JP3017475B2 - レーザーに対して二つのエネルギーモニターを有するステッパー或いはスキャナー - Google Patents
レーザーに対して二つのエネルギーモニターを有するステッパー或いはスキャナーInfo
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
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- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
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- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光源としてレーザーを
使用するウエハ製作におけるステッパー或いはスキャナ
ー、特に、ステッパー、スキャナー或いはステップ及び
スキャンシステムに使用される場合のレーザーのエネル
ギーをモニターするための技術に関する。
使用するウエハ製作におけるステッパー或いはスキャナ
ー、特に、ステッパー、スキャナー或いはステップ及び
スキャンシステムに使用される場合のレーザーのエネル
ギーをモニターするための技術に関する。
【０００２】
【技術的背景】従来型レーザーは多くの場合、レーザー
光の強さをモニターするためにレーザーのすぐ近くに光
エネルギーモニターを組み込んでいる。そのようなシス
テムの一つが、本発明の特許譲受人に譲渡され、参考資
料として組み込まれているイゴア・フォルメンコフによ
る「レーザー波長制御機構をキャリブレーションする方
法と装置」と題する米国特許第５，４５０，２０７号に
記述されている。一般的に光エネルギーモニターは、光
検出器に突き当たる光の強さに比例する出力電流を生ず
る光検出器である。レーザーは、ウエハ上のフォトレジ
スト層を選択的に露光するために半導体ウエハ製作シス
テムにおいてしばしば使用される。マスク（或いはレチ
クル）は選択的な露光を可能にするためにレーザー光と
ウエハの間に置かれる。現在の露光システムは、ウエハ
表面に亘って露光パターンをステップ或いはスキャン
し、又レーザー放射をウエハ表面上に向けるため比較的
複雑な光学システムを含んでいる。
光の強さをモニターするためにレーザーのすぐ近くに光
エネルギーモニターを組み込んでいる。そのようなシス
テムの一つが、本発明の特許譲受人に譲渡され、参考資
料として組み込まれているイゴア・フォルメンコフによ
る「レーザー波長制御機構をキャリブレーションする方
法と装置」と題する米国特許第５，４５０，２０７号に
記述されている。一般的に光エネルギーモニターは、光
検出器に突き当たる光の強さに比例する出力電流を生ず
る光検出器である。レーザーは、ウエハ上のフォトレジ
スト層を選択的に露光するために半導体ウエハ製作シス
テムにおいてしばしば使用される。マスク（或いはレチ
クル）は選択的な露光を可能にするためにレーザー光と
ウエハの間に置かれる。現在の露光システムは、ウエハ
表面に亘って露光パターンをステップ或いはスキャン
し、又レーザー放射をウエハ表面上に向けるため比較的
複雑な光学システムを含んでいる。
【０００３】ステップ或いはスキャンの間にフォトレジ
ストを適切に露光させるのに必要とされる光の量は、光
の強さと光がウエハに突き当たる時間の長さの積であ
る。それ故、ウエハに光を当てる時間を決定するために
は、光の強さを正確に把握する必要がある。一般的にレ
ーザー光はパルス状に発生させられ、フォトレジストを
適切に露光するのに必要なパルスの数は、レーザー光の
強さに基づいて決定される。パルスエネルギーは変化す
るので、個々のパルス毎の変化が総露光エネルギーに重
要な影響を及ぼさない様に一回の露光におけるパルスの
数は、大抵の場合大きい（例えば２０以上）。本出願人
は、ステッパー或いはスキャナーの光学機構がウエハに
突き当たるレーザー光の強さにかなりの予測できない減
衰を生じさせていることを発見した。光度検出器はレー
ザー出力装置の近くに置かれているので、ステッパー或
いはスキャナーの光学機構による如何なる予測できない
光減衰も考慮に入れる方法が無い。それ故にウエハに突
き当たる実際の光の強さはわからず、ウエハ処理システ
ムは最適化されてはいない。
ストを適切に露光させるのに必要とされる光の量は、光
の強さと光がウエハに突き当たる時間の長さの積であ
る。それ故、ウエハに光を当てる時間を決定するために
は、光の強さを正確に把握する必要がある。一般的にレ
ーザー光はパルス状に発生させられ、フォトレジストを
適切に露光するのに必要なパルスの数は、レーザー光の
強さに基づいて決定される。パルスエネルギーは変化す
るので、個々のパルス毎の変化が総露光エネルギーに重
要な影響を及ぼさない様に一回の露光におけるパルスの
数は、大抵の場合大きい（例えば２０以上）。本出願人
は、ステッパー或いはスキャナーの光学機構がウエハに
突き当たるレーザー光の強さにかなりの予測できない減
衰を生じさせていることを発見した。光度検出器はレー
ザー出力装置の近くに置かれているので、ステッパー或
いはスキャナーの光学機構による如何なる予測できない
光減衰も考慮に入れる方法が無い。それ故にウエハに突
き当たる実際の光の強さはわからず、ウエハ処理システ
ムは最適化されてはいない。
【０００４】大きなエキシマーレーザーシステムがステ
ッパー或いはスキャナーと共に使用される場合、レーザ
ーシステムは一般的にステッパー或いはスキャナーから
何メートルも物理的に間隔があいており、ビームの進路
