JP3050163B2 - マイクロアクチュエータおよびその製造方法 - Google Patents
マイクロアクチュエータおよびその製造方法Info
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- JP3050163B2 JP3050163B2 JP9120886A JP12088697A JP3050163B2 JP 3050163 B2 JP3050163 B2 JP 3050163B2 JP 9120886 A JP9120886 A JP 9120886A JP 12088697 A JP12088697 A JP 12088697A JP 3050163 B2 JP3050163 B2 JP 3050163B2
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- stator
- electrode
- substrate
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
- B81B3/0008—Structures for avoiding electrostatic attraction, e.g. avoiding charge accumulation
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
- H02N1/002—Electrostatic motors
- H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
- H02N1/008—Laterally driven motors, e.g. of the comb-drive type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/03—Microengines and actuators
- B81B2201/034—Electrical rotating micromachines
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
-
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
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- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学部品、光磁気
・磁気ディスク等の小型部品の駆動に用いられるマイク
ロアクチュエータおよびその製造方法に関するものであ
る。
・磁気ディスク等の小型部品の駆動に用いられるマイク
ロアクチュエータおよびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】小型アクチュエータを磁気ヘッドのサス
ペンションの先端に搭載してスライダーを駆動するマイ
クロアクチュエータが、エル．エス．ファン（Ｌ．Ｓ．
Ｆａｎ）等によって提案されている〔「Magnetic Recor
ding Head Positioning atVery High Track Densities
Using a Microactuator-Based,Two‐Stage ServoSyste
m」（IEEE Transactions on Industrial Electronics,V
ol.42,No.3,pp.222-233,June 1995）〕。このマイクロ
アクチュエータを図１１〜図１３に示す。図１１はマイ
クロアクチュエータの平面図、図１２は図１１のＡ部の
拡大平面図、図１３は図１２のＡ−Ａ’線断面図であ
る。これらの図において、マイクロアクチュエータはシ
リコン基板１００上に対向して設けられた左右の固定子
８３，８４と、これらの固定子間に設けられた可動子８
２を備えている。可動子８２は、ばね８１によってシリ
コン基板１００上の所望の位置に浮いた状態で支持され
ている。ばね８１は、シリコン基板１００に固定された
バネ固定台８０に設けられることにより、シリコン基板
１００から分離している。
ペンションの先端に搭載してスライダーを駆動するマイ
クロアクチュエータが、エル．エス．ファン（Ｌ．Ｓ．
Ｆａｎ）等によって提案されている〔「Magnetic Recor
ding Head Positioning atVery High Track Densities
Using a Microactuator-Based,Two‐Stage ServoSyste
m」（IEEE Transactions on Industrial Electronics,V
ol.42,No.3,pp.222-233,June 1995）〕。このマイクロ
アクチュエータを図１１〜図１３に示す。図１１はマイ
クロアクチュエータの平面図、図１２は図１１のＡ部の
拡大平面図、図１３は図１２のＡ−Ａ’線断面図であ
る。これらの図において、マイクロアクチュエータはシ
リコン基板１００上に対向して設けられた左右の固定子
８３，８４と、これらの固定子間に設けられた可動子８
２を備えている。可動子８２は、ばね８１によってシリ
コン基板１００上の所望の位置に浮いた状態で支持され
ている。ばね８１は、シリコン基板１００に固定された
バネ固定台８０に設けられることにより、シリコン基板
１００から分離している。
【０００３】前記固定子８３，８４は、同一ピッチで櫛
歯状に一体に形成されることにより多数の櫛歯部９１を
備え、また各櫛歯部９１の一方の側面には同じく所定の
ピッチで櫛歯状に形成された多数の固定子電極９３を備
えている。また、可動子８２も前記固定子８３，８４の
櫛歯部９１と同一ピッチで櫛歯状に形成されることによ
り多数の櫛歯部９２を有し、また各櫛歯部９２の一方の
面には前記固定子電極９３の間に差し込まれる可動子電
極９４を備えている。固定子８３，８４の櫛歯部９１
は、可動子８２の櫛歯部９２よりも大きな幅を有してい
る。また、固定子電極９３の幅も可動子電極９４の幅よ
り大きく設定されている。前記固定子電極９３は櫛歯部
９１とともに固定子固定台１０１を介してシリコン基板
１００に接着されているのに対して、可動子電極９４は
櫛歯部９２とともにシリコン基板１００から分離してい
る。このため、可動子電極９４と二つの固定子８３，８
４の固定子電極９３との間に電圧を加えると、可動子８
２を図１１において右側あるいは左側に駆動させること
ができる。この場合、図において左側の固定子８４に電
圧を印加すると左側に、右側の固定子８３に電圧を印加
すると右側に移動させることができる。
歯状に一体に形成されることにより多数の櫛歯部９１を
備え、また各櫛歯部９１の一方の側面には同じく所定の
ピッチで櫛歯状に形成された多数の固定子電極９３を備
えている。また、可動子８２も前記固定子８３，８４の
櫛歯部９１と同一ピッチで櫛歯状に形成されることによ
り多数の櫛歯部９２を有し、また各櫛歯部９２の一方の
面には前記固定子電極９３の間に差し込まれる可動子電
極９４を備えている。固定子８３，８４の櫛歯部９１
は、可動子８２の櫛歯部９２よりも大きな幅を有してい
る。また、固定子電極９３の幅も可動子電極９４の幅よ
り大きく設定されている。前記固定子電極９３は櫛歯部
９１とともに固定子固定台１０１を介してシリコン基板
１００に接着されているのに対して、可動子電極９４は
櫛歯部９２とともにシリコン基板１００から分離してい
る。このため、可動子電極９４と二つの固定子８３，８
４の固定子電極９３との間に電圧を加えると、可動子８
２を図１１において右側あるいは左側に駆動させること
ができる。この場合、図において左側の固定子８４に電
圧を印加すると左側に、右側の固定子８３に電圧を印加
すると右側に移動させることができる。
【０００４】このマイクロアクチュエータは、シリコン
基板１００の上で後に可動子８２を形成する領域に２μ
ｍ厚のＰＳＧ（燐シリガラス）をパターニングし、この
上にフォトリソグラフィーを利用して形成したレジスト
パターニングの間に銅メッキを行う方法を用いて形成さ
れた。最後に、フッ酸を用いてＰＳＧを除去することに
よって可動子８２および可動子電極９４をシリコン基板
１００から分離した。このようにして、ファン等は２０
μｍ厚の銅を材料とするマイクロアクチュエータの試作
を行った。
基板１００の上で後に可動子８２を形成する領域に２μ
ｍ厚のＰＳＧ（燐シリガラス）をパターニングし、この
上にフォトリソグラフィーを利用して形成したレジスト
パターニングの間に銅メッキを行う方法を用いて形成さ
れた。最後に、フッ酸を用いてＰＳＧを除去することに
よって可動子８２および可動子電極９４をシリコン基板
１００から分離した。このようにして、ファン等は２０
μｍ厚の銅を材料とするマイクロアクチュエータの試作
を行った。
【０００５】一方、シリコンＩＣプロセスを利用するマ
イクロアクチュエータでは、従来からポリシリコン薄膜
を利用した構造がよく知られている。ポリシリコンを構
造体とするマイクロアクチュエータは、電気メッキアク
チェ工ータと比較して、シリコンＩＣプロセスとの整合
性が良く、また優れた機械的特性を示すという長所があ
る。しかし、磁気・光磁気ヘッド等への応用において
は、ヘッドが所望の方向以外の方向へ動くことを低く抑
えることが必要である。
イクロアクチュエータでは、従来からポリシリコン薄膜
を利用した構造がよく知られている。ポリシリコンを構
造体とするマイクロアクチュエータは、電気メッキアク
チェ工ータと比較して、シリコンＩＣプロセスとの整合
性が良く、また優れた機械的特性を示すという長所があ
る。しかし、磁気・光磁気ヘッド等への応用において
は、ヘッドが所望の方向以外の方向へ動くことを低く抑
えることが必要である。
【０００６】図１１に示したマイクロアクチュエータで
は、可動子８２が図において左右方向に動くことが要求
されているが、一方紙面に対して垂直な方向に動くこと
は極力小さく抑えなければならない。この要求から、ば
ね８１の厚さを厚くすることが必要とされる。また、大
きな静電気力を利用するためにも可動子電極９４と固定
子電極９３の厚さを厚くすることが重要である。
は、可動子８２が図において左右方向に動くことが要求
されているが、一方紙面に対して垂直な方向に動くこと
は極力小さく抑えなければならない。この要求から、ば
ね８１の厚さを厚くすることが必要とされる。また、大
きな静電気力を利用するためにも可動子電極９４と固定
子電極９３の厚さを厚くすることが重要である。
【０００７】以上の要求から、２０μｍ以上の厚さをも
つマイクロアクチュエータを製作することが実用上重要
とされるようになった。ポリシリコン薄膜は実用上４μ
ｍ程度の厚さをもたせることが限界であることから、上
で述べたメッキ技術や以下に述べるシリコン単結晶のエ
ッチング加工技術を利用したマイクロアクチュエータが
開発されるようになった。
つマイクロアクチュエータを製作することが実用上重要
とされるようになった。ポリシリコン薄膜は実用上４μ
ｍ程度の厚さをもたせることが限界であることから、上
で述べたメッキ技術や以下に述べるシリコン単結晶のエ
ッチング加工技術を利用したマイクロアクチュエータが
開発されるようになった。
【０００８】シリコン単結晶からなるマイクロアクチュ
エータを製作するには、例えばエイ．ベニチェツ（Ａ．
Ｂｅｎｉｔｅｚ）等による「Bulk SiliconMicroelectro
mechanical Devices Fabricated from Commercial Bond
ed andEtched‐Back Silicon‐on‐InsulatorSubstrate
s」(Sensors and Actuators,A50,pp-99-103,1995)に記
載されたＳＯＩ（Silicon On Insulator ）基板を利用
する方法がある。この方法を用いると、図１３の可動子
電極９４および固定子電極９３を厚さ２０μｍのシリコ
ン単結晶から形成することが可能となる。また、固定子
固定台１０１は、この場合にはシリコン酸化膜である。
可動子電極９４の下に位置するシリコン酸化膜１０１を
フッ酸によって除去することによって可動子電極９４を
