JP3050739B2 - プラスチック液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
プラスチック液晶表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JP3050739B2 JP3050739B2 JP5319903A JP31990393A JP3050739B2 JP 3050739 B2 JP3050739 B2 JP 3050739B2 JP 5319903 A JP5319903 A JP 5319903A JP 31990393 A JP31990393 A JP 31990393A JP 3050739 B2 JP3050739 B2 JP 3050739B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- plastic substrate
- liquid crystal
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラスチック液晶表示
素子の製造方法に関するもので、特に、電極パターンを
形成するまでの基板のそり防止及び基板のそりによる搬
送不良、吸着不良を防止することのできるプラスチック
液晶表示素子の製造方法に関するものである。
素子の製造方法に関するもので、特に、電極パターンを
形成するまでの基板のそり防止及び基板のそりによる搬
送不良、吸着不良を防止することのできるプラスチック
液晶表示素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラスチック液晶表示素子は、ガラス基
板と同様にプラスチック基板においても電極パターン形
成面にのみインジウムスズ酸化膜（以下ＩＴＯと略す）
等の透明導電膜をスパッタ法や真空蒸着法によって形成
している。そして、パネルの大型化の要求によって透明
導電膜の低抵抗化が要求され、透明導電膜の膜厚を厚く
することによって抵抗値を低減するようにしている。
板と同様にプラスチック基板においても電極パターン形
成面にのみインジウムスズ酸化膜（以下ＩＴＯと略す）
等の透明導電膜をスパッタ法や真空蒸着法によって形成
している。そして、パネルの大型化の要求によって透明
導電膜の低抵抗化が要求され、透明導電膜の膜厚を厚く
することによって抵抗値を低減するようにしている。
【０００３】しかし、透明導電膜の膜厚の増大に伴い、
プラスチック基板のそりも増大してきている。このそり
の対策として、特開平５−６６４１１号公報に記載され
ている基板のコート層の一方を厚くする、非電極面側に
有機膜や透明導電膜を形成する方法がある。
プラスチック基板のそりも増大してきている。このそり
の対策として、特開平５−６６４１１号公報に記載され
ている基板のコート層の一方を厚くする、非電極面側に
有機膜や透明導電膜を形成する方法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】透明導電膜の膜厚が増
大するに従い、透明導電膜の内部応力によってプラスチ
ック基板のそりも増大する。このそりの増大により発生
する問題点としては、レジスト塗布等を含む露光機まで
の工程での搬送不良、露光機の基台への吸着不良、現像
工程での搬送不良等が発生し、良品率を下げる原因とな
っていた。
大するに従い、透明導電膜の内部応力によってプラスチ
ック基板のそりも増大する。このそりの増大により発生
する問題点としては、レジスト塗布等を含む露光機まで
の工程での搬送不良、露光機の基台への吸着不良、現像
工程での搬送不良等が発生し、良品率を下げる原因とな
っていた。
【０００５】基板のそりと種々の不良との関係は、３０
０ｍｍ×３００ｍｍのプラスチック基板を平面上に静置
したときに、該基板が底面から２ｍｍ以上のそりになる
と急激に不良の発生率が高くなっていた。
０ｍｍ×３００ｍｍのプラスチック基板を平面上に静置
したときに、該基板が底面から２ｍｍ以上のそりになる
と急激に不良の発生率が高くなっていた。
【０００６】
【表１】
【０００７】特開平５−６６４１１号公報の非電極面側
のコート層を電極面側のコート層よりも厚く形成する方
法では、パターニング後に逆ぞりが発生し、以後の工程
での搬送不良や吸着不良等が発生していた。特に、吸着
不良が多く発生していた。同じく特開平５−６６４１１
号公報の非電極面側に有機膜や透明導電膜を形成する方
法では、パターニング後に逆ぞりが発生するため、非電
極面側の膜を除去するための新たな工程が必要であっ
た。又、パターニングから非電極面側の有機膜や透明導
電膜を除去するまでの間で搬送不良等が発生し、大きな
コストダウンにはつながらなかった。
のコート層を電極面側のコート層よりも厚く形成する方
