JP3064863B2 - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、共振器の内導体と静電
結合する入出力電極を外導体から区画する誘電体素地が
露出したギャップの大きさを、実装面と側面において相
違させた誘電体フィルタに関する。
結合する入出力電極を外導体から区画する誘電体素地が
露出したギャップの大きさを、実装面と側面において相
違させた誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のブロックタイプＴＥＭモ−ド誘電
体フィルタの構造を図８に示す。この図８に示すＴＥＭ
モ−ド誘電体フィルタは、誘電体ブロック２０の対向す
る一対の端面間に二つの内導体被覆共振器孔により二つ
の共振器２０ａ、２０ｂが設けられている。これらの共
振器２０ａ、２０ｂの内導体と静電結合する入出力電極
２１、２１は、実装面（図において、上面が実装面を示
す）においては誘電体素地の露出したギャップ２１ａｇ
により、側面においてはギャップ２１ｂｇによりそれぞ
れ外導体から区画されている。この入出力電極２１は、
実装面において電極部分２１ａ、側面において電極部分
２１ｂで示すように、実装面と側面に跨がって設けられ
ている。
体フィルタの構造を図８に示す。この図８に示すＴＥＭ
モ−ド誘電体フィルタは、誘電体ブロック２０の対向す
る一対の端面間に二つの内導体被覆共振器孔により二つ
の共振器２０ａ、２０ｂが設けられている。これらの共
振器２０ａ、２０ｂの内導体と静電結合する入出力電極
２１、２１は、実装面（図において、上面が実装面を示
す）においては誘電体素地の露出したギャップ２１ａｇ
により、側面においてはギャップ２１ｂｇによりそれぞ
れ外導体から区画されている。この入出力電極２１は、
実装面において電極部分２１ａ、側面において電極部分
２１ｂで示すように、実装面と側面に跨がって設けられ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
誘電体フィルタは、その入出力電極２１ａ、２１ｂが、
共振器２０ａ、２０ｂの中心軸をそれぞれ通る面に対
し、対称に配置されておらず、外導体からギャップ２１
ａｇ、２１ｂｇにより隔てられて、誘電体ブロック２０
の実装面と側面とに跨がって設けられているので、図９
に示すように、ＴＥＭモ−ド誘電体フィルタの中心周波
数（ｆ0 ）の２倍ぐらいの所にＴＥ101 モ−ドのスプリ
アスが発生する。なお、図８において、誘電体ブロック
２０の周囲の破線はＴＥ101 モ−ドの磁界で、これが共
振してスプリアスの原因となっている。なお、ＴＥ101
モ−ドとは、進行方向に対し磁界のみを持っているＴＥ
モ−ドの最低次モ−ドのことである。
誘電体フィルタは、その入出力電極２１ａ、２１ｂが、
共振器２０ａ、２０ｂの中心軸をそれぞれ通る面に対
し、対称に配置されておらず、外導体からギャップ２１
ａｇ、２１ｂｇにより隔てられて、誘電体ブロック２０
の実装面と側面とに跨がって設けられているので、図９
に示すように、ＴＥＭモ−ド誘電体フィルタの中心周波
数（ｆ0 ）の２倍ぐらいの所にＴＥ101 モ−ドのスプリ
アスが発生する。なお、図８において、誘電体ブロック
２０の周囲の破線はＴＥ101 モ−ドの磁界で、これが共
振してスプリアスの原因となっている。なお、ＴＥ101
モ−ドとは、進行方向に対し磁界のみを持っているＴＥ
モ−ドの最低次モ−ドのことである。
【０００４】したがって、本発明は、このＴＥ101 モ−
ドのスプリアス周波数のレベルを低減させた誘電体フィ
ルタを提供することを目的とする。
ドのスプリアス周波数のレベルを低減させた誘電体フィ
ルタを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
発明は、誘電体ブロックの対向する一対の端面間に内導
体被覆貫通共振器孔により共振器が形成され、前記誘電
体ブロックの実装面と側面とに跨がって形成されている
入出力電極がそれぞれ誘電体素地の露出した別々のギャ
ップにより外導体から電気的に絶縁されて形成され、該
入出力電極が前記共振器の内導体と静電結合している誘
電体フィルタにおいて、前記入出力電極の実装面側及び
側面側のそれぞれの形状は矩形であり、また前記ギャッ
プの実装面側及び側面側のそれぞれの外郭形状は矩形で
かつ幅方向に線対称であり、さらに前記実装面側と側面
側のギャップの幅方向の間隔を異ならせることにより、
前記実装面側と側面側とのギャップの大きさを相違さ
せ、ＴＥ１０１モードのスプリアスレベルを低減したこ