シリコン基板１００から分離することができる。この場
合には、可動電極９４の幅が固定子電極９３の幅よりも
狭く設計されているために、フッ酸のエッチングを行っ
た後にも、固定子電極９３の下にはまだシリコン酸化膜
１０１が残されている。このようにして例えば２０μｍ
の厚さをもつシリコン単結晶からなる可動子電極９４お
よび固定子電極９３をシリコン基板１００の上に形成す
ることが可能である。
エータを製作するには、例えばエイ．ベニチェツ（Ａ．
Ｂｅｎｉｔｅｚ）等による「Bulk SiliconMicroelectro
mechanical Devices Fabricated from Commercial Bond
ed andEtched‐Back Silicon‐on‐InsulatorSubstrate
s」(Sensors and Actuators,A50,pp-99-103,1995)に記
載されたＳＯＩ（Silicon On Insulator ）基板を利用
する方法がある。この方法を用いると、図１３の可動子
電極９４および固定子電極９３を厚さ２０μｍのシリコ
ン単結晶から形成することが可能となる。また、固定子
固定台１０１は、この場合にはシリコン酸化膜である。
可動子電極９４の下に位置するシリコン酸化膜１０１を
フッ酸によって除去することによって可動子電極９４を
シリコン基板１００から分離することができる。この場
合には、可動電極９４の幅が固定子電極９３の幅よりも
狭く設計されているために、フッ酸のエッチングを行っ
た後にも、固定子電極９３の下にはまだシリコン酸化膜
１０１が残されている。このようにして例えば２０μｍ
の厚さをもつシリコン単結晶からなる可動子電極９４お
よび固定子電極９３をシリコン基板１００の上に形成す
ることが可能である。
【０００９】以上、厚いマイクロアクチュエータを製造
する方法の概略を述べたが、このマイクロアクチュエー
タを駆動している時に何らかの原因によって可動子電極
９４がシリコン基板１００に衝突してシリコン基板１０
０に付着すると、可動子８２が動作しなくなるという問
題が生じることが判った。この付着の問題は、シリコン
単結晶を用いたときには可動子電極９４とシリコン基板
１００の表面が鏡面であるために特に顕著に生じたが、
銅メッキを用いて形成した場合においてもしばしば生じ
た。
する方法の概略を述べたが、このマイクロアクチュエー
タを駆動している時に何らかの原因によって可動子電極
９４がシリコン基板１００に衝突してシリコン基板１０
０に付着すると、可動子８２が動作しなくなるという問
題が生じることが判った。この付着の問題は、シリコン
単結晶を用いたときには可動子電極９４とシリコン基板
１００の表面が鏡面であるために特に顕著に生じたが、
銅メッキを用いて形成した場合においてもしばしば生じ
た。
【００１０】最近、この付着を解決するために役立つと
思われる効果的な方法が、ワイ・イー（Ｙ．Ｙｅｅ）等
により「Polysilicon Surface Modfiation Technique t
oReduce Sticking of Microstructures」（Digest of T
he 8th InternationalConference on Solid‐State Sen
sors and Actuators,Vol,1,pp‐206-209,June1995）に
おいて、ポリシリコンマイクロアクチュエータに関連し
て報告された。
思われる効果的な方法が、ワイ・イー（Ｙ．Ｙｅｅ）等
により「Polysilicon Surface Modfiation Technique t
oReduce Sticking of Microstructures」（Digest of T
he 8th InternationalConference on Solid‐State Sen
sors and Actuators,Vol,1,pp‐206-209,June1995）に
おいて、ポリシリコンマイクロアクチュエータに関連し
て報告された。
【００１１】以下、この方法を図１４を参照して説明す
る。シリコン基板１２０の上に酸化膜１２１を堆積した
後、この上にポリシリコン１２２を０．５μｍ堆積する
（同図（ａ））。続いて、ＰＳＧ酸化膜１２３をこの上
に形成する（同図（ｂ））。このとき、ポリシリコンの
グレイン領域で酸化が深く進行する。この試料をマスク
無しのドライエッチングを行うと酸化膜１２３の厚さの
差が拡大されて表面に凸凹を有するポリシリコン膜１２
４が形成される（同図（ｃ））。この上に２μｍのＰＳ
Ｇ膜１２６を堆積し、さらに２μｍのポリシリコン膜１
２５を堆積する。ポリシリコン膜１２５はマイクロアク
チュエータの形状となるようにパターニングされる（同
図（ｄ））。最後に、ＰＳＧ膜１２６をフッ酸を用いて
除去する（同図（ｅ））。
る。シリコン基板１２０の上に酸化膜１２１を堆積した
後、この上にポリシリコン１２２を０．５μｍ堆積する
（同図（ａ））。続いて、ＰＳＧ酸化膜１２３をこの上
に形成する（同図（ｂ））。このとき、ポリシリコンの
グレイン領域で酸化が深く進行する。この試料をマスク
無しのドライエッチングを行うと酸化膜１２３の厚さの
差が拡大されて表面に凸凹を有するポリシリコン膜１２
４が形成される（同図（ｃ））。この上に２μｍのＰＳ
Ｇ膜１２６を堆積し、さらに２μｍのポリシリコン膜１
２５を堆積する。ポリシリコン膜１２５はマイクロアク
チュエータの形状となるようにパターニングされる（同
図（ｄ））。最後に、ＰＳＧ膜１２６をフッ酸を用いて
除去する（同図（ｅ））。
【００１２】ここで述べられた方法は、接触面を粗くし
て可動子電極と基板との接触面積を減少させることによ
って、固体表面の引力を小さく抑えようとするものであ
る。この接触面に凹凸を形成して摩擦を低減させようと
する方法は、以前からも報告されているものである。例
えば、高木等による「静電マイクロアクチュエータ」
（特開平８−２３６８５号）には、可動子と基板との間
に酸化膜の突起を設けることが記載されている。しか
し、この酸化膜の突起はフォトリソグラフィーによって
形成するために、図１４で述べた表面を粗くする方法に
比べて突起の平面的な寸法が著しく大きいものであっ
た。摩擦あるいは付着力の大きさは表面の粗さの程度に
非常に敏感に依存することから、図１４に述べた方法に
よって形成されたマイクロアクチュエータの特性が従来
の突起構造をもつものに比べて著しく優れていたとして
も不思議ではない。さらに、図１４の方法は、凸凹構造
を形成するのにフォトリソグラフィーを必要としないた
めに全体のプロセスが簡略化できることも大きな特長で
ある。
て可動子電極と基板との接触面積を減少させることによ
って、固体表面の引力を小さく抑えようとするものであ
る。この接触面に凹凸を形成して摩擦を低減させようと
する方法は、以前からも報告されているものである。例
えば、高木等による「静電マイクロアクチュエータ」
（特開平８−２３６８５号）には、可動子と基板との間
に酸化膜の突起を設けることが記載されている。しか
し、この酸化膜の突起はフォトリソグラフィーによって
形成するために、図１４で述べた表面を粗くする方法に
比べて突起の平面的な寸法が著しく大きいものであっ
た。摩擦あるいは付着力の大きさは表面の粗さの程度に
非常に敏感に依存することから、図１４に述べた方法に
よって形成されたマイクロアクチュエータの特性が従来
の突起構造をもつものに比べて著しく優れていたとして
も不思議ではない。さらに、図１４の方法は、凸凹構造
を形成するのにフォトリソグラフィーを必要としないた
めに全体のプロセスが簡略化できることも大きな特長で
ある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１４
に示した従来の方法は、以下に述べる理由によってＳＯ
Ｉウエハを利用したシリコン単結晶アクチュエータの製
造に適用することが不可能である。図１４の製造方法で
は、基板１２０の上に酸化膜１２１を介して成膜したポ
リシリコン１２２の表面に凸凹構造を形成した後に、可
動子あるいは固定子となるポリシリコン１２５を堆積し
ていた。一方、ＳＯＩウエハを用いた製造方法では、メ
ーカから購入したＳＯＩウエハを利用するのが普通であ
る。これは、この方がコスト的にも安価であり、さらに
基板の品質が優れているためである。しかし、この購入
したＳＯＩウエハを利用してマイクロアクチュエータを
製造する場合には、将来可動子や固定子となる膜が既に
堆積されているために、図１４に示した製造方法を利用
して可動子下側の基板表面を粗くすることが本質的に不
可能である。
に示した従来の方法は、以下に述べる理由によってＳＯ
Ｉウエハを利用したシリコン単結晶アクチュエータの製
造に適用することが不可能である。図１４の製造方法で
は、基板１２０の上に酸化膜１２１を介して成膜したポ
リシリコン１２２の表面に凸凹構造を形成した後に、可
動子あるいは固定子となるポリシリコン１２５を堆積し
ていた。一方、ＳＯＩウエハを用いた製造方法では、メ
ーカから購入したＳＯＩウエハを利用するのが普通であ
る。これは、この方がコスト的にも安価であり、さらに
基板の品質が優れているためである。しかし、この購入
したＳＯＩウエハを利用してマイクロアクチュエータを
製造する場合には、将来可動子や固定子となる膜が既に
堆積されているために、図１４に示した製造方法を利用
して可動子下側の基板表面を粗くすることが本質的に不
可能である。
【００１４】さらに、構造的にも従来例には以下の問題
点があることが判った。可動子が動作中に付着するの
は、基板ばかりでなく固定子に対しても起こる問題であ
る。これは、図１２に示したように可動子電極９４と固
定子電極９３が互いに入り組んだ構造をもっているから
であり、それぞれの電極の厚さが厚く、また互いに近づ
くにしたがって益々頻繁に生じるようになった。このよ
うな可動子電極９４と固定子電極９３との付着という問
題は、ＳＯＩウエハを利用するマイクロアクチュエータ
だけでなく、ポリシリコンや電気メッキから製作される
全てのマイクロアクチュエータに共通する問題である。
点があることが判った。可動子が動作中に付着するの
は、基板ばかりでなく固定子に対しても起こる問題であ
る。これは、図１２に示したように可動子電極９４と固
定子電極９３が互いに入り組んだ構造をもっているから
であり、それぞれの電極の厚さが厚く、また互いに近づ
くにしたがって益々頻繁に生じるようになった。このよ
うな可動子電極９４と固定子電極９３との付着という問
題は、ＳＯＩウエハを利用するマイクロアクチュエータ
だけでなく、ポリシリコンや電気メッキから製作される
全てのマイクロアクチュエータに共通する問題である。
【００１５】しかしこの問題に対して、図１４で述べた
製造方法では十分な解決方法を与えることができなかっ
た。これは、図１４の方法がポリシリコン１２２のエッ
チングがシリコン基板１２０に垂直な方向に揃えられた
プラズマを利用してドライエッチング技術によって凸凹
形状１２４を形成することを原理としていたために、シ
リコン基板１２０に垂直な面のみの加工に利用できる方
法であったからである。さらに、ポリシリコン１２２か
ら可動子電極を形成する場合には、図１４（ｂ）で行わ
れる酸化工程によってポリシリコン膜に圧縮応力が発生
して、シリコン基板１２０から分離した構造体そのもの
が大きく変形するという問題があることが明らかとなっ
た。
製造方法では十分な解決方法を与えることができなかっ
た。これは、図１４の方法がポリシリコン１２２のエッ
チングがシリコン基板１２０に垂直な方向に揃えられた
プラズマを利用してドライエッチング技術によって凸凹
形状１２４を形成することを原理としていたために、シ
リコン基板１２０に垂直な面のみの加工に利用できる方
法であったからである。さらに、ポリシリコン１２２か
ら可動子電極を形成する場合には、図１４（ｂ）で行わ
れる酸化工程によってポリシリコン膜に圧縮応力が発生
して、シリコン基板１２０から分離した構造体そのもの
が大きく変形するという問題があることが明らかとなっ
た。
【００１６】本発明は、以上述べた従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的とするところは、
動作中に可動子または可動子電極が固定子または固定子
