JP3028754B2 - 液晶表示装置、液晶表示装置の電極構造及びその形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置、液晶表
示装置の電極構造及びその形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、液晶表示装置としては、透過型
と反射型のものが知られており、反射型のものには電気
描き込み式と光り描き込み式がある。電気描き込み式の
ものには、シリコン基板上に形成したＭＯＳＦＥＴをス
イッチそして使用し、そのスイッチのオン・オフにより
基板上に設けた電極で液晶を駆動するというＭＯＳマト
リックス型のものがある。このマトリックス型の一般的
な表示装置は、図６に示されており、スイッチング素子
１と液晶駆動電極２を多数アレイ状にならべて構成さ
れ、走査電極線３を介してゲートに走査信号を加えつつ
信号電極線４から各電極２に画像信号を加えることによ
り、像を形成するようになっている。反射型のものは、
直視型と投影型のものに別れるが、直視型の場合には、
いろいろな角度からみるために、何らかの方法で光を散
乱させる必要がある。これに対して、投影型の場合に
は、スクリーン上に結像させるので光の方向が揃ってい
る必要があり、そのためミラーの平坦度が重要になって
くる。ミラーの平坦化のためには、電極の形成段階で平
坦化ができていれば製造工程の簡略化の観点より都合が
よい。

【０００３】この平坦化手法として例えば［液晶投写型
ハイビジョン用高密度反射型ＴＦＴアレイ］（テレビジ
ョン学会誌，Ｖｏｌ．４４，Ｎｏ．５，ｐｐ．５４４〜
５４９（１９９０））に示されている技術が知られてい
る。図７はこの時の平坦化方法を説明するための電極構
造の断面図を示し、基板５上に、ゲート電極６と、絶縁
膜７と、チャネル用のアモルファスシリコン８と、ソー
ス９と、ドレイン１０よりなる多数のスイッチング素子
１を形成し、この上に例えばＳｉＮｘよりなる絶縁膜１
１を介して液晶駆動電極（画素電極）１２を形成してい
る。この場合、上記電極１２は、アルミニウム等の導電
体よりなり、この電極成膜時には完成時よりも僅かに厚
くしておいて、研磨により表面を平坦化し、その後、エ
ッチングにより溝１３を切り込んで画素毎に電極の分離
を行なうようになっている。

【０００４】しかしながら、このような方法では電極間
に溝が形成されているために、この溝から光が基板側に
入って光キャリアが発生し、スイッチング素子の動作を
不安定にさせる可能性がある。そこで、光の作用を避け
るために電極と反射膜の機能を分離させるようにし、電
極のうえに別途反射膜を設けるようにした構造も考えら
れるが、この場合には、十分な反射率を得るためには反
射膜として用いる誘電体の表面を液晶基板全面に亘って
十分な平坦化処理を行なわなければならない。このた
め、上記した電極間の溝部分も何らかの方法により絶縁
物で十分に埋め込み、完全に平坦化させておく必要があ
る。そのための手法として、例えば図８及び図９に示す
ような方法がとられている。

【０００５】図８及び図９はＭＯＳＦＥＴ形成後の電極
構造の形成過程を説明する工程図である。まず、図８
（Ａ）に示すような基板５上に、図７に示したと同様な
構成でゲート電極６、絶縁膜７、アモルファスシリコン
８、チャネル保護膜８Ａ、ソース９及びドレイン１０よ
りなるＭＯＳＦＥＴ型のスイッチング素子１を形成し、
この上に全面に亘って例えばＳｉＮｘよりなる絶縁膜１
１を形成する。尚、斜線部分はソース、ドレインに接続
される配線２１、２１である。

【０００６】次に、図８（Ｂ）に示すようにこの絶縁膜
１１にコンタクトホールとしてビア１４を形成し、更に
図８（Ｃ）に示すようにこの絶縁膜１１上に全面に亘っ
て液晶駆動電極用の金属膜１５を形成し、この時、上記
ビア１４を埋め込んでドレイン１０とのコンタクトを図
る。この場合、金属膜表面には、スイッチング素子の存
在に対応して凹凸が発生してしまうことから、次に、図
８（Ｄ）に示すように金属研磨によって金属膜１５の表
面を平坦化処理する。

