JP3020940B2

JP3020940B2 - 光記録媒体

Info

Publication number: JP3020940B2
Application number: JP11001890A
Authority: JP
Inventors: 明田崎; 雅朗浅野
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1999-01-07
Filing date: 1999-01-07
Publication date: 2000-03-15
Anticipated expiration: 2015-03-15
Also published as: JPH11268420A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザービーム等の
照射により記録層にビットを形成し、光学的情報を記録
する光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体は高密度記録が可能であり、
記録媒体と書き込み、乃至読み取りヘッドが非接触であ
るため、記録媒体が摩耗劣化しないという特徴を有す
る。このような光記録媒体の形成手段としてはフォトン
モード方式とヒートモード方式とがある。このうちヒー
トモード方式は記録媒体の耐光性に問題がないために開
発研究が活発である。

【０００３】ヒートモード方式による光記録媒体は、記
録光を熱として利用するために例えばレーザー光により
記録媒体の一部を融解、除去してビットと称する小穴を
穿設し、情報を（０・１）信号として記録し、その有無
をレーザー光の反射率の大小により検出して記録を再生
するものである。従来の記録媒体は薄膜状の低融点の金
属又は半金属、例えばTe、Se、Bi、In、Sn、Zn、Pb、Te
-Se 、Te-As 等を記録層として使用して、アクリル、ポ
リカーボネート等のプラスチックフィルム、又はガラス
基板状に蒸着等の方法により形成させるものである。

【０００４】また穴形成による記録方法の外に、 TeO
_x 、Ge O_x 、 SbO_x のような低級酸化物蒸着膜がレーザ
ー光により黒化する現象を利用し、記録層とする方法
（特開昭５５−３８６１６号公報）も知られている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらヒートモ
ード方式による記録方法の問題点は、記録層を構成する
物質の溶解又は蒸発により穴を形成するものであるため
に、レーザー光により昇温しやすく穴の形成が容易であ
る性質を利用するものである。そのため記録層構成材料
はレーザー光に対して大きい吸収率、且つ低い熱伝導率
を有する必要がある。しかし記録再生に際しては再生コ
ントラストを大きくするためには逆にレーザー光反射率
が大きいことが要求され、これらは矛盾した課題であ
る。そのためヒートモード方式では半導体レーザー光の
波長である８００ｎｍ付近の光に対して吸収率が６０％
程度、また反射率が４０％程度の特性を有する記録層形
成材料を使用することにより、その調整が図られてい
る。

【０００６】更に上記のＴｅ蒸着膜等を記録層材料とす
る方法では、空気中の酸素や湿度の影響を受け、Ｔｅ蒸
着膜等が酸化されやすく記録層表面やビット部の表面特
性が変化することから、再生信号が乱れ情報の保存性が
問題となっている。更に使用金属自体毒性が有するの
で、製造現場の環境問題があり、また使用時や保存時で
の取り扱い上の問題も有している。

【０００７】本発明は上記のＴｅ蒸着膜等を記録層材料
とする方法とは逆に、記録部における再生信号を未記録
部における再生信号より増大させることにより上記問題
の解決を図ると共に、感度、耐候性（安定性）の双方に
優れ、且つ毒性を有せず、また作製が比較的容易で、製
造コストの低減を図ることのできる光記録媒体の提供を
課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】そのため本発明の光記録
媒体は、支持体上に遷移金属の水素、酸素、窒素から選
ばれる軽非金属侵入型化合物、或いは該侵入型化合物と
前記遷移金属の混合相からなる記録層が積層され、該記
録層における遷移金属の前記軽非金属侵入型化合物がレ
ーザー記録光の照射により遷移金属単体へ組成分解して
記録ビットが形成され、該記録ビットにおけるレーザー
再生光の反射率がレーザー記録光の未照射部分に比して
増大するものであることを特徴とする。