電極もしくは基板に付着せず、安定した性能を発揮し得
るマイクロアクチュエータを提供することにある。ま
た、本発明は、従来不可能であったＳＯＩウエハの可動
子電極下側表面に凸凹構造を形成することができるマイ
クロアクチュエータの製造方法を提供することにある。
するためになされたもので、その目的とするところは、
動作中に可動子または可動子電極が固定子または固定子
電極もしくは基板に付着せず、安定した性能を発揮し得
るマイクロアクチュエータを提供することにある。ま
た、本発明は、従来不可能であったＳＯＩウエハの可動
子電極下側表面に凸凹構造を形成することができるマイ
クロアクチュエータの製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板上に設けられた固定子電極およびそ
れを含む固定子、可動子電極およびそれを含む可動子、
およびばね固定台を介して前記可動子を前記基板上に支
持するばねを備え、前記可動子が前記基板に平行に動作
するマイクロアクチュエータにおいて、前記可動子側と
前記固定子側の互いに対向する当該固定子電極および可
動子電極の表面の少なくともいずれか一方に凸凹構造を
設けたことを特徴とする。また、本発明は、凹凸構造が
絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする。ま
た、本発明は、凸凹構造が形成された面と対向する他方
の面に絶縁膜を形成したことを特徴とする。また、本発
明は、可動子側と基板の互いに対向する面の少なくとも
いずれか一方の面に凹凸形状を設けたことを特徴とす
る。また、本発明は、凸凹構造が絶縁膜からなることを
特徴とする。また、本発明は、前記可動子側または前記
固定子側の互いに対向する面の少なくともいずれか一方
にこれら両部材間の距離を他の領域に比べて狭くするス
トッパーを設け、このストッパーと他方の互いに対向す
る面の少なくともいずれか一方に凸凹構造を設たことを
特徴とする。また、本発明は、基板上に設けられた固定
子電極およびそれを含む固定子、可動子電極およびそれ
を含む可動子、およびばね固定台を介して前記可動子を
前記基板上に支持するばねを備え、前記可動子が前記基
板に平行に動作するマイクロアクチュエータにおいて、
前記可動子側に第１のストッパーを設け、この第１のス
トッパーと前記固定子側との間にこれら両部材に対して
非接触な第２のストッパーを基板に設け、かつ前記第
１，第２のストッパーの互いに対向する面の少なくとも
いずれか一方に凸凹構造を設けたことを特徴とする。ま
た、本発明は、凸凹構造が半球状の形状であることを特
徴とする。また、本発明は、基板上に設けられた固定子
電極およびそれを含む固定子、可動子電極およびそれを
含む可動子、およびばね固定台を介して前記可動子を前
記 基板上に支持するばねを備え、前記可動子が前記基板
に平行に動作するマイクロアクチュエータの製造方法に
おいて、前記可動子側と前記固定子側の少なくともいず
れか一方にパターンを形成した後に、可動子側と固定子
側およびまたは基板の互いに対向する面の少なくともい
ずれか一方にポリシリコンからなる薄膜を堆積すること
によって凸凹構造を形成することを特徴とする。さら
に、本発明は、基板上に設けられた固定子電極およびそ
れを含む固定子、可動子電極およびそれを含む可動子、
およびばね固定台を介して前記可動子を前記基板上に支
持するばねを備え、前記可動子が前記基板に平行に動作
するマイクロアクチュエータの製造方法において、前記
基板に前記可動子と前記固定子を形成した後に、可動子
側と固定子側の互いに対向する面の少なくともいずれか
一方にエッチングによって凸凹構造を形成することを特
徴とする。
に、本発明は、基板上に設けられた固定子電極およびそ
れを含む固定子、可動子電極およびそれを含む可動子、
およびばね固定台を介して前記可動子を前記基板上に支
持するばねを備え、前記可動子が前記基板に平行に動作
するマイクロアクチュエータにおいて、前記可動子側と
前記固定子側の互いに対向する当該固定子電極および可
動子電極の表面の少なくともいずれか一方に凸凹構造を
設けたことを特徴とする。また、本発明は、凹凸構造が
絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする。ま
た、本発明は、凸凹構造が形成された面と対向する他方
の面に絶縁膜を形成したことを特徴とする。また、本発
明は、可動子側と基板の互いに対向する面の少なくとも
いずれか一方の面に凹凸形状を設けたことを特徴とす
る。また、本発明は、凸凹構造が絶縁膜からなることを
特徴とする。また、本発明は、前記可動子側または前記
固定子側の互いに対向する面の少なくともいずれか一方
にこれら両部材間の距離を他の領域に比べて狭くするス
トッパーを設け、このストッパーと他方の互いに対向す
る面の少なくともいずれか一方に凸凹構造を設たことを
特徴とする。また、本発明は、基板上に設けられた固定
子電極およびそれを含む固定子、可動子電極およびそれ
を含む可動子、およびばね固定台を介して前記可動子を
前記基板上に支持するばねを備え、前記可動子が前記基
板に平行に動作するマイクロアクチュエータにおいて、
前記可動子側に第１のストッパーを設け、この第１のス
トッパーと前記固定子側との間にこれら両部材に対して
非接触な第２のストッパーを基板に設け、かつ前記第
１，第２のストッパーの互いに対向する面の少なくとも
いずれか一方に凸凹構造を設けたことを特徴とする。ま
た、本発明は、凸凹構造が半球状の形状であることを特
徴とする。また、本発明は、基板上に設けられた固定子
電極およびそれを含む固定子、可動子電極およびそれを
含む可動子、およびばね固定台を介して前記可動子を前
記 基板上に支持するばねを備え、前記可動子が前記基板
に平行に動作するマイクロアクチュエータの製造方法に
おいて、前記可動子側と前記固定子側の少なくともいず
れか一方にパターンを形成した後に、可動子側と固定子
側およびまたは基板の互いに対向する面の少なくともい
ずれか一方にポリシリコンからなる薄膜を堆積すること
によって凸凹構造を形成することを特徴とする。さら
に、本発明は、基板上に設けられた固定子電極およびそ
れを含む固定子、可動子電極およびそれを含む可動子、
およびばね固定台を介して前記可動子を前記基板上に支
持するばねを備え、前記可動子が前記基板に平行に動作
するマイクロアクチュエータの製造方法において、前記
基板に前記可動子と前記固定子を形成した後に、可動子
側と固定子側の互いに対向する面の少なくともいずれか
一方にエッチングによって凸凹構造を形成することを特
徴とする。
【００１８】本発明において、電極をそれぞれ備えた固
定子と可動子は、対向する面のいずれか一方に凹凸構造
が設けられているので、接触しても付着しない。なお、
本発明において、固定子側とは、櫛歯部を備えた固定子
自体を指す場合と、櫛歯部に設けられた電極を指す場合
を含む用語として、また可動子側とは櫛歯部を備えた可
動子自体を指す場合と、櫛歯部に設けられた電極を指す
場合を含む用語として理解すべきである。
定子と可動子は、対向する面のいずれか一方に凹凸構造
が設けられているので、接触しても付着しない。なお、
本発明において、固定子側とは、櫛歯部を備えた固定子
自体を指す場合と、櫛歯部に設けられた電極を指す場合
を含む用語として、また可動子側とは櫛歯部を備えた可
動子自体を指す場合と、櫛歯部に設けられた電極を指す
場合を含む用語として理解すべきである。
【００１９】ＬＰＣＶＤ（低圧化学的気相成長装置）で
作製されるポリシリコンは、堆積温度を変えることによ
ってグレインの形状を変化させることが可能である。特
に、５９０〜６３０°Ｃまでのアモルファスシリコンと
ポリシリコンの間の遷移温度で堆積したポリシリコンは
起伏に富んだ形状をしており、数十〜数百ｎｍ程度の半
球状の形状をもつ凹凸を容易に形成することができる。
この大きさおよび形状は、可動子電極が動作中に基板や
固定子電極と衝突した際に、空気中に含まれる水分の凝
縮によって生じた水の表面張力に起因する引力によって
付着する問題を軽減するのに適した大きさと形状であ
る。このような凸凹構造をもつポリシリコンはＬＰＣＶ
Ｄで形成できるために、狭い構造体の内部にも容易に形
成することが可能である。したがって、可動子電極の下
側に凸凹を形成することが可能である。さらに、可動子
電極や固定子電極の対向する面にも容易に堆積すること
が可能であることから、可動子電極と固定子電極との横
方向の接触面積を低減するのにも役立つ。
作製されるポリシリコンは、堆積温度を変えることによ
ってグレインの形状を変化させることが可能である。特
に、５９０〜６３０°Ｃまでのアモルファスシリコンと
ポリシリコンの間の遷移温度で堆積したポリシリコンは
起伏に富んだ形状をしており、数十〜数百ｎｍ程度の半
球状の形状をもつ凹凸を容易に形成することができる。
この大きさおよび形状は、可動子電極が動作中に基板や
固定子電極と衝突した際に、空気中に含まれる水分の凝
縮によって生じた水の表面張力に起因する引力によって
付着する問題を軽減するのに適した大きさと形状であ
る。このような凸凹構造をもつポリシリコンはＬＰＣＶ
Ｄで形成できるために、狭い構造体の内部にも容易に形
成することが可能である。したがって、可動子電極の下
側に凸凹を形成することが可能である。さらに、可動子
電極や固定子電極の対向する面にも容易に堆積すること
が可能であることから、可動子電極と固定子電極との横
方向の接触面積を低減するのにも役立つ。
【００２０】一方、可動子電極の下側あるいは側面方向
に凸凹を形成する他の方法として、可動子電極あるいは
固定子電極を形成した後にこれらの表面を軽くエッチン
グする手法が利用できる。エッチング方法として液体を
用いるウェットエッチと気体を用いるドライエッチが利
用できる。マイクロアクチュエータの厚さが大きくなり
可動子電極と固定子電極との間のギャップが狭くなるに
したがって、ウェットエッチでは溶液が奥まで侵入する
ことが困難になる。このため、ドライエッチの方が適し
ていると考えられるが、ウェットエッチは簡単な装置で
できることが長所である。表面に数百ｎｍ程度の凹凸を
作製するためには、エッチングされた面が粗れた状態と
なる条件を探すことが重要である。ドライエッチでは、
例えばＳＦ6 等のフッ素系のシリコンエッチングガスを
用いて装置内部の圧力を数百ｍＴｏｒｒと高く設定する
方法がある。一方、ウェットエッチでは、ヒドラジン、
ＥＤＰ等のシリコンエッチング液の内部にシリコンの粉
を溶かしたものを使用する方法が利用できる。また、エ
ッチング液やガスの中に有機成分を含んだ物質を混入す
ることも効果がある。
に凸凹を形成する他の方法として、可動子電極あるいは
固定子電極を形成した後にこれらの表面を軽くエッチン
グする手法が利用できる。エッチング方法として液体を
用いるウェットエッチと気体を用いるドライエッチが利
用できる。マイクロアクチュエータの厚さが大きくなり
可動子電極と固定子電極との間のギャップが狭くなるに
したがって、ウェットエッチでは溶液が奥まで侵入する
ことが困難になる。このため、ドライエッチの方が適し
ていると考えられるが、ウェットエッチは簡単な装置で
できることが長所である。表面に数百ｎｍ程度の凹凸を
作製するためには、エッチングされた面が粗れた状態と
なる条件を探すことが重要である。ドライエッチでは、
例えばＳＦ6 等のフッ素系のシリコンエッチングガスを
用いて装置内部の圧力を数百ｍＴｏｒｒと高く設定する
方法がある。一方、ウェットエッチでは、ヒドラジン、
ＥＤＰ等のシリコンエッチング液の内部にシリコンの粉
を溶かしたものを使用する方法が利用できる。また、エ
ッチング液やガスの中に有機成分を含んだ物質を混入す
ることも効果がある。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の第１の
実施の形態を示す断面図である。マイクロアクチュエー
タは、図１１に示した従来のものと同様に半導体基板ｌ
から分離された可動子４と半導体基板１に酸化膜２を介
して固定されている二つの固定子３とを備えている。た
だし、これら固定子３の櫛歯部３Ａおよび櫛歯部３Ａに
設けられた固定子電極３Ｂと、可動子４の櫛歯部４Ａお
よび櫛歯部４Ａに設けられた可動子電極４Ｂの表面は、