とを特徴とする。
発明は、誘電体ブロックの対向する一対の端面間に内導
体被覆貫通共振器孔により共振器が形成され、前記誘電
体ブロックの実装面と側面とに跨がって形成されている
入出力電極がそれぞれ誘電体素地の露出した別々のギャ
ップにより外導体から電気的に絶縁されて形成され、該
入出力電極が前記共振器の内導体と静電結合している誘
電体フィルタにおいて、前記入出力電極の実装面側及び
側面側のそれぞれの形状は矩形であり、また前記ギャッ
プの実装面側及び側面側のそれぞれの外郭形状は矩形で
かつ幅方向に線対称であり、さらに前記実装面側と側面
側のギャップの幅方向の間隔を異ならせることにより、
前記実装面側と側面側とのギャップの大きさを相違さ
せ、ＴＥ１０１モードのスプリアスレベルを低減したこ
とを特徴とする。
【０００６】本発明の請求項２に係る発明は、誘電体ブ
ロックの対向する一対の端面間に内導体被覆貫通共振器
孔により共振器が形成され、前記誘電体ブロックの実装
面と側面とに跨がって形成されている入出力電極がそれ
ぞれ誘電体素地の露出した別々のギャップにより外導体
から電気的に絶縁されて形成され、該入出力電極が前記
共振器の内導体と静電結合している誘電体フィルタにお
いて、前記入出力電極の実装面側及び側面側のそれぞれ
の形状は矩形であり、また前記ギャップの実装面側及び
側面側のそれぞれの外郭形状は矩形であり、さらに前記
実装面側と側面側のギャップの長さ方向の間隔を異なら
せることにより、前記実装面側と側面側とのギャップの
大きさを相違させ、ＴＥ１０１モードのスプリアスレベ
ルを低減したことを特徴とする。
ロックの対向する一対の端面間に内導体被覆貫通共振器
孔により共振器が形成され、前記誘電体ブロックの実装
面と側面とに跨がって形成されている入出力電極がそれ
ぞれ誘電体素地の露出した別々のギャップにより外導体
から電気的に絶縁されて形成され、該入出力電極が前記
共振器の内導体と静電結合している誘電体フィルタにお
いて、前記入出力電極の実装面側及び側面側のそれぞれ
の形状は矩形であり、また前記ギャップの実装面側及び
側面側のそれぞれの外郭形状は矩形であり、さらに前記
実装面側と側面側のギャップの長さ方向の間隔を異なら
せることにより、前記実装面側と側面側とのギャップの
大きさを相違させ、ＴＥ１０１モードのスプリアスレベ
ルを低減したことを特徴とする。
【０００７】本発明の請求項３に係る発明は、誘電体ブ
ロックの対向する一対の端面間に内導体被覆貫通共振器
孔により共振器が形成され、前記誘電体ブロックの実装
面と側面とに跨がって形成されている入出力電極がそれ
ぞれ誘電体素地の露出した別々のギャップにより外導体
から電気的に絶縁されて形成され、該入出力電極が前記
共振器の内導体と静電結合している誘電体フィルタにお
いて、前記入出力電極の実装面側及び側面側のそれぞれ
の形状は矩形であり、また前記ギャップの実装面側と側
面側のそれぞれの外郭形状は矩形を組み合わせた多角形
でかつ幅方向に線対称であり、さらに前記実装面側と側
面側のギャップの外郭形状を異ならせることにより、前
記実装面側と側面側とのギャップの大きさを相違させ、
ＴＥ１０１モードのスプリアスレベルを低減したことを
特徴とする。
ロックの対向する一対の端面間に内導体被覆貫通共振器
孔により共振器が形成され、前記誘電体ブロックの実装
面と側面とに跨がって形成されている入出力電極がそれ
ぞれ誘電体素地の露出した別々のギャップにより外導体
から電気的に絶縁されて形成され、該入出力電極が前記
共振器の内導体と静電結合している誘電体フィルタにお
いて、前記入出力電極の実装面側及び側面側のそれぞれ
の形状は矩形であり、また前記ギャップの実装面側と側
面側のそれぞれの外郭形状は矩形を組み合わせた多角形
でかつ幅方向に線対称であり、さらに前記実装面側と側
面側のギャップの外郭形状を異ならせることにより、前
記実装面側と側面側とのギャップの大きさを相違させ、
ＴＥ１０１モードのスプリアスレベルを低減したことを
特徴とする。
【０００８】本発明の請求項４に係る発明は、誘電体ブ
ロックの対向する一対の端面間に内導体被覆貫通共振器
孔により共振器が形成され、前記誘電体ブロックの実装
面と側面とに跨がって形成されている入出力電極がそれ
ぞれ誘電体素地の露出した別々のギャップにより外導体
から電気的に絶縁されて形成され、該入出力電極が前記
共振器の内導体と静電結合している誘電体フィルタにお
いて、前記入出力電極の実装面側と側面側のそれぞれの
形状は矩形であり、また前記ギャップの実装面側と側面
側の外郭の大きさは同一であり、さらに前記実装面側と