【０００７】次に、図９（Ａ）に示すように上記金属膜
１５にパターンエッチングを施すことにより溝１７を形
成して金属膜１５を液晶駆動電極毎に分割してパターン
化し、ここの液晶駆動電極２を形成する。次に、図９
（Ｂ）に示すように電極２上全面に亘って上部絶縁膜１
６を形成することにより各電極２間の溝１７を埋め込
む。この状態では、絶縁膜１６の表面には溝１７に対応
する部分が窪むことから凹凸が発生してしまう。そこ
で、次に図９（Ｃ）に示すように表面研磨を施すことに
より絶縁膜１６の表面を平坦化し、電極構造が完成す
る。

【０００８】次に、図９（Ｄ）に示すようにこの上部絶
縁膜１６上に、誘電体多層膜よりなる反射膜１８、液晶
１９及び透明対向電極２０を所定の順序で形成して、液
晶表示装置を完成させる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような電極構造の形成方法にあっては、図示例により説
明したように多数の製造工程を経なければならないこと
から、製造工程が非常に複雑となり、その分、コストア
ップを余儀なくされてしまう。特に、コストダウンの見
地より、１ステップでも少ない工程数で同品質の電極構
造を形成することが要求されている。本発明は、以上の
ような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案さ
れたものであり、その目的は複雑な工程を用いることな
しに液晶駆動電極の分離と平坦化を同時に行なうことが
できる液晶表示装置、液晶表示装置の電極構造の形成方
法及びその電極構造を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、上記問題
点を解決するために、液晶表示装置の電極構造の形成方
法において、基板上にスイッチング素子と、このスイッ
チング素子のソース及びドレインにつながるそれぞれの
配線を形成する工程と、前記スイッチング素子と前記配
線を覆って前記基板上に絶縁膜を、その表面の最も低い
部分が前記スイッチング素子又は前記配線の最も高い部
分より高くなる厚さに形成する工程と、前記絶縁膜をＣ
ＭＰにより平坦化する工程と、前記絶縁膜の頂部となる
領域以外の液晶駆動電極を形成すべき前記絶縁膜の領域
を所定の深さまで凹部状に除去する工程と、前記領域内
に前記ドレインにつながる前記配線に達するビアを形成
する工程と、前記絶縁膜と前記ビアを覆って金属膜を、
その表面の最も低い部分が前記頂部より高くなる厚さに
形成する工程と、前記金属膜を前記絶縁膜の頂部が露出
するまでＣＭＰにより研磨してパターン化された前記液
晶駆動電極を形成する工程とを備えるように構成したも
のである。

【００１１】第２の発明は、上記問題点を解決するため
に、液晶表示装置の電極構造の形成方法において、半導
体基板中に一方の導電型の領域と他方の導電型の領域を
形成する工程と、前記基板の前面に窒化膜を形成する工
程と、前記一方の導電型の領域の一部を取り囲むように
窒化膜を除去する工程と、前記窒化膜を除去した部分に
対応させて厚い酸化膜を形成する工程と、前記窒化膜を
除去した後に前記厚い酸化膜のない領域に前記厚い酸化
膜の高さ以下にスイッチング素子とこの配線を形成する
工程と、この表面全体に絶縁膜を形成して、この絶縁膜
の一部に前記配線に届くビアを形成する工程と、前記ビ
アの底から絶縁膜の最も高い部分までの長さよりも厚く
液晶駆動電極用の金属膜を形成する工程と、前記絶縁膜
の上端が露出するまでの前記金属膜を研磨して前記液晶
駆動電極をパターン化する工程とを備えるようにしたも
のである。

【００１２】

【作用】本発明は、以上のように構成したので、両発明
ともに液晶駆動電極を形成する場合には、予め電極が形
成されるべき領域の外周に沿って、その下方に位置する
絶縁膜に凸状の輪郭を形成しておき、この表面に形成さ
れた金属膜を上記凸状輪郭の上端が露出するまで研磨す
る。これにより、絶縁膜の上端露出と同時に金属膜がパ
ターン化されるので、金属膜、すなわち液晶駆動電極の
平坦化と同時に電極の分離を同時に行なうことができ、
その分、工程数を削減することができる。この時の金属
膜の研磨処理には、金属と酸化膜とでは溶剤が異なるＣ
ＭＰ（Ｃｈｅｍｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓ
ｈｉｎｇ）を用いることにより、パターン化された時点
で自動的に研磨が停止する。

