JP3026142B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP3026142B2 JP3026142B2 JP5336474A JP33647493A JP3026142B2 JP 3026142 B2 JP3026142 B2 JP 3026142B2 JP 5336474 A JP5336474 A JP 5336474A JP 33647493 A JP33647493 A JP 33647493A JP 3026142 B2 JP3026142 B2 JP 3026142B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に関
し、特に真空容器内において金属材料の蒸発、イオン化
により生成される金属蒸気粒子を被処理物体の表面に付
着させて、金属膜あるいは合金膜を連続的に形成するイ
ンライン型イオンプレーティング装置に適したプラズマ
処理装置に関する。
し、特に真空容器内において金属材料の蒸発、イオン化
により生成される金属蒸気粒子を被処理物体の表面に付
着させて、金属膜あるいは合金膜を連続的に形成するイ
ンライン型イオンプレーティング装置に適したプラズマ
処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイオンプレーティング装置として
は、ホーローカソード（ＨＣＤ）銃あるいは圧力勾配型
プラズマ銃をプラズマ源として用いる装置が工業用とし
て用いられている。
は、ホーローカソード（ＨＣＤ）銃あるいは圧力勾配型
プラズマ銃をプラズマ源として用いる装置が工業用とし
て用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなイオンプ
レーティング装置においては、スパッタ装置と異なり、
バッチ処理が主体となっている。しかしながら、この種
の装置を生産設備として工業用に用いるには、バッチ処
理では生産性が低く、生産コストも高くなる。このた
め、一度に大面積の被処理物体を処理可能なイオンプレ
ーティング装置や、連続的生産を可能とするインライン
型イオンプレーティング装置とすることが望まれてい
る。しかし、従来のホーローカソード（ＨＣＤ）銃ある
いは圧力勾配型プラズマ銃をプラズマ源として用いる装
置においては、プラズマ源と金属材料の蒸発源が互いに
直交する壁面上に配置されており、プラズマ源から放出
されるプラズマビームをステアリングコイルにより蒸発
源方向に旋回させてガイドしている。このため、プラズ
マ源は蒸発源に対して一定の高さの位置に配置する必要
があり、装置が大型となる欠点がある。
レーティング装置においては、スパッタ装置と異なり、
バッチ処理が主体となっている。しかしながら、この種
の装置を生産設備として工業用に用いるには、バッチ処
理では生産性が低く、生産コストも高くなる。このた
め、一度に大面積の被処理物体を処理可能なイオンプレ
ーティング装置や、連続的生産を可能とするインライン
型イオンプレーティング装置とすることが望まれてい
る。しかし、従来のホーローカソード（ＨＣＤ）銃ある
いは圧力勾配型プラズマ銃をプラズマ源として用いる装
置においては、プラズマ源と金属材料の蒸発源が互いに
直交する壁面上に配置されており、プラズマ源から放出
されるプラズマビームをステアリングコイルにより蒸発
源方向に旋回させてガイドしている。このため、プラズ
マ源は蒸発源に対して一定の高さの位置に配置する必要
があり、装置が大型となる欠点がある。
【０００４】他方、プラズマ源と金属材料の蒸発源を同
一平面に配置した場合には、プラズマビームの旋回角は
ステアリングコイルにより生ずる磁力線のリコネクショ
ン等の問題により、大きく取ることができないため、旋
回半径を大きくする必要があり、同様に装置が大型とな
る欠点がある。
一平面に配置した場合には、プラズマビームの旋回角は
ステアリングコイルにより生ずる磁力線のリコネクショ
ン等の問題により、大きく取ることができないため、旋
回半径を大きくする必要があり、同様に装置が大型とな
る欠点がある。
【０００５】したがって、本発明の目的は、装置を大型
化せずとも処理面積を大きくすることのできるイオンプ
レーティング装置に適したプラズマ処理装置を提供する
ことにある。