を導く光学機構を付加する必要があるから、上記問題点
は非常に重要である。
ッパー或いはスキャナーと共に使用される場合、レーザ
ーシステムは一般的にステッパー或いはスキャナーから
何メートルも物理的に間隔があいており、ビームの進路
を導く光学機構を付加する必要があるから、上記問題点
は非常に重要である。
【０００５】
【発明の概要】ある実施例においては、ウエハ製作に使
用されるレーザーシステム内に光度検出器を組み込むの
に加えて、本出願者は、ステッパー或いはスキャナー光
学機構による若しくはビーム角度変化による減衰が、レ
ーザー光が第二光度検出器に突き当たる前に既に起こっ
てしまっている様にステッパー或いはスキャナー自体の
中に第二光度検出器をも組み込んだ。第二光度検出器
は、出来るだけウエハの近くに取り付けられるのが好ま
しい。二つの光度検出器は、パルスがウエハ上に入射す
る間の光度が最適値になる様にレーザーの光の出力を調
整するフィードバック機構の一部を構成する。第一及び
第二検出器からの光度信号は、それぞれ異なる情報を伝
達する。即ち、レーザーシステム内の検出器は、レーザ
ーの出力に関する情報を伝達するために使用され、ステ
ッパー／スキャナー内の検出器は、ステッパー／スキャ
ナー内の光学機構に関する情報を伝達する。両検出器を
使用すれば、レーザービーム特性をより正確に調整し
て、パルス毎により一様なエネルギーを供給できるよう
になる。こうして、より少ないパルスで露光処理ができ
るようになる。
用されるレーザーシステム内に光度検出器を組み込むの
に加えて、本出願者は、ステッパー或いはスキャナー光
学機構による若しくはビーム角度変化による減衰が、レ
ーザー光が第二光度検出器に突き当たる前に既に起こっ
てしまっている様にステッパー或いはスキャナー自体の
中に第二光度検出器をも組み込んだ。第二光度検出器
は、出来るだけウエハの近くに取り付けられるのが好ま
しい。二つの光度検出器は、パルスがウエハ上に入射す
る間の光度が最適値になる様にレーザーの光の出力を調
整するフィードバック機構の一部を構成する。第一及び
第二検出器からの光度信号は、それぞれ異なる情報を伝
達する。即ち、レーザーシステム内の検出器は、レーザ
ーの出力に関する情報を伝達するために使用され、ステ
ッパー／スキャナー内の検出器は、ステッパー／スキャ
ナー内の光学機構に関する情報を伝達する。両検出器を
使用すれば、レーザービーム特性をより正確に調整し
て、パルス毎により一様なエネルギーを供給できるよう
になる。こうして、より少ないパルスで露光処理ができ
るようになる。
【０００６】本技術は、ステッパー或いはスキャナー以
外のウエハ製作システムにも使用できる。
外のウエハ製作システムにも使用できる。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明を組み込んだウエハ処理装置
を示す。図１では、エキシマーレーザーシステム１０
は、レーザー１２で示すエキシマレーザー励振室と、レ
ーザーシステム１０から放射されるレーザー光の波長、
スペクトル幅、強さ、バースト持続時間を調整する様々
なフィードバック制御回路と機構とを含んでいる。これ
らの制御回路と機構は、レーザーコントローラー１４で
示される。レーザーをチューンし、その強さを制御し、
レーザー光のパルスを制御するための方法と構造はよく
知られており、レーザーシステム１０のレーザー出力を
制御するためには、適切であればどのような方法を使用
してもよい。ステッパー、スキャナー、或いはステップ
とスキャンのシステム（まとめてステッパー２０と呼
ぶ）は、レーザーシステム１０からのレーザービーム２
１を受け、ウエハ２２上のフォトレジスト層を露光する
ため最終的に半導体ウエハ２２上にマスクパターンの焦
点を合わせる。予め決まった数のレーザー光の後、或い
はスキャンの後、ウエハ２２はＸ−Ｙテーブル２４によ
りＸ及び／又はＹ方向にステップ状に動かされる。コン
トローラー２６は、ウエハ２２の各露光の後、ソフトウ
エアルーチンに応じてＸ−Ｙテーブル２４の位置を制御
する。パルスコントローラー２７は、ウエハ２２の各ス
テップの間、予め決められた数のパルスを生成するため
にレーザーシステム１０に信号を送る。ステッパー２０
の一部分を構成するキーボード及びコンピューター（図
示せず）を使って、ウエハ２２の自動処理のためにコン
トローラー２６と２７のプログラムを作ることができ
る。
を示す。図１では、エキシマーレーザーシステム１０
は、レーザー１２で示すエキシマレーザー励振室と、レ
ーザーシステム１０から放射されるレーザー光の波長、
スペクトル幅、強さ、バースト持続時間を調整する様々
なフィードバック制御回路と機構とを含んでいる。これ
らの制御回路と機構は、レーザーコントローラー１４で
示される。レーザーをチューンし、その強さを制御し、
レーザー光のパルスを制御するための方法と構造はよく
知られており、レーザーシステム１０のレーザー出力を
制御するためには、適切であればどのような方法を使用
してもよい。ステッパー、スキャナー、或いはステップ
とスキャンのシステム（まとめてステッパー２０と呼
ぶ）は、レーザーシステム１０からのレーザービーム２
１を受け、ウエハ２２上のフォトレジスト層を露光する
ため最終的に半導体ウエハ２２上にマスクパターンの焦
点を合わせる。予め決まった数のレーザー光の後、或い
はスキャンの後、ウエハ２２はＸ−Ｙテーブル２４によ
りＸ及び／又はＹ方向にステップ状に動かされる。コン
トローラー２６は、ウエハ２２の各露光の後、ソフトウ
エアルーチンに応じてＸ−Ｙテーブル２４の位置を制御