【００１３】

【実施例】以下に、本発明の液晶表示装置、液晶表示装
置の電極構造及びその形成方法の一実施例を添付図面に
基づいて詳述する。図１及び図２は第１の発明の液晶表
示装置の電極構造の形成方法を示す工程図である。尚、
先の図８及び図９に示す部分と同一部分については、同
一符号を付して説明する。発明の要旨は次のようなもの
である。液晶駆動電極用の金属膜の形成の前に予め絶縁
物の分離領域を凹部状に形成し、その後に金属膜を形成
してこの表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃ
ａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により絶縁物と同一平面上
になるまで研磨する。単純な研磨と異なり、このＣＭＰ
研磨は研磨する材質により、研磨の溶剤を変えるので、
絶縁物の凸部の上端に達したところで自動的に研磨が終
了する特性がある。従って、従来と形成順序を逆にする
ことにより、電極の分離と平坦化を同時に行なうことが
可能となる。

【００１４】まず、図１（Ａ）において、基板５はシリ
コン基板、酸化珪素基板或いは合成樹脂基板等よりな
り、この基板５上に、先の図８（Ａ）にて説明したと同
様に、ゲート電極６、ゲート酸化膜となる絶縁膜７、ア
モルファスシリコン８、チャネル保護膜８Ａ、ソース９
及びドレイン１０よりなるＭＯＳＦＥＴ型の多数のスイ
ッチング素子１を、成膜及びエッチングを周知の方法で
繰り返し行なうことにより形成する。また、ソース９及
びドレイン１０にコンタクトされて各素子１間を接続す
る素子駆動用の配線２１、２１も形成する。尚、図示例
ではスイッチング素子は１つしか記載されていないが、
多数配列されているのは勿論である。また、ソース９と
ドレイン１０の関係は逆に配置しても同じである。そし
て、この配線工程終了後、基板表面に全面に亘って例え
ばＳｉＮｘよりなる下部の絶縁膜１１を形成する。この
絶縁膜１１の厚さは、次の工程の研磨を考慮してこの絶
縁膜１１の最も低い部分が上記配線２１或いは素子１の
最も高い部分よりも高くなるように設定する。ここで
は、素子１に対応する部分の絶縁膜１１が上方へ突出す
るので、膜表面はそれに対応して凹凸状になっている。

【００１５】次に、図１（Ｂ）に示すようにＣＭＰ操作
やＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）操作を用いて
絶縁膜１１の表面を平坦化する。ＣＭＰ操作では、前述
のように研磨により平坦化され、ＳＯＧ操作では、例え
ばペースト状ガラスを平坦に塗布した後に熱で硬化させ
ることにより平面が平坦化される。尚、図示例ではＣＭ
Ｐ操作により平坦化した場合を示している。

【００１６】次に、図１（Ｃ）に示すように液晶駆動電
極を形成すべき領域の絶縁物を所定の深さまで凹部状に
エッチングし、除去する。更に、この領域において、配
線２１まで達するビア（コンタクトホール）１４もエッ
チングにより形成する。従って、ここでは、２段階にエ
ッチングが施され、絶縁膜１１は断面階段状になる。こ
の場合、絶縁膜１１の凸部の頂部２２は、今後形成され
るべき電極の外周の輪郭に沿ったラインとなる。

【００１７】次に、図２（Ａ）に示すように、基板表面
全体に亘ってアルミニウム等の導電性材料により液晶駆
動電極となる金属膜１５を成膜する。この金属膜１５の
厚さは、次の工程で行なう研磨を考慮してこの金属膜１
５の最も低い部分がこの下層の絶縁膜１１の最も高い部
分、すなわち頂部２２よりも高くなるような厚さに設定
する。この時、ビア１４も金属が埋め込まれて配線２１
との電気的なコンタクトが図られる。

【００１８】次に、図２（Ｂ）に示すようにこの金属膜
１５の表面をＣＭＰ操作により研磨する。この研磨に際
しては、上記絶縁膜１１の最上端、すなわち頂部２２が
露出するまで行なう。このＣＭＰ操作では、使用される
溶剤が金属と酸化物とでは異なっているので、研磨は、
絶縁膜１１の上端が露出した時点で自動的に終了するこ
とになる。従って、研磨終了時には、絶縁膜１１に関し
てはその頂部２２のみが表面に露出している状態となる
ので、金属膜１５が平坦化されると同時にこれが液晶駆
動電極の形状にパターン化されて電気的に分離されるこ
とになる。このようにして、電極構造を完成することが
できる。