凸凹薄膜６が表面に設けられた絶縁膜５によって覆われ
ることにより凹凸構造をなしている。また、半導体基板
１の可動子４と対向する表面も凸凹薄膜６をもつ絶縁膜
７によって被覆されている。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の第１の
実施の形態を示す断面図である。マイクロアクチュエー
タは、図１１に示した従来のものと同様に半導体基板ｌ
から分離された可動子４と半導体基板１に酸化膜２を介
して固定されている二つの固定子３とを備えている。た
だし、これら固定子３の櫛歯部３Ａおよび櫛歯部３Ａに
設けられた固定子電極３Ｂと、可動子４の櫛歯部４Ａお
よび櫛歯部４Ａに設けられた可動子電極４Ｂの表面は、
凸凹薄膜６が表面に設けられた絶縁膜５によって覆われ
ることにより凹凸構造をなしている。また、半導体基板
１の可動子４と対向する表面も凸凹薄膜６をもつ絶縁膜
７によって被覆されている。
【００２２】可動子４の櫛歯部４Ａと電極４Ｂは、例え
ば幅３μｍ、高さ２０μｍの寸法をもつシリコン単結晶
である。一方、固定子３の櫛歯部３Ａは、幅１０μｍ、
高さ２０μｍのシリコン単結晶である。固定子電極３Ｂ
は、例えば可動子電極４Ｂと同様に幅３μｍ、高さ２０
μｍのシリコン単結晶からなっている。この場合、電極
３Ｂは半導体基板１から浮き上がった構造となるが、櫛
歯部３Ａが半導体基板１に固定されているために、電圧
を印加しても動くことがない。絶縁膜５は、例えば１０
０ｎｍの酸化膜、１００ｎｍの窒化膜、あるいはこれら
の複合材料からなるものである。そして、凸凹薄膜６
は、例えば１００ｎｍの厚さをもつポリシリコンであ
る。
ば幅３μｍ、高さ２０μｍの寸法をもつシリコン単結晶
である。一方、固定子３の櫛歯部３Ａは、幅１０μｍ、
高さ２０μｍのシリコン単結晶である。固定子電極３Ｂ
は、例えば可動子電極４Ｂと同様に幅３μｍ、高さ２０
μｍのシリコン単結晶からなっている。この場合、電極
３Ｂは半導体基板１から浮き上がった構造となるが、櫛
歯部３Ａが半導体基板１に固定されているために、電圧
を印加しても動くことがない。絶縁膜５は、例えば１０
０ｎｍの酸化膜、１００ｎｍの窒化膜、あるいはこれら
の複合材料からなるものである。そして、凸凹薄膜６
は、例えば１００ｎｍの厚さをもつポリシリコンであ
る。
【００２３】この実施の形態で示したマイクロアクチュ
エータの構造は、可動子４の櫛歯部４Ａおよび電極４Ｂ
が接触する半導体基板１および固定子３の櫛歯部３Ａお
よび電極３Ｂの全ての表面が凸凹薄膜６によってそれぞ
れ覆われていることが特長である。このため、可動子電
極４Ｂが基板１あるいは固定子電極３Ｂに衝突したとし
ても可動子電極４Ｂをこれらに付着させる力を著しく軽
減させることが可能である。
エータの構造は、可動子４の櫛歯部４Ａおよび電極４Ｂ
が接触する半導体基板１および固定子３の櫛歯部３Ａお
よび電極３Ｂの全ての表面が凸凹薄膜６によってそれぞ
れ覆われていることが特長である。このため、可動子電
極４Ｂが基板１あるいは固定子電極３Ｂに衝突したとし
ても可動子電極４Ｂをこれらに付着させる力を著しく軽
減させることが可能である。
【００２４】さらに、本実施の形態では、固定子３の櫛
歯部３Ａおよび電極３Ｂと可動子４の櫛歯部４Ａと電極
４Ｂの表面を絶縁膜５によって覆った構造を示してい
る。これは、可動子電極４Ｂを駆動させるために可動子
電極４Ｂと固定子電極３Ｂの間に加えられる電圧がたと
え二つの電極が衝突したとしても短絡しないでマイクロ
アクチュエータが動作を継続するのに役立つ。実験によ
ると、可動子電極４Ｂおよび固定子電極３Ｂの側面に設
けられた凸凹薄膜６の表面の粗さとして５０〜５００ｎ
ｍ程度が実用上最も良い条件であることが明らかになっ
た。これは、二つの電極が衝突した際に互いを引きつけ
る力の原因となる空気中に含まれる水の表面張力が、電
極の表面が数十ｎｍ程度以上凸凹状態となって粗れてい
る場合には著しく減少するからである。
歯部３Ａおよび電極３Ｂと可動子４の櫛歯部４Ａと電極
４Ｂの表面を絶縁膜５によって覆った構造を示してい
る。これは、可動子電極４Ｂを駆動させるために可動子
電極４Ｂと固定子電極３Ｂの間に加えられる電圧がたと
え二つの電極が衝突したとしても短絡しないでマイクロ
アクチュエータが動作を継続するのに役立つ。実験によ
ると、可動子電極４Ｂおよび固定子電極３Ｂの側面に設
けられた凸凹薄膜６の表面の粗さとして５０〜５００ｎ
ｍ程度が実用上最も良い条件であることが明らかになっ
た。これは、二つの電極が衝突した際に互いを引きつけ
る力の原因となる空気中に含まれる水の表面張力が、電
極の表面が数十ｎｍ程度以上凸凹状態となって粗れてい
る場合には著しく減少するからである。
【００２５】一方、マイクロアクチュエータを駆動させ
るために可動子電極４Ｂと固定子電極３Ｂの間に印加さ
れる電圧を低くして大きな駆動力を得るためには、これ
ら二つの電極の間の距離を短く設定することが必要であ
る。しかし、この距離はプロセスの制限から通常２μｍ
程度である。この２μｍの距離に凸凹表面を形成する
と、二つの電極の間の距離が表面の凸凹形状のために大
きく変動してマイクロアクチュエータの動作特性が安定
しないという問題が引き起こされる。しかし、５００ｎ
ｍよりも小さな凸凹表面の場合には、この不安定性があ
まり大きくなく、事実上使用に耐えることが可能であ
る。
るために可動子電極４Ｂと固定子電極３Ｂの間に印加さ
れる電圧を低くして大きな駆動力を得るためには、これ
ら二つの電極の間の距離を短く設定することが必要であ
る。しかし、この距離はプロセスの制限から通常２μｍ
程度である。この２μｍの距離に凸凹表面を形成する
と、二つの電極の間の距離が表面の凸凹形状のために大
きく変動してマイクロアクチュエータの動作特性が安定
しないという問題が引き起こされる。しかし、５００ｎ
ｍよりも小さな凸凹表面の場合には、この不安定性があ
まり大きくなく、事実上使用に耐えることが可能であ
る。
【００２６】図２は、本発明の第２の実施の形態を示す
断面図である。なお、以下の説明においては図１に示し
た構成要素と同一のものについては、同じ番号をもって
示し、その説明を適宜省略する。この実施の形態では、
固定子３の櫛歯部３Ａと可動子４の櫛歯部４Ａの互いに
対向する側面および固定子電極３Ｂと可動子電極４Ｂの
先端面にのみ凸凹薄膜２６を設けている。また、半導体
基板１の表面で可動子４の櫛歯部４Ａと可動子電極４Ｂ
と対向する面にも、凸凹薄膜２７を形成している。
断面図である。なお、以下の説明においては図１に示し
た構成要素と同一のものについては、同じ番号をもって
示し、その説明を適宜省略する。この実施の形態では、
固定子３の櫛歯部３Ａと可動子４の櫛歯部４Ａの互いに
対向する側面および固定子電極３Ｂと可動子電極４Ｂの
先端面にのみ凸凹薄膜２６を設けている。また、半導体
基板１の表面で可動子４の櫛歯部４Ａと可動子電極４Ｂ
と対向する面にも、凸凹薄膜２７を形成している。
【００２７】このような構造においては、図１に示した
実施の形態に比べて以下の特長をもっている。 １）可動子４の櫛歯部４Ａと電極４Ｂの上にスリット、
ミラー等の光学部品やスライダー、サスペンション等の
磁気ヘッド等の関連部品を直接搭載したとしても、櫛歯
部４Ａと電極４Ｂの表面が平坦であるために、これら部
品を櫛歯部４Ａと電極４Ｂの動作方向に対して一定の角
度を保つように容易に装着することが可能である。これ
ら部品は動作面に対して一定の角度をもち、０．１μｍ
以下の精度で正確に実装されることが要求されているも
のである。 ２）可動子４の櫛歯部４Ａと電極４Ｂの下側に設けられ
ている凸凹薄膜２７は、側面に設けられた凸凹薄膜２６
と異なる材料およびプロセスで形成することが可能であ
る。例えば、酸化膜２を除去するときに、櫛歯部４Ａと
電極４Ｂの下側だけを図に示すように残すことが可能で
ある。このとき、凸凹薄膜２７は酸化膜２から構成され
ることになる。また、凸凹薄膜２６を５０〜５００ｎｍ
程度になるように設定し、凸凹薄膜２７を１μｍ程度に
設定することも可能である。これは、可動子電極４Ｂと
半導体基板１の間には通常電位差がないように設定され
るためにギャップを狭く設定する必要がないからであ
る。また、マイクロアクチュエータの動作中の付着を防
ぐためには５００ｎｍ以下の表面形状の粗さが適してい
るが、一方、可動子電極４Ｂを半導体基板１から分離す
るプロセス中に引き起こされる可動子電極４Ｂの基板１
に対する付着を防ぐためには１μｍ程度の凸凹をもった
構造を形成することが望ましいことからも本発明の構造
は有効である。このように、側面用と底面用の凹凸薄膜
２６，２７の二つの凸凹薄膜を利用することによって、
材料、プロセス、形状の異なる付着防止構造を作製する
ことが可能である。これは、設計、プロセスの自由度を
拡大させるのに役立つ。
実施の形態に比べて以下の特長をもっている。 １）可動子４の櫛歯部４Ａと電極４Ｂの上にスリット、
ミラー等の光学部品やスライダー、サスペンション等の
磁気ヘッド等の関連部品を直接搭載したとしても、櫛歯
部４Ａと電極４Ｂの表面が平坦であるために、これら部
品を櫛歯部４Ａと電極４Ｂの動作方向に対して一定の角
度を保つように容易に装着することが可能である。これ
ら部品は動作面に対して一定の角度をもち、０．１μｍ
以下の精度で正確に実装されることが要求されているも
のである。 ２）可動子４の櫛歯部４Ａと電極４Ｂの下側に設けられ
ている凸凹薄膜２７は、側面に設けられた凸凹薄膜２６
と異なる材料およびプロセスで形成することが可能であ
る。例えば、酸化膜２を除去するときに、櫛歯部４Ａと
電極４Ｂの下側だけを図に示すように残すことが可能で
ある。このとき、凸凹薄膜２７は酸化膜２から構成され
ることになる。また、凸凹薄膜２６を５０〜５００ｎｍ
程度になるように設定し、凸凹薄膜２７を１μｍ程度に
設定することも可能である。これは、可動子電極４Ｂと
半導体基板１の間には通常電位差がないように設定され
るためにギャップを狭く設定する必要がないからであ
る。また、マイクロアクチュエータの動作中の付着を防
ぐためには５００ｎｍ以下の表面形状の粗さが適してい
るが、一方、可動子電極４Ｂを半導体基板１から分離す
るプロセス中に引き起こされる可動子電極４Ｂの基板１
に対する付着を防ぐためには１μｍ程度の凸凹をもった
構造を形成することが望ましいことからも本発明の構造
は有効である。このように、側面用と底面用の凹凸薄膜
２６，２７の二つの凸凹薄膜を利用することによって、
材料、プロセス、形状の異なる付着防止構造を作製する
ことが可能である。これは、設計、プロセスの自由度を
拡大させるのに役立つ。
【００２８】以上の実施の形態では、ポリシリコンで凸
凹薄膜２６，２７を形成した例を示したが、本発明はこ
れに限られることなく一般に数十〜数百ｎｍ程度の凹凸
が表面に形成できる方法で利用可能な材料を含むもので
ある。例えば、ＣＶＤで形成されたタングステン、チタ
ン、窒化チタン等の金属、あるいは、ＣＶＤで形成され
た、酸化膜、窒化膜等の絶縁膜、あるいは、ＣＶＤで形
成されたアモルファスシリコン等の半導体、あるいはＣ
ＶＤで形成された有機薄膜等である。あるいは、スパッ
ター、蒸着等の方法も利用可能である。さらに、これら
を複数組み合わせた方法も本発明に含まれるものであ
る。
凹薄膜２６，２７を形成した例を示したが、本発明はこ
れに限られることなく一般に数十〜数百ｎｍ程度の凹凸
が表面に形成できる方法で利用可能な材料を含むもので
ある。例えば、ＣＶＤで形成されたタングステン、チタ
ン、窒化チタン等の金属、あるいは、ＣＶＤで形成され
た、酸化膜、窒化膜等の絶縁膜、あるいは、ＣＶＤで形
成されたアモルファスシリコン等の半導体、あるいはＣ
ＶＤで形成された有機薄膜等である。あるいは、スパッ
ター、蒸着等の方法も利用可能である。さらに、これら
を複数組み合わせた方法も本発明に含まれるものであ
る。
【００２９】また、以上の実施の形態で述べた凸凹薄膜
は、絶縁膜の上に形成した。しかし、シリコン等の可動
子電極４Ｂ、固定子電極３Ｂ、あるいは半導体基板１の
材料表面に直接堆積しても、十分に凸凹形状を形成でき
る条件で行うならば可動子４の櫛歯部４Ａと電極４Ｂの
付着を防止するという本発明の効果を得ることが可能で
ある。
は、絶縁膜の上に形成した。しかし、シリコン等の可動