する。パルスコントローラー２７は、ウエハ２２の各ス
テップの間、予め決められた数のパルスを生成するため
にレーザーシステム１０に信号を送る。ステッパー２０
の一部分を構成するキーボード及びコンピューター（図
示せず）を使って、ウエハ２２の自動処理のためにコン
トローラー２６と２７のプログラムを作ることができ
る。
【０００８】エキシマーレーザーシステム１０は、一般
的に独立装置として製造され、レーザーシステム１０の
光出力にステッパー光学機構が如何に影響を及ぼすかは
事前に正確にはわからない。レーザーシステム１０によ
るレーザービーム２１の出力は、窒素で満たされたコン
ジット３０内の鏡２８と２９によってステッパー２０の
光入力口に向けられる。窒素は、湿気が、コンジット３
０に入り、コンジット３０を通って伝搬するレーザー光
を減衰させるのを防ぐため使用される。ビームコンディ
ショナー光学機構３２とビームコンデンサー光学機構３
４は、一つ又はそれ以上のマスクパターンを含むレチク
ル３６にビーム２１を当てる前に、要求に合わせてビー
ム２１を変える。ビームコンディショナー光学機構３２
は、ビームの範囲に亘るレーザービーム２１の空間的強
さを平均化するために一連のレンズ（ホモジェナイザー
を構成する）を含んでいてもよい。そのようなホモジェ
ナイザーは二次元配置の小さなレンズを使用し、その後
に第二レンズを配して小さなレンズの光出力を平均化し
てもよい。コンディショナー光学機構３２及びコンデン
サー光学機構３４は、四角いビームを作るために、必要
なように、ビームを拡張してもよい。そのような光学機
構３２及び３４は、従来型のものでよい。
的に独立装置として製造され、レーザーシステム１０の
光出力にステッパー光学機構が如何に影響を及ぼすかは
事前に正確にはわからない。レーザーシステム１０によ
るレーザービーム２１の出力は、窒素で満たされたコン
ジット３０内の鏡２８と２９によってステッパー２０の
光入力口に向けられる。窒素は、湿気が、コンジット３
０に入り、コンジット３０を通って伝搬するレーザー光
を減衰させるのを防ぐため使用される。ビームコンディ
ショナー光学機構３２とビームコンデンサー光学機構３
４は、一つ又はそれ以上のマスクパターンを含むレチク
ル３６にビーム２１を当てる前に、要求に合わせてビー
ム２１を変える。ビームコンディショナー光学機構３２
は、ビームの範囲に亘るレーザービーム２１の空間的強
さを平均化するために一連のレンズ（ホモジェナイザー
を構成する）を含んでいてもよい。そのようなホモジェ
ナイザーは二次元配置の小さなレンズを使用し、その後
に第二レンズを配して小さなレンズの光出力を平均化し
てもよい。コンディショナー光学機構３２及びコンデン
サー光学機構３４は、四角いビームを作るために、必要
なように、ビームを拡張してもよい。そのような光学機
構３２及び３４は、従来型のものでよい。
【０００９】半分銀が被せてある鏡３８、及び必要であ
れば他の光学機構は、レンズ３９を通してビームをレチ
クル３６に向け直す。レチクル３６上のマスクパターン
は、ウエハ２２の表面上のフォトレジストに複製される
パターンに形成された、通常は、クロム或いは他の不透
明な物質である。焦点を合わせる光学機構４０は、レチ
クル３６を通してウエハ２２の小さな範囲に光の焦点を
当てる。ステッパー２０がスキャナーである場合、従来
型スキャンシステムは、狭い光の帯の射出レンズ３９に
関してレチクル３６及びウエハ２２をスキャンするため
に使用される。ビーム操縦及び形成光学機構を付加的に
ステッパー２０組み込んでもよい。半分銀が被せてある
鏡３８に突き当たる光のごく一部は、光検出器４４によ
って受け止められるが、それはどのような従来型光検出
器であってもよい。光検出器の一つの適当な型は、ＤＣ
オフセットを減じた後の、フォトダイオードに突き当た
る光の強さに比例するような出力電流が流れるフォトダ
イオードの配列から構成されている。そのような光検出
器の配列はよく知られている。
れば他の光学機構は、レンズ３９を通してビームをレチ
クル３６に向け直す。レチクル３６上のマスクパターン
は、ウエハ２２の表面上のフォトレジストに複製される
パターンに形成された、通常は、クロム或いは他の不透
明な物質である。焦点を合わせる光学機構４０は、レチ
クル３６を通してウエハ２２の小さな範囲に光の焦点を
当てる。ステッパー２０がスキャナーである場合、従来
型スキャンシステムは、狭い光の帯の射出レンズ３９に
関してレチクル３６及びウエハ２２をスキャンするため
に使用される。ビーム操縦及び形成光学機構を付加的に
ステッパー２０組み込んでもよい。半分銀が被せてある
鏡３８に突き当たる光のごく一部は、光検出器４４によ
って受け止められるが、それはどのような従来型光検出
器であってもよい。光検出器の一つの適当な型は、ＤＣ
オフセットを減じた後の、フォトダイオードに突き当た
る光の強さに比例するような出力電流が流れるフォトダ
イオードの配列から構成されている。そのような光検出
器の配列はよく知られている。
【００１０】同様の鏡４５及び光検出器４６が、レーザ
ー１２の出力におけるビーム２１の強さを測定するため
に使用されている。従来型シャッター４７は、ビーム２
１がステッパー２０に入るのを制御可能に遮蔽するが、
鏡４５の下流に設置されている。Ｘ−Ｙテーブルコント
ローラー２６は、通常予め定められた波長とパルス幅を
有する予め定められた数のレーザーエネルギーのパルス
の後、ウエハ２２を次の位置に進める様プログラムされ
ている。システム２０がスキャナーである場合、ウエハ
２２及びレチクル３６はステップの前に光に関してスキ