【００１９】次に、図２（Ｃ）に示すように、基板の表
面全体に例えばＳｉＮｘにより上部の絶縁膜１６を形成
した後、この上に誘電体多層膜よりなる反射膜１８、液
晶１９及びＩＴＯ等よりなる透明対向電極２０を周知の
所定の順序で形成して、本発明の液晶表示装置を完成さ
せる。このように、本実施例では、電極用の金属膜の平
坦化処理とこの電極分離工程とを同時に行なうようにし
たので、エッチングにより電極を個々に分離し、この溝
を埋め込んで平坦化するといった従来の技術方法の一連
の処理を１つの工程で行なうことができ、製造工程を大
幅に短縮化することが可能となる。

【００２０】次に、第２の発明について説明する。図３
は第２の発明の液晶表示装置の電極構造を示す図であ
り、図３（Ａ）はその拡大断面図、図３（Ｂ）は平面図
である。図３（Ａ）は図３（Ｂ）中のＩ−Ｉ線矢視断面
図として示される。図３（Ａ）に示すようにこの液晶表
示装置は、スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴを用い
た電極構造となっている。この液晶表示装置及びこの電
極構造について説明すると、シリコン基板等の半導体基
板５の表面には、一方の導電型の領域すなわちｎプア
（ｎ^-）なｎ領域２３と、この下部及び周辺部全体を被
う他方の導電型の領域すなわちｐプア（ｐ^-）なｐ領域
２４がある。ここでｐ領域２４は、スイッチング素子１
としてのｎＭＯＳＦＥＴ素子のチャネル領域として、ｎ
領域２３は液晶駆動電極１２とｎＭＯＳＦＥＴを電気的
につなぐ領域として作用する。

【００２１】ｎ領域２３の表面にはこの領域の位置を平
面的に取り囲むように形成された厚い絶縁膜２５が形成
される。ｐ領域２４の表面には、ゲート酸化膜２６と、
ゲート電極６と、この電極の両側の基板表面上に形成し
たｎリッチ（ｎ⁺）のｎ型拡散層２７、２８からなるス
イッチング素子１が形成される。ここで両ｎ型拡散層２
７、２８は、ソース及びドレインとして機能する。

【００２２】一方のｎ型拡散層２８は、上記ｎ領域２３
まで伸びてこれに電気的に接続される。また、上記厚い
絶縁膜２５の内側の基板表面にはｎリッチのｎ型拡散層
２９が形成されており、この拡散層２９は、この上部に
基板全体に亘って形成される絶縁膜３０を貫通して、液
晶駆動電極１２に電気的に接続される。ここで、この電
極１２は、その周辺部の金属膜１５からは厚い金属膜１
５の露出している頂部３１により分離絶縁されて、パタ
ーン化されている。このようにして、構成されている電
極構造の上方には、図２（Ｃ）に示す構造と同様に、絶
縁膜１６、反射膜１８、液晶１９及び透明対向電極２０
が配置され、液晶表示装置を形成している。

【００２３】次に、このような装置構造の形成方法につ
いて図４及び図５を参照して説明する。まず、図４
（Ａ）に示すようにシリコン等の基板５の表面にｐ領域
２４とｎ領域２３を不純物拡散により形成し、この表面
全体に基板表面を保護する目的でバッファ酸化膜３２を
形成する。このバッファ酸化膜３２は、酸素雰囲気で例
えば９００℃で高温加熱することにより形成できる。

【００２４】次に、図４（Ｂ）に示すように、基板表面
の全面に亘って酸素を通さない窒化膜３３を形成し、そ
の後、エッチングを施すことによって形成されるべき液
晶駆動電極の輪郭に沿って窒化膜３３を除去し、溝３４
を形成する。次に、図４（Ｃ）に示すように、例えば高
圧酸素雰囲気中で基板に熱処理を加えることによって、
溝３４に対応する部分に沿って厚い酸化膜、すなわち絶
縁膜２５を形成する。この厚さは、例えば３μｍ程度と
する。

