JP3043884B2 - 半導体装置の実装方法 - Google Patents
半導体装置の実装方法Info
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- JP3043884B2 JP3043884B2 JP4045374A JP4537492A JP3043884B2 JP 3043884 B2 JP3043884 B2 JP 3043884B2 JP 4045374 A JP4045374 A JP 4045374A JP 4537492 A JP4537492 A JP 4537492A JP 3043884 B2 JP3043884 B2 JP 3043884B2
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- lead
- electrode
- plating
- semiconductor chip
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の実装方
法、特にTABテープまたはリードフレームのリード先
端部と半導体チップの電極とを接続する方法に関する。
法、特にTABテープまたはリードフレームのリード先
端部と半導体チップの電極とを接続する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、リードフレーム、TABテープ、
プリント基板などの外部電極または外部リードと半導体
チップの電極との接続には、ワイヤボンディング法また
はフリップチップ法が広く用いられていた。ワイヤボン
ディング法はファインピッチが困難であり、またフリッ
プチップ法は工程が複雑であるいう問題があった。さら
に、これら方法はいずれも一度に多数個処理することは
困難であった。
プリント基板などの外部電極または外部リードと半導体
チップの電極との接続には、ワイヤボンディング法また
はフリップチップ法が広く用いられていた。ワイヤボン
ディング法はファインピッチが困難であり、またフリッ
プチップ法は工程が複雑であるいう問題があった。さら
に、これら方法はいずれも一度に多数個処理することは
困難であった。
【0003】この様な問題を解決する接続方法として、
外部電極または外部リードと半導体チップの電極とを近
接して配置してメッキを行い、両者間にメッキ金属を成
長させて両者を接続する方法が提案されている。(特公
昭57−50056号、特開平2−66953号公報参
照)メッキには金、ニッケル、銅などの電解メッキまた
は無電解メッキが用いられる。
外部電極または外部リードと半導体チップの電極とを近
接して配置してメッキを行い、両者間にメッキ金属を成
長させて両者を接続する方法が提案されている。(特公
昭57−50056号、特開平2−66953号公報参
照)メッキには金、ニッケル、銅などの電解メッキまた
は無電解メッキが用いられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】TABテープのリード
間および半導体チップの電極間の間隔は、一般に100
μm 以下と極めて狭い。一方、TABテープのリード先
端部と半導体チップの電極とをメッキにより接続する
際、メッキ金属はリード先端部と半導体チップの電極と
を結ぶ方向に対して直角方向にも成長する。このような
場合、隣り合うリードまたは電極がメッキ金属によりつ
ながり、短絡することがあった。
間および半導体チップの電極間の間隔は、一般に100
μm 以下と極めて狭い。一方、TABテープのリード先
端部と半導体チップの電極とをメッキにより接続する
際、メッキ金属はリード先端部と半導体チップの電極と
を結ぶ方向に対して直角方向にも成長する。このような
場合、隣り合うリードまたは電極がメッキ金属によりつ
ながり、短絡することがあった。
【0005】この発明は、隣り合うリードまたは電極が
メッキ金属により短絡することなく、TABテープまた
はリードフレームのリード先端部と半導体チップの電極
とを接続することができる半導体装置の実装方法を提供
しようとするものである。
メッキ金属により短絡することなく、TABテープまた
はリードフレームのリード先端部と半導体チップの電極
とを接続することができる半導体装置の実装方法を提供
しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置の
実装方法は、TABテープまたはリードフレームのリー
ド先端部と半導体チップの表面に形成された電極とを近
接または接触させ、電解メッキにより上記リード先端部
と電極とを接続する。TABテープまたはリードフレー
ムのリードを負電極とし、陽電極板をTABテープまた
はリードフレームのリードと平行に、かつTABテープ
またはリードフレームのリードに対して半導体チップの
電極側に配置して上記メッキを行う。
実装方法は、TABテープまたはリードフレームのリー
ド先端部と半導体チップの表面に形成された電極とを近
接または接触させ、電解メッキにより上記リード先端部
と電極とを接続する。TABテープまたはリードフレー