ャンされる。パルスの数は、ステップ或いはスキャンの
間にウエハに突き当たる光の必要とされる総エネルギー
に基いて計算される。このためには、光エネルギーとパ
ルス幅を正確に決定する必要がある。本出願人の知る限
りでは、以前のレーザーシステム及びステッパー／スキ
ャナーでは、レーザーシステムがステッパーの外部にあ
る場合には、互いに関連して使用されるように、レーザ
ー内及びステッパー／スキャナー自体内にレーザー光度
測定装置を設けてはいない。
ー１２の出力におけるビーム２１の強さを測定するため
に使用されている。従来型シャッター４７は、ビーム２
１がステッパー２０に入るのを制御可能に遮蔽するが、
鏡４５の下流に設置されている。Ｘ−Ｙテーブルコント
ローラー２６は、通常予め定められた波長とパルス幅を
有する予め定められた数のレーザーエネルギーのパルス
の後、ウエハ２２を次の位置に進める様プログラムされ
ている。システム２０がスキャナーである場合、ウエハ
２２及びレチクル３６はステップの前に光に関してスキ
ャンされる。パルスの数は、ステップ或いはスキャンの
間にウエハに突き当たる光の必要とされる総エネルギー
に基いて計算される。このためには、光エネルギーとパ
ルス幅を正確に決定する必要がある。本出願人の知る限
りでは、以前のレーザーシステム及びステッパー／スキ
ャナーでは、レーザーシステムがステッパーの外部にあ
る場合には、互いに関連して使用されるように、レーザ
ー内及びステッパー／スキャナー自体内にレーザー光度
測定装置を設けてはいない。
【００１１】自身の電源、制御回路及び冷却システムを
含んでいるエキシマーレーザーは、ステッパーの外部に
ある比較的大きな装置である。ステッパー２０内にある
様々な光学機構によって起こる減衰は使用の間に変化す
るため、特定のステップ或いはスキャンに対しレーザー
システム１０によって生成されるパルスの数が、ウエハ
２２上のフォトレジストを露光するのに最適に必要とさ
れる数よりも多くなったり少なくなったりする不都合が
生ずることがある。問題の減衰を引き起こすステッパー
光学機構の後そしてレチクル３６より前に光検出器４４
を設置することによって、ステッパー光学機構によるあ
らゆる減衰或いは歪みは、レーザー出力の光度を調節す
る時に自動的に考慮されることになる。しかしながら、
光検出器４４を単独で使用すると、どのエネルギー過渡
現象の原因が光学機構によるものか或いはレーザーシス
テム１０自体によるものなのかは明らかにできない。
含んでいるエキシマーレーザーは、ステッパーの外部に
ある比較的大きな装置である。ステッパー２０内にある
様々な光学機構によって起こる減衰は使用の間に変化す
るため、特定のステップ或いはスキャンに対しレーザー
システム１０によって生成されるパルスの数が、ウエハ
２２上のフォトレジストを露光するのに最適に必要とさ
れる数よりも多くなったり少なくなったりする不都合が
生ずることがある。問題の減衰を引き起こすステッパー
光学機構の後そしてレチクル３６より前に光検出器４４
を設置することによって、ステッパー光学機構によるあ
らゆる減衰或いは歪みは、レーザー出力の光度を調節す
る時に自動的に考慮されることになる。しかしながら、
光検出器４４を単独で使用すると、どのエネルギー過渡
現象の原因が光学機構によるものか或いはレーザーシス
テム１０自体によるものなのかは明らかにできない。
【００１２】レーザーシステム１０にある光検出器４６
は、それらのエネルギー過渡現象がレーザーシステム１
０の単独によるものだと明らかにするために使用され
る。後にわかる様に、光検出器４４と４６の使用は、双
方関連して、レチクル３６上へのパルスエネルギーの入
射の均一性を大きく改良するのに相互依存的な効果をあ
げている。多くの他の光学装置を、レーザー光をレチク
ル３６、光検出器４４及び光検出器４６にに供給するた
めに使用でき、そのような装置は、本発明の利点を達成
するためには同様に適しているであろう。図２では、ス
テッパー２０或いはレーザーシステム１０のどちらかに
配置されている信号コンディショナー４８（例えばプロ
グラムされたプロセッサー）が、レーザーパルスとバー
ストのタイミングに関する他の情報と同様に、光検出器
４４と４６からの信号を受け取り、レーザー出力補償信
号を生成するために光検出器４４と４６の出力を処理し
ている。そのような信号は、レーザー出力を変更するた
めにレーザー１２の作動ボルトを制御するよう、レーザ
ーコントローラー１４にある回路によって更に処理され
る。この処理に関しての詳細は、以下において詳細に述
べる。
は、それらのエネルギー過渡現象がレーザーシステム１
０の単独によるものだと明らかにするために使用され
る。後にわかる様に、光検出器４４と４６の使用は、双
方関連して、レチクル３６上へのパルスエネルギーの入
射の均一性を大きく改良するのに相互依存的な効果をあ
げている。多くの他の光学装置を、レーザー光をレチク
ル３６、光検出器４４及び光検出器４６にに供給するた
めに使用でき、そのような装置は、本発明の利点を達成
するためには同様に適しているであろう。図２では、ス
テッパー２０或いはレーザーシステム１０のどちらかに
配置されている信号コンディショナー４８（例えばプロ
グラムされたプロセッサー）が、レーザーパルスとバー
ストのタイミングに関する他の情報と同様に、光検出器
４４と４６からの信号を受け取り、レーザー出力補償信
号を生成するために光検出器４４と４６の出力を処理し
ている。そのような信号は、レーザー出力を変更するた
めにレーザー１２の作動ボルトを制御するよう、レーザ
ーコントローラー１４にある回路によって更に処理され