子電極４Ｂ、固定子電極３Ｂ、あるいは半導体基板１の
材料表面に直接堆積しても、十分に凸凹形状を形成でき
る条件で行うならば可動子４の櫛歯部４Ａと電極４Ｂの
付着を防止するという本発明の効果を得ることが可能で
ある。
【００３０】この場合、この堆積する材料がポリシリコ
ン等の半導体材料、あるいはタングステン等の金属材料
であるときには、可動子電極４Ｂと固定子電極３Ｂとの
衝突の際に電気的な短絡が起こる。これを防ぐには、例
えばこれら堆積材料を酸化して絶縁膜とすることが有効
である。さらに、堆積材料として酸化膜等の絶縁膜を最
初から利用するならば、この堆積後に酸化するというプ
ロセスを省略することができる。
ン等の半導体材料、あるいはタングステン等の金属材料
であるときには、可動子電極４Ｂと固定子電極３Ｂとの
衝突の際に電気的な短絡が起こる。これを防ぐには、例
えばこれら堆積材料を酸化して絶縁膜とすることが有効
である。さらに、堆積材料として酸化膜等の絶縁膜を最
初から利用するならば、この堆積後に酸化するというプ
ロセスを省略することができる。
【００３１】図３は本発明の第３の実施の形態を示す断
面図である。この実施の形態では、可動子４の櫛歯部４
Ａと電極４Ｂおよび固定子３の櫛歯部３Ａと電極３Ｂの
上側の表面をポリシリコン膜３８で覆うとともに、半導
体基板１の表面の可動子４の櫛歯部４Ａと電極４Ｂと対
向する面をポリシリコン膜３７によって被覆した点が図
１に示した実施の形態と異なり、その他の構成は同じで
ある。
面図である。この実施の形態では、可動子４の櫛歯部４
Ａと電極４Ｂおよび固定子３の櫛歯部３Ａと電極３Ｂの
上側の表面をポリシリコン膜３８で覆うとともに、半導
体基板１の表面の可動子４の櫛歯部４Ａと電極４Ｂと対
向する面をポリシリコン膜３７によって被覆した点が図
１に示した実施の形態と異なり、その他の構成は同じで
ある。
【００３２】この構造においても、可動子４の櫛歯部４
Ａと電極４Ｂが固定子３の櫛歯部３Ａと電極３Ｂあるい
は半導体基板１に付着することが防止できること、ま
た、可動子電極４Ｂが駆動中に固定子電極３Ｂに衝突し
ても電気的な短絡が生じないマイクロアクチュエータを
実現することができる。
Ａと電極４Ｂが固定子３の櫛歯部３Ａと電極３Ｂあるい
は半導体基板１に付着することが防止できること、ま
た、可動子電極４Ｂが駆動中に固定子電極３Ｂに衝突し
ても電気的な短絡が生じないマイクロアクチュエータを
実現することができる。
【００３３】特に、この実施の形態の最大の特徴は、凸
凹薄膜３６をポリシリコンで形成するときに、絶縁膜５
の上では表面が粗れたポリシリコン膜となるのに対して
シリコンの上では表面が平坦な形状をもつポリシリコン
膜となるという選択成長条件を利用できることである。
この選択条件は、例えばＬＰＣＶＤを用いた、シラン２
０％のガス、１Ｔｏｒｒの圧力、５９０〜６３０°Ｃの
堆積温度である。このポリシリコンの選択成長を利用す
ると、凸凹が必要なところにのみ所望の凸凹薄膜を形成
することが可能となる。しかも、余分なフォトリソグラ
フィー等を必要としないためにプロセスが簡略化される
という利点がある。
凹薄膜３６をポリシリコンで形成するときに、絶縁膜５
の上では表面が粗れたポリシリコン膜となるのに対して
シリコンの上では表面が平坦な形状をもつポリシリコン
膜となるという選択成長条件を利用できることである。
この選択条件は、例えばＬＰＣＶＤを用いた、シラン２
０％のガス、１Ｔｏｒｒの圧力、５９０〜６３０°Ｃの
堆積温度である。このポリシリコンの選択成長を利用す
ると、凸凹が必要なところにのみ所望の凸凹薄膜を形成
することが可能となる。しかも、余分なフォトリソグラ
フィー等を必要としないためにプロセスが簡略化される
という利点がある。
【００３４】ここで述べた方法は、ポリシリコンに限ら
れることなく一般に選択成長が利用可能な材料に対して
利用することができる。例えば、ＣＶＤで作製されるタ
ングステン等の場合であり、本発明に含まれるものであ
る。
れることなく一般に選択成長が利用可能な材料に対して
利用することができる。例えば、ＣＶＤで作製されるタ
ングステン等の場合であり、本発明に含まれるものであ
る。
【００３５】以上述べた実施の形態はいずれも可動子４
の櫛歯部４Ａおよび電極４Ｂと固定子３の櫛歯部３Ａお
よび電極３Ｂの表面に凸凹形状をもつ薄膜を堆積して形
成されるものであった。しかし、可動子電極４Ｂ等の表
面を直接エッチングして凸凹形状を形成することも可能
である。
の櫛歯部４Ａおよび電極４Ｂと固定子３の櫛歯部３Ａお
よび電極３Ｂの表面に凸凹形状をもつ薄膜を堆積して形
成されるものであった。しかし、可動子電極４Ｂ等の表
面を直接エッチングして凸凹形状を形成することも可能
である。
【００３６】図４は本発明の第４の実施の形態を示す断
面図である。この実施の形態では、可動子４の櫛歯部４
Ａおよび電極４Ｂの側面および下側表面に凸凹形状４６
を設けている。また、固定子３の櫛歯部３Ａおよび電極
３Ｂの側面および下側の表面の一部および半導体基板１
表面の可動子電極４Ｂと対向する面にも凸凹形状４６，
４７をそれぞれ形成している。凸凹形状４６，４７は、
可動子電極４Ｂ、固定子電極３Ｂおよび半導体基板１を
構成する材料と同一の材料からなっている。
面図である。この実施の形態では、可動子４の櫛歯部４
Ａおよび電極４Ｂの側面および下側表面に凸凹形状４６
を設けている。また、固定子３の櫛歯部３Ａおよび電極
３Ｂの側面および下側の表面の一部および半導体基板１
表面の可動子電極４Ｂと対向する面にも凸凹形状４６，
４７をそれぞれ形成している。凸凹形状４６，４７は、
可動子電極４Ｂ、固定子電極３Ｂおよび半導体基板１を
構成する材料と同一の材料からなっている。
【００３７】このような構成においては、マイクロアク
チュエータに不必要な残留応力が残らないためにヒステ
リシスの少ない長期信頼性に優れた安定的な特性を実現
することが可能である。また、周囲の温度の変化に対し
ても変動が少ないという特長がある。さらに、薄膜を堆
積するプロセスを必要としないために製造方法が簡略化
されるという特長もある。
チュエータに不必要な残留応力が残らないためにヒステ
リシスの少ない長期信頼性に優れた安定的な特性を実現
することが可能である。また、周囲の温度の変化に対し
ても変動が少ないという特長がある。さらに、薄膜を堆
積するプロセスを必要としないために製造方法が簡略化
されるという特長もある。
【００３８】なお、図４に示した構造のマイクロアクチ
ュエータでは、可動子電極４Ｂが固定子電極３Ｂに衝突
した場合に電気的な短絡が生じる問題がある。これを防
ぐために、一つの方法として図中の凸凹形状４６，４７
を酸化して絶縁膜とする方法が有効である。また、絶縁
膜を凸凹形状４６，４７の上に堆積することも有効であ
る。下地の複雑な形状に沿って堆積するものとして、例
えばＬＰＣＶＤで１００ｎｍの厚さに窒化膜を堆積する
方法が利用できる。
ュエータでは、可動子電極４Ｂが固定子電極３Ｂに衝突
した場合に電気的な短絡が生じる問題がある。これを防
ぐために、一つの方法として図中の凸凹形状４６，４７
を酸化して絶縁膜とする方法が有効である。また、絶縁
膜を凸凹形状４６，４７の上に堆積することも有効であ
る。下地の複雑な形状に沿って堆積するものとして、例
えばＬＰＣＶＤで１００ｎｍの厚さに窒化膜を堆積する
方法が利用できる。
【００３９】図５は本発明の第５の実施の形態を示す断
面図である。この実施の形態では、可動子４の櫛歯部４
Ａと電極４Ｂおよび固定子３の櫛歯部３Ａと電極３Ｂの
表面に図１の実施の形態で述べたものと同一の凸凹薄膜
５６を設けている。一方、半導体基板１の表面で可動子
４の櫛歯部４Ａおよび電極４Ｂと対向する面には、図４
で述べたものと同一の凸凹形状薄膜５７を設けている。
面図である。この実施の形態では、可動子４の櫛歯部４
Ａと電極４Ｂおよび固定子３の櫛歯部３Ａと電極３Ｂの
表面に図１の実施の形態で述べたものと同一の凸凹薄膜
５６を設けている。一方、半導体基板１の表面で可動子
４の櫛歯部４Ａおよび電極４Ｂと対向する面には、図４
で述べたものと同一の凸凹形状薄膜５７を設けている。
【００４０】この構造は以下に述べるように製造方法を
著しく簡略化できるという特長がある。一般に、数十〜
数百ｎｍの段差をもつ凸凹形状を作製するには、エッチ
ングを用いるよりも薄膜を堆積する方法の方がより正確
な制御を行うことができる。また、均一性も遥かに優れ
ている。そのため、図５の実施の形態に示すように、正
確な制御が要求される電極の側面に設ける凸凹薄膜５６
を薄膜の堆積を利用する方法によって作製し、あまり正
確な形状制御を必要としない半導体基板１側の凸凹形状
５７を半導体基板１のエッチングによって形成すること
は、本発明の効果を得るための適切な選択の一つであ
る。
著しく簡略化できるという特長がある。一般に、数十〜
数百ｎｍの段差をもつ凸凹形状を作製するには、エッチ
ングを用いるよりも薄膜を堆積する方法の方がより正確
な制御を行うことができる。また、均一性も遥かに優れ
ている。そのため、図５の実施の形態に示すように、正
確な制御が要求される電極の側面に設ける凸凹薄膜５６
を薄膜の堆積を利用する方法によって作製し、あまり正
確な形状制御を必要としない半導体基板１側の凸凹形状
５７を半導体基板１のエッチングによって形成すること
は、本発明の効果を得るための適切な選択の一つであ
る。
【００４１】ここで、図１に示した実施の形態のように
全ての凸凹形状を薄膜の堆積だけで行うことはポリシリ
コンのＬＰＣＶＤのような方法を用いるときには適切な
選択となるが、一般に可動子電極４Ｂの下側表面に凸凹
薄膜を形成することは側面よりも困難である。これは、
例えばスパッターのような装置を用いた場合にターゲッ
トから陰となる領域に膜を形成することが困難であるこ
とから理解できる。図５の構造は、このような薄膜を形
成することが困難な奥部に凸凹形状を形成することを可
能とするとともに、形状制御が必要な側面には薄膜堆積
方法を利用するという点で合理的である。図５の構造を
利用すると、凸凹薄膜５６としてポリシリコンの他に先
に述べた多くの材料を利用できるようになる。
全ての凸凹形状を薄膜の堆積だけで行うことはポリシリ
コンのＬＰＣＶＤのような方法を用いるときには適切な
選択となるが、一般に可動子電極４Ｂの下側表面に凸凹
薄膜を形成することは側面よりも困難である。これは、
例えばスパッターのような装置を用いた場合にターゲッ
トから陰となる領域に膜を形成することが困難であるこ
とから理解できる。図５の構造は、このような薄膜を形
成することが困難な奥部に凸凹形状を形成することを可
能とするとともに、形状制御が必要な側面には薄膜堆積
方法を利用するという点で合理的である。図５の構造を
利用すると、凸凹薄膜５６としてポリシリコンの他に先
に述べた多くの材料を利用できるようになる。
【００４２】以上、述べた実施の形態では、可動子４の
櫛歯部４Ａと電極４Ｂおよび固定子３の櫛歯部３Ａと電
極３Ｂの互いに対向する側面の両方に凸凹形状を形成し
た。しかし、本発明はこれに限られることなく、いずれ
か一方の側面にのみ凸凹形状を形成した場合でも本発明
の目的である可動子４の櫛歯部４Ａ、電極４Ｂの付着を
防止する効果があることはいうまでもない。また、可動
子電極４Ｂの下側の凸凹形状も櫛歯部４Ａと電極４Ｂ
側、またはこれに対向する基板１側のいずれか一方、あ
るいはその両方の側に設けてもよい。さらに、電気的な
短絡を防ぐ目的で設けられた絶縁膜５も、櫛歯部４Ａと
電極４Ｂ、あるいは固定子３の櫛歯部３Ａと電極３Ｂの
いずれか一方に凸凹形状のあるなしに拘わらず設ける構
造も本発明に含まれることはいうまでもない。
櫛歯部４Ａと電極４Ｂおよび固定子３の櫛歯部３Ａと電
極３Ｂの互いに対向する側面の両方に凸凹形状を形成し
た。しかし、本発明はこれに限られることなく、いずれ
か一方の側面にのみ凸凹形状を形成した場合でも本発明
の目的である可動子４の櫛歯部４Ａ、電極４Ｂの付着を
防止する効果があることはいうまでもない。また、可動
子電極４Ｂの下側の凸凹形状も櫛歯部４Ａと電極４Ｂ
側、またはこれに対向する基板１側のいずれか一方、あ
るいはその両方の側に設けてもよい。さらに、電気的な
短絡を防ぐ目的で設けられた絶縁膜５も、櫛歯部４Ａと
電極４Ｂ、あるいは固定子３の櫛歯部３Ａと電極３Ｂの