側面側の入出力電極の大きさを異ならせることにより、
前記実装面側と側面側とのギャップの大きさを相違さ
せ、ＴＥ１０１モードのスプリアスレベルを低減したこ
とを特徴とする。
ロックの対向する一対の端面間に内導体被覆貫通共振器
孔により共振器が形成され、前記誘電体ブロックの実装
面と側面とに跨がって形成されている入出力電極がそれ
ぞれ誘電体素地の露出した別々のギャップにより外導体
から電気的に絶縁されて形成され、該入出力電極が前記
共振器の内導体と静電結合している誘電体フィルタにお
いて、前記入出力電極の実装面側と側面側のそれぞれの
形状は矩形であり、また前記ギャップの実装面側と側面
側の外郭の大きさは同一であり、さらに前記実装面側と
側面側の入出力電極の大きさを異ならせることにより、
前記実装面側と側面側とのギャップの大きさを相違さ
せ、ＴＥ１０１モードのスプリアスレベルを低減したこ
とを特徴とする。
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【作用】ＴＥＭモ−ド誘電体フィルタにおいて、ＴＥ
101 モ−ドのスプリアス周波数を移動させて、所定帯域
のスプリアスレベルを低減する手段として、誘電体ブロ
ックの側面においてはギャップの広狭によりＴＥ101 モ
−ドの磁界成分の漏れ量を加減して行い、実装面におい
てはギャップの広狭により実効誘電率を加減して行う。
101 モ−ドのスプリアス周波数を移動させて、所定帯域
のスプリアスレベルを低減する手段として、誘電体ブロ
ックの側面においてはギャップの広狭によりＴＥ101 モ
−ドの磁界成分の漏れ量を加減して行い、実装面におい
てはギャップの広狭により実効誘電率を加減して行う。
【００１２】誘電体ブロックの側面に形成されたギャッ
プの大きさに対するＴＥ101 モ−ドのスプリアス周波数
の関係は、図６のようになる。また、実装面に形成され
たギャップの大きさに対するＴＥ101 モ−ドのスプリア
ス周波数の関係は、図７のようになる。本発明は、この
二つの作用を利用して、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス周
波数を移動させ、かつ、スプリアスのレベルの低減を図
るものである。
プの大きさに対するＴＥ101 モ−ドのスプリアス周波数
の関係は、図６のようになる。また、実装面に形成され
たギャップの大きさに対するＴＥ101 モ−ドのスプリア
ス周波数の関係は、図７のようになる。本発明は、この
二つの作用を利用して、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス周
波数を移動させ、かつ、スプリアスのレベルの低減を図
るものである。
【００１３】更に詳述すると、図６において、誘電体ブ
ロックの側面において、ギャップを小さくすると、ギャ
ップを通る漏れ磁界が少なくなるため、前記スプリアス
周波数は大きくなる。また、ギャップを大きくすると、
ギャップを通る漏れ磁界が多くなるため、前記スプリア
ス周波数は小さくなる。
ロックの側面において、ギャップを小さくすると、ギャ
ップを通る漏れ磁界が少なくなるため、前記スプリアス
周波数は大きくなる。また、ギャップを大きくすると、
ギャップを通る漏れ磁界が多くなるため、前記スプリア
ス周波数は小さくなる。
【００１４】一方、図７において、誘電体ブロックの実
装面のギャップを小さくすると、実効誘電率が大きくな
り、前記スプリアス周波数は小さくなる。また、実装面
のギャップを大きくすると、実効誘電率が小さくなり、
前記スプリアス周波数は大きくなる。
装面のギャップを小さくすると、実効誘電率が大きくな
り、前記スプリアス周波数は小さくなる。また、実装面
のギャップを大きくすると、実効誘電率が小さくなり、
前記スプリアス周波数は大きくなる。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は第１実施例を示すもので、１０は
誘電体ブロックである。この誘電体ブロック１０には、
対向する一対の端面間に内導体被覆貫通共振器孔により
共振器１０ａ、１０ｂが設けられている。１は入出力電
極で、誘電体ブロック１０の実装面（図において、上
面）と側面に跨がって形成され、実装面の電極部分１ａ
と側面の電極部分１ｂとからなる。これらの電極部分１
ａと１ｂは同一形状に形成されている。実装面の電極部
分１ａはギャップ１ａｇにより、また、側面の電極部分
１ｂは、ギャップ１ｂｇにより、それぞれ外導体から電
気的に絶縁されている。誘電体ブロック１０の外面はこ