る。この処理に関しての詳細は、以下において詳細に述
べる。
【００１３】図２は、各パルスの間レーザー光の強さを
制御し、必要ならばレーザーの他の特性を調整するため
のレーザーシステム１０内のフィードバック回路の全体
を示す。図３は、フィードバック回路によって使用され
る基本ステップを示すフローチャートである。ステッパ
ー２０にある光検出器４４からの信号は、一般的にアナ
ログ信号である。この信号は、最初に積分され、レーザ
ーが稼働している間、光度の寸見を効果的に得る様にサ
ンプル及びホールド回路５６を使用してサンプル取得さ
れる。結果として得られた信号は、次にアナログからデ
ジタルへのコンバーター５８を使用してデジタル信号に
転換される。レーザーパルスの間の適切な時間に読み取
りを行う様に、サンプル速度計５９がサンプル及びホー
ルド回路５６とアナログからデジタルへのコンバーター
５８に備えられている。
制御し、必要ならばレーザーの他の特性を調整するため
のレーザーシステム１０内のフィードバック回路の全体
を示す。図３は、フィードバック回路によって使用され
る基本ステップを示すフローチャートである。ステッパ
ー２０にある光検出器４４からの信号は、一般的にアナ
ログ信号である。この信号は、最初に積分され、レーザ
ーが稼働している間、光度の寸見を効果的に得る様にサ
ンプル及びホールド回路５６を使用してサンプル取得さ
れる。結果として得られた信号は、次にアナログからデ
ジタルへのコンバーター５８を使用してデジタル信号に
転換される。レーザーパルスの間の適切な時間に読み取
りを行う様に、サンプル速度計５９がサンプル及びホー
ルド回路５６とアナログからデジタルへのコンバーター
５８に備えられている。
【００１４】コンバーター５８のデジタル出力は、次に
プロセッサー６０にアプライされるが、これはパーソナ
ルコンピューターであってもよく、ソフトウエア６１に
よって、光度を表すデジタル信号をレーザー１２自体を
制御するのに使用される制御信号と相関づける様プログ
ラムされている。プロセッサー６０はハードワイヤード
ＡＳＩＣであってもよい。レーザーシステム１０にある
光検出器４６からのアナログ信号は、同一のサンプル及
びホールド回路６２とアナログからデジタルへのコンバ
ーター６４によって処理され、プロセッサー６０にアプ
ライされる。レーザーコントローラー１４は、プロセッ
サー６０から制御信号を受信し、既知の方法でレーザー
１２の特性を調節する。レーザーの光度出力を調整する
のに使用される一つの既知の方法は、レーザー１２内の
励振ボルトを調整することである。レーザー１２の出力
を制御するための他の技術には、励振室ガス圧力、ガス
混合或いはガス温度を制御することが含まれる。
プロセッサー６０にアプライされるが、これはパーソナ
ルコンピューターであってもよく、ソフトウエア６１に
よって、光度を表すデジタル信号をレーザー１２自体を
制御するのに使用される制御信号と相関づける様プログ
ラムされている。プロセッサー６０はハードワイヤード
ＡＳＩＣであってもよい。レーザーシステム１０にある
光検出器４６からのアナログ信号は、同一のサンプル及
びホールド回路６２とアナログからデジタルへのコンバ
ーター６４によって処理され、プロセッサー６０にアプ
ライされる。レーザーコントローラー１４は、プロセッ
サー６０から制御信号を受信し、既知の方法でレーザー
１２の特性を調節する。レーザーの光度出力を調整する
のに使用される一つの既知の方法は、レーザー１２内の
励振ボルトを調整することである。レーザー１２の出力
を制御するための他の技術には、励振室ガス圧力、ガス
混合或いはガス温度を制御することが含まれる。
【００１５】ある実施例では、レーザー１２は、１００
０Ｈｚの割合で紫外線パルスを出力する。レーザーの光
度を増加或いは減少させるためにレーザー１２を制御す
る代替案として、レーザーコントローラー１４或いはパ
ルスコントローラー２７（図１）が光検出器４４と４６
によって検出された光度レベルを使用して、ウエハ２２
がステップされる前すなわちスキャンの間により多い或
いはより少ない光パルスをウエハ２２に当てるべきかど
うかを決定するようにしてもよい。図３は、ウエハ２２
がステッパー２０によって処理される間に図１と２にあ
るシステムによって行われる基本ステップを示す。ステ
ップ１では、レーザー１２がレーザービームパルスを出
力するためにエネルギーを加えられる。ある実施例にお
いては、パルスは、１０００Ｈｚで出力される。一定の
強さの予め決められた数（例えば１０）のパルスが、ウ
エハ２２の表面上のフォトレジストを正確に露光するた
めに必要とされる。
０Ｈｚの割合で紫外線パルスを出力する。レーザーの光
度を増加或いは減少させるためにレーザー１２を制御す
る代替案として、レーザーコントローラー１４或いはパ
ルスコントローラー２７（図１）が光検出器４４と４６
によって検出された光度レベルを使用して、ウエハ２２
がステップされる前すなわちスキャンの間により多い或
いはより少ない光パルスをウエハ２２に当てるべきかど
うかを決定するようにしてもよい。図３は、ウエハ２２
がステッパー２０によって処理される間に図１と２にあ
るシステムによって行われる基本ステップを示す。ステ
ップ１では、レーザー１２がレーザービームパルスを出
力するためにエネルギーを加えられる。ある実施例にお
いては、パルスは、１０００Ｈｚで出力される。一定の
強さの予め決められた数（例えば１０）のパルスが、ウ
エハ２２の表面上のフォトレジストを正確に露光するた
めに必要とされる。
【００１６】ステップ２では、レーザー１２の光度出力