法では、パターニング後に逆ぞりが発生し、以後の工程
での搬送不良や吸着不良等が発生していた。特に、吸着
不良が多く発生していた。同じく特開平５−６６４１１
号公報の非電極面側に有機膜や透明導電膜を形成する方
法では、パターニング後に逆ぞりが発生するため、非電
極面側の膜を除去するための新たな工程が必要であっ
た。又、パターニングから非電極面側の有機膜や透明導
電膜を除去するまでの間で搬送不良等が発生し、大きな
コストダウンにはつながらなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】プラスチック基板のそり
による搬送不良、吸着不良等を解決することにより、プ
ラスチック液晶表示素子の良品率の向上、すなわちコス
トダウンを達成するために、プラスチック液晶表示素子
の製造方法において、プラスチック基板の両面のエッチ
ング条件が同じになり、そりが最小となるように透明導
電膜をプラスチック基板の両面に同じ膜厚に形成し、ウ
ェットエッチング法によるパターニング時に、上側と下
側の両側から同時にエッチング液をシャワーし、又は、
ディッピング法によるバッチ処理で、電極パターンの形
成と同時に非電極面側の透明導電膜を除去することによ
って、基板のそり対策を行うことを特徴としている。
による搬送不良、吸着不良等を解決することにより、プ
ラスチック液晶表示素子の良品率の向上、すなわちコス
トダウンを達成するために、プラスチック液晶表示素子
の製造方法において、プラスチック基板の両面のエッチ
ング条件が同じになり、そりが最小となるように透明導
電膜をプラスチック基板の両面に同じ膜厚に形成し、ウ
ェットエッチング法によるパターニング時に、上側と下
側の両側から同時にエッチング液をシャワーし、又は、
ディッピング法によるバッチ処理で、電極パターンの形
成と同時に非電極面側の透明導電膜を除去することによ
って、基板のそり対策を行うことを特徴としている。
【０００９】
【作用】プラスチック基板の両面のエッチング条件が同
じになり、そりが最小となるようにプラスチック基板の
両面に同じ膜厚の透明導電膜を形成することによって、
透明導電膜の内部応力によるプラスチック基板のそりが
大幅に改善される。又、ウェットエッチング法によるパ
ターニング時に、電極パターン形成と同時に非電極面側
の透明導電膜を除去することによって、プラスチック基
板の逆ぞりを防止することができ、非電極面側の透明導
電膜を除去する工程を省略することができる。この結
果、搬送不良や吸着不良を改善することができ、良品率
を向上することができる。
じになり、そりが最小となるようにプラスチック基板の
両面に同じ膜厚の透明導電膜を形成することによって、
透明導電膜の内部応力によるプラスチック基板のそりが
大幅に改善される。又、ウェットエッチング法によるパ
ターニング時に、電極パターン形成と同時に非電極面側
の透明導電膜を除去することによって、プラスチック基
板の逆ぞりを防止することができ、非電極面側の透明導
電膜を除去する工程を省略することができる。この結
果、搬送不良や吸着不良を改善することができ、良品率
を向上することができる。
【００１０】
（実施例１）図１（ａ）に示すように、ガスバリア層、
ハードコート層を有する３００ｍｍ×３００ｍｍ、板厚
０．４ｍｍのエポキシ系プラスチック基板１の両面に、
真空蒸着法によってＩＴＯ２、３を２００ｎｍの厚みで
形成した。このときのプラスチック基板のそりは０．５
ｍｍ以下であった。このプラスチック基板をシャワーで
洗浄し、電極パターン形成面にのみロールコーターにて
レジストを塗布後、任意のパターンで露光を行った。次
に、０．６ｗｔ％のＮａＯＨ溶液をシャワーして現像
し、３ＮのＨＢｒ溶液を上下両側からシャワーしてエッ
チングを行った。このとき、図１（ｂ）に示すようにプ
ラスチック基板１の電極パターン形成面に電極パターン
４を形成すると同時に、非電極面側のＩＴＯ３を除去す
ることによって、プラスチック基板の逆ぞりを防止する
ことができた。次に、２ｗｔ％のＮａＯＨ溶液をシャワ
ーしてレジストの剥離を行い、パターニング工程を終了
した。このときのパターニング工程における良品率は９
９％であった。電極パターン４形成後のプラスチック基
板のそりは、非電極面側のＩＴＯ３を除去したことによ
り若干大きくなるが、１ｍｍ以下のそりであり、以後の
工程では搬送不良、吸着不良等の不具合を生じなかっ
た。
ハードコート層を有する３００ｍｍ×３００ｍｍ、板厚
０．４ｍｍのエポキシ系プラスチック基板１の両面に、
真空蒸着法によってＩＴＯ２、３を２００ｎｍの厚みで
形成した。このときのプラスチック基板のそりは０．５
ｍｍ以下であった。このプラスチック基板をシャワーで
洗浄し、電極パターン形成面にのみロールコーターにて