れらのギャップ１ａｇ、１ｂｇ部分を除いて主として外
導体で被覆されている。
して説明する。図１は第１実施例を示すもので、１０は
誘電体ブロックである。この誘電体ブロック１０には、
対向する一対の端面間に内導体被覆貫通共振器孔により
共振器１０ａ、１０ｂが設けられている。１は入出力電
極で、誘電体ブロック１０の実装面（図において、上
面）と側面に跨がって形成され、実装面の電極部分１ａ
と側面の電極部分１ｂとからなる。これらの電極部分１
ａと１ｂは同一形状に形成されている。実装面の電極部
分１ａはギャップ１ａｇにより、また、側面の電極部分
１ｂは、ギャップ１ｂｇにより、それぞれ外導体から電
気的に絶縁されている。誘電体ブロック１０の外面はこ
れらのギャップ１ａｇ、１ｂｇ部分を除いて主として外
導体で被覆されている。
【００１６】ギャップ１ａｇ、１ｂｇは、電極部分１
ａ、１ｂの幅方向の間隔が、異なっている。即ち、ギャ
ップ１ａｇの幅方向間隔ａは、ギャップ１ｂｇの幅方向
間隔ｂよりも、小さくなっている。
ａ、１ｂの幅方向の間隔が、異なっている。即ち、ギャ
ップ１ａｇの幅方向間隔ａは、ギャップ１ｂｇの幅方向
間隔ｂよりも、小さくなっている。
【００１７】本実施例は、実装面のギャップ１ａｇより
も側面のギャップ１ｂｇを相対的に大きくすることによ
って、図６に示すように、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス
周波数を小さい方に動かして、所定帯域のスプリアス強
度を低減するものである。なお、場合によっては、上記
実施例とは逆に、ギャップ１ａｇをギャップ１ｂｇより
も大きくして、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス周波数を大
きい方に動かして、所定帯域のスプリアス強度を低減し
てもよい。
も側面のギャップ１ｂｇを相対的に大きくすることによ
って、図６に示すように、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス
周波数を小さい方に動かして、所定帯域のスプリアス強
度を低減するものである。なお、場合によっては、上記
実施例とは逆に、ギャップ１ａｇをギャップ１ｂｇより
も大きくして、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス周波数を大
きい方に動かして、所定帯域のスプリアス強度を低減し
てもよい。
【００１８】図２は第２実施例を示すもので、第１実施
例に相当する部分には、同一番号を付してその説明を省
略する。入出力電極２の実装面の電極部分２ａと側面の
電極部分２ｂとは、同一形状である。実装面のギャップ
２ａｇは、電極部分２ａの長さ方向の間隔ｃが、側面の
ギャップ２ｂｇの電極部分２ｂの長さ方向の間隔ｄより
も、大きく形成されている。
例に相当する部分には、同一番号を付してその説明を省
略する。入出力電極２の実装面の電極部分２ａと側面の
電極部分２ｂとは、同一形状である。実装面のギャップ
２ａｇは、電極部分２ａの長さ方向の間隔ｃが、側面の
ギャップ２ｂｇの電極部分２ｂの長さ方向の間隔ｄより
も、大きく形成されている。
【００１９】本実施例は、実装面のギャップ２ａｇを側
面のギャップ２ｂｇよりも相対的に大きくすることによ
って、図６および図７に示すように、ＴＥ101 モ−ドの
スプリアス周波数を大きい方に動かして、所定帯域のス
プリアス強度を低減するものである。なお、場合によっ
ては、上記実施例とは逆に、ギャップ２ａｇをギャップ
２ｂｇよりも小さくして、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス
周波数を小さい方に動かして、所定帯域のスプリアス強
度を低減してもよい。
面のギャップ２ｂｇよりも相対的に大きくすることによ
って、図６および図７に示すように、ＴＥ101 モ−ドの
スプリアス周波数を大きい方に動かして、所定帯域のス
プリアス強度を低減するものである。なお、場合によっ
ては、上記実施例とは逆に、ギャップ２ａｇをギャップ
２ｂｇよりも小さくして、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス
周波数を小さい方に動かして、所定帯域のスプリアス強
度を低減してもよい。
【００２０】図３は第３実施例を示すもので、第１実施
例に相当する部分には、同一番号を付してその説明を省
略する。入出力電極３の実装面の電極部分３ａと側面の
電極部分３ｂとは、同一形状である。本実施例は、実装