化せずとも処理面積を大きくすることのできるイオンプ
レーティング装置に適したプラズマ処理装置を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、真空容
器と、この真空容器内にプラズマビームを導入するよう
に前記真空容器を構成する第１の壁面に設置されたプラ
ズマ源と、このプラズマ源が設置された前記第１の壁面
に対してほぼ直角に配設された第１の陽極と、この第１
の陽極と前記プラズマ源との間における前記第１の壁面
上の位置に設けられ、蒸発物質が配置される第２の陽極
とを備え、この第２の陽極から蒸発される蒸発物質を前
記真空容器内の位置に配置される被処理物体に衝突させ
ることを特徴とするプラズマ処理装置が得られる。
器と、この真空容器内にプラズマビームを導入するよう
に前記真空容器を構成する第１の壁面に設置されたプラ
ズマ源と、このプラズマ源が設置された前記第１の壁面
に対してほぼ直角に配設された第１の陽極と、この第１
の陽極と前記プラズマ源との間における前記第１の壁面
上の位置に設けられ、蒸発物質が配置される第２の陽極
とを備え、この第２の陽極から蒸発される蒸発物質を前
記真空容器内の位置に配置される被処理物体に衝突させ
ることを特徴とするプラズマ処理装置が得られる。
【０００７】なお、前記被処理物体を、前記真空容器に
設けられた搬送装置により搬送することが好ましい。ま
た、前記第１の陽極は１個以上設けられ、前記第２の陽
極も１個以上設けられるのが好ましい。
設けられた搬送装置により搬送することが好ましい。ま
た、前記第１の陽極は１個以上設けられ、前記第２の陽
極も１個以上設けられるのが好ましい。
【０００８】更に、前記第１の陽極及び／又は前記第２
の陽極には、電流調整手段を接続して、この電流調整手
段を用いて電流を調整することにより、プラズマビーム
の調整を行うようにしても良い。
の陽極には、電流調整手段を接続して、この電流調整手
段を用いて電流を調整することにより、プラズマビーム
の調整を行うようにしても良い。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。図１は本発明をプラズマ処理装置のうち、特
に、インライン型イオンプレーティング装置に適用した
場合の構成を示す縦断面図である。本発明のインライン
型イオンプレーティング装置は内部が気密に保たれ、反
応ガスが供給される真空容器１１を備えている。この真
空容器１１の第１の壁面である底壁１２には第１の装着
口１３が設けられており、その周囲の底壁１２の外側に
はプラズマビームガイド用のステアリングコイル１４が
設置されている。ステアリングコイル１４には、更に、
プラズマビーム収束用のコイル１５及び環状永久磁石１
６が同心状に配置されている。
説明する。図１は本発明をプラズマ処理装置のうち、特
に、インライン型イオンプレーティング装置に適用した
場合の構成を示す縦断面図である。本発明のインライン
型イオンプレーティング装置は内部が気密に保たれ、反
応ガスが供給される真空容器１１を備えている。この真
空容器１１の第１の壁面である底壁１２には第１の装着
口１３が設けられており、その周囲の底壁１２の外側に
はプラズマビームガイド用のステアリングコイル１４が
設置されている。ステアリングコイル１４には、更に、
プラズマビーム収束用のコイル１５及び環状永久磁石１
６が同心状に配置されている。
【００１０】これらのプラズマビーム収束用のコイル１
５及び環状永久磁石１６の直下には陰極１７が設けられ
ている。陰極１７は中心に開孔１８を有しており、この
開孔１８を介してアルゴン（Ａｒ）ガスのような反応ガ
ス１９を真空容器１１に導入する。ステアリングコイル
１４及びプラズマビーム収束用のコイル１５には直流電
源２０から励磁用電流が供給されている。これらのステ
アリングコイル１４、プラズマビーム収束用のコイル１
５及び環状永久磁石１６により、プラズマ源２１が構成
されている。
５及び環状永久磁石１６の直下には陰極１７が設けられ
ている。陰極１７は中心に開孔１８を有しており、この
開孔１８を介してアルゴン（Ａｒ）ガスのような反応ガ
ス１９を真空容器１１に導入する。ステアリングコイル
１４及びプラズマビーム収束用のコイル１５には直流電
源２０から励磁用電流が供給されている。これらのステ
アリングコイル１４、プラズマビーム収束用のコイル１