【０００９】上記支持体が透明材料からなり、該支持体
上に記録層及び光吸収層を積層したことを特徴とする。

【００１０】上記支持体が透明材料からなり、該支持体
上に記録層及び光吸収層を積層し、該積層上に更に接着
剤層を介して基材を順次積層したことを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】上記本発明における支持体として
は、光記録媒体を支持するものであればよく従来公知の
材料を使用することができ、用途に応じて強度、可とう
性の程度を決めればよい。例えばプラスチックフィルム
としてはポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、
若しくはポリスチレン樹脂等を使用することができ、他
にもガラス、セラミック等を使用することができる。支
持体側から記録及び再生用のビームを照射する場合に
は、支持体は光透過性を有するものであることが必要で
あり、透明材料により形成されることが必要である。こ
の支持体形成材料には、必要に応じて公知の添加剤を予
め添加し支持体形状に成形されていてもよい。また支持
体には他の記録手段、例えば磁気ストライプ、ホログラ
ム、インプリント、写真、バーコード、一般の印刷等の
記録手段が形成されていてもよい。

【００１２】次に光記録媒体層について説明する。

【００１３】遷移金属としては周期律表第Ｉ（Ｂ）族、
同第II（Ｂ）族（但し、ランタン系列、アクチニウム系
列元素を除く）、同第IV（Ｂ）族、同第Ｖ（Ｂ）族、同
第VI（Ｂ）族、同第VII （Ｂ）族、同第VIII族の金属を
使用するとよく、好ましくは銅、チタン、又は銅−チタ
ン合金等を使用するとよい。

【００１４】これらの遷移金属への侵入型化合物を形成
する軽非金属としては水素、酸素、窒素が好ましい。一
般に、この種侵入型化合物は遷移金属原子の規則的配列
の隙間に軽非金属原子が侵入した結晶構造をとり、非金
属原子の金属原子に対する半径比が０．５９以下をとる
ものをいうが、本発明はこの種侵入型化合物、或いは遷
移金属が侵入型化合物と混合相を形成しているものを光
記録層材料として使用するものである。

【００１５】このような侵入型化合物の内、好ましくは
銅窒化物Ｃｕ₃ Ｎ、及び金属銅と銅窒化物の混合相であ
る一般式、ＣｕＮ_x （但し、０＜ｘ＜１）で示されるも
のである。銅は窒化に伴い、本来持っている光沢のある
銅色より暗色に変化していく。即ち反射率は銅において
は約７０％前後、銅窒化物においては３０％〜４０％で
ある。上記一般式中におけるｘ、即ち窒化の程度はｘ
≧０．１０の範囲が好ましく、ｘが０．１０以下である
と記録層における反射率が低下しなくなり、レーザー光
の照射した露光部と未露光部との反射強度の差が少なく
なりレーザー光による情報記録が困難となる。また銅窒
化物の安定性に関しては、窒化の程度が高くＣｕ₃ Ｎの
状態に近い方が安定性に優れているが、ｘが０．１０以
上であれば十分な安定性が得られる。このような窒化状
態であると記録感度においても優れた効果を得ることが
でき、また記録層として総合的にも優れた特性を得るこ
とができる。

【００１６】この侵入型化合物を支持体上に形成する反
応性成膜法としては、反応性蒸着法、反応性スパッタリ
ング法、反応性イオンビームスパッタリング法、イオン
ブレーディング法又はプラズマデポジション法を好適に
使用することができる。特に好ましくは支持体上、また
は支持体上に積層された光吸収層上に、真空蒸着法によ
り銅を蒸発させると同時に窒素ガスよりなるイオンビー
ムを照射することにより容易に作製される。

【００１７】この銅窒化物薄膜の作製方法、及び製造装
置は本発明者が特願昭６１−５３３８５号において既に
開示しているものを使用することができる。この薄膜形
成条件の一例としては、・到達真空度：１０^-5Torr台、・導入ガス：窒素ガス・銅の成膜速度：１〜500 / 秒・成膜真空度：３×１０^-5〜１×１０^-3Torr （この
範囲外であるとイオン銃の動作が不安定となる。）イオン銃の操作条件・加速電圧：50〜1000V（この場合５０Ｖ未満であ
るとイオン電流の制御が難しく、１０００Ｖを超えると
スパッタ効果が増大して成膜が困難となる。）・イオン電流密度：200 〜600 μA/cm²（この場合２０
０μA/cm² 未満であると窒化が不充分であり、経時安定
性が低下し、記録層の光学的反射率が低下しなくなるた
めに記録部分と未記録部分での反射強度の差がなくな
り、情報記録が不可能となる。上限に関しては特に制限
がなく、６００μA/cm² が加速電圧５０Ｖ〜１０００Ｖ
でのイオン銃の最大出力である。）このようなイオンビーム照射と蒸着法を併用して形成す
る方法は、次のような利点を有する。