面のギャップ３ａｇおよび側面のギャップ３ｂｇを多角
形状となし、そして実装面のギャップ３ａｇの大きさを
側面のギャップ３ｂｇの大きさよりも大きくしたのであ
る。
例に相当する部分には、同一番号を付してその説明を省
略する。入出力電極３の実装面の電極部分３ａと側面の
電極部分３ｂとは、同一形状である。本実施例は、実装
面のギャップ３ａｇおよび側面のギャップ３ｂｇを多角
形状となし、そして実装面のギャップ３ａｇの大きさを
側面のギャップ３ｂｇの大きさよりも大きくしたのであ
る。
【００２１】本実施例は、実装面のギャップ３ａｇを側
面のギャップ３ｂｇよりも相対的に大きくすることによ
って、図６および図７に示すように、ＴＥ101 モ−ドの
スプリアス周波数を大きい方に動かして、所定帯域のス
プリアス強度を低減するものである。なお、場合によっ
ては、上記実施例とは逆に、ギャップ３ａｇをギャップ
３ｂｇよりも小さくして、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス
周波数を小さい方に動かして、所定帯域のスプリアス強
度を低減してもよい。
面のギャップ３ｂｇよりも相対的に大きくすることによ
って、図６および図７に示すように、ＴＥ101 モ−ドの
スプリアス周波数を大きい方に動かして、所定帯域のス
プリアス強度を低減するものである。なお、場合によっ
ては、上記実施例とは逆に、ギャップ３ａｇをギャップ
３ｂｇよりも小さくして、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス
周波数を小さい方に動かして、所定帯域のスプリアス強
度を低減してもよい。
【００２２】図４は第４実施例を示すもので、第１実施
例に相当する部分には、同一番号を付してその説明を省
略する。本実施例は、実装面のギャップ４ａｇと側面の
ギャップ４ｂｇの外郭の大きさを同じにして、その中に
形成される入出力電極４の実装面の電極部分４ａと側面
の電極部分４ｂの大きさを相違させたものである。即
ち、電極部分４ａの幅と長さを小さく形成し、これに対
し電極部分４ｂの幅と長さを相対的に大きく形成して、
ギャップ４ａｇの実効面積をギャップ４ｂｇの実効面積
よりも大きく形成したものである。
例に相当する部分には、同一番号を付してその説明を省
略する。本実施例は、実装面のギャップ４ａｇと側面の
ギャップ４ｂｇの外郭の大きさを同じにして、その中に
形成される入出力電極４の実装面の電極部分４ａと側面
の電極部分４ｂの大きさを相違させたものである。即
ち、電極部分４ａの幅と長さを小さく形成し、これに対
し電極部分４ｂの幅と長さを相対的に大きく形成して、
ギャップ４ａｇの実効面積をギャップ４ｂｇの実効面積
よりも大きく形成したものである。
【００２３】本実施例は、実装面のギャップ４ａｇを側
面のギャップ４ｂｇよりも相対的に大きくすることによ
って、図６および図７に示すように、ＴＥ101 モ−ドの
スプリアス周波数を大きい方に動かして、所定帯域のス
プリアス強度を低減するものである。なお、場合によっ
ては、上記実施例とは逆に電極部分４ａを電極部分４ｂ
より大きく形成することにより、ギャップ４ａｇをギャ
ップ４ｂｇよりも小さくして、ＴＥ101 モ−ドのスプリ
アス周波数を小さい方に動かして、所定帯域のスプリア
ス強度を低減してもよい。
面のギャップ４ｂｇよりも相対的に大きくすることによ
って、図６および図７に示すように、ＴＥ101 モ−ドの
スプリアス周波数を大きい方に動かして、所定帯域のス
プリアス強度を低減するものである。なお、場合によっ
ては、上記実施例とは逆に電極部分４ａを電極部分４ｂ
より大きく形成することにより、ギャップ４ａｇをギャ
ップ４ｂｇよりも小さくして、ＴＥ101 モ−ドのスプリ
アス周波数を小さい方に動かして、所定帯域のスプリア
ス強度を低減してもよい。
【００２４】図５は第５実施例を示すもので、第１実施
例に相当する部分には、同一番号を付してその説明を省
略する。本実施例も、第４実施例と同様に、実装面のギ
ャップ５ａｇと側面のギャップ５ｂｇとの外郭の大きさ
を同じにして、入出力電極５の実装面の電極部分５ａと
側面の電極部分５ｂとを多角形状となし、そして電極部
分５ａの面積の大きさを、電極部分５ｂの面積の大きさ
よりも小さくしたのである。
例に相当する部分には、同一番号を付してその説明を省
略する。本実施例も、第４実施例と同様に、実装面のギ
ャップ５ａｇと側面のギャップ５ｂｇとの外郭の大きさ
を同じにして、入出力電極５の実装面の電極部分５ａと
側面の電極部分５ｂとを多角形状となし、そして電極部