が、光検出器４６を使用して検知される。この信号は、
図２で示す様にデジタル化されプロセッサー６０にアプ
ライされる。ステップ３では、ステッパー／スキャナー
光学機構からの光度出力が、光検出器４４を使用して検
知される。この信号は、図２で示す様にデジタル化され
プロセッサー６０にアプライされる。光検出器４４と４
６を使用して生成された信号は、異なる原因のために様
々な面において一般的には異なっている。図４はレーザ
ー１２の出力の補正の前に、光検出器４６によって検知
されたレーザー１２から出力された光パルスの光度振幅
を示す。パルスは通常バースト時に出力され、図４の特
定の例においては、バースト毎に七つのパルスがある。
バースト間には時間の遅れがある。一般的に、一つのバ
ーストでの最初の２、３のパルスは、バーストの残りの
パルスより振幅が大きい。残りのパルスが概して一定の
振幅である一方、最初の２、３のパルスは振幅が異な
る。更に図４に見られる様に、たとえ全てのバーストに
おける全てのパルスが全く同じ振幅であるのが望ましい
としても、第三バーストでのパルスの振幅は、最初の二
つのバーストでのパルス振幅より大きい。バースト内及
びバースト間にある振幅のそのような違いは、レーザー
室内の熱と励振現象の様なレーザー１２内の過度現象に
よって生ずる。そのような過渡現象の原因はよく知られ
ており、ここで詳細に述べる必要は無い。
が、光検出器４６を使用して検知される。この信号は、
図２で示す様にデジタル化されプロセッサー６０にアプ
ライされる。ステップ３では、ステッパー／スキャナー
光学機構からの光度出力が、光検出器４４を使用して検
知される。この信号は、図２で示す様にデジタル化され
プロセッサー６０にアプライされる。光検出器４４と４
６を使用して生成された信号は、異なる原因のために様
々な面において一般的には異なっている。図４はレーザ
ー１２の出力の補正の前に、光検出器４６によって検知
されたレーザー１２から出力された光パルスの光度振幅
を示す。パルスは通常バースト時に出力され、図４の特
定の例においては、バースト毎に七つのパルスがある。
バースト間には時間の遅れがある。一般的に、一つのバ
ーストでの最初の２、３のパルスは、バーストの残りの
パルスより振幅が大きい。残りのパルスが概して一定の
振幅である一方、最初の２、３のパルスは振幅が異な
る。更に図４に見られる様に、たとえ全てのバーストに
おける全てのパルスが全く同じ振幅であるのが望ましい
としても、第三バーストでのパルスの振幅は、最初の二
つのバーストでのパルス振幅より大きい。バースト内及
びバースト間にある振幅のそのような違いは、レーザー
室内の熱と励振現象の様なレーザー１２内の過度現象に
よって生ずる。そのような過渡現象の原因はよく知られ
ており、ここで詳細に述べる必要は無い。
【００１７】通常レーザー出力における過渡現象は、パ
ルスエネルギーの過去の履歴に基いて反復及び予測可能
である。この反復性の利用については後程述べる。図５
では、光学機構及び図４に示す同一期間中のビーム角度
偏差による光度の減衰の変化を示す。光学機構減衰にお
ける変化は、通常光学要素自体の中にある熱変動による
ものである。一般的には光学要素が熱くなるにつれて、
様々な要因によりその減衰は増加する。加えて、レーザ
ーバーストの間、ビーム角度はわずかに変化する。ビー
ム角度におけるこの変化は、レーザー１２の出力にある
光検出器４６によっては検知されない。しかしながら、
これら光学要素はレーザー１２から何十メートルも離れ
ているので、ビーム角度の変化はレチクル３６と光検出
器４４への入射光の実質的な減衰という結果にる。ビー
ム角度における変化によるそのような減衰は図５のグラ
フにも含まれている。
ルスエネルギーの過去の履歴に基いて反復及び予測可能
である。この反復性の利用については後程述べる。図５
では、光学機構及び図４に示す同一期間中のビーム角度
偏差による光度の減衰の変化を示す。光学機構減衰にお
ける変化は、通常光学要素自体の中にある熱変動による
ものである。一般的には光学要素が熱くなるにつれて、
様々な要因によりその減衰は増加する。加えて、レーザ
ーバーストの間、ビーム角度はわずかに変化する。ビー
ム角度におけるこの変化は、レーザー１２の出力にある
光検出器４６によっては検知されない。しかしながら、
これら光学要素はレーザー１２から何十メートルも離れ
ているので、ビーム角度の変化はレチクル３６と光検出
器４４への入射光の実質的な減衰という結果にる。ビー
ム角度における変化によるそのような減衰は図５のグラ
フにも含まれている。
【００１８】図３に戻って、ステップ４は、光検出器４
４と４６によって出力された強さの信号における差異
が、それら強度過度現象がステッパー光学機構或いはビ
ーム角度によるものか、そしてそれら過度現象がレーザ
ー１２によるものなのかを決めるために計算されること
を示す。ステップ５では、レーザー１２自体によるパル
ス強さにおける過度現象が、光検出器４６の信号に基い
て識別される。ステップ６では、ステッパー／スキャナ
ーの光学機構或いはビーム角度変化によるパルス強さに
おける過度現象が光検出器信号間の差異に基いて識別さ
れる。ステップ７では、レーザー自体による過度現象が
記録され、これら過度現象がパルスからパルス、バース
トからバーストへ如何に反復するかを決定するために分
析される。
４と４６によって出力された強さの信号における差異
が、それら強度過度現象がステッパー光学機構或いはビ
ーム角度によるものか、そしてそれら過度現象がレーザ
ー１２によるものなのかを決めるために計算されること
を示す。ステップ５では、レーザー１２自体によるパル