レジストを塗布後、任意のパターンで露光を行った。次
に、０．６ｗｔ％のＮａＯＨ溶液をシャワーして現像
し、３ＮのＨＢｒ溶液を上下両側からシャワーしてエッ
チングを行った。このとき、図１（ｂ）に示すようにプ
ラスチック基板１の電極パターン形成面に電極パターン
４を形成すると同時に、非電極面側のＩＴＯ３を除去す
ることによって、プラスチック基板の逆ぞりを防止する
ことができた。次に、２ｗｔ％のＮａＯＨ溶液をシャワ
ーしてレジストの剥離を行い、パターニング工程を終了
した。このときのパターニング工程における良品率は９
９％であった。電極パターン４形成後のプラスチック基
板のそりは、非電極面側のＩＴＯ３を除去したことによ
り若干大きくなるが、１ｍｍ以下のそりであり、以後の
工程では搬送不良、吸着不良等の不具合を生じなかっ
た。
【００１１】（実施例２）現像とエッチングをディッピ
ング法によるバッチ処理にて行った以外は、実施例１と
同様に行った。尚、バッチ処理する際には、本発明者ら
の考案した特願平４−２９１１４２号に記載のプラスチ
ック基板を湾曲保持するカセットを用いた。このときの
パターニング工程における良品率は９８％であった。電
極パターン４形成後のプラスチック基板のそりは、非電
極面側のＩＴＯ３を除去したことにより若干大きくなる
が、１ｍｍ以下のそりであり、以後の工程では搬送不
良、吸着不良等の不具合を生じなかった。
ング法によるバッチ処理にて行った以外は、実施例１と
同様に行った。尚、バッチ処理する際には、本発明者ら
の考案した特願平４−２９１１４２号に記載のプラスチ
ック基板を湾曲保持するカセットを用いた。このときの
パターニング工程における良品率は９８％であった。電
極パターン４形成後のプラスチック基板のそりは、非電
極面側のＩＴＯ３を除去したことにより若干大きくなる
が、１ｍｍ以下のそりであり、以後の工程では搬送不
良、吸着不良等の不具合を生じなかった。
【００１２】（比較例１）図２（ａ）に示すように、プ
ラスチック基板５の片面にＩＴＯ６を７０ｎｍ、１００
ｎｍ、１６０ｎｍ、２００ｎｍの４種類の厚みで形成
し、エッチング時のシャワーを上側からのみで行って、
パターニング工程を行った以外は、実施例１と同様に行
った。このときのプラスチック基板の電極パターン７形
成前のそりとパターニング工程における良品率を表１に
示した。電極パターン７形成後のプラスチック基板のそ
りは１ｍｍ以下で、以後の工程では搬送不良、吸着不良
等の不具合を生じなかった。その結果は、表１に示す通
り。
ラスチック基板５の片面にＩＴＯ６を７０ｎｍ、１００
ｎｍ、１６０ｎｍ、２００ｎｍの４種類の厚みで形成
し、エッチング時のシャワーを上側からのみで行って、
パターニング工程を行った以外は、実施例１と同様に行
った。このときのプラスチック基板の電極パターン７形
成前のそりとパターニング工程における良品率を表１に
示した。電極パターン７形成後のプラスチック基板のそ
りは１ｍｍ以下で、以後の工程では搬送不良、吸着不良
等の不具合を生じなかった。その結果は、表１に示す通
り。
【００１３】（比較例２）エッチング時のシャワーを上
側からのみで行った以外は、実施例１と同様に行った。
このときのパターニング工程における良品率は７０％で
あった。図３（ｂ）に示すように、電極パターン１１形
成後のプラスチック基板のそりは、非電極面側のＩＴＯ
１０を除去していないので２．７ｍｍ〜３．１ｍｍの逆
ぞりが発生し、レジストの剥離工程での搬送不良が多発
してパターニング工程における良品率を下げる原因とな
った。
側からのみで行った以外は、実施例１と同様に行った。
このときのパターニング工程における良品率は７０％で
あった。図３（ｂ）に示すように、電極パターン１１形
成後のプラスチック基板のそりは、非電極面側のＩＴＯ
１０を除去していないので２．７ｍｍ〜３．１ｍｍの逆
ぞりが発生し、レジストの剥離工程での搬送不良が多発
してパターニング工程における良品率を下げる原因とな
った。
【００１４】実施例１、実施例２、比較例１、比較例２
の電極パターン形成前後のプラスチック基板のそりとパ
ターニング工程における良品率を表２に示した。プラス
チック基板の材質、プラスチック基板の板厚、ガスバリ
ア層等の積層構造、透明導電膜の形成方法、透明導電膜
の材質、透明導電膜の膜厚、現像液、エッチング液、レ
ジスト剥離液は、本実施例に限定されるものではない。
の電極パターン形成前後のプラスチック基板のそりとパ
ターニング工程における良品率を表２に示した。プラス
チック基板の材質、プラスチック基板の板厚、ガスバリ
ア層等の積層構造、透明導電膜の形成方法、透明導電膜
の材質、透明導電膜の膜厚、現像液、エッチング液、レ
ジスト剥離液は、本実施例に限定されるものではない。
【００１５】
【表２】
【００１６】