分５ａの面積の大きさを、電極部分５ｂの面積の大きさ
よりも小さくしたのである。
【００２５】本実施例は、実装面のギャップ５ａｇを側
面のギャップ５ｂｇよりも相対的に大きくすることによ
って、図６および図７に示すように、ＴＥ101 モ−ドの
スプリアス周波数を大きくして、所定帯域のスプリアス
強度を低減するものである。なお、場合によっては、上
記実施例とは逆に、ギャップ５ａｇをギャップ５ｂｇよ
りも小さくして、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス周波数を
小さくして、所定帯域のスプリアス強度を低減してもよ
い。
面のギャップ５ｂｇよりも相対的に大きくすることによ
って、図６および図７に示すように、ＴＥ101 モ−ドの
スプリアス周波数を大きくして、所定帯域のスプリアス
強度を低減するものである。なお、場合によっては、上
記実施例とは逆に、ギャップ５ａｇをギャップ５ｂｇよ
りも小さくして、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス周波数を
小さくして、所定帯域のスプリアス強度を低減してもよ
い。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、ＴＥＭモ−ドの誘電体フィル
タにおいて、誘電体ブロックの実装面と側面に設けた入
出力電極の電極部分を区画する誘電体素地が露出したギ
ャップの大きさを相違させることにより、実装面におい
ては実効誘電率の増減を媒介とし、側面においては磁界
漏れの加減を媒介として、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス
周波数を小さくし或いは大きくして、所定帯域から移動
させ、スプリアスレベルを低減することができる。
タにおいて、誘電体ブロックの実装面と側面に設けた入
出力電極の電極部分を区画する誘電体素地が露出したギ
ャップの大きさを相違させることにより、実装面におい
ては実効誘電率の増減を媒介とし、側面においては磁界
漏れの加減を媒介として、ＴＥ101 モ−ドのスプリアス
周波数を小さくし或いは大きくして、所定帯域から移動
させ、スプリアスレベルを低減することができる。
【図１】 本発明の誘電体フィルタの第１実施例の斜視
図
図
【図２】 本発明の誘電体フィルタの第２実施例の斜視
図
図
【図３】 本発明の誘電体フィルタの第３実施例の斜視
図
図
【図４】 本発明の誘電体フィルタの第４実施例の斜視
図
図
【図５】 本発明の誘電体フィルタの第５実施例の斜視
図
図
【図６】 本発明において、側面ギャップ（誘電体素
地）の大きさに対するＴＥ101 モ−ドのスプリアス周波
数の特性図
地）の大きさに対するＴＥ101 モ−ドのスプリアス周波
数の特性図
【図７】 本発明において、実装面ギャップ（誘電体素
地）の大きさに対するＴＥ101 モ−ドのスプリアス周波
数の特性図
地）の大きさに対するＴＥ101 モ−ドのスプリアス周波
数の特性図
【図８】 従来の誘電体フィルタの斜視図
【図９】 従来誘電体フィルタの周波数に対する減衰量
の特性図
の特性図
１、２、３、４、５ 入出力電極 １ａ、１ｂ、２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂ、５
ａ、５ｂ 電極部分 １ａｇ、１ｂｇ、２ａｇ、２ｂｇ、３ａｇ、３ｂｇ、４
ａｇ、４ｂｇ、５ａｇ、５ｂｇ ギャップ（誘電体素
地） １０ 誘電体ブロック １０ａ、１０ｂ 共振器
ａ、５ｂ 電極部分 １ａｇ、１ｂｇ、２ａｇ、２ｂｇ、３ａｇ、３ｂｇ、４
ａｇ、４ｂｇ、５ａｇ、５ｂｇ ギャップ（誘電体素
地） １０ 誘電体ブロック １０ａ、１０ｂ 共振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/205 H01P 1/212 H01P 5/08
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体ブロックの対向する一対の端面間
に内導体被覆貫通共振器孔により共振器が形成され、前
記誘電体ブロックの実装面と側面とに跨がって形成され
ている入出力電極がそれぞれ誘電体素地の露出した別々
のギャップにより外導体から電気的に絶縁されて形成さ
れ、該入出力電極が前記共振器の内導体と静電結合して
いる誘電体フィルタにおいて、 前記入出力電極の実装面側及び側面側のそれぞれの形状
は矩形であり、また前記ギャップの実装面側及び側面側
のそれぞれの外郭形状は矩形でかつ幅方向に線対称であ