ムのリードを負電極とし、陽電極板をTABテープまた
はリードフレームのリードと平行に、かつTABテープ
またはリードフレームのリードに対して半導体チップの
電極側に配置して上記メッキを行う。
【0007】陽電極板の縦幅および横幅は、メッキ中の
半導体チップの縦幅および横幅の1.5〜2倍程度(複
数の半導体チップを同時にメッキする場合には、その個
数倍)が望ましい。陽電極板として、Pt板が用いられ
る。メッキ金属として銅、ニッケル、金などが用いられ
る。
半導体チップの縦幅および横幅の1.5〜2倍程度(複
数の半導体チップを同時にメッキする場合には、その個
数倍)が望ましい。陽電極板として、Pt板が用いられ
る。メッキ金属として銅、ニッケル、金などが用いられ
る。
【0008】
【作用】TABテープまたはリードフレームのリードを
負電極とし、陽電極板をTABテープのリードと平行
に、かつTABテープまたはリードフレームのリードに
対して半導体チップの電極側に配置しているので、半導
体チップの電極からTABテープまたはリードフレーム
のリード先端部に向かって平行に電場が形成される。し
たがって、メッキ金属はTABテープまたはリードフレ
ームのリードと半導体チップの電極との間で主として成
長し、横方向に大きく広がることはない。
負電極とし、陽電極板をTABテープのリードと平行
に、かつTABテープまたはリードフレームのリードに
対して半導体チップの電極側に配置しているので、半導
体チップの電極からTABテープまたはリードフレーム
のリード先端部に向かって平行に電場が形成される。し
たがって、メッキ金属はTABテープまたはリードフレ
ームのリードと半導体チップの電極との間で主として成
長し、横方向に大きく広がることはない。
【0009】
【実施例】図1は、この発明を実施するメッキ装置を模
式的に示している。
式的に示している。
【0010】図に示すように、メッキ槽11中にテフロ
ン製の支持フレーム12および支持フレーム12に相対
するようにして平行にPt陽極板15が取り付けられて
いる。支持フレーム12には、半導体チップ1が着脱可
能に固定されている。また、TABテープ5のリード先
端部8が半導体チップ1の電極3に近接あるいは接触す
るようにして、TABテープ5が支持フレーム12にス
ペーサ13を介して着脱可能に固定されている。スペー
サ13により、TABフレーム5のリード先端部8は半
導体チップ1の電極3に対して正確に位置決めされる。
上記陽極板15およびTABテープ5のリードには、直
流電源17が接続されている。このような配置により、
半導体チップ1の電極3からTABテープ5のリード先
端部8に向かって平行に電場が形成される。
ン製の支持フレーム12および支持フレーム12に相対
するようにして平行にPt陽極板15が取り付けられて
いる。支持フレーム12には、半導体チップ1が着脱可
能に固定されている。また、TABテープ5のリード先
端部8が半導体チップ1の電極3に近接あるいは接触す
るようにして、TABテープ5が支持フレーム12にス
ペーサ13を介して着脱可能に固定されている。スペー
サ13により、TABフレーム5のリード先端部8は半
導体チップ1の電極3に対して正確に位置決めされる。
上記陽極板15およびTABテープ5のリードには、直
流電源17が接続されている。このような配置により、
半導体チップ1の電極3からTABテープ5のリード先
端部8に向かって平行に電場が形成される。
【0011】上記メッキ装置を用いて銅メッキにより、
TABテープのリード先端部と半導体チップの電極とを
接続した。メッキ液はCuSO4 (0.8mol/l )およ
びH2 SO4 (0.5mol/l )よりなっている。メッキ
電流は0.6mAであり、メッキ時間は40〜60分であ
った。リード先端部と電極との間に形成された銅メッキ
の厚みは6〜10μm であった。
TABテープのリード先端部と半導体チップの電極とを
接続した。メッキ液はCuSO4 (0.8mol/l )およ
びH2 SO4 (0.5mol/l )よりなっている。メッキ
電流は0.6mAであり、メッキ時間は40〜60分であ
った。リード先端部と電極との間に形成された銅メッキ
の厚みは6〜10μm であった。
【0012】図2は、TABテープのリード先端部と半
導体チップの電極とをメッキにより接続した状態を示し
ている。半導体チップ1の表面はシリコン酸化膜などの
絶縁性保護膜2で覆われている。また、Ni金属などに
より形成された複数の電極3が、半導体チップ5の表面
周縁に沿って配置され、チップ表面から突出している。
TABテープ5は、ポリイミド基板6に銅リード7が設
けられている。リード先端部8と電極3との間は、上記
銅メッキにより銅の電路9が形成されており、両者は電
気的に接続されている。
導体チップの電極とをメッキにより接続した状態を示し
ている。半導体チップ1の表面はシリコン酸化膜などの
絶縁性保護膜2で覆われている。また、Ni金属などに
より形成された複数の電極3が、半導体チップ5の表面
周縁に沿って配置され、チップ表面から突出している。
TABテープ5は、ポリイミド基板6に銅リード7が設
けられている。リード先端部8と電極3との間は、上記
銅メッキにより銅の電路9が形成されており、両者は電
気的に接続されている。
【0013】
【発明の効果】この発明によれば、メッキ金属がTAB
テープまたはリードフレームのリードと半導体チップの
電極との間で主として成長し、横方向に大きく広がるこ
とはない。この結果、メッキの膜厚を適当に制御するこ
とにより隣り合うリードまたは電極がメッキ金属により
つながることはなく、したがって短絡することはない。
テープまたはリードフレームのリードと半導体チップの
電極との間で主として成長し、横方向に大きく広がるこ
とはない。この結果、メッキの膜厚を適当に制御するこ
とにより隣り合うリードまたは電極がメッキ金属により
つながることはなく、したがって短絡することはない。
【図1】この発明を実施するメッキ装置の一例を示す模
式図である。
式図である。
【図2】TABテープおよび半導体チップの一部断面図
であり、リード先端部と電極とをメッキにより接続した
状態を示している。
であり、リード先端部と電極とをメッキにより接続した
状態を示している。
1 半導体チップ 3 電極 5 TABテープ 6 ポリイミド基板 7 リード 8 リード先端部 9 電路 11 メッキ槽 12 支持フレーム 13 スペーサ 15 陽極板 17 直流電源 19 メッキ液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大野 恭秀 神奈川県川崎市中原区井田1618番地 新 日本製鐵株式会社 先端技術研究所内 (72)発明者 藤津 隆夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株式会社東芝 多摩川工場内 (72)発明者 工藤 好正 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株式会社東芝 多摩川工場内 (72)発明者 清水 真也 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株式会社東芝 多摩川工場内 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/50 H01L 21/60 311
Claims (1)
- 【請求項1】 TABテープまたはリードフレームのリ
ード先端部と半導体チップの表面に形成された電極とを
近接または接触させ、電解メッキにより前記リード先端
部と電極とを接続する方法において、TABテープまた
はリードフレームのリードを負電極とし、陽電極板をT
ABテープまたはリードフレームのリードと平行に、か
つTABテープまたはリードフレームのリードに対して
半導体チップの電極側に配置して前記メッキを行うこと
を特徴とする半導体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4045374A JP3043884B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4045374A JP3043884B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 半導体装置の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243465A JPH05243465A (ja) | 1993-09-21 |
| JP3043884B2 true JP3043884B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=12717497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4045374A Expired - Fee Related JP3043884B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3043884B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2894254B2 (ja) * | 1995-09-20 | 1999-05-24 | ソニー株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
| JP3737995B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2006-01-25 | 日本電信電話株式会社 | 金属電極の製造方法およびその製造装置 |
-
1992
- 1992-03-03 JP JP4045374A patent/JP3043884B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05243465A (ja) | 1993-09-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000229 |
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