５及び環状永久磁石１６により、プラズマ源２１が構成
されている。
【００１１】真空容器１１の底壁１２に直角な側壁２２
には、第２の装着口２３が設けられており、この第２の
装着口２３を介して第１の陽極２４が真空容器１１内に
挿入されている。この第１の陽極２４は真空容器１１の
内部に形成された陽極板２５を備え、またその本体内に
はプラズマビームを吸引するための永久磁石２６が埋設
されている。この第１の陽極２４と陰極１７間には、電
流調整手段として可変電圧直流電源２７が、第１の陽極
２４側が正電位となるような極性で接続されている。
には、第２の装着口２３が設けられており、この第２の
装着口２３を介して第１の陽極２４が真空容器１１内に
挿入されている。この第１の陽極２４は真空容器１１の
内部に形成された陽極板２５を備え、またその本体内に
はプラズマビームを吸引するための永久磁石２６が埋設
されている。この第１の陽極２４と陰極１７間には、電
流調整手段として可変電圧直流電源２７が、第１の陽極
２４側が正電位となるような極性で接続されている。
【００１２】なお、実施例では第１の陽極２４を側壁２
２に設けた例を示したが、必ずしもこれに限定されるこ
とはなく、底壁１２に設けられても良い。その場合でも
第１の陽極２４は、プラズマ源２１に対してほぼ直角に
設けられていなければならない。
２に設けた例を示したが、必ずしもこれに限定されるこ
とはなく、底壁１２に設けられても良い。その場合でも
第１の陽極２４は、プラズマ源２１に対してほぼ直角に
設けられていなければならない。
【００１３】真空容器１１の底壁１２にはまた、第１の
装着口１３と側壁２２との間の位置に、第３の装着口２
８が設けられており、この第３の装着口２８を介して第
２の陽極２９が真空容器１１内に挿入されている。この
第２の陽極２９はその本体内にプラズマビームを吸引す
るための永久磁石３０が埋設されている。第２の陽極２
９の真空容器１１内に挿入された先端部３１には、図示
しないが、金属蒸発材が載置されている。この第２の陽
極２９の先端部３１に対向する真空容器１１内上部に
は、被処理物体３２が搬送装置３３により送られてい
る。搬送装置３３は、真空容器１１内を貫通するガイド
レール３４により複数個の被処理物体３２を順次搬送
し、連続的な処理を可能とする。
装着口１３と側壁２２との間の位置に、第３の装着口２
８が設けられており、この第３の装着口２８を介して第
２の陽極２９が真空容器１１内に挿入されている。この
第２の陽極２９はその本体内にプラズマビームを吸引す
るための永久磁石３０が埋設されている。第２の陽極２
９の真空容器１１内に挿入された先端部３１には、図示
しないが、金属蒸発材が載置されている。この第２の陽
極２９の先端部３１に対向する真空容器１１内上部に
は、被処理物体３２が搬送装置３３により送られてい
る。搬送装置３３は、真空容器１１内を貫通するガイド
レール３４により複数個の被処理物体３２を順次搬送
し、連続的な処理を可能とする。
【００１４】第２の陽極２９には可変電圧直流電源２７
の陰極がゲートターンオフスイッチ３５を介して接続さ
れている。可変電圧直流電源２７の陰極はまた、抵抗３
６、３７を介してプラズマビーム収束用のコイル１５及
び環状永久磁石１６に接続され、それぞれに所定の負電
位を与えている。
の陰極がゲートターンオフスイッチ３５を介して接続さ
れている。可変電圧直流電源２７の陰極はまた、抵抗３
６、３７を介してプラズマビーム収束用のコイル１５及
び環状永久磁石１６に接続され、それぞれに所定の負電
位を与えている。
【００１５】以上のように構成された本発明のインライ
ン型イオンプレーティング装置の動作を説明する。真空
容器１１内では、プラズマ源２１内の陰極１７と第１の
陽極２４との間では放電が生じ、これによりプラズマビ
ーム３８が生成され、このプラズマビーム３８はステア
リングコイル１４と第１の陽極２４とにより決定される
磁力線によりガイドされて、陰極１７から第１の陽極２
４に到達する。この状態において当初オフ状態であった
ゲートターンオフスイッチ３５がオンにされ、第２の陽
極２９にプラズマビーム３８が引き込まれる。これによ
り、第２の陽極２９の先端部３１に載置されている金属
蒸発材（図示せず）が加熱されて蒸発する。この蒸発金
属粒子はプラズマビーム３８の照射によりイオン化さ