【発明の効果】プラスチック基板の両面のエッチング条
件が同じになり、そりが最小となるようにプラスチック
基板の両面に同じ膜厚の透明導電膜を形成することによ
って、透明導電膜の内部応力によるプラスチック基板の
そりが大幅に改善され、エッチング工程までの搬送不
良、吸着不良を改善できる。又、ウェットエッチング法
によるパターニング時に、電極パターン形成と同時に非
電極面側の透明導電膜を除去することによって、プラス
チック基板の逆ぞりを防止することができ、非電極面側
の透明導電膜を除去する工程を省略することができる。
この結果、良品率を大幅に向上させることができ、大き
なコストダウンにもつながる。
件が同じになり、そりが最小となるようにプラスチック
基板の両面に同じ膜厚の透明導電膜を形成することによ
って、透明導電膜の内部応力によるプラスチック基板の
そりが大幅に改善され、エッチング工程までの搬送不
良、吸着不良を改善できる。又、ウェットエッチング法
によるパターニング時に、電極パターン形成と同時に非
電極面側の透明導電膜を除去することによって、プラス
チック基板の逆ぞりを防止することができ、非電極面側
の透明導電膜を除去する工程を省略することができる。
この結果、良品率を大幅に向上させることができ、大き
なコストダウンにもつながる。
【図１】本発明に係わるプラスチック液晶表示素子のパ
ターニング工程におけるプラスチック基板の模式図であ
る。
ターニング工程におけるプラスチック基板の模式図であ
る。
【図２】比較例１記載の従来例に係わるプラスチック液
晶表示素子のパターニング工程におけるプラスチック基
板の模式図である。
晶表示素子のパターニング工程におけるプラスチック基
板の模式図である。
【図３】比較例２記載の従来例に係わるプラスチック液
晶表示素子のパターニング工程におけるプラスチック基
板の模式図である。
晶表示素子のパターニング工程におけるプラスチック基
板の模式図である。
１、５、８ プラスチック基板 ２、６、９ 透明導電膜（電極面側） ３ 透明導電膜（非電極面側） ４、７、１１ 電極パターン １０ 透明導電膜や有機膜（非電極面側）
Claims (3)
- 【請求項１】透明導電膜を直接形成したプラスチック基
板、あるいはガスバリア層、ハードコート層、アンダー
コート層等を介して透明導電膜を形成した積層型プラス
チック基板を用いて、ウェットエッチング法によってパ
ターニングを施すプラスチック液晶表示素子の製造方法
において、 該プラスチック基板の両面に、同じ膜厚の透明導電膜を
形成し、ウェットエッチング法によるパターニング時
に、電極パターン形成と同時に非電極面側の透明導電膜
をすべて剥離することを特徴とするプラスチック液晶表
示素子の製造方法。 - 【請求項２】透明導電膜の膜厚が、１００ｎｍ以上であ
ることを特徴とする請求項１記載のプラスチック液晶表
示素子の製造方法。 - 【請求項３】透明導電膜がインジウムスズ酸化膜である
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載のプラス
チック液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5319903A JP3050739B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | プラスチック液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5319903A JP3050739B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | プラスチック液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07175055A JPH07175055A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3050739B2 true JP3050739B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=18115525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5319903A Expired - Fee Related JP3050739B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | プラスチック液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3050739B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4821061B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2011-11-24 | 住友ベークライト株式会社 | 光学用フィルムシート及びこれを用いた表示装置の製造方法 |