【００１８】、目的とする薄膜の組成の制御が容易で
ある。即ちイオン銃の加速電圧やイオン電流等を所望の
状態に制御するだけで目的とする組成の薄膜を得ること
が可能であり制御性に優れている。

【００１９】、窒化物が形成される際の反応性が高い
ので、比較的低温下（１００℃以下）で薄膜形成が行わ
れるので、透明支持体がプラスチック等の比較的熱に弱
い材料からなる場合でも良好な薄膜を形成することがで
きる。

【００２０】、高真空下で成膜することができるの
で、薄膜中への不純物の混入を極力防止することがで
き、品質の優れた光記録媒体を作製することができる。

【００２１】このようにして形成される記録層の膜厚は
１００〜２０００が好ましく、特に５００〜１０
００が好ましい。記録層の膜厚が１００未満である
と光反射率が小さすぎて不適当である。また２０００
を超えると記録用レーザー光の照射に伴う熱により、支
持体または光吸収層に至るまでのレーザー光照射部分の
組成分解が十分でなくなり感度及び記録形状が悪化す
る。

【００２２】このようにして形成された光記録媒体にお
ける記録層面又は光吸収層面には、保護層が形成されて
いてもよく、また保護層の代わりに接着剤層を介して他
の基材を積層して一体化させてもよい。

【００２３】本発明はこのように支持体上に光記録媒体
層を形成するが、必要に応じて光吸収層を設けてもよ
い。光吸収層は必ずしも必要とはしないが低出力記録用
レーザー光を使用する場合に記録層への記録感度、また
再生感度を向上させるために設けられるものである。そ
のため吸収層としては、記録レーザー光に対して大きい
光吸収率を有し、これにより記録点における温度上昇を
可能としでビットを形成し、情報記録感度を上昇させる
ものである。光吸収層形成材料としては記録光の波長に
応じて種々の公知の顔料または色素を使用することがで
きるが、効率がよく、また取り扱いの容易さからカ−ポ
ンブラックを使用することが好ましい。

【００２４】本発明の記録層はレーザー照射される記録
点における銅窒化物の溶融、また組成分解後の光反射率
が極めて大きく、ヒット内外での大きなコントラスト比
を与えるので、光吸収層としてはレーザー照射時におい
て記録層の昇温を行う膜厚を有すれば十分であり、膜厚
としては特に制限はないが通常０．１μｍ〜１０μｍ程
度とするとよい。

【００２５】積層方法としては、例えばカーボンブラッ
ク等を溶媒と混合し、コーティングすることにより形成
するとよい。

【００２６】光吸収層の積層は、支持体上にまず光吸収
層を積層し、次いでこの光吸収層上に光記録媒体層を積
層してもよく、または支持体上にまず光記録媒体層を積
層し、次いでこの光記録媒体層上に光吸収層を積層す
る、いずれの方法でもよい。ただし記録及び再生用のビ
ームを照射する方向は、光記録媒体層側から照射するこ
とが必要であり、支持体上にまず光記録媒体層を積層す
る場合には支持体を光透過性として支持体側から照射
し、また支持体上にまず光吸収層を積層する場合には、
反対に光記録媒体層側から照射され、この場合には支持
体は光透過性を有する必要はない。

【００２７】本発明における光記録媒体は、銅窒化物、
或いは金属銅と銅窒化物の混合相を記録層とするもので
あるが、記録用レーザー光の照射により記録点のみがレ
ーザー光照射による熱により溶融、また組成分解を生じ
て、銅窒化物より銅単体に変化することを利用するもの
である。レーザー光の反射率は金属銅においては約７０
％であるのに対して窒化銅においては３０％〜４０％で
あるので、再生の際に記録部分のレーザー光の反射率を
未記録分の反射率に比べて相対的に増加させることがで
きるものである。またこの記録媒体材料は空気中の酸素
や湿度の影響を受けにくく、記録層の表面やビット部の
表面特性か変化しにくいので再生信号が乱れることがな
く、情報の保存性に優れたものである。また主成分は銅
等の遷移金属であるので安価であり、毒性もないので記
録媒体の製造現場や使用時、保存時での取り扱い上の問
題がなく、作製が比較的容易で製造コストの低減化を可
能とするものである。