いずれか一方に凸凹形状のあるなしに拘わらず設ける構
造も本発明に含まれることはいうまでもない。
【００４３】また、上に述べた実施の形態では、固定子
３は基板１の上に設けられたものであった。しかし、本
発明の構造はこれに限られることなく、固定子３を可動
子４の上に設けた場合にも適用が可能である。また、可
動子４を固定子３の上に設けた構造においても本発明を
適用することが可能である。このように、可動子４ある
いは固定子３の上に他の固定子あるいは他の可動子が搭
載された多層的な構造をもつマイクロアクチュエータに
おいても本発明が有効である。
３は基板１の上に設けられたものであった。しかし、本
発明の構造はこれに限られることなく、固定子３を可動
子４の上に設けた場合にも適用が可能である。また、可
動子４を固定子３の上に設けた構造においても本発明を
適用することが可能である。このように、可動子４ある
いは固定子３の上に他の固定子あるいは他の可動子が搭
載された多層的な構造をもつマイクロアクチュエータに
おいても本発明が有効である。
【００４４】次に、本発明に係るマイクロアクチュエー
タの製造方法について説明する。図６は図１に示したマ
イクロアクチュエータの製造方法を説明するための図で
ある。先ず、例えば５００μｍの厚さの半導体基板１の
上に２μｍの酸化膜２および２０μｍの厚さのシリコン
６０からなるＳＯＩウエハを利用してプロセスを開始す
る。さらに、シリコン膜６０の上に３μｍの酸化膜６１
を堆積し、フォトリソグラフィーを用いてパターニング
したマイクロアクチュエータの形状を酸化膜６１に転写
する。そして、この酸化膜６１をマスクとしてシリコン
６０を塩素ガスを用いたプラズマエッチング装置によっ
てエッチングする（同図（ａ））。続いて可動子電極４
Ｂの下側の酸化膜２をフッ酸を用いて除去する。フッ酸
を多量の水によって洗い流した後、試料をフリーズドド
ライ装置を利用して可動子電極４Ｂが半導体基板１に付
着しないように注意して乾燥させる。この試料を熱酸化
炉およびＬＰＣＶＤに入れて半導体基板１と電極の表面
に酸化膜および窒化膜からなる絶縁膜５，６２を形成す
る（同図（ｂ））。
タの製造方法について説明する。図６は図１に示したマ
イクロアクチュエータの製造方法を説明するための図で
ある。先ず、例えば５００μｍの厚さの半導体基板１の
上に２μｍの酸化膜２および２０μｍの厚さのシリコン
６０からなるＳＯＩウエハを利用してプロセスを開始す
る。さらに、シリコン膜６０の上に３μｍの酸化膜６１
を堆積し、フォトリソグラフィーを用いてパターニング
したマイクロアクチュエータの形状を酸化膜６１に転写
する。そして、この酸化膜６１をマスクとしてシリコン
６０を塩素ガスを用いたプラズマエッチング装置によっ
てエッチングする（同図（ａ））。続いて可動子電極４
Ｂの下側の酸化膜２をフッ酸を用いて除去する。フッ酸
を多量の水によって洗い流した後、試料をフリーズドド
ライ装置を利用して可動子電極４Ｂが半導体基板１に付
着しないように注意して乾燥させる。この試料を熱酸化
炉およびＬＰＣＶＤに入れて半導体基板１と電極の表面
に酸化膜および窒化膜からなる絶縁膜５，６２を形成す
る（同図（ｂ））。
【００４５】この後、試料の表面にＬＰＣＶＤを利用し
てポリシリコンを堆積する。このポリシリコンは、例え
ば６００°Ｃの堆積温度で２０％に希釈したシランガス
を流すことによって図に示すように表面に大きな凸凹を
もつ膜６３を形成することができる（同図（ｃ））。
てポリシリコンを堆積する。このポリシリコンは、例え
ば６００°Ｃの堆積温度で２０％に希釈したシランガス
を流すことによって図に示すように表面に大きな凸凹を
もつ膜６３を形成することができる（同図（ｃ））。
【００４６】この方法を利用して図２に示した構造のマ
イクロアクチュエータを形成するには、例えば図６
（ａ）の構造を形成した後に絶縁膜をシリコン６０の側
壁に形成する。その後、側壁を残して絶縁膜を除去し
（例えばドライエッチングを利用したエッチバックプロ
セス等）、ポリシリコンを堆積する。可動子電極４Ｂお
よび固定子電極３Ｂの上側表面を例えば研磨プロセスを
用いて研磨し平坦な構造とする。続いて、酸化膜２を除
去する。このときエッチング時間を制御することによっ
て図２に示す凸凹薄膜２７を形成することが可能であ
る。
イクロアクチュエータを形成するには、例えば図６
（ａ）の構造を形成した後に絶縁膜をシリコン６０の側
壁に形成する。その後、側壁を残して絶縁膜を除去し
（例えばドライエッチングを利用したエッチバックプロ
セス等）、ポリシリコンを堆積する。可動子電極４Ｂお
よび固定子電極３Ｂの上側表面を例えば研磨プロセスを
用いて研磨し平坦な構造とする。続いて、酸化膜２を除
去する。このときエッチング時間を制御することによっ
て図２に示す凸凹薄膜２７を形成することが可能であ
る。
【００４７】図３の構造は、例えば図２の製造方法で凸
凹薄膜２７を残さないように酸化膜２の除去を行う時間
を長くする。この後に、再びポリシリコンの堆積を行う
方法によって形成することが可能である。
凹薄膜２７を残さないように酸化膜２の除去を行う時間
を長くする。この後に、再びポリシリコンの堆積を行う
方法によって形成することが可能である。
【００４８】図７は、図４に示したマイクロアクチュエ
ータを製造する方法を説明するための図である。例え
ば、５００μｍの厚さの半導体基板１の上に２μｍの酸
化膜２および２０μｍの厚さのシリコン６０からなるＳ
ＯＩウエハを利用してプロセスを開始することができ
る。シリコン膜６０の表面および半導体基板１の下面に
３μｍの酸化膜６１を堆積し、フォトリソグラフィーを
用いてパターニングしたマイクロアクチュエータの形状
を酸化膜６１に転写する。そして、この酸化膜６１をマ
スクとしてシリコン６０を塩素ガスを用いたプラズマエ
ッチング装置を用いてエッチングする（同図（ａ））。
続いて可動子電極４Ｂの下側の酸化膜２をフッ酸を用い
て除去する。フッ酸を多量の水によって洗い流した後、
シリコンのエッチング液の中に入れてシリコン表面のエ
ッチングを行う（同図（ｂ））。このときのエッチング
は、例えば予めシリコンの粉末を十分に溶かしたＥＤＰ
（エチレンジアミンピロカテコール）を５０°Ｃ程度に
加熱した溶液中にこの試料を１分間程度浸すことによっ
て図（ｃ）に示す凸凹構造７３をシリコン表面に形成す
ることができる。なお、酸化膜２を除去した後に試料を
乾燥させることなく、このシリコン表面のエッチングを
行うことが重要である。さもないと、半導体基板１から
分離した可動子電極４Ｂが半導体基板１に付着するとい
う問題が起きるからである。もちろん、図６で述べたフ
リーズドドライ等の乾燥方法を利用するとこの問題を回
避することが可能である。
ータを製造する方法を説明するための図である。例え
ば、５００μｍの厚さの半導体基板１の上に２μｍの酸
化膜２および２０μｍの厚さのシリコン６０からなるＳ
ＯＩウエハを利用してプロセスを開始することができ
る。シリコン膜６０の表面および半導体基板１の下面に
３μｍの酸化膜６１を堆積し、フォトリソグラフィーを
用いてパターニングしたマイクロアクチュエータの形状
を酸化膜６１に転写する。そして、この酸化膜６１をマ
スクとしてシリコン６０を塩素ガスを用いたプラズマエ
ッチング装置を用いてエッチングする（同図（ａ））。
続いて可動子電極４Ｂの下側の酸化膜２をフッ酸を用い
て除去する。フッ酸を多量の水によって洗い流した後、
シリコンのエッチング液の中に入れてシリコン表面のエ
ッチングを行う（同図（ｂ））。このときのエッチング
は、例えば予めシリコンの粉末を十分に溶かしたＥＤＰ
（エチレンジアミンピロカテコール）を５０°Ｃ程度に
加熱した溶液中にこの試料を１分間程度浸すことによっ
て図（ｃ）に示す凸凹構造７３をシリコン表面に形成す
ることができる。なお、酸化膜２を除去した後に試料を
乾燥させることなく、このシリコン表面のエッチングを
行うことが重要である。さもないと、半導体基板１から
分離した可動子電極４Ｂが半導体基板１に付着するとい
う問題が起きるからである。もちろん、図６で述べたフ
リーズドドライ等の乾燥方法を利用するとこの問題を回
避することが可能である。
【００４９】しかし、本製造方法の大きな特長は、図
（ａ）に示した工程の後の酸化膜２のエッチングの後に
試料を乾燥させることなく直ちにシリコンエッチングを
行って表面に凸凹構造７３を形成することに注意するだ
けで、可動子電極４Ｂが基板１に付着するという問題を
回避できるということである。このため、フリーズドド
ライ等の面倒なプロセスが省略できるという利点があ
る。もし電気的な短絡を防止したいならば、同図（ｃ）
に示すようにこの試料を熱酸化炉の中で酸化して、酸化
膜からなる凸凹薄膜７４，７５を形成することも可能で
ある。なお、このプロセスで半導体基板１の裏面に設け
られる酸化膜６１は、同図（ｂ）の中のシリコン表面を
エッチングするプロセス中で半導体基板１を保護する働
きをもっている。
（ａ）に示した工程の後の酸化膜２のエッチングの後に
試料を乾燥させることなく直ちにシリコンエッチングを
行って表面に凸凹構造７３を形成することに注意するだ
けで、可動子電極４Ｂが基板１に付着するという問題を
回避できるということである。このため、フリーズドド
ライ等の面倒なプロセスが省略できるという利点があ
る。もし電気的な短絡を防止したいならば、同図（ｃ）
に示すようにこの試料を熱酸化炉の中で酸化して、酸化
膜からなる凸凹薄膜７４，７５を形成することも可能で
ある。なお、このプロセスで半導体基板１の裏面に設け
られる酸化膜６１は、同図（ｂ）の中のシリコン表面を
エッチングするプロセス中で半導体基板１を保護する働
きをもっている。
【００５０】以上述べた実施の形態では可動子電極４Ｂ
の側面に凸凹形状を形成した。この凹凸形状が数百ｎｍ
程度以下であるならば、たとえ凹凸をもった電極の間に
電圧を加えてもたいていの応用においてマイクロアクチ
ュエータの駆動を安定的に行うことが可能である。しか
し、光の波長変調や磁気ヘッドの駆動等におけるよう
に、１０ｎｍ以下の精度でマイクロアクチュエータを駆
動することが要求されている分野もある。このような分
野に本発明のマイクロアクチュエータを応用して精密な
駆動を行うためには、可動子電極４Ｂまたは固定子電極
３Ｂの側面が平坦であることが望ましい。このような要
求に応え、さらに本発明の目的である付着を防止する構
造をもつマイクロアクチュエータの他の実施の形態を以
下に述べる。
の側面に凸凹形状を形成した。この凹凸形状が数百ｎｍ
程度以下であるならば、たとえ凹凸をもった電極の間に
電圧を加えてもたいていの応用においてマイクロアクチ
ュエータの駆動を安定的に行うことが可能である。しか
し、光の波長変調や磁気ヘッドの駆動等におけるよう
に、１０ｎｍ以下の精度でマイクロアクチュエータを駆
動することが要求されている分野もある。このような分
野に本発明のマイクロアクチュエータを応用して精密な
駆動を行うためには、可動子電極４Ｂまたは固定子電極
３Ｂの側面が平坦であることが望ましい。このような要
求に応え、さらに本発明の目的である付着を防止する構
造をもつマイクロアクチュエータの他の実施の形態を以
下に述べる。
【００５１】図８および図９は、本発明の第６の実施の
形態を示すものであり、図８はその平面図、図９は図８
のＣ部を拡大して示す図である。これらの図において、
図１１および図１２と同じ番号は同一の構成要素を示す
ものである。本実施の形態では、図１１に示した従来例
の構造に対して可動子電極９４の左右中央部付近にスト
ッパー８９を一体に設けた点が大きく異なる。ストッパ
ー８９は、図９に示すように、例えば可動子８２の櫛歯
部９２の端に位置して設けられている。このストッパー
８９とこれに対向する固定子８３の櫛歯部９１との間の
距離は、図に示すように可動子電極９４と固定子電極９
３の問のいずれの距離よりも狭くなるように設定されて
いる。このため、可動子電極９４が図面の左右方向に駆
動される動作中に何らかの原因によってこのストッパー
８９が固定子８３の櫛歯部９１に接触しても可動子電極
９４と固定子電極９３は接触することがない。
形態を示すものであり、図８はその平面図、図９は図８
のＣ部を拡大して示す図である。これらの図において、
図１１および図１２と同じ番号は同一の構成要素を示す