ス強さにおける過度現象が、光検出器４６の信号に基い
て識別される。ステップ６では、ステッパー／スキャナ
ーの光学機構或いはビーム角度変化によるパルス強さに
おける過度現象が光検出器信号間の差異に基いて識別さ
れる。ステップ７では、レーザー自体による過度現象が
記録され、これら過度現象がパルスからパルス、バース
トからバーストへ如何に反復するかを決定するために分
析される。
【００１９】ステップ８では、ステッパー／スキャナー
光学機構或いはビーム角度変化によるパルス強さにおけ
る過度現象が記録され、これら過度現象がパルスからパ
ルスへ、バーストからバーストへ如何に反復するかを決
定するために分析される。レーザー自体による過度現象
を光学機構或いはビーム角度変化による過度現象から分
離することによって、過度現象の反復パターンを決定す
る能力は、非常に簡素化される。レーザー１２自体及び
ステッパー／スキャナー光学機構による過度現象が複雑
だと、これら過度現象が結合した場合、結果として生ず
る信号は複雑になりすぎて、反復パターンが相応な期間
を超えて存在するか否かを決定することさえ難しくな
る。ステップ９では、レーザー自体による過度現象の反
復パターンが、レーザー出力がパルスからパルスへ一様
に効果的に生ずる様に、次のパルスのためのレーザー出
力の事前補正を決定するために使用される。
光学機構或いはビーム角度変化によるパルス強さにおけ
る過度現象が記録され、これら過度現象がパルスからパ
ルスへ、バーストからバーストへ如何に反復するかを決
定するために分析される。レーザー自体による過度現象
を光学機構或いはビーム角度変化による過度現象から分
離することによって、過度現象の反復パターンを決定す
る能力は、非常に簡素化される。レーザー１２自体及び
ステッパー／スキャナー光学機構による過度現象が複雑
だと、これら過度現象が結合した場合、結果として生ず
る信号は複雑になりすぎて、反復パターンが相応な期間
を超えて存在するか否かを決定することさえ難しくな
る。ステップ９では、レーザー自体による過度現象の反
復パターンが、レーザー出力がパルスからパルスへ一様
に効果的に生ずる様に、次のパルスのためのレーザー出
力の事前補正を決定するために使用される。
【００２０】ステップ１０では、ステップ８の結果に基
いて、レーザー出力の必要な事前補正が、ステッパー／
スキャナー光学機構及びビーム角度偏差のみによる光検
出器４４によって受信される信号における過度現象を相
殺する様に決定されている。ステップ１１では、ステッ
プ９と１０で得られたこれら事前補正がプロセッサー６
０によって併合され、レーザーコントローラー１４にア
プライされている。次にレーザーコントローラー１４
は、光検出器４４によって検出されたパルス強さがパル
スからパルスへと均一になる様、ステップ１２で示され
る様に、励振ボルト数或いはレーザー１２の他の特性を
適切に調整する。光検出器４４で受信された光の強さが
図６で示される様にパルスからパルスへと均一になる様
に、この補正はパルス毎ベースで行われる。光検出器４
６によって感知されたレーザー１２の出力は、ステッパ
ー光学機構減衰におけるばらつきを反映して、パルスか
らパルスへ殆どの場合均一ではない。
いて、レーザー出力の必要な事前補正が、ステッパー／
スキャナー光学機構及びビーム角度偏差のみによる光検
出器４４によって受信される信号における過度現象を相
殺する様に決定されている。ステップ１１では、ステッ
プ９と１０で得られたこれら事前補正がプロセッサー６
０によって併合され、レーザーコントローラー１４にア
プライされている。次にレーザーコントローラー１４
は、光検出器４４によって検出されたパルス強さがパル
スからパルスへと均一になる様、ステップ１２で示され
る様に、励振ボルト数或いはレーザー１２の他の特性を
適切に調整する。光検出器４４で受信された光の強さが
図６で示される様にパルスからパルスへと均一になる様
に、この補正はパルス毎ベースで行われる。光検出器４
６によって感知されたレーザー１２の出力は、ステッパ
ー光学機構減衰におけるばらつきを反映して、パルスか
らパルスへ殆どの場合均一ではない。
【００２１】パルス毎に光検出器４４で感知されたこの
一様な光度があると、光エネルギーへのウエハ２２の露
光は、よりずっと予測可能となる。露光毎のパルス数が
少なくなるほどウエハ製作時間が結果的に短くなるた
め、この処理を使って、パルス毎の光度を均一なレベル
に引き上げる一方で、露光毎のパルスの数を低減するこ
とができ、それ故処理時間が節約できる。大きなレーザ
ーシステムがステッパー或いは他のウエハ製作装置と実
質上独立して設けられている場合、上記発明には著しい
利点がある。何故なら、そのような場合、ある製造業者
がレーザーシステムを開発し、もう一つの製造業者がス
テッパー或いは他の処理システムを開発するからであ
る。そのようなウエハ製作システムに対して、レーザー
製造業者はステッパー光学要素の損失を考慮する必要が
なく、それ故多くの異なるステッパーシステムに対し一
般的なレーザーシステムを提供できる。
一様な光度があると、光エネルギーへのウエハ２２の露
光は、よりずっと予測可能となる。露光毎のパルス数が
少なくなるほどウエハ製作時間が結果的に短くなるた
め、この処理を使って、パルス毎の光度を均一なレベル
に引き上げる一方で、露光毎のパルスの数を低減するこ
とができ、それ故処理時間が節約できる。大きなレーザ
ーシステムがステッパー或いは他のウエハ製作装置と実
質上独立して設けられている場合、上記発明には著しい
利点がある。何故なら、そのような場合、ある製造業者