【００２８】

【実施例】以下実施例により本発明を説明するが、本発
明は単に実施例のみに限定されるものではない。

【００２９】（実施例１）図１は本発明の光記録媒体の
断面図、図２、図３は本発明の光記録媒体の他の実施例
の断面図、図４は本発明の光記録媒体における記録層形
成に使用する反応性イオン蒸着装置の概略図、図５、図
６は本発明の光記録媒体の、記録時の状態を示す図、図
７は本発明の光記録媒体の記録ビットの状態を示す平面
拡大模式図、図８、図９、図１０、図１１は本発明の光
記録媒体の更に他の実施例の断面図であり、図中１は支
持体、２は記録層、３は光吸収層、４は接着層、５は基
材、６は真空槽、７は排気孔、８はガス導入孔、９は電
子銃、１０はカウフマン型イオン銃、１１は基板ホルダ
ー、１２は記録層形成基板、１３はレーザー光、１４は
記録ビットを示す。

【００３０】まず図４により本発明の光記録媒体におけ
る記録層形成方法を説明する。

【００３１】この反応イオン蒸着装置には、真空槽６の
底面に蒸着すべき金属の溶融電子銃９、及び導入孔８に
カウフマン型イオン銃１０が設けられると共に、排気孔
７に真空槽の内部を１０^-3〜１０^-6Torrの高真空にする
ことができる排気ポンプが接続されている。銅窒化物を
蒸着すべき基板１２は基板ホルダー１１に固定され、蒸
着面は溶融電子銃より上昇する金属蒸気の流れの方向に
対して斜めの方向、カウフマン型イオン銃より照射する
窒素イオンの流れに対して垂直方向に配置される。本例
では基板表面に対して金属蒸気の流れが当たる角度を７
０度とした。まず真空度を０．８×１０^-5Torrとし、導
入孔８より６sccmの窒素をカウフマン型イオン銃に導入
して窒素イオンを発生させ、加速電圧５００Ｖ、イオン
電流６００μｍ／ｃｍ² で基板上に照射し、また同時に
銅を電子銃により溶解、蒸発させ、基板上で銅と窒素イ
オンとを反応させて基板上に銅窒化物薄膜を形成した。
銅の蒸着速度を１００／ｍｉｎとして１０分間蒸着さ
せ、窒化銅の膜厚を１０００とした。

【００３２】このようにして形成した窒化銅薄膜は、Ｘ
線分析の結果Ｃｕ₃ Ｎの構造を有し、外観上では金属銅
の有する銅色を有してなく、黒銀色を呈している。波長
７３０ｎｍでの反射率は約３０％であった。

【００３３】これに図５に示すようにガラス基板側から
７３０ｎｍの波長のレーザー光を出す出力ジュール７ｍ
Ｗの半導体レーザーを照射し、図７に模式的に示すよう
な平均直径３μｍで、反射率７０％の記録ビット１４が
形成された。この記録ビット部と未記録部分との反射率
との差により記録ビットを明確に検出できた。

【００３４】（実施例２）実施例１で使用した蒸着装置
を使用し、窒素イオンの加速電圧を１００Ｖにし実施例
１同様にして窒化銅薄膜を基板上に成膜した。

【００３５】Ｘ線分析の結果この窒化銅薄膜は金属銅と
銅窒化物Ｃｕ₃ Ｎの混合物であり、薄膜の組成はＣｕ
_3.5 Ｎであり、外観は本来の金属銅の有する銅色でなく
黒銀色を呈しており、波長７３０ｎｍでの反射率は約３
５％であった。

【００３６】その際窒化銅の膜厚を種々変化させたとこ
ろ、２０００以下（この場合窒化銅の膜厚を２０００
）であれば、図５に示すようにガラス基板側から７３
０ｎｍの波長のレーザー光を出す、出力ジュール７ｍＷ
の半導体レーザーを照射すると、平均直径３μｍの記録
用ビット１４が形成された。このビット部の反射率は７
０％、未記録部の反射率は３０％であり、その反射率の
差により記録ビットが明確に検出された。