【００２５】次に、図４（Ｄ）に示すように、上記窒化
膜３３及びその下のバッファ酸化膜３２をエッチング等
により除去する。次に、図５（Ａ）に示すように、基板
表面にＭＯＳＦＥＴよりなるスイッチング素子１及びこ
れに接続される駆動用の配線３５、電極接続用の配線３
６を形成する。この時、液晶駆動電極と電気的につなが
るべき一方のｎ型拡散層２８がｎ領域２３に一部重なる
ように形成する。また、電極形成領域の表面も上方の金
属との接続がとれるようにｎ型拡散層２９を形成してお
く。また、ここでの金属配線層と層間膜の合計の高さ
は、後工程で行なわれる研磨を考慮して厚い絶縁膜２５
の高さよりも低く設定する。そして、最後に、基板表面
全体に亘って絶縁膜３０を形成する。

【００２６】次に、図５（Ｂ）に示すように、上記絶縁
膜３０の電極コンタクト部にコンタクト用のビア３７を
形成し、基板表面全体に金属膜１５を形成し、ビア３７
もこの金属で埋め込んで配線３６とのコンタクトを図
る。この場合、次の研磨操作を考慮して金属膜１５の最
も低いところがこの下層の絶縁膜３０の最も高いところ
よりも高くなるように設定する。次に、図５（Ｃ）に示
すように、ＣＭＰ操作により上記金属膜１５の表面を研
磨し、この下層の絶縁膜３０の頂部３１が露出するまで
研磨を行なう。この場合、前述のようにＣＭＰの溶剤が
金属と酸化膜とでは異なるので、研磨は絶縁膜２５の頂
部３１が露出した時点で自動的に停止する。

【００２７】これにより、金属膜１５は、電極形状にパ
ターン化されて他の金属膜部分から分離される。この
時、ＭＯＳＦＥＴの上方にも金属膜が残るが、この金属
膜は遮光膜として機能することになる。これにより、電
極構造の形成が完了する。以後は、図３に示したように
この上方に絶縁膜１６、反射膜１８、液晶１９及び透明
対向電極２０を形成して液晶表示装置が完成されること
になる。このように、本実施例においても、液晶駆動電
極の平坦化処理とこの電極分離工程とを同時に行なうこ
とができるので、従来の技術方法と比較して製造工程を
大幅に短縮化することができる。尚、上記実施例におい
て、ｎ型とｐ型の導電型を逆に設定してもよいのは勿論
である。また、金属膜としてアルミニウムを用いたが、
これに限定されず、他の導電性金属を用いてもよいのは
勿論である。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置、液晶表示装置の電極構造及びその形成方法によれ
ば、次のように優れた作用効果を発揮することができ
る。電極用の金属膜の平坦化処理と電極分離工程とを同
時に行なうようにしたので、従来の方法と比較してその
分製造工程数を少なくすることができる。従って、製造
工程を簡単化した分だけ製造コストを削減することがで
きる。また、スイッチング素子の上方に位置する金属膜
が遮光膜として機能するので、光が素子側に侵入するこ
とを防止でき、動作の安定性を向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明の液晶表示装置の電極構造の形成方
法を示す工程図である。

【図２】第１の発明の液晶表示装置の電極構造の形成方
法を示す工程図である。

【図３】第２の発明の液晶表示装置の電極構造を示す図
である。

【図４】第２の発明の液晶表示装置の電極構造の形成方
法を示す工程図である。

【図５】第２の発明の液晶表示装置の電極構造の形成方
法を示す工程図である。

【図６】一般的なマトリクス型の液晶表示装置を示す模
式図である。

【図７】電極構造を示す断面図である。

【図８】ＭＯＳＦＥＴ形成後の電極構造の形成過程を説
明する工程図である。

【図９】ＭＯＳＦＥＴ形成後の電極構造の形成過程を説
明する工程図である。

【符号の説明】

１…スイッチング素子、２…液晶駆動電極、３…走査電
極線、４…信号電極線、５… 基板、６…ゲート電極、
７…絶縁膜、１１，１６，２５，３０…絶縁膜、１２…
液晶駆動電極、１５…金属膜、１９…液晶、２０…透明
対向電極、２３…ｎ領域（一方の導電 型の領域）、２
４…ｐ領域（他方の導電型の領域）、２５…絶縁膜、２
７，２８，２９ …ｎ型拡散層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1343