| CN101060980B (zh) * | 2004-11-19 | 2010-09-22 | 阿克佐诺贝尔股份有限公司 | 制备柔性机械补偿的透明层状材料的方法 |
| US7176543B2 (en) * | 2005-01-26 | 2007-02-13 | United Solar Ovonic Corp. | Method of eliminating curl for devices on thin flexible substrates, and devices made thereby |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP5319903A patent/JP3050739B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07175055A (ja) | 1995-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8633066B2 (en) | Thin film transistor with reduced edge slope angle, array substrate and having the thin film transistor and manufacturing method thereof | |
| JP2000022162A (ja) | 液晶表示装置の製法 | |
| US4451554A (en) | Method of forming thin-film pattern | |
| JP3050739B2 (ja) | プラスチック液晶表示素子の製造方法 | |
| JP3625003B2 (ja) | 液晶表示基板 | |
| JPH05267701A (ja) | 酸化錫透明導電膜のパターニング方法 | |
| JPH06110046A (ja) | カラーフィルタ基板 | |
| JP2000003944A (ja) | フレキシブル基板の製造方法 | |
| JPH05289313A (ja) | ガラスマスク | |
| JPH06148660A (ja) | 透明導電膜のエッチング方法及び装置 | |
| KR20080040442A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 및 이에 이용되는제조 시스템 | |
| JPH0566411A (ja) | 透明導電性フイルムおよび透明導電性フイルムの製造方法 | |
| JPH0682820A (ja) | 薄膜トランジスタマトリックスの製造方法 | |
| JP6445717B2 (ja) | ウェットエッチング方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0381734A (ja) | 表示パネルの電極形成方法 | |
| JP2000285736A (ja) | 電極基板 | |
| JP2014120500A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2928402B2 (ja) | 液晶表示パネルの製造方法 | |
| JPS63488A (ja) | 導電性フイルムのパタ−ン加工法 | |
| JP3075479B2 (ja) | 導電性薄膜付き基板とその製造方法 | |
| JPH01160056A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタの製造方法 | |
| JPS6364081A (ja) | 配線電極の形成方法 | |
| JPH117848A (ja) | 導電膜の形成方法 | |
| JPH04254859A (ja) | リフトオフ方法 | |
| JP2001206734A (ja) | ガラス基板の処理方法及びそのガラス基板を用いた表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080331 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090331 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120331 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |