JPH0823685A - 静電アクチュエータ - Google Patents
静電アクチュエータInfo
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- JPH0823685A JPH0823685A JP15194994A JP15194994A JPH0823685A JP H0823685 A JPH0823685 A JP H0823685A JP 15194994 A JP15194994 A JP 15194994A JP 15194994 A JP15194994 A JP 15194994A JP H0823685 A JPH0823685 A JP H0823685A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 電極間のギャップが精度良く作られ、潤滑層
や基板に作られた凹凸の効果により摩擦が低減され実用
性の高い小型のアクチュエータを提供する。 【構成】 複数の電極を配置した第１基板１、可動子７
を分離形成する第２基板２及び窓が形成された第３基板
３の、少なくとも第１基板１と第２基板間２あるいは第
２基板２と第３基板３のいずれかが有機膜を介して接合
された静電アクチュエータ。
や基板に作られた凹凸の効果により摩擦が低減され実用
性の高い小型のアクチュエータを提供する。 【構成】 複数の電極を配置した第１基板１、可動子７
を分離形成する第２基板２及び窓が形成された第３基板
３の、少なくとも第１基板１と第２基板間２あるいは第
２基板２と第３基板３のいずれかが有機膜を介して接合
された静電アクチュエータ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は実用的に有効な小型アク
チュエータに関するものである。
チュエータに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】絶縁物質からなる可動子に小さいギャッ
プを隔てて対向する複数の電極に順次電圧を印加するこ
とにより、可動子に誘起された電荷と電極との静電力で
可動子が運動する静電アクチュエータが本出願人により
提案されている。（特開昭６３−９５８６０）その後さ
らに積層するなどの改良が加えられ数ｋｇの力を発生す
るアクチュエータが開発されている。（T.Higuchi et a
l,Proc.IEEE Workshop on Micro Electro Mechanical S
ystems,1994 ）静電力は装置が小型であればあるほど電
磁モータより単位体積あたりの発生力が大きくなり、静
電アクチュエータのメリットがいかされると考えられて
いるが、センチメートル、ミリメートル以下の微小な機
械に応用した例は希である。ポリシリコン膜で可動子を
作製した静電アクチュエータが報告されているが（Sens
aor and Actuator,vol.14,1988）、ポリシリコン膜では
せいぜい数ミクロンの厚みの可動子ができるのみであ
る。
プを隔てて対向する複数の電極に順次電圧を印加するこ
とにより、可動子に誘起された電荷と電極との静電力で
可動子が運動する静電アクチュエータが本出願人により
提案されている。（特開昭６３−９５８６０）その後さ
らに積層するなどの改良が加えられ数ｋｇの力を発生す
るアクチュエータが開発されている。（T.Higuchi et a
l,Proc.IEEE Workshop on Micro Electro Mechanical S
ystems,1994 ）静電力は装置が小型であればあるほど電
磁モータより単位体積あたりの発生力が大きくなり、静
電アクチュエータのメリットがいかされると考えられて
いるが、センチメートル、ミリメートル以下の微小な機
械に応用した例は希である。ポリシリコン膜で可動子を
作製した静電アクチュエータが報告されているが（Sens
aor and Actuator,vol.14,1988）、ポリシリコン膜では
せいぜい数ミクロンの厚みの可動子ができるのみであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記ポリシリコン膜で
は可動子自体の剛性が低いため力を外に取り出すことが
難しく、また膜の応力による反りにより電極との微小な
間隔を保持することが困難であるという問題がある。
は可動子自体の剛性が低いため力を外に取り出すことが
難しく、また膜の応力による反りにより電極との微小な
間隔を保持することが困難であるという問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
しようとするものであり、その要旨は複数の電極を配置
した第１基板、可動子を分離形成する第２基板と可動子
の動きを外部に作用させるための窓が形成された第３の
基板から形成され、第１基板と第２基板間あるいは第２
基板と第３基板の少なくともいずれかが有機膜を介して
接合された静電アクチュエータである。第２基板から可
動子を分離する手段にフォトリソグラフィーとエッチン
グを用いることにより微小なアクチュエータを精度良く
形成することが出来る。そのため、第２基板には、シリ
コン基板や感光性ガラスなどを精度良くエッチング加工
ができ、かつ高抵抗の基板が使用される。本発明では可
動子にバルク基板を使用するため上述した薄膜の問題点
が回避される。
しようとするものであり、その要旨は複数の電極を配置
した第１基板、可動子を分離形成する第２基板と可動子
の動きを外部に作用させるための窓が形成された第３の
基板から形成され、第１基板と第２基板間あるいは第２
基板と第３基板の少なくともいずれかが有機膜を介して
接合された静電アクチュエータである。第２基板から可
動子を分離する手段にフォトリソグラフィーとエッチン
グを用いることにより微小なアクチュエータを精度良く
形成することが出来る。そのため、第２基板には、シリ
コン基板や感光性ガラスなどを精度良くエッチング加工
ができ、かつ高抵抗の基板が使用される。本発明では可
動子にバルク基板を使用するため上述した薄膜の問題点
が回避される。
【０００５】また、基板の接合に有機膜を用い、可動子
に接する有機膜を除去することで可動子を基板に束縛さ
れない形状にできる。有機膜を接合に用いる他のメリッ
トとしては、接合温度が比較的低くできるため、使用材
料とプロセスの自由度が大きいことである。有機膜材料
は基板との密着力があるものであれば特に制限されない
が、有機膜の厚みにより可動子と電極とのギャップが制
限されるので、感光性レジストのように膜厚が薄くかつ
制御性良く形成されるものが好ましい。
に接する有機膜を除去することで可動子を基板に束縛さ
れない形状にできる。有機膜を接合に用いる他のメリッ
トとしては、接合温度が比較的低くできるため、使用材
料とプロセスの自由度が大きいことである。有機膜材料
は基板との密着力があるものであれば特に制限されない
が、有機膜の厚みにより可動子と電極とのギャップが制
限されるので、感光性レジストのように膜厚が薄くかつ
制御性良く形成されるものが好ましい。
【０００６】可動子の動きは可動子に対向する基板にあ
けられた窓を通して外部と結合される。
けられた窓を通して外部と結合される。
【０００７】本発明の他の特徴は可動子の摩擦を低減す
るために、可動子に対向する基板部分に摩擦低減効果の
ある潤滑層を形成、あるいは接触面積を低減する形状を
付加したことである。これらの処置は本発明静電アクチ
ュエータが３枚の基板の接合体より構成され、かつ、接
合が低温でなされるために容易となった。
るために、可動子に対向する基板部分に摩擦低減効果の
ある潤滑層を形成、あるいは接触面積を低減する形状を
付加したことである。これらの処置は本発明静電アクチ
ュエータが３枚の基板の接合体より構成され、かつ、接
合が低温でなされるために容易となった。
【０００８】
【実施例】以下具体的実施例により本発明を説明する。 （第１実施例）図１は本発明静電アクチュエータの代表
的な構造を模式的に示したもので、同図（ａ）は基板の
上面より見たものであり、同図（ｂ）はＡ−Ａ’断面を
表している。この図において、１は第１基板、２が第２
基板、３が第３基板である。４は第１基板と第２基板を
接合するための第１接合層、５は第２基板と第３基板を
接合するための第２接合層である。６は第２基板より可
動子７を分離するための溝であり、８は第３基板に形成
された窓である。また９は第１基板に形成された複数の
電極である。
的な構造を模式的に示したもので、同図（ａ）は基板の
上面より見たものであり、同図（ｂ）はＡ−Ａ’断面を
表している。この図において、１は第１基板、２が第２
基板、３が第３基板である。４は第１基板と第２基板を
接合するための第１接合層、５は第２基板と第３基板を
接合するための第２接合層である。６は第２基板より可
動子７を分離するための溝であり、８は第３基板に形成
された窓である。また９は第１基板に形成された複数の
電極である。
【０００９】図２を用いて本実施例の静電アクチュエー
タの製造過程を説明する。第１基板は０．５ｍｍ厚のパ
イレックスガラス基板（コーニング社商標）であり、こ
の上に１０ｎｍのＴｉ膜を下びき層としてＡｌを１５０
ｎｍ真空蒸発法により成膜した。このＡｌ，Ｔｉ積層膜
をフォトリソグラフィー、エッチングにより、はば２０
μの多数のストライブ電極とした。（図２（ａ））この
ストライブ電極は基板周辺部で３本おきに接続されてい
る。（不図示）第２基板として、高抵抗の面方位（１１
０）シリコン基板、第３基板は（１００）シリコン基板
（０．５ｍｍ厚）を用い、それぞれＬＰ−ＣＶＤ法によ
りその表面に窒化シリコン膜（不図示）を形成した。第
３基板の片面に二硫化モリブデン（不図示）をスパッタ
法で０．５μ形成し、第１接合層としてその上に（第２
基板側に第１接合層をつけてもよい）ネガレジストＰＭ
ＭＡ（ポリメチルメタクリレート）を２μ厚スピナー塗
布し、第２基板を押し当て１５０℃で加熱し第２基板と
第３基板を接合した。（同図（ｂ））第２基板の窒化シ
リコン膜の溝６を形成する個所および第３基板の窓とな
る個所の窒化シリコン膜を除去したのち、４０ｗｔ．％
水酸化カリウム水溶液により第２基板および第３基板を
エッチングし、溝６および窓８を形成した。（同図
（ｃ））このとき、溝の壁面が（１１１）面となるよう
に溝の方位を設定する。すなわち可動子の移動方向を＜
１００＞に対し３５．３度傾けることにより基板厚み方
向に垂直で巾の狭い溝を形成することができる。こうし
て巾がせまくかつ巾が均一な溝で可動子を分離したこと
により可動子の動きのがたつきをおさえることができ
た。
タの製造過程を説明する。第１基板は０．５ｍｍ厚のパ
イレックスガラス基板（コーニング社商標）であり、こ
の上に１０ｎｍのＴｉ膜を下びき層としてＡｌを１５０
ｎｍ真空蒸発法により成膜した。このＡｌ，Ｔｉ積層膜
をフォトリソグラフィー、エッチングにより、はば２０
μの多数のストライブ電極とした。（図２（ａ））この
ストライブ電極は基板周辺部で３本おきに接続されてい
る。（不図示）第２基板として、高抵抗の面方位（１１
０）シリコン基板、第３基板は（１００）シリコン基板
（０．５ｍｍ厚）を用い、それぞれＬＰ−ＣＶＤ法によ
りその表面に窒化シリコン膜（不図示）を形成した。第
３基板の片面に二硫化モリブデン（不図示）をスパッタ
法で０．５μ形成し、第１接合層としてその上に（第２
基板側に第１接合層をつけてもよい）ネガレジストＰＭ
ＭＡ（ポリメチルメタクリレート）を２μ厚スピナー塗
布し、第２基板を押し当て１５０℃で加熱し第２基板と
第３基板を接合した。（同図（ｂ））第２基板の窒化シ
リコン膜の溝６を形成する個所および第３基板の窓とな
る個所の窒化シリコン膜を除去したのち、４０ｗｔ．％
水酸化カリウム水溶液により第２基板および第３基板を
エッチングし、溝６および窓８を形成した。（同図
（ｃ））このとき、溝の壁面が（１１１）面となるよう
に溝の方位を設定する。すなわち可動子の移動方向を＜
１００＞に対し３５．３度傾けることにより基板厚み方
向に垂直で巾の狭い溝を形成することができる。こうし
て巾がせまくかつ巾が均一な溝で可動子を分離したこと
により可動子の動きのがたつきをおさえることができ
た。
【００１０】次に、第１基板にＯＭＲ８３により可動子
に対応する個所に可動子のはばより狭い窓をもつレジス
トパターンを形成し、第２接合層５を形成した。（同図
（ｄ））この第１基板と第２基板を第１基板より観察し
ながら位置あわせして接触させ、加圧下で１５０℃に加
熱し第１基板と第２基板を完全に接合した。最後に酸素
プラズマにより第３基板の窓８より第１接合層の可動子
７の下部を除去し、可動子７を自由な状態にした（同図
（ｅ））。
に対応する個所に可動子のはばより狭い窓をもつレジス
トパターンを形成し、第２接合層５を形成した。（同図
（ｄ））この第１基板と第２基板を第１基板より観察し
ながら位置あわせして接触させ、加圧下で１５０℃に加
熱し第１基板と第２基板を完全に接合した。最後に酸素
プラズマにより第３基板の窓８より第１接合層の可動子
７の下部を除去し、可動子７を自由な状態にした（同図
（ｅ））。
【００１１】以上の様に作製した静電アクチュエータの
可動子７は２ｍｍ×１．５ｍｍの大きさで約１０ｍｍ移
動させることができた。可動子に接合している第３基板
を完全に除去せず一部残すことにより可動子の動きをさ
らに容易に外部へ作用させることもできる。
可動子７は２ｍｍ×１．５ｍｍの大きさで約１０ｍｍ移
動させることができた。可動子に接合している第３基板
を完全に除去せず一部残すことにより可動子の動きをさ
らに容易に外部へ作用させることもできる。
【００１２】本発明の静電アクチュエータの電極と可動
子のギャップは第２接合層の厚みにより規定される。ま
た、第３基板上に形成した二硫化モリブデン膜により可
動子の摩擦抵抗が低減された。二硫化モリブデン膜のか
わりにポリテトラフルオロエチレン等の固体潤滑材を使
用しても同様の効果が期待される。
子のギャップは第２接合層の厚みにより規定される。ま
た、第３基板上に形成した二硫化モリブデン膜により可
動子の摩擦抵抗が低減された。二硫化モリブデン膜のか
わりにポリテトラフルオロエチレン等の固体潤滑材を使
用しても同様の効果が期待される。
【００１３】図３は以上に説明した方法により作製した
可動子１１上に別途同様に作製したアクチュエータ１２
をそれぞれの可動子の移動方向が直角となるように接合
し、２次元に移動可能なステージを作製したものであ
る。
可動子１１上に別途同様に作製したアクチュエータ１２
をそれぞれの可動子の移動方向が直角となるように接合
し、２次元に移動可能なステージを作製したものであ
る。
【００１４】また、本発明では微細なアクチュエータを
基板上に複数個同時に作製することも可能である。 （第２実施例）図４，図５に従って第２実施例の電極作
製工程を説明する。表面に熱酸化膜を形成した（１１
１）シリコン基板２１の片面の酸化膜を図４のように格
子状にパターニングし、これをマスク３０として３０％
水酸化カリウム水溶液によりシリコンをエッチングする
と図５（ａ）のように基板表面に多数の台形四角錐３３
が作られる。四角錐の高さは２μｍとした。マスクの酸
化膜を除去し、再度基板を熱酸化して酸化層３１を形成
し（同図（ｂ））、Ｃｒを５ｎｍ、Ａｕを２００ｎｍ真
空蒸発法で成膜した。Ｃｒ，Ａｕ積層膜の不要部をエッ
チング除去した図５（ｃ）のように１２μ巾のストライ
ブ電極とした。
基板上に複数個同時に作製することも可能である。 （第２実施例）図４，図５に従って第２実施例の電極作
製工程を説明する。表面に熱酸化膜を形成した（１１
１）シリコン基板２１の片面の酸化膜を図４のように格
子状にパターニングし、これをマスク３０として３０％
水酸化カリウム水溶液によりシリコンをエッチングする
と図５（ａ）のように基板表面に多数の台形四角錐３３
が作られる。四角錐の高さは２μｍとした。マスクの酸
化膜を除去し、再度基板を熱酸化して酸化層３１を形成
し（同図（ｂ））、Ｃｒを５ｎｍ、Ａｕを２００ｎｍ真
空蒸発法で成膜した。Ｃｒ，Ａｕ積層膜の不要部をエッ
チング除去した図５（ｃ）のように１２μ巾のストライ
ブ電極とした。
【００１５】第１基板２１の電極形成面に第１接合層２
４として感光性ポリイミドレジストを約２μ塗布し、窒
化シリコン膜付き（１１０）シリコン基板からなる第２
基板２２を重ね１３０℃で３０分加熱し接合した（図６
（ａ））。第１実施例と同様に溝２６および接合層エッ
チング用窓２８を水酸化カリウム溶液のエッチングで形
成した。ただし窓部の第１基板を約１０μの厚みでのこ
した。薄膜化した第１基板の窓部に第１接合層のエッチ
ング窓用としてＳＦ6 ガスにより電極のすきまに１０μ
角の穴を多数形成した（不図示）。
４として感光性ポリイミドレジストを約２μ塗布し、窒
化シリコン膜付き（１１０）シリコン基板からなる第２
基板２２を重ね１３０℃で３０分加熱し接合した（図６
（ａ））。第１実施例と同様に溝２６および接合層エッ
チング用窓２８を水酸化カリウム溶液のエッチングで形
成した。ただし窓部の第１基板を約１０μの厚みでのこ
した。薄膜化した第１基板の窓部に第１接合層のエッチ
ング窓用としてＳＦ6 ガスにより電極のすきまに１０μ
角の穴を多数形成した（不図示）。
【００１６】第３基板２３として厚み０．５ｍｍのパイ
レックスガラス（商品名コーニング＃７７４０）を使用
し、超音波加工により窓３２をあけた。第２基板表面の
窒化シリコン膜をフッ酸で除去し、第３基板側より炭酸
ガスレーザを照射しながら第２基板２２と第３基板２３
に８００Ｖを印加して陽極接合した。可動子２７と第３
基板間には電圧が印加されないので接合されない。ま
た、可動子表面にガラスと接合しにくいＡｕを薄く成膜
しておいても良い。
レックスガラス（商品名コーニング＃７７４０）を使用
し、超音波加工により窓３２をあけた。第２基板表面の
窒化シリコン膜をフッ酸で除去し、第３基板側より炭酸
ガスレーザを照射しながら第２基板２２と第３基板２３
に８００Ｖを印加して陽極接合した。可動子２７と第３
基板間には電圧が印加されないので接合されない。ま
た、可動子表面にガラスと接合しにくいＡｕを薄く成膜
しておいても良い。
【００１７】その後、酸素プラズマで第１接合層２４の
可動子２７の下部を除去すると可動子２７は完全に自由
な状態となり、電極に三相交流電圧を印加することによ
りリニアアクチュエータとして動作した。第１基板に酸
化物の突起３３が形成されていることにより、可動子の
接触面積が小さくなり、摩擦が低減された。 （第３実施例）図７は本発明の静電アクチュエータを応
用した小型モータである。図７（ａ）回転部分を上面か
ら見たものであり、同図（ｂ）はＢ−Ｂ’の断面模式図
である。図８にしたがって本実施例の製造過程を説明す
る。
可動子２７の下部を除去すると可動子２７は完全に自由
な状態となり、電極に三相交流電圧を印加することによ
りリニアアクチュエータとして動作した。第１基板に酸
化物の突起３３が形成されていることにより、可動子の
接触面積が小さくなり、摩擦が低減された。 （第３実施例）図７は本発明の静電アクチュエータを応
用した小型モータである。図７（ａ）回転部分を上面か
ら見たものであり、同図（ｂ）はＢ−Ｂ’の断面模式図
である。図８にしたがって本実施例の製造過程を説明す
る。
【００１８】第１基板４１として０．５μの酸化層とそ
の上に７μの単結晶層をもつＳＯＩ基板を使用した。シ
リコン表面にＡｌ膜を２００ｎｍ成膜し、１０μφの円
形のパターン４６を形成した。（同図（ａ））これをマ
スクとし、ＳＦ6 ガスによるプラズマで酸化層上のシリ
コン層をエッチングすると同図（ｂ）のように略円錐台
の突起４７が形成される。酸化層上にＣｒを５ｎｍつづ
いてＡｕを１５０ｎｍ真空蒸発法で成膜し、扇状に２４
本の電極４９を作製した。これに接合層４４としてネガ
レジストのＰＭＭＡを２μスピナ塗布し、接合部以外の
レジストを除去しておく。（同図（ｃ））第２基板４２
として感光性ガラス（０．３ｍｍ厚）を用い、巾５０μ
の円環状の分離溝となる部分５となる部分５１を紫外線
で露光し、５３０℃及び５８０℃で現像した。これを第
３基板４３として窒化シリコン膜付きの（１００）シリ
コン基板（０．５ｍｍ厚）とＰＭＭＡを接合層４５とし
て接着した。（同図（ｄ））つづいて、シリコン基板４
３の回転部５３を分離する円環状の窓５２を水酸化カリ
ウム水溶液でエッチングしたのち感光性ガラス４２の５
０，５１部分を４％フッ酸水溶液で除去した（同図
（ｃ））。
の上に７μの単結晶層をもつＳＯＩ基板を使用した。シ
リコン表面にＡｌ膜を２００ｎｍ成膜し、１０μφの円
形のパターン４６を形成した。（同図（ａ））これをマ
スクとし、ＳＦ6 ガスによるプラズマで酸化層上のシリ
コン層をエッチングすると同図（ｂ）のように略円錐台
の突起４７が形成される。酸化層上にＣｒを５ｎｍつづ
いてＡｕを１５０ｎｍ真空蒸発法で成膜し、扇状に２４
本の電極４９を作製した。これに接合層４４としてネガ
レジストのＰＭＭＡを２μスピナ塗布し、接合部以外の
レジストを除去しておく。（同図（ｃ））第２基板４２
として感光性ガラス（０．３ｍｍ厚）を用い、巾５０μ
の円環状の分離溝となる部分５となる部分５１を紫外線
で露光し、５３０℃及び５８０℃で現像した。これを第
３基板４３として窒化シリコン膜付きの（１００）シリ
コン基板（０．５ｍｍ厚）とＰＭＭＡを接合層４５とし
て接着した。（同図（ｄ））つづいて、シリコン基板４
３の回転部５３を分離する円環状の窓５２を水酸化カリ
ウム水溶液でエッチングしたのち感光性ガラス４２の５
０，５１部分を４％フッ酸水溶液で除去した（同図
（ｃ））。
【００１９】次に感光性ガラス上にＯＭＲ８３（商品
名、東京応化製）（５６）を０．１５μ塗布したのち、
円錐台突起４７と軸穴が一致するよう第１基板と密着さ
せ１５０℃、３０分加熱し、第１基板と第２基板を接着
した。最後に窓５２より酸素プラズマにより接合層４５
および５６の一部を除去することによりロータ５５を分
離した（同図（ｆ））。
名、東京応化製）（５６）を０．１５μ塗布したのち、
円錐台突起４７と軸穴が一致するよう第１基板と密着さ
せ１５０℃、３０分加熱し、第１基板と第２基板を接着
した。最後に窓５２より酸素プラズマにより接合層４５
および５６の一部を除去することによりロータ５５を分
離した（同図（ｆ））。
【００２０】本実施例ではロータ径２ｍｍの静電モータ
が作製され、２４本の電極を３本ずつ８組とし、これに
３相交流電圧を印加した。ロータと接合されたシリコン
基板のエッチング面５４は鏡面であり、これに光ビーム
５７をあてながらロータを回転させることでポリゴンミ
ラーとして使用することができる。
が作製され、２４本の電極を３本ずつ８組とし、これに
３相交流電圧を印加した。ロータと接合されたシリコン
基板のエッチング面５４は鏡面であり、これに光ビーム
５７をあてながらロータを回転させることでポリゴンミ
ラーとして使用することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明静電アクチュ
エータは３枚の基板から構成され、可動子となる基板が
有機膜で接合されているため、電極間のギャップが精度
良く作られる。さらに、潤滑層や基板に作られた凹凸の
効果により摩擦が低減され実用性が高い小型アクチュエ
ータである。
エータは３枚の基板から構成され、可動子となる基板が
有機膜で接合されているため、電極間のギャップが精度
良く作られる。さらに、潤滑層や基板に作られた凹凸の
効果により摩擦が低減され実用性が高い小型アクチュエ
ータである。
【図１】図１（ａ）（ｂ）は第１実施例の静電アクチュ
エータの平面図お及び断面模式図。
エータの平面図お及び断面模式図。
【図２】図２（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は第１実
施例の作製工程説明図。
施例の作製工程説明図。
【図３】本発明を応用した２次元ステージの静電アクチ
ュエータの平面図。
ュエータの平面図。
【図４】第２実施例の格子状のパターニングした状態を
示す平面部分図。
示す平面部分図。
【図５】図５（ａ）（ｂ）（ｃ）は第２実施例の電極作
製工程の説明図。
製工程の説明図。
【図６】図６（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）も第２実施例の
電極作製工程の説明図。
電極作製工程の説明図。
【図７】第３実施例の静電モータの平面図及び断面模式
図。
図。
【図８】第３実施例の作製工程説明図。
１，２１，４１ 第１基板 ２，２２，４２ 第２基板 ３，２３，４３ 第３基板 ４４，５６ 第１接合層 ５，４５ 第２接合層 ６，２６ 分離溝 ７，１１，２７，５５ 可動子 ８，３２，５２ 窓 ９，２９，４９ 電極 ３０，４６ マスクパターン ３１ 酸化膜 ３３，４６ 突起 ５０，５１ 露光部 ５４ 光反射面 ５７ 光ビーム
Claims (5)
- 【請求項１】 複数の電極を配置した第１基板、可動子
を分離形成する第２基板および窓が形成された第３の基
板と、すくなくとも第１基板と第２基板間あるいは第２
基板と第３基板のいずれかが有機膜を介して接合された
静電アクチュエータ。 - 【請求項２】 第２基板がシリコン基板である請求項１
記載の静電アクチュエータ。 - 【請求項３】 第２基板が感光性ガラスである請求項１
記載の静電アクチュエータ。 - 【請求項４】 第１基板あるいは第３基板の少なくとも
いずれかの基板の可動子との接触部に固体潤滑層が形成
された請求項１記載の静電アクチュエータ。 - 【請求項５】 第１基板あるいは第３基板の少なくとも
いずれかの基板の可動子との接触部に凹凸が形成された
請求項１記載の静電アクチュエータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15194994A JPH0823685A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 静電アクチュエータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15194994A JPH0823685A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 静電アクチュエータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0823685A true JPH0823685A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15529731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15194994A Pending JPH0823685A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 静電アクチュエータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823685A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191518B1 (en) | 1997-05-12 | 2001-02-20 | Nec Corporation | Microactuator and method of manufacturing the same |
| US6208013B1 (en) | 1998-05-25 | 2001-03-27 | Nec Corporation | Microactuator with an improved semiconductor substrate and method of forming the same |
| US7095156B2 (en) | 2003-10-29 | 2006-08-22 | Seiko Epson Corporation | Actuator |
-
1994
- 1994-07-04 JP JP15194994A patent/JPH0823685A/ja active Pending
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| US7095156B2 (en) | 2003-10-29 | 2006-08-22 | Seiko Epson Corporation | Actuator |
| US7161275B2 (en) | 2003-10-29 | 2007-01-09 | Seiko Epson Corporation | Actuator |
| CN100401131C (zh) * | 2003-10-29 | 2008-07-09 | 精工爱普生株式会社 | 驱动装置 |
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