【００３７】（実施例３）実施例１において銅にかえて
チタンを使用し、実施例１同様に基板上に窒化チタン薄
膜を形成させた。Ｘ線解析の結果Ｔｉ₃ Ｎの構造を有
し、外観上では金属チタンの有する銀色は有してなく、
黒銀色を呈している。波長７３０ｎｍでのレーザー光で
の反射率は約３０％であった。

【００３８】これに実施例１と同様にレーザー光による
記録をしたところ反射率約７０％の記録ビットが形成さ
れた。

【００３９】（実施例４）光吸収層を形成するために、
平均直径２０ｎｍのカーボンブラックに、酢酸エチル：
酢酸ｎ−ブチル：トルエンが５：１３：２０（重量比）
の混合溶媒と混合し、更に分散剤としてポリエチレング
リコールモノアルキルエーテルの所定量を添加し、サン
ドグラインドミルにて分散させた。次いでガラス基板上
にスピンナー法で塗布、乾燥し、１μｍ厚に積層した。
このように光吸収層を設けた基板を実施例１で使用した
蒸着装置に配置し、実施例１と同様にして窒化銅薄膜を
光吸収層上に成膜した。

【００４０】これに光記録層側から７３０ｎｍの波長の
レーザー光を出す、出力７ｍＷの半導体レーザーを照射
すると、平均直径３μｍの記録用ビットが形成された。
このビット部の反射率は７０％、未記録部の反射率は３
０％であり、その反射率の差により記録ビットが明確に
検出された。

【００４１】また本発明の光記録媒体においては、図３
に示すように光記録層上に接着材層４を介して基板５が
形成されていてもよい。この基材５としては用途、最終
目的製品に応じて所望の材料を選択することができ、例
えばポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、若し
くはポリスチレン樹脂等のフィルムを使用することがで
き、他にもガラス、セラミック等のフィルムを使用する
ことができる。更にこの基材５上には上記支持体同様に
磁気記録手段、可視情報記録手段等が形成されていても
よい。なお基材５が支持体上に光吸収層、光記録層の順
に積層された光記録媒体に積層される場合には、レーザ
ー光の照射方向側となるので光透過性を有するものであ
ることが必要であるが、光吸収層を有しない場合、また
は支持体上に光記録層、光吸収層の順に積層された光記
録媒体に積層される場合には光透過性を有していなくと
もよい。

【００４２】また接着剤層は基材５と記録層２、光吸収
層３とを接合し、一体化させるものであるので、接着剤
は接着面の上下の材料を考慮して選択され、具体的には
加熱下、又は５０℃以下の温度で硬化するタイプのも
の、例えばウレタン系、エポキシ系、アクリル系等の接
着剤を好適に使用することができる。

【００４３】また本発明の光記録媒体は、図８、図９に
示すような形状としてもよい。まず図８に示すように支
持体１がトラッキング用凹凸形成層１ａ、透明板１ｂ、
表面保護層１ｃからなる場合である。トラッキング用凹
凸形成層は情報の記録、再生に際してトラッキング用の
案内溝として機能し、また案内溝に代えて図９に示すよ
うに微細な凹凸、又は光を散乱させるマット加工が施さ
れたものとすることもできる。このトラッキング用凹凸
形成層１ａは図１０、図１１に示すように透明板１ｂと
一体的としてもよい。トラッキング用凹凸形成層１ａ、
透明板１ｂは支持体と同様の材料を使用して形成するこ
とができ、その他ポジ型レジスト、ネガ型レジスト等を
使用するとよく、またトラッキング用凹凸、マット加工
はフォトリソグラフィー等により形成するとよい。

【００４４】表面保護層１ｃは必ずしも必要とはしない
が、最外層に設けられ硬度が高くまた透明板１ｃよりも
光の屈折率の小さな材料からなることが好ましく、これ
により記録、再生の際のレーザー光の好ましくない反射
を防止することができる。具体的にはシリコーン系、ア
クリル系、メラミン系、ポリウレタン系、又エポキシ系
樹脂を硬化させた硬化性樹脂が用いられる。

