、その反応を均一に行うため等
の理由による。

【００２１】ターンテーブル４８の上方には、ハロゲン
ランプ等の加熱用ランプ５２が石英ガラス板５４を介し
て多数配置されており、これにより、ターンテーブル４
８上で支持された基板Ｗの表面が加熱される。温度制御
は、ターンテーブル４８に取り付けられた熱電対或いは
処理チャンバ１４の天井部に配置されたパイロメータの
ような温度計（図示せず）の出力信号に基づき、マイク
ロコンピュータ等から成る制御装置５６が加熱用ランプ
５２のオンオフや入力電力を調整して行う。

【００２２】なお、図１において、符号５８は、窒素ガ
ス等の不活性ガスの供給源５８であり、第１及び第２の
処理チャンバ１２，１４のそれぞれに不活性ガスを供給
するようになっている。不活性ガス供給源５８からの配
管にはそれぞれ、供給流量を調整するための流量調整弁
６０，６２が配置されている。また、符号６４，６６は
排気ポンプであり、処理チャンバ１２，１４内の大気を
排出するために用いられる。この排気ポンプ６４，６６
及び流量調整弁６０，６２は前述の制御装置５６により
制御される。制御装置５６は、第１実施形態では、更に
ターンテーブル２２，４８の駆動モータ２４，５０、ノ
ズル３２の揺動用のアクチュエータ４０、成膜液の供給
系２８における開閉弁６８，７０，７２や混合装置３
８、質量流量調整装置７４，７６も制御するようになっ
ている。

【００２３】次に、上記構成の成膜装置１０を用いて銅
の成膜を行う工程について説明する。なお、特に述べな
いが、以下の工程は制御装置５６の管理化において自動
的に行われる。

【００２４】まず、第１の処理チャンバ１２内に基板Ｗ
を搬入して、ターンテーブル２２の上面の所定位置に基
板Ｗを配置し固定する。この際、基板Ｗ表面の酸化やそ
の他の反応を防止するために、排気ポンプ６４を駆動す
ると共に、不活性ガス供給源５８から窒素ガス等の不活
性ガスを供給し、第１の処理チャンバ１２内を不活性ガ
ス雰囲気にしておくことが好ましい。

【００２５】次いで、駆動モータ２４を駆動させてター
ンテーブル２２を所定の回転速度で回転させると共に、
ノズル３２の先端を基板Ｗの中心の真上に配置し、成膜
液を成膜液供給系２８から供給用配管３０、ノズル３２
を通して、基板Ｗの表面に流下させる。ターンテーブル
２２は比較的高速で回転するため、基板Ｗ上に供給され
た成膜液は遠心力で周囲に広がり、基板Ｗの表面に成膜
液が塗布される。ターンテーブル２２の回転速度は、成
膜液の粘度等の特性や供給量等によって適正な値に設定
される。また、これと同時に、アクチュエータ４０を駆
動させ、適当なサイクル及び揺動速度でノズル３２を揺
動させるため、基板Ｗの表面全域にわたり、成膜液が均
一な膜厚で且つ均質に塗布される。

【００２６】この間、第１の処理チャンバ１２の内部圧
力を大気圧よりも高く設定してある場合、ガス圧の押込
み効果により、カバレッジが改善され、埋込みを行う場
合には基板Ｗ表面に形成されている溝やコンタクトホー
ル等のホールに成膜液が確実に充填され、ボイドの発生
等の不具合が回避される。また、第１の処理チャンバ１
２内の温度は、有機金属である（ｈｆａｃ）Ｃｕ⁺¹（ｔ
ｍｖｓ）の未反応領域の温度、好ましくは常温としてい
る。

【００２７】基板Ｗ上に供給した成膜液の多くは、遠心
力で基板Ｗの周縁から更に外方に飛散される。これによ
り、基板Ｗの裏面の露出部分に成膜液が回り込むことは
なく、基板裏面での成膜が防止される。基板Ｗの裏面に
膜が形成されると、剥離してパーティクルとなる等の弊
害がある。