ものである。本実施の形態では、図１１に示した従来例
の構造に対して可動子電極９４の左右中央部付近にスト
ッパー８９を一体に設けた点が大きく異なる。ストッパ
ー８９は、図９に示すように、例えば可動子８２の櫛歯
部９２の端に位置して設けられている。このストッパー
８９とこれに対向する固定子８３の櫛歯部９１との間の
距離は、図に示すように可動子電極９４と固定子電極９
３の問のいずれの距離よりも狭くなるように設定されて
いる。このため、可動子電極９４が図面の左右方向に駆
動される動作中に何らかの原因によってこのストッパー
８９が固定子８３の櫛歯部９１に接触しても可動子電極
９４と固定子電極９３は接触することがない。
【００５２】また、本発明では、このストッパー８９と
固定子８３が接触しても付着しないようにこれら両部材
の対向する面に凸凹薄膜９９をそれぞれ設けていること
を特長としている。
固定子８３が接触しても付着しないようにこれら両部材
の対向する面に凸凹薄膜９９をそれぞれ設けていること
を特長としている。
【００５３】このような構造を採用することによって、
電圧が印加される電極のほとんどすべての側面を平坦な
形状としながらも、接触時の接触面積を小さく抑えるこ
とができるために付着力を著しく減少させることが可能
である。なお、本実施の形態では可動子８２の先端にス
トッパー８９を設けたが、このストッパー８９を固定子
８３，８４の側に設けても同様の効果が得られる。ま
た、可動子８２および固定子８３，８４の両方にストッ
パー８９を設けてもよい。ストッパー８９の形成される
位置は、可動子８２の櫛歯部９２の先端に限定されるこ
となく、可動子８２と固定子８３，８４の互いに対向す
る部分であれば何処であってもよい。このような場所に
設けられたストッパー８９の側面に凸凹構造を形成する
には、例えば図６で述べた製造方法で凸凹構造を形成す
る領域のみにフォトリソグラフィーを利用して絶縁膜を
残し、残りの領域からこれを除去する。この後、ポリシ
リコンの選択成長を利用する方法がある。
電圧が印加される電極のほとんどすべての側面を平坦な
形状としながらも、接触時の接触面積を小さく抑えるこ
とができるために付着力を著しく減少させることが可能
である。なお、本実施の形態では可動子８２の先端にス
トッパー８９を設けたが、このストッパー８９を固定子
８３，８４の側に設けても同様の効果が得られる。ま
た、可動子８２および固定子８３，８４の両方にストッ
パー８９を設けてもよい。ストッパー８９の形成される
位置は、可動子８２の櫛歯部９２の先端に限定されるこ
となく、可動子８２と固定子８３，８４の互いに対向す
る部分であれば何処であってもよい。このような場所に
設けられたストッパー８９の側面に凸凹構造を形成する
には、例えば図６で述べた製造方法で凸凹構造を形成す
る領域のみにフォトリソグラフィーを利用して絶縁膜を
残し、残りの領域からこれを除去する。この後、ポリシ
リコンの選択成長を利用する方法がある。
【００５４】図１０は、本発明の第７実施の形態を示す
要部の断面図である。図９と同じ番号は同一の構成要素
を示している。この実施の形態では可動子８２の櫛歯部
９２の先端に第１のストッパー９７を設けるともに、こ
の第１のストッパー９７の三方を第２のストッパー９８
で取り囲んでいる。この第２のストッパー９８は、固定
子８３と分離しており、半導体基板に固定されている。
そして、凸凹薄膜９６を第１、第２のストッパー９７，
９８の互いに対向する面にそれぞれ設けている。第２の
ストッパー９８は、例えば基板と電気的な接続がなされ
ており、可動子電極９４と同じ電位となるように設計さ
れている。このようにすると、可動子電極９４と固定子
電極９３との間の電圧が印加される表面はすべて平坦な
形状とすることができる。この結果、印加電圧に対して
駆動特性が著しく安定したマイクロアクチュエータを形
成することが可能である。
要部の断面図である。図９と同じ番号は同一の構成要素
を示している。この実施の形態では可動子８２の櫛歯部
９２の先端に第１のストッパー９７を設けるともに、こ
の第１のストッパー９７の三方を第２のストッパー９８
で取り囲んでいる。この第２のストッパー９８は、固定
子８３と分離しており、半導体基板に固定されている。
そして、凸凹薄膜９６を第１、第２のストッパー９７，
９８の互いに対向する面にそれぞれ設けている。第２の
ストッパー９８は、例えば基板と電気的な接続がなされ
ており、可動子電極９４と同じ電位となるように設計さ
れている。このようにすると、可動子電極９４と固定子
電極９３との間の電圧が印加される表面はすべて平坦な
形状とすることができる。この結果、印加電圧に対して
駆動特性が著しく安定したマイクロアクチュエータを形
成することが可能である。
【００５５】また、図１０の実施の形態では可動子８２
に設けられた第１のストッパー９７の三方を第２のスト
ッパー９８で取り囲んでいる。この両ストッパー間の距
離は、可動子電極９４と固定子電極９３との間の距離よ
りも小さく設定されているために、可動子電極９４が上
下方向にたとえ移動されたとしても可動子電極９４と固
定子電極９３とが接触することがない。第１のストッパ
ー９７および第２のストッパー９８の側面に設けられた
凸凹薄膜９６は先に述べたと同様の付着防止の効果を持
っている。
に設けられた第１のストッパー９７の三方を第２のスト
ッパー９８で取り囲んでいる。この両ストッパー間の距
離は、可動子電極９４と固定子電極９３との間の距離よ
りも小さく設定されているために、可動子電極９４が上
下方向にたとえ移動されたとしても可動子電極９４と固
定子電極９３とが接触することがない。第１のストッパ
ー９７および第２のストッパー９８の側面に設けられた
凸凹薄膜９６は先に述べたと同様の付着防止の効果を持
っている。
【００５６】なお、上記した実施の形態においては可動
子４の櫛歯部４Ａおよび電極４Ｂと固定子３の櫛歯部３
Ａおよび電極３Ｂの表面に凹凸形状を形成した例を示し
たが、本発明においては、これに限らず可動子４の櫛歯
部４Ａおよび電極４Ｂと固定子３の櫛歯部３Ａの対向
面、可動子４の櫛歯部４Ａと固定子電極３Ｂの対向面ま
たは可動子４の櫛歯部４Ａと固定子３の櫛歯部３Ａの対
向面であってもよい。
子４の櫛歯部４Ａおよび電極４Ｂと固定子３の櫛歯部３
Ａおよび電極３Ｂの表面に凹凸形状を形成した例を示し
たが、本発明においては、これに限らず可動子４の櫛歯
部４Ａおよび電極４Ｂと固定子３の櫛歯部３Ａの対向
面、可動子４の櫛歯部４Ａと固定子電極３Ｂの対向面ま
たは可動子４の櫛歯部４Ａと固定子３の櫛歯部３Ａの対
向面であってもよい。
【００５７】
【発明の効果】以上述べたように本発明に係るマイクロ
アクチュエータおよびその製造方法によれば、以下の効
果が得られる。 １）マイクロアクチュエータの動作中に可動子電極が固
定子電極に付着して動かなくなるという問題が著しく低
減した。これは従来よりも１００倍も長い時間にわたっ
てマイクロアクチュエータを駆動させてもこの付着の問
題が生じないことからこの改良の効果は著しいものであ
ることが明らかとなった。 ２）また、可動子電極の下側の面あるいはこれに対向す
る基板の表面にも凸凹構造を設けることによって、可動
子電極と基板との付着が防止されるようになった。これ
は、従来例の一つであるフォトリソグラフィーを利用し
て形成された凸凹構造と比較すると、本発明で形成され
た構造の方がより微細な凹凸を与えるために、空気中に
含まれる水の凝縮から引き起こされる表面張力を低減す
るのに効果があるからである。実験では、本発明の方
が、１０倍以上もの長い間にわたって付着せずに動作し
た結果が得られた。 ３）ポリシリコンを可動子電極あるいは固定子電極の表
面に堆積する方法を用いると、ポリシリコンの膜厚、堆
積温度、圧力等を変化させることによって形成される凸
凹の構造の形状を変化させることが可能である。例え
ば、１Ｔｏｒｒの圧力で５９０°Ｃ未満で堆積したとき
には表面は１０ｎｍ以下の平坦面が得られるのに対し
て、１００ｎｍの厚さを５９０〜６３０°Ｃで堆積した
ときには堆積温度によって５０〜５００ｎｍの凸凹を形
成することが可能である。また、ＬＰＣＶＤを用いて形
成されたポリシリコンは狭い構造体の内部に侵入してそ
の表面にポリシリコンを容易に形成する性質をもってい
る。さらに、ポリシリコンを堆積した後に試料を酸化す
ることによってポリシリコンを酸化膜に変化させること
が可能である。また、この酸化膜を除去すると従来の図
１４に示したものと同様の大きな凸凹をもつ構造体を形
成することができる。このような特長をもつために、Ｌ
ＰＣＶＤを利用したポリシリコンは他の材料に比べて広
く利用することが可能である。 ４）特に、凹凸構造として半球状の形状をもつポリシリ
コンは、空気中の水分の凝縮によって生じる微細な水滴
の表面張力を低減するのに適した形状であるとともに、
可動子あるいは固定子と接合する面積が広いために凸凹
のポリシリコンがこれら電極表面に結合する力が大き
い。そして、これら電極が衝突する際には半球状形状の
頂上の狭い面積で接触するために付着の原因となる表面
張力の大きさを小さくするのに適しているという利点を
もっていることが確かめられた。 ５）凸凹構造体それ自体あるいはこれと絶縁膜とを組み
合わせることによって、可動子電極と固定子電極とがマ
イクロアクチュエータの動作中に衝突しても電気的な短
絡が起こらなくなった。この結果、アクチュエータの信
頼性が著しく高くなった。 ６）ストッパー構造を利用することによって、互いに対
向する可動子電極と固定子電極との間の距離をほとんど
全て平坦に保ったまま、マイクロアクチュエータの付着
を防止することが可能となった。この結果、１０ｎｍ以
下の高い精度でマイクロアクチュエータを駆動すること
が可能となった。これは、光波長変調、磁気ヘッド等の
マイクロアクチュエータに対する厳しい要求精度を満足
させるものである。
アクチュエータおよびその製造方法によれば、以下の効
果が得られる。 １）マイクロアクチュエータの動作中に可動子電極が固
定子電極に付着して動かなくなるという問題が著しく低
減した。これは従来よりも１００倍も長い時間にわたっ
てマイクロアクチュエータを駆動させてもこの付着の問
題が生じないことからこの改良の効果は著しいものであ
ることが明らかとなった。 ２）また、可動子電極の下側の面あるいはこれに対向す
る基板の表面にも凸凹構造を設けることによって、可動
子電極と基板との付着が防止されるようになった。これ
は、従来例の一つであるフォトリソグラフィーを利用し
て形成された凸凹構造と比較すると、本発明で形成され
た構造の方がより微細な凹凸を与えるために、空気中に
含まれる水の凝縮から引き起こされる表面張力を低減す
るのに効果があるからである。実験では、本発明の方
が、１０倍以上もの長い間にわたって付着せずに動作し
た結果が得られた。 ３）ポリシリコンを可動子電極あるいは固定子電極の表
面に堆積する方法を用いると、ポリシリコンの膜厚、堆
積温度、圧力等を変化させることによって形成される凸
凹の構造の形状を変化させることが可能である。例え
ば、１Ｔｏｒｒの圧力で５９０°Ｃ未満で堆積したとき
には表面は１０ｎｍ以下の平坦面が得られるのに対し
て、１００ｎｍの厚さを５９０〜６３０°Ｃで堆積した
ときには堆積温度によって５０〜５００ｎｍの凸凹を形
成することが可能である。また、ＬＰＣＶＤを用いて形
成されたポリシリコンは狭い構造体の内部に侵入してそ
の表面にポリシリコンを容易に形成する性質をもってい
る。さらに、ポリシリコンを堆積した後に試料を酸化す
ることによってポリシリコンを酸化膜に変化させること
が可能である。また、この酸化膜を除去すると従来の図
１４に示したものと同様の大きな凸凹をもつ構造体を形
成することができる。このような特長をもつために、Ｌ
ＰＣＶＤを利用したポリシリコンは他の材料に比べて広
く利用することが可能である。 ４）特に、凹凸構造として半球状の形状をもつポリシリ
コンは、空気中の水分の凝縮によって生じる微細な水滴
の表面張力を低減するのに適した形状であるとともに、
可動子あるいは固定子と接合する面積が広いために凸凹
のポリシリコンがこれら電極表面に結合する力が大き
い。そして、これら電極が衝突する際には半球状形状の
頂上の狭い面積で接触するために付着の原因となる表面