り、さらに前記実装面側と側面側のギャップの幅方向の
間隔を異ならせることにより、前記実装面側と側面側と
のギャップの大きさを相違させ、ＴＥ１０１モードのス
プリアスレベルを低減したことを特徴とする誘電体フィ
ルタ。 - 【請求項２】 誘電体ブロックの対向する一対の端面間
に内導体被覆貫通共振器孔により共振器が形成され、前
記誘電体ブロックの実装面と側面とに跨がって形成され
ている入出力電極がそれぞれ誘電体素地の露出した別々
のギャップにより外導体から電気的に絶縁されて形成さ
れ、該入出力電極が前記共振器の内導体と静電結合して
いる誘電体フィルタにおいて、 前記入出力電極の実装面側及び側面側のそれぞれの形状
は矩形であり、また前記ギャップの実装面側及び側面側
のそれぞれの外郭形状は矩形であり、さらに前記実装面
側と側面側のギャップの長さ方向の間隔を異ならせるこ
とにより、前記実装面側と側面側とのギャップの大きさ
を相違させ、ＴＥ１０１モードのスプリアスレベルを低
減したことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 誘電体ブロックの対向する一対の端面間
に内導体被覆貫通共振器孔により共振器が形成され、前
記誘電体ブロックの実装面と側面とに跨がって形成され
ている入出力電極がそれぞれ誘電体素地の露出した別々
のギャップにより外導体から電気的に絶縁されて形成さ
れ、該入出力電極が前記共振器の内導体と静電結合して
いる誘電体フィルタにおいて、 前記入出力電極の実装面側及び側面側のそれぞれの形状
は矩形であり、また前記ギャップの実装面側と側面側の
それぞれの外郭形状は矩形を組み合わせた多角形でかつ
幅方向に線対称であり、さらに前記実装面側と側面側の
ギャップの外郭形状を異ならせることにより、前記実装
面側と側面側とのギャップの大きさを相違させ、ＴＥ１
０１モードのスプリアスレベルを低減したことを特徴と
する誘電体フィルタ。 - 【請求項４】 誘電体ブロックの対向する一対の端面間
に内導体被覆貫通共振器孔により共振器が形成され、前
記誘電体ブロックの実装面と側面とに跨がって形成され
ている入出力電極がそれぞれ誘電体素地の露出した別々
のギャップにより外導体から電気的に絶縁されて形成さ
れ、該入出力電極が前記共振器の内導体と静電結合して
いる誘電体フィルタにおいて、 前記入出力電極の実装面側と側面側のそれぞれの形状は
矩形であり、また前記ギャップの実装面側と側面側の外
郭の大きさは同一であり、さらに前記実装面側と側面側
の入出力電極の大きさを異ならせることにより、前記実
装面側と側面側とのギャップの大きさを相違させ、ＴＥ
１０１モードのスプリアスレベルを低減したことを特徴
とする誘電体フィルタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121742A JP3064863B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 誘電体フィルタ |
| TW085105619A TW296491B (ja) | 1995-05-19 | 1996-05-13 | |
| DE69613176T DE69613176T2 (de) | 1995-05-19 | 1996-05-15 | Dielektrisches Filter und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP96107824A EP0743696B1 (en) | 1995-05-19 | 1996-05-15 | Dielectric filter and method of manufacturing same |
| KR1019960016676A KR100206587B1 (ko) | 1995-05-19 | 1996-05-17 | 유전체 필터 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121742A JP3064863B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 誘電体フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316703A JPH08316703A (ja) | 1996-11-29 |