【００２８】また、ターンテーブル２２の周囲には、回
収手段である樋状部材４６が設けられているため、飛散
した成膜液は樋状部材４６を通し、適当な回収系を経て
回収され、再利用に供される。これにより、有機金属の
使用効率を向上することができる。

【００２９】このような塗布工程が終了したならば、成
膜液の供給を停止し、ノズル３２の先端をドレイン管４
２の真上の初期位置に戻すと共に、ターンテーブル２２
の回転を停止する。ノズル３２の先端からは成膜液が滴
下する可能性があるが、そのような成膜液はドレイン管
４２の液受け４４により受け取られ、回収される。

【００３０】次いで、スリットバルブ１８，２０を一時
的に開放し、図示しない搬送手段を用いて基板Ｗを第１
の処理チャンバ１２からトランスファチャンバ１６を経
て第２の処理チャンバ１４内に搬送し、ターンテーブル
４８上の所定位置に基板Ｗを配置、固定する。第２の処
理チャンバ１４の内部空気は、前述した塗布工程の間に
既に不活性ガス雰囲気に置換されており、また、内部圧
力は大気圧よりも高めに設定されている。なお、トラン
スファチャンバ１６内も不活性ガスに置換しておくこと
で、基板Ｗを大気に触れさせることなく一連のプロセス
を行うことができ、自然酸化等の弊害を防止することが
できる。

【００３１】基板Ｗが所定位置に配置されたならば、駆
動モータ５０を駆動させてターンテーブル４８を回転さ
せると共に、加熱用ランブ５２を制御して基板Ｗの表面
を所定温度、例えば１５０〜２５０℃に加熱する。これ
により、基板Ｗの表面に塗布された成膜液に含まれる
（ｈｆａｃ）Ｃｕ⁺¹（ｔｍｖｓ）は熱分解反応され、銅
が基板Ｗの表面にて析出し成膜が行われる。（ｈｆａ
ｃ）Ｃｕ⁺¹（ｔｍｖｓ）の熱分解反応を次の通りであ
る。

【００３２】

【化２】

【００３３】この反応において、生成されるＣｕ⁺²（ｈ
ｆａｃ）₂とｔｍｖｓは、熱分解反応時における第２の
処理チャンバ１４の内部温度によりガス化されているた
め、排気ポンプ６６により第２のチャンバ１４から排出
される。有機溶剤であるヘプタデカンも熱により気化し
て排出され、基板Ｗ上に残存することはない。

【００３４】前述したように、成膜液は基板Ｗの表面全
体にわたりほぼ一定の膜厚且つ膜質で塗布されているた
め、形成される銅膜の膜厚及び膜質も一定となる。ま
た、ターンテーブル４８は回転しているため、加熱用ラ
ンプ５２の設置位置に起因する温度分布の不均一が防止
され、加えて、基板Ｗの裏面全体がターンテーブル４８
に接しているで、ターンテーブル４８を通しての基板Ｗ
の放熱も全面にわたりほぼ一定となる。よって、熱分解
反応も基板表面の全体にわたり均一に行われることにな
り、これも面内膜厚や膜質の均一性向上に寄与してい
る。更に、この実施形態では、第２の処理チャンバ１４
内の圧力が大気圧よりも高くされているが、これにより
成膜液の沸点が高められている。このため、熱分解反応
中に成膜液の表面からの自然蒸発が抑制され、安定した
熱分解反応が行われる。熱分解反応工程が終了したなら
ば、第２の処理チャンバ１４から基板Ｗを搬出し、成膜
工程を完了する。

【００３５】このように、塗布工程と熱分解反応工程と
を分離して行うことで、膜厚及び膜質の面内均一性に優
れた銅の薄膜が得られ、しかも、熱分解反応工程の前に
行われる塗布工程が未反応領域の温度で行われることか
ら成膜液が気化せず、樋状部材（回収手段）４６によっ
て余剰の成膜液を回収することができ、経済性にも優れ
ている。

【００３６】以上、本発明の一実施形態について詳細に
説明したが、本発明の範囲から逸脱することなく、種々
の変形や変更を行うことができる。例えば、上記実施形
態ではノズル３２が揺動可能な構成となっているが、図
２に示すように、直動機構８０により直線的に往復動さ
せてもよい。