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶表示装置の電極構造の形成方法にお
   いて、 基板上にスイッチング素子と、このスイッチング素子の
   ソース及びドレインにつながるそれぞれの配線を形成す
   る工程と、 前記スイッチング素子と前記配線を覆って前記基板上に
   絶縁膜を、その表面の最も低い部分が前記スイッチング
   素子又は前記配線の最も高い部分より高くなる厚さに 形
   成する工程と、 前記絶縁膜をＣＭＰにより平坦化する工程と、前記絶縁膜の頂部となる領域以外の 液晶駆動電極を形成
   すべき前記絶縁膜の領域を所定の深さまで凹部状に除去
   する工程と、前記領域内に前記ドレインにつながる前記配線に達する
   ビアを形成する工程と 、前記絶縁膜と前記ビアを覆って 金属膜を、その表面の最
   も低い部分が前記頂部より高くなる厚さに形成する工程
   と、前記 金属膜を前記絶縁膜の頂部が露出するまでＣＭＰに
   より研磨してパターン化された前記液晶駆動電極を形成
   する工程とを備えたことを特徴とする液晶表示装置の電
   極構造の形成方法。
2. 【請求項２】 反射方式の液晶表示装置であって、 基板と、 この基板上に形成されたスイッチング素子と、 このスイッチング素子のソース及びドレインにつながる
   それぞれの配線と、 前記スイッチング素子及び前記配線を覆って前記基板上
   に形成され、その表面がＣＭＰにより平坦化され、頂部
   となる部分以外の液晶駆動電極を形成すべき領域が所定
   の深さにエッチングにより除去されており、この領域内
   に前記ドレインにつながる配線に達するビアが形成され
   ている絶縁膜と、 前記絶縁膜と前記ビアを覆って、かつその表面の最も低
   い部分が前記頂部より高くなる厚さに形成された後に、
   前記頂部が露出するまでＣＭＰによる除去され、前記液
   晶駆動電極を構成する金属膜と、 前記絶縁膜の頂部及び前記金属膜の上に順次形成された
   液晶層及び透明対向電 極層とから構成されていることを
   特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 液晶表示装置の電極構造の形成方法にお
   いて、半導体基板中に一方の導電型の領域と他方の導電
   型の領域を形成する工程と、前記基板の前面に窒化膜を
   形成する工程と、前記一方の導電型の領域の一部を取り
   囲むように窒化膜を除去する工程と、前記窒化膜を除去
   した部分に対応させて厚い酸化膜を形成する工程と、前
   記窒化膜を除去した後に前記厚い酸化膜のない領域に前
   記厚い酸化膜の高さ以下にスイッチング素子とこの配線
   を形成する工程と、この表面全体に絶縁膜を形成して、
   この絶縁膜の一部に前記配線に届くビアを形成する工程
   と、前記ビアの底から絶縁膜の最も高い部分までの長さ
   よりも厚く液晶駆動電極用の金属膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜の上端が露出するまでの前記金属膜を研磨し
   て前記液晶駆動電極をパターン化する工程とを備えたこ
   とを特徴とする液晶表示装置の電極構造の形成方法。
4. 【請求項４】 前記研磨をＣＭＰにより行なうことを特
   徴とする請求項３記載の液晶表示装置の電極構造の形成
   方法。
5. 【請求項５】 半導体基板中に一方の導電型の領域と他
   方の導電型の領域があり、その一方の導電型の領域の基
   板表面にはこの一方の導電型の領域の一部を取り囲むよ
   うに形成された厚い絶縁膜があり、前記他方の導電型の
   領域の表面にはゲート絶縁膜とゲート電極とこのゲート
   電極の両側の基板表面上に形成された一方の導電型の２
   つの拡散層からなるスイッチング素子が形成されてお
   り、このスイッチング素子の前記拡散層の１つは前記一
   方の導電型の領域に伸びて電気的に接続されており、前
   記厚い絶縁膜が取り囲んでいる領域の内部の基板表面は
   前記一方の導電型で濃度が高い拡散層が形成されてお
   り、この濃度が高い拡散層上に位置する液晶駆動電極と
   前記一方の導電型の領域とを電気的に接続していること
   を特徴とする液晶表示装置の電極構造。