| JP3064863B2 true JP3064863B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=14818763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7121742A Expired - Lifetime JP3064863B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 誘電体フィルタ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0743696B1 (ja) |
| JP (1) | JP3064863B2 (ja) |
| KR (1) | KR100206587B1 (ja) |
| DE (1) | DE69613176T2 (ja) |
| TW (1) | TW296491B (ja) |
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| JP3327196B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2002-09-24 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサ |
| DE19855872B4 (de) | 1998-12-03 | 2004-04-15 | Epcos Ag | Mikrowellen-Keramikfilter |
| JP2001007605A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
| JP2001196806A (ja) | 2000-01-17 | 2001-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
| CN101529649B (zh) * | 2007-02-09 | 2016-03-09 | 株式会社村田制作所 | 电介质滤波器 |
| CN110767966B (zh) * | 2019-11-01 | 2021-08-17 | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 | 一种双模谐振结构及滤波器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE4319241A1 (de) * | 1993-06-09 | 1994-12-15 | Siemens Matsushita Components | Monolithisches Mikrowellen-Keramikfilter |
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-
1995
- 1995-05-19 JP JP7121742A patent/JP3064863B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-13 TW TW085105619A patent/TW296491B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-05-15 DE DE69613176T patent/DE69613176T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-15 EP EP96107824A patent/EP0743696B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-17 KR KR1019960016676A patent/KR100206587B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
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| TW296491B (ja) | 1997-01-21 |
| KR960043492A (ko) | 1996-12-23 |
| EP0743696B1 (en) | 2001-06-06 |
| KR100206587B1 (ko) | 1999-07-01 |
| JPH08316703A (ja) | 1996-11-29 |
| EP0743696A1 (en) | 1996-11-20 |
| DE69613176D1 (de) | 2001-07-12 |
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