【００４５】このように記録層、光吸収層を積層体内部
に内蔵密閉させ、かつ各層を密着させることにより、外
部環境に対する耐候性に優れ、経済的な安定性の向上と
感度の向上の双方において有利である。本発明の光記
録媒体は、光ディスクや光カード等として利用すること
ができ、例えば金融流通産業におけるキャッシュカー
ド、クレジットカード、プリペイドカード等、医療健康
産業における健康証書、カルテ、医療カード、緊急カー
ド等、娯楽産業におけるソフトウェアー媒体、会員カー
ド、入場券、遊戯機械制御媒体、テレビゲーム用媒体、
カラオケ用媒体等、運輸旅行産業における旅行者カー
ド、免許証、定期券、パスポート等、出版産業における
電子出版等、情報処理産業における電子機械の外部記憶
媒体等、教育産業における教材プログラム、成績管理カ
ード、図書館の入出管理及び書籍管理用媒体等、自動車
産業における整備記録用媒体、運行管理用媒体等、工場
等の自動化にあたってのＭＣ、ＮＣ、ロボット等のプロ
グラム記録媒体等、その他ビルコントロール、ホームコ
ントロール、ＩＤカード、自動販売機用媒体、クッキン
グカード等である。

【００４６】

【発明の効果】本発明の光記録媒体は、支持体上に遷移
金属の軽非金属侵入型化合物、或いは該侵入型化合物と
前記遷移金属の混合相からなる記録層を積層して形成す
ることにより、情報記録に際してはレーザー光により容
易に記録点のみがレーザー光照射による熱により溶融、
また組成分解を生じて、銅窒化物より銅単体に変化し記
録点を記録ビットとすることができ、また再生の際に記
録部分のレーザー光の反射率を未記録分の反射率に比べ
て相対的に増加させることができることにより優れた光
記録媒体となしえるものである。

【００４７】そのため本発明の光記録媒体は、空気中の
酸素や湿度の影響を受けにくく、記録層の表面やビット
部の表面特性が変化しにくいので再生信号が乱れること
がなく、情報の保存性に優れたものである。また主成分
は銅等の遷移金属であるので安価であり、毒性もないの
で記録媒体の製造現場や使用時、保存時での取り扱い上
の問題がなく、作製が比較的容易で製造コストの低減化
を可能とするものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の光記録媒体の断面図であ
る。

【図２】図２は、本発明の光記録媒体の他の実施例の
断面図である。

【図３】図３は、本発明の光記録媒体の他の実施例の
断面図である。

【図４】図４は、本発明の光記録媒体における記録層
形成に使用する反応性イオン蒸着装置の概略図である。

【図５】図５は、本発明の光記録媒体の、記録時の状
態を示す図である。

【図６】図６は、本発明の光記録媒体の、記録時の状
態を示す図である。

【図７】図７は、本発明の光記録媒体の記録ビットの
状態を示す平面拡大模式図である。

【図８】図８は、本発明の光記録媒体の更に他の実施
例の断面図である。

【図９】図９は、本発明の光記録媒体の更に他の実施
例の断面図である。

【図１０】図１０は、本発明の光記録媒体の更に他の
実施例の断面図である。

【図１１】図１１は、本発明の光記録媒体の更に他の
実施例の断面図である。

【符号の説明】１は支持体、２は記録層、３は光吸収層、４は接着層、
５は基材、６は真空槽、７は排気孔、８はガス導入孔、
９は電子銃、１０はカウフマン型イオン銃、１１は基板
ホルダー、１２は記録層形成基板、１３はレーザー光、
１４は記録ビットを示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭57−157790（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−119550（ＪＰ，Ａ) 特開平１−215590（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B41M 5/26

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体上に遷移金属の水素、酸素、窒
素から選ばれる軽非金属侵入型化合物、或いは該侵入型
化合物と前記遷移金属の混合相からなる記録層が積層さ
れ、該記録層における遷移金属の前記軽非金属侵入型化
合物がレーザー記録光の照射により遷移金属単体へ組成
分解して記録ビットが形成され、該記録ビットにおける
レーザー再生光の反射率がレーザー記録光の未照射部分
に比して増大するものであることを特徴とする光記録媒
体。
【請求項２】上記支持体が透明材料からなり、該支持
体上に記録層及び光吸収層を積層した請求項１記載の光
記録媒体。
【請求項３】上記支持体が透明材料からなり、該支持
体上に記録層及び光吸収層を積層し、該積層上に更に接
着剤層を介して基材を順次積層した請求項１、又は２記
載の光記録媒体。