れ、真空容器１１内上部に配置された負電圧が印加され
た被処理物体３２の表面に付着し、被膜が形成される。
ン型イオンプレーティング装置の動作を説明する。真空
容器１１内では、プラズマ源２１内の陰極１７と第１の
陽極２４との間では放電が生じ、これによりプラズマビ
ーム３８が生成され、このプラズマビーム３８はステア
リングコイル１４と第１の陽極２４とにより決定される
磁力線によりガイドされて、陰極１７から第１の陽極２
４に到達する。この状態において当初オフ状態であった
ゲートターンオフスイッチ３５がオンにされ、第２の陽
極２９にプラズマビーム３８が引き込まれる。これによ
り、第２の陽極２９の先端部３１に載置されている金属
蒸発材（図示せず）が加熱されて蒸発する。この蒸発金
属粒子はプラズマビーム３８の照射によりイオン化さ
れ、真空容器１１内上部に配置された負電圧が印加され
た被処理物体３２の表面に付着し、被膜が形成される。
【００１６】本発明のインライン型イオンプレーティン
グ装置における、プラズマビーム３８の旋回角は、プラ
ズマ源２１と第１の陽極２４間では９０度であるが、プ
ラズマ源２１と第２の陽極２９間では１８０度となる。
しかしながら、第２の陽極２９はプラズマ源２１と第１
の陽極２４との中間の位置にあるため、プラズマビーム
３８はプラズマ源２１から第２の陽極２９に容易に到達
する。
グ装置における、プラズマビーム３８の旋回角は、プラ
ズマ源２１と第１の陽極２４間では９０度であるが、プ
ラズマ源２１と第２の陽極２９間では１８０度となる。
しかしながら、第２の陽極２９はプラズマ源２１と第１
の陽極２４との中間の位置にあるため、プラズマビーム
３８はプラズマ源２１から第２の陽極２９に容易に到達
する。
【００１７】したがって、本発明のインライン型イオン
プレーティング装置においては、プラズマ源２１と蒸発
源となる第２の陽極２９とを同一平面に置くことがで
き、装置の高さを小さくすることができる。また、プラ
ズマビーム３８と被処理物体３２との距離は第１の陽極
２４の位置及び形状により調整することができる。
プレーティング装置においては、プラズマ源２１と蒸発
源となる第２の陽極２９とを同一平面に置くことがで
き、装置の高さを小さくすることができる。また、プラ
ズマビーム３８と被処理物体３２との距離は第１の陽極
２４の位置及び形状により調整することができる。
【００１８】図２は本発明のインライン型イオンプレー
ティング装置の他の実施例を示す概略構成図で、同図
（Ａ）は真空容器１１内の陽極の配置を示す上面図、同
図（Ｂ）はその斜視図である。この実施例においては、
真空容器１１の底壁１２上のプラズマ源２１が装着され
る第１の装着口１３の周囲に４個の第２の陽極２９が設
けられている。これらの第２の陽極２９の配置位置は、
余弦（コサイン）の数乗則により決定する。そして、真
空容器１１の側壁（図示せず）にはそれぞれの第２の陽
極２９に対応して４個の第１の陽極２４に付属する陽極
板２５が設けられている。このような構成により、プラ
ズマビーム３８が真空容器１１の底壁１２上に拡大する
ため、均一で大きな面積のイオンプレーティングを行う
ことができる。
ティング装置の他の実施例を示す概略構成図で、同図
（Ａ）は真空容器１１内の陽極の配置を示す上面図、同
図（Ｂ）はその斜視図である。この実施例においては、
真空容器１１の底壁１２上のプラズマ源２１が装着され
る第１の装着口１３の周囲に４個の第２の陽極２９が設
けられている。これらの第２の陽極２９の配置位置は、
余弦（コサイン）の数乗則により決定する。そして、真
空容器１１の側壁（図示せず）にはそれぞれの第２の陽
極２９に対応して４個の第１の陽極２４に付属する陽極
板２５が設けられている。このような構成により、プラ
ズマビーム３８が真空容器１１の底壁１２上に拡大する
ため、均一で大きな面積のイオンプレーティングを行う
ことができる。
【００１９】図３は本発明のインライン型イオンプレー
ティング装置の更に他の実施例を示す真空容器１１の横
断面図である。この実施例においては、真空容器１１の
底壁１２上のプラズマ源２１が装着される第１の装着口
１３の周囲に３個の第２の陽極２９が設けられている。
そして、真空容器１１の周囲側壁に沿って第２の陽極２
９全体を包囲するように連続的に形成された第１の陽極
４１が設けられている。このような構成により、図２の