張力の大きさを小さくするのに適しているという利点を
もっていることが確かめられた。 ５）凸凹構造体それ自体あるいはこれと絶縁膜とを組み
合わせることによって、可動子電極と固定子電極とがマ
イクロアクチュエータの動作中に衝突しても電気的な短
絡が起こらなくなった。この結果、アクチュエータの信
頼性が著しく高くなった。 ６）ストッパー構造を利用することによって、互いに対
向する可動子電極と固定子電極との間の距離をほとんど
全て平坦に保ったまま、マイクロアクチュエータの付着
を防止することが可能となった。この結果、１０ｎｍ以
下の高い精度でマイクロアクチュエータを駆動すること
が可能となった。これは、光波長変調、磁気ヘッド等の
マイクロアクチュエータに対する厳しい要求精度を満足
させるものである。
【図１】 本発明の第１の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図２】 本発明の第２の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図３】 本発明の第３の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図４】 本発明の第４の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図５】 本発明の第５の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図６】 （ａ）〜（ｃ）は本発明の製造方法を説明す
るための図である。
るための図である。
【図７】 （ａ）〜（ｃ）は本発明の他の製造方法を説
明するための図である。
明するための図である。
【図８】 本発明の第６の実施の形態を示す平面図であ
る。
る。
【図９】 図８のＣ部を拡大して示す図である。
【図１０】 本発明の第７の実施の形態を示す要部の平
面図である。
面図である。
【図１１】 従来のマイクロアクチュエータの平面図で
ある。
ある。
【図１２】 図１１のＡ部を拡大して示す平面図であ
る。
る。
【図１３】 図１２のＡ−Ａ’線断面図である。
【図１４】 （ａ）〜（ｅ）は他の従来例の製造方法を
示す図である。
示す図である。
１…半導体基板、２…酸化膜、３…固定子、３Ａ…櫛歯
部、３Ｂ…固定子電極、４…可動子、４Ａ…櫛歯部、４
Ｂ…可動子電極、６，３６，５６…凸凹薄膜、５，７…
絶縁膜、２６…凸凹薄膜（側面）、２７…凸凹薄膜（底
面）、３７，３８…ポリシリコン膜、４６，４７…凸凹
形状、５７…凸凹形状薄膜、６０…シリコン、６１…酸
化膜、６２…絶縁膜、６３…凸凹薄膜、７３…凸凹構
造、７４，７５…凸凹薄膜、８０…ばね固定台、８１…
ばね、８２…可動子、８３…右側固定子、８４…左側固
定子、８９…ストッパー（第１のストッパー）、９１，
９２…櫛歯部、９３…固定子電極、９４…可動子電極、
９９…凸凹薄膜、９６…凸凹薄膜、９７…ストッパー、
９８…第２のストッパー、１０１…固定子固定台、１０
０…シリコン基板、１２０…シリコン基板、１２１…酸
化膜、１２２…ポリシリコン、１２３…酸化膜、１２４
…凸凹ポリシリコン、１２５…ポリシリコン、１２６…
ＰＳＧ。
部、３Ｂ…固定子電極、４…可動子、４Ａ…櫛歯部、４
Ｂ…可動子電極、６，３６，５６…凸凹薄膜、５，７…
絶縁膜、２６…凸凹薄膜（側面）、２７…凸凹薄膜（底
面）、３７，３８…ポリシリコン膜、４６，４７…凸凹
形状、５７…凸凹形状薄膜、６０…シリコン、６１…酸
化膜、６２…絶縁膜、６３…凸凹薄膜、７３…凸凹構
造、７４，７５…凸凹薄膜、８０…ばね固定台、８１…
ばね、８２…可動子、８３…右側固定子、８４…左側固
定子、８９…ストッパー（第１のストッパー）、９１，
９２…櫛歯部、９３…固定子電極、９４…可動子電極、
９９…凸凹薄膜、９６…凸凹薄膜、９７…ストッパー、
９８…第２のストッパー、１０１…固定子固定台、１０
０…シリコン基板、１２０…シリコン基板、１２１…酸
化膜、１２２…ポリシリコン、１２３…酸化膜、１２４
…凸凹ポリシリコン、１２５…ポリシリコン、１２６…
ＰＳＧ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H02N 1/00
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に設けられた固定子電極およびそ
れを含む固定子、可動子電極およびそれを含む可動子、
およびばね固定台を介して前記可動子を前記基板上に支
持するばねを備え、前記可動子が前記基板に平行に動作
するマイクロアクチュエータにおいて、 前記可動子側と前記固定子側の互いに対向する当該固定
子電極および可動子電極の表面の少なくともいずれか一
方に凸凹構造を設けたことを特徴とするマイクロアクチ
ュエータ。 - 【請求項２】 請求項１記載のマイクロアクチュエータ
において、 凹凸構造が絶縁膜を介して形成されていることを特徴と
するマイクロアクチュエータ。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のマイクロアクチ
ュエータにおいて、 凸凹構造が形成された面と対向する他方の面に絶縁膜を
形成したことを特徴とするマイクロアクチュエータ。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載のマイクロア
クチュエータにおいて、 可動子側と基板の互いに対向する面の少なくともいずれ
か一方の面に凹凸形状を設けたことを特徴とするマイク
ロアクチュエータ。 - 【請求項５】 請求項１，２，３または４記載のマイク
ロアクチュエータにおいて、 凸凹構造が絶縁膜からなることを特徴とするマイクロア
クチュエータ。 - 【請求項６】 基板上に設けられた固定子電極およびそ
れを含む固定子、可動子電極およびそれを含む可動子、
およびばね固定台を介して前記可動子を前記基板上に支
持するばねを備え、前記可動子が前記基板に平行に動作
するマイクロアクチュエータにおいて、 前記可動子側または前記固定子側の互いに対向する面の
少なくともいずれか一方にこれら両部材間の距離を他の
領域に比べて狭くするストッパーを設け、このストッパ
ーと他方の互いに対向する面の少なくともいずれか一方
に凸凹構造を設たことを特徴とするマイクロアクチュエ
ータ。 - 【請求項７】 基板上に設けられた固定子電極およびそ
れを含む固定子、可動子電極およびそれを含む可動子、
およびばね固定台を介して前記可動子を前記基板上に支
持するばねを備え、前記可動子が前記基板に平行に動作
するマイクロアクチュエータにおいて、 前記可動子側に第１のストッパーを設け、この第１のス
トッパーと前記固定子側との間にこれら両部材に対して
非接触な第２のストッパーを基板に設け、かつ前記第
１，第２のストッパーの互いに対向する面の少なくとも
いずれか一方に凸凹構造を設けたことを特徴とするマイ
クロアクチュエータ。 - 【請求項８】 請求項１〜７のうちのいずれか１つに記
載のマイクロアクチュエータにおいて、 凸凹構造が半球状の形状であることを特徴とするマイク
ロアクチュエータ。 - 【請求項９】 基板上に設けられた固定子電極およびそ
れを含む固定子、可動子電極およびそれを含む可動子、
およびばね固定台を介して前記可動子を前記基板上に支
持するばねを備え、前記可動子が前記基板に平行に動作
するマイクロアクチュエータの製造方法において、 前記可動子側と前記固定子側およびまたは基板の互いに
対向する面の少なくともいずれか一方にポリシリコンか
らなる薄膜を堆積することによって凸凹構造を形成する
ことを特徴とするマイクロアクチュエータの製造方法。 - 【請求項１０】 基板上に設けられた固定子電極および
それを含む固定子、可動子電極およびそれを含む可動
子、およびばね固定台を介して前記可動子を前記基板上
に支持するばねを備え、前記可動子が前記基板に平行に
動作するマイクロアクチュエータの製造方法において、前記基板に前記可動子と前記固定子を形成した後に、可
動子側と固定子側の 互いに対向する面の少なくともいず
れか一方にエッチングによって凸凹構造を形成すること
を特徴とするアクチュエータの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9120886A JP3050163B2 (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | マイクロアクチュエータおよびその製造方法 |
| US09/075,265 US6191518B1 (en) | 1997-05-12 | 1998-05-11 | Microactuator and method of manufacturing the same |
| KR1019980016863A KR100313389B1 (ko) | 1997-05-12 | 1998-05-12 | 마이크로액츄에이터 및 그 제조방법 |
| US09/702,881 US7152300B1 (en) | 1997-05-12 | 2000-11-01 | Method of manufacturing a micromechanical structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9120886A JP3050163B2 (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | マイクロアクチュエータおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10323058A JPH10323058A (ja) | 1998-12-04 |
| JP3050163B2 true JP3050163B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=14797419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9120886A Expired - Lifetime JP3050163B2 (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | マイクロアクチュエータおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6191518B1 (ja) |
| JP (1) | JP3050163B2 (ja) |
| KR (1) | KR100313389B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6693763B2 (en) | 2000-07-26 | 2004-02-17 | Seagate Technology Llc | Method for linearizing microactuator hysteresis for a disc drive |
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| US6825967B1 (en) | 2000-09-29 | 2004-11-30 | Calient Networks, Inc. | Shaped electrodes for micro-electro-mechanical-system (MEMS) devices to improve actuator performance and methods for fabricating the same |
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| US8593016B2 (en) * | 2010-12-03 | 2013-11-26 | Sri International | Levitated micro-manipulator system |
| KR101988469B1 (ko) * | 2017-07-26 | 2019-06-13 | 주식회사 신성씨앤티 | 멤스 센서 및 그 제조 방법 |
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