【００３７】更に、塗布装置の別の形態としては、図３
に示すような浸漬型のものもある。図３の塗布装置２２
６は、図１に示す供給系２８から供給される成膜液が貯
蔵される液槽２００を備えている。この液槽２００に対
して基板Ｗを上方から降ろし、液槽２００内の成膜液に
基板Ｗの表面を浸す必要があるため、ターンテーブル２
２は、上記実施形態のものとは異なり、下向きに配置さ
れ、処理チャンバ１２の天井部から上下動可能に垂下さ
れている。このターンテーブル２２はリング状のクラン
プ２０２を有しており、クランプ２０２とターンテーブ
ル２２の支持面との間で基板Ｗの周縁部を挟持すること
ができる。クランプ２０２及びターンテーブル２２の基
板Ｗに対する密着性を高めた場合には、接触部分に成膜
液が浸透することはなく、基板Ｗのベベル部及び裏面の
成膜液付着を防止することができる。なお、単に基板Ｗ
を下降させて成膜液に浸したとしても、塗布ないし付着
の効率はあまり良好とは言えず、ターンテーブル２２を
回転させることが好ましい。また、ターンテーブル２２
に代えて回転しない基板支持手段を用いた場合には、振
動を基板支持手段に与えたり、成膜液に与えたりするこ
とで、均一な塗布や埋込み性を向上させることができ
る。

【００３８】この変形例では、基板Ｗを引き上げた後、
液槽２００に余剰の成膜液が戻って成膜液が回収される
ため、成膜液の使用量を低減することができる。すなわ
ち、液槽２００は、成膜液の貯蔵槽としての役割のほ
か、成膜液の回収手段としての役割を担っている。この
変形例の場合も、基板Ｗが加熱される前に成膜液が回収
されるため、成膜液を再利用することができる。成膜液
の基板Ｗに対する密着性や浸潤性等の塗布特性は、成膜
液の粘性や下層の材質により大きく依存するが、この浸
漬型の塗布装置２２６を用いた場合には、粘性等の依存
要因を考慮せずとも、基板Ｗ上への成膜液の塗布を効率
よく行うことができる。

【００３９】なお、第２の処理チャンバ１４における熱
分解反応のための加熱手段も、加熱用ランプ５２に限ら
れない。例えば、抵抗電熱器、誘導加熱装置、オイルヒ
ータを基板支持手段たるターンテーブルや他のサセプタ
等に内蔵したものであってもよい。

【００４０】以上、本発明の好適な実施形態について説
明したが、本発明は上記の色々な実施形態に限定されな
いことは言うまでもない。例えば、上記実施形態では、
成膜液は、銅のケトナト系金属錯体の一つである（ｈｆ
ａｃ）Ｃｕ⁺¹（ｔｍｖｓ）及び脂肪族飽和炭化水素の一
つであるヘプタデカンを混合した液体であるが、有機金
属は（ｈｆａｃ）Ｃｕ⁺¹（ｔｅｏｖｓ）のような他の銅
のケトナト系金属錯体、他の材料を成膜する場合には銅
のケトナト系金属錯体以外の有機金属とすることができ
る。さらに、銅のケトナト系金属錯体に対する有機溶剤
についても、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカ
ン等の他の脂肪族飽和炭化水素を用いることができ、銅
のケトナト系金属錯体以外の有機金属に対しては、その
他の溶剤を使用することができる。尚、成膜液は、有機
金属単独であってもよい。

【００４１】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、有
機金属の未反応領域の温度において被処理体上に有機金
属含有液体（成膜液）が塗布されるため、有機金属含有
液体は気化しない。そして、上記未反応領域の温度にお
いて、余剰の有機金属含有液体が回収手段によって回収
されるため、有機金属の使用効率を向上することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る成膜装置を示す概略説明図であ
る。

【図２】図１の成膜装置における塗布装置の変形例を概
略的に示す断面部分図である。

【図３】図１の成膜装置における塗布装置の他の変形例
を概略的に示す断面図である。

【符号の説明】

１０…成膜装置、１２…第１の処理チャンバ、１４…第
２の処理チャンバ、１６…トランスファチャンバ、２２
…ターンテーブル、２６…塗布装置、２８…成膜液供給
系、３２…ノズル、４２…ドレイン管、４６…樋状部材
（回収手段）、４８…ターンテーブル、５２…加熱用ラ
ンプ、５６…制御装置、２００…液槽（回収手段）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鎗田弘行千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内アプライドマテリアルズジャパン株式会社内 (72)発明者相田恒千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内アプライドマテリアルズジャパン株式会社内 (72)発明者吉田尚美千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内アプライドマテリアルズジャパン株式会社内 (56)参考文献特開平４−53132（ＪＰ，Ａ) 特開平９−45773（ＪＰ，Ａ) 特開平８−168714（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−82728（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/288 C23C 18/02 H01L 21/3205 H01L 21/027

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】（ｈｆａｃ）Ｃｕ^＋1（ｔｍｖｓ）及び
（ｈｆａｃ）Ｃｕ^＋1（ｔｅｏｖｓ）からなる群から選
択された有機金属を主成分とした有機金属含有液体を用
意する第１ステップと、前記有機金属の未反応領域の温度において、被処理体上
に前記有機金属含有液体を塗布する第２ステップと、前記第２ステップの後、前記被処理体を所定温度に加熱
し、前記被処理体上に塗布された前記有機金属含有液体
中の前記有機金属を熱分解反応させ銅膜を前記被処理体
上に形成する第３ステップと、を含み、前記第２ステップにおいて、前記有機金属の未反応領域
の温度で、前記被処理体に塗布された前記有機金属含有
液体のうち余剰の前記有機金属含有液体を回収し、前記第３ステップにおいて、前記被処理体を加熱して熱
分解反応を行う処理チャンバ内の圧力を、前記有機金属
含有液体の自然蒸発を抑制すべく大気圧よりも高い所定
の圧力とすることを特徴とする成膜方法。
【請求項２】（ｈｆａｃ）Ｃｕ^＋1（ｔｍｖｓ）及び
（ｈｆａｃ）Ｃｕ^＋1（ｔｅｏｖｓ）からなる群から選
択された有機金属を主成分とした有機金属含有液体を用
意する第１ステップと、前記有機金属の未反応領域の温度において、被処理体上
に前記有機金属含有液体を塗布する第２ステップと、前記第２ステップの後、前記被処理体を所定温度に加熱
し、前記被処理体上に塗布された前記有機金属含有液体
中の前記有機金属を熱分解反応させ銅膜を前記被処理体
上に形成する第３ステップと、を含み、前記第３ステップの前に、前記有機金属の未反応領域の
温度で、前記被処理体に塗布された前記有機金属含有液
体のうち余剰の前記有機金属含有液体を回収し、前記第３ステップにおいて、前記被処理体を加熱して熱
分解反応を行う処理チャンバ内の圧力を、前記有機金属
含有液体の自然蒸発を抑制すべく大気圧よりも高い所定
の圧力とすることを特徴とする成膜方法。
【請求項３】（ｈｆａｃ）Ｃｕ^＋1（ｔｍｖｓ）及び
（ｈｆａｃ）Ｃｕ^＋1（ｔｅｏｖｓ）からなる群から選
択された有機金属を主成分とした有機金属含有液体を供
給する供給手段と、前記供給手段から供給された前記有機金属含有液体を被
処理体上に塗布する塗布手段と、前記塗布手段により前記有機金属含有液体が塗布された
前記被処理体を所定温度に加熱する加熱手段と、前記加熱手段が設けられている処理チャンバ内に配置さ
れた前記被処理体に塗布された前記有機金属含有液体の
自然蒸発を抑制すべく、前記処理チャンバ内の圧力を大
気圧よりも高い所定の圧力とするための不活性ガス供給
源と、前記被処理体に塗布された前記有機金属含有液体のうち
余剰の前記有機金属含有液体を回収する回収手段とを備
える成膜装置。