実施例と同様に、均一で大きな面積のイオンプレーティ
ングを行うことができる。
ティング装置の更に他の実施例を示す真空容器１１の横
断面図である。この実施例においては、真空容器１１の
底壁１２上のプラズマ源２１が装着される第１の装着口
１３の周囲に３個の第２の陽極２９が設けられている。
そして、真空容器１１の周囲側壁に沿って第２の陽極２
９全体を包囲するように連続的に形成された第１の陽極
４１が設けられている。このような構成により、図２の
実施例と同様に、均一で大きな面積のイオンプレーティ
ングを行うことができる。
【００２０】なお、上記実施例において、第１の陽極２
４を複数個設け該第１の陽極２４に対応して同個数の第
２の陽極２９を設けた例や、複数個の第２の陽極２９に
対して１個の第１の陽極２４を設けた例を示したが、こ
れに限定されることはなく、１個の第２の陽極２９に対
して複数個の第１の陽極２４を設けても良いし、それぞ
れの陽極の数は、真空容器１１の形状、被処理物体３２
の材質、形状及び各陽極のレイアウトによって適宜選択
することができる。
４を複数個設け該第１の陽極２４に対応して同個数の第
２の陽極２９を設けた例や、複数個の第２の陽極２９に
対して１個の第１の陽極２４を設けた例を示したが、こ
れに限定されることはなく、１個の第２の陽極２９に対
して複数個の第１の陽極２４を設けても良いし、それぞ
れの陽極の数は、真空容器１１の形状、被処理物体３２
の材質、形状及び各陽極のレイアウトによって適宜選択
することができる。
【００２１】また、電流調整手段として可変電圧直流電
源２７を用いたが、別の手段としてＧＴＯを用いた制御
や可変抵抗を用いた制御がある。更に、上記の各実施例
において、第２の陽極２９にビーム修正用の環状永久磁
石を設けることにより、更に均一なイオンプレーティン
グを行うことができる。このような環状永久磁石による
ビーム修正技術に関しては、本願出願人の特許出願、特
願平５−２８８１６３号に開示されている。
源２７を用いたが、別の手段としてＧＴＯを用いた制御
や可変抵抗を用いた制御がある。更に、上記の各実施例
において、第２の陽極２９にビーム修正用の環状永久磁
石を設けることにより、更に均一なイオンプレーティン
グを行うことができる。このような環状永久磁石による
ビーム修正技術に関しては、本願出願人の特許出願、特
願平５−２８８１６３号に開示されている。
【００２２】以上、本発明をインライン型イオンプレー
ティング装置に適用して説明したが、本発明はイオンプ
レーティング装置に限らず、他のプラズマ処理、例えば
真空蒸着、プラズマＣＶＤ、プラズマエッチングにも適
用できることは言うまでも無い。
ティング装置に適用して説明したが、本発明はイオンプ
レーティング装置に限らず、他のプラズマ処理、例えば
真空蒸着、プラズマＣＶＤ、プラズマエッチングにも適
用できることは言うまでも無い。
【００２３】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、装置を大
型化せずとも大面積の処理膜を形成することのできるイ
ンライン型イオンプレーティング装置に適したプラズマ
処理装置を提供することができる。
型化せずとも大面積の処理膜を形成することのできるイ
ンライン型イオンプレーティング装置に適したプラズマ
処理装置を提供することができる。
【図１】本発明を適用したインライン型イオンプレーテ
ィング装置の構成を示す縦断面図である。
ィング装置の構成を示す縦断面図である。
【図２】本発明によるインライン型イオンプレーティン
グ装置の他の実施例を示す概略構成図で、同図（Ａ）は
真空容器内の陽極の配置を示す上面図、同図（Ｂ）はそ
の斜視図である。
グ装置の他の実施例を示す概略構成図で、同図（Ａ）は
真空容器内の陽極の配置を示す上面図、同図（Ｂ）はそ
の斜視図である。
【図３】本発明によるインライン型イオンプレーティン
グ装置の更に他の実施例を示す真空容器の横断面図であ
る。
グ装置の更に他の実施例を示す真空容器の横断面図であ
る。
１１ 真空容器 １２ 底壁 １３ 第１の装着口 １４ ステアリングコイル １５ プラズマビーム収束用コイル １６ 環状永久磁石 １７ 陰極 １８ 開孔 ２０ 直流電源 ２１ プラズマ源 ２２ 直角な側壁 ２３ 第２の装着口 ２４ 第１の陽極 ２５ 陽極板 ２６ 永久磁石 ２７ 可変電圧直流電源 ２８ 第３の装着口 ２９ 第２の陽極 ３０ 永久磁石 ３２ 被処理物体 ３３ 搬送装置 ３４ ガイドレール ３５ ゲートターンオフスイッチ ３６ 抵抗 ３７ 抵抗 ３８ プラズマビーム
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−320887（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−287510（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/32 - 14/58
Claims (5)
- 【請求項１】 真空容器と、この真空容器内にプラズマ
ビームを導入するように前記真空容器を構成する第１の
壁面に設置されたプラズマ源と、このプラズマ源が設置
された前記第１の壁面に対してほぼ直角に配設された第
１の陽極と、この第１の陽極と前記プラズマ源との間に
おける前記第１の壁面上の位置に設けられ、蒸発物質が
配置される第２の陽極とを備え、この第２の陽極から蒸
発される蒸発物質を前記真空容器内の位置に配置される
被処理物体に衝突させることを特徴とするプラズマ処理
装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理装置におい
て、前記第２の陽極から蒸発される蒸発物質が衝突する
前記真空容器内の位置に配置される被処理物体を、前記
真空容器に設けられた搬送装置により搬送するようにし
たことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のプラズマ処理装置
において、前記第１の陽極は１個以上設けられ、前記第
２の陽極も１個以上設けられていることを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載のプラズマ処理装置
において、前記第１の陽極には電流調整手段が接続され
ており、この電流調整手段を用いて電流を調整すること
により、プラズマビームの調整を行うようにしたことを
特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 請求項１又は２記載のプラズマ処理装置
において、前記第２の陽極には電流調整手段が接続され
ており、この電流調整手段を用いて電流を調整すること
により、プラズマビームの調整を行うようにしたことを
特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5336474A JP3026142B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5336474A JP3026142B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07188910A JPH07188910A (ja) | 1995-07-25 |
| JP3026142B2 true JP3026142B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=18299514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5336474A Expired - Fee Related JP3026142B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3026142B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5177648B2 (ja) * | 2008-05-20 | 2013-04-03 | 株式会社不二越 | 成膜装置 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5336474A patent/JP3026142B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07188910A (ja) | 1995-07-25 |
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