がレーザーシステムを開発し、もう一つの製造業者がス
テッパー或いは他の処理システムを開発するからであ
る。そのようなウエハ製作システムに対して、レーザー
製造業者はステッパー光学要素の損失を考慮する必要が
なく、それ故多くの異なるステッパーシステムに対し一
般的なレーザーシステムを提供できる。
【００２２】次の論文は、スキャンシステムの光学機構
及び線量制御に関する方法についての追加の詳細事項を
提供するため参考資料として組み込まれている。Ｋ．鈴
木他による日本応用物理学会誌Ｖｏｌ３４（１９９５）
ページ６５６５−６５７２の「パルスを出すエネルギー
変動によるスキャン露光に関する線量制御と露光された
位置ジター」、及びＧ．ｄｅＺｗａｒｔ他による１９９
７年３月の光学マイクロリソグラフィーＳＰＩＥシンポ
シウムにおける「ＤＵＶリソグラフィーにおけるステッ
プ及びスキャンシステムの性能」 以上、本発明の特定の実施例を示し説明してきたが、当
業者には、そのより広い態様において本発明から逸脱す
ることなく変更及び修正が行えることは明らかであり、
それ故、添付の請求項は、本発明の真の精神と領域内に
ある限り全てのそのような変更及び修正をその領域にお
いて含むものである。
及び線量制御に関する方法についての追加の詳細事項を
提供するため参考資料として組み込まれている。Ｋ．鈴
木他による日本応用物理学会誌Ｖｏｌ３４（１９９５）
ページ６５６５−６５７２の「パルスを出すエネルギー
変動によるスキャン露光に関する線量制御と露光された
位置ジター」、及びＧ．ｄｅＺｗａｒｔ他による１９９
７年３月の光学マイクロリソグラフィーＳＰＩＥシンポ
シウムにおける「ＤＵＶリソグラフィーにおけるステッ
プ及びスキャンシステムの性能」 以上、本発明の特定の実施例を示し説明してきたが、当
業者には、そのより広い態様において本発明から逸脱す
ることなく変更及び修正が行えることは明らかであり、
それ故、添付の請求項は、本発明の真の精神と領域内に
ある限り全てのそのような変更及び修正をその領域にお
いて含むものである。
【図１】ウエハに近接した位置に光度モニターを配置
し、且つレーザーシステム内に光度モニターを配置する
様に変更されたレーザーシステムとステッパー／スキャ
ナー露光システムである。
し、且つレーザーシステム内に光度モニターを配置する
様に変更されたレーザーシステムとステッパー／スキャ
ナー露光システムである。
【図２】レーザー出力を調整するために使用されるフィ
ードバックシステムである。
ードバックシステムである。
【図３】レーザー出力を制御する際の二つの光検出器か
らの信号の使用を示すフローチャートである。
らの信号の使用を示すフローチャートである。
【図４】補正以前、レーザーモニターによって測定され
た時点での、１バースト内及びバースト毎での、パルス
毎のレーザーパルスエネルギーの変化である。
た時点での、１バースト内及びバースト毎での、パルス
毎のレーザーパルスエネルギーの変化である。
【図５】加熱、ビーム角度変化及び他の原因による光学
減衰の変化である。
減衰の変化である。
【図６】ステッパー／スキャナーにある光検出器によっ
て測定された、補正されたパルス強度である。
て測定された、補正されたパルス強度である。
１０ レーザーシステム １２ レーザー １４ レーザーコントローラー ２０ ステッパー ２１ レーザービーム ２２ ウエハ ２４ Ｘ−Ｙテーブル ２６ Ｘ−Ｙテーブルコントローラー ２７ パルスコントローラー ２８、２９ 鏡 ３２ ビームコンディショナー ３４ ビームコンデンサー ３６ レチクル ３８ 半分銀が被せてある鏡 ３９ レンズ ４０ 焦点合わせ光学機構 ４４、４６ 光検出器 ４５ 鏡 ４８ 信号コンディショナー ６０ プロセッサー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−274399（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−261577（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−284410（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−298143（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−154642（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (16)
- 【請求項１】 半導体ウエハ製作システムにおいて、 レーザーによって生成された光を受けるウエハ露光シス
テムであって、前記レーザーとマスクとの間に光学要素
を設け、該光学要素が少なくとも１つのレンズを含み且
つ前記レーザーによって放射された前記光を、前記マス
クに突き当たる前に減衰させるようにするウエハ露光シ
ステムと、 前記光学要素のうちの少なくとも１つを出て前記マスク
に突き当たる前のレーザー光の少なくとも一部分を受け
るように前記露光システム内に設置された第一光度検出
器と、 前記レーザーからのレーザー光出力の少なくとも一部分
を受けるように前記レーザーのすぐ近くに設置された第
二光度検出器と、 前記第一光度検出器の出力に関連した第一信号および前
記第二光度検出器の出力に関連した第二信号を受けるよ
うに接続されたプロセッサーと、 を備えており、前記プロセッサーは、前記第一信号およ
び第二信号を分析して且つ該第二信号に対する前記第一
信号の関係に基づいて、レーザー光に対する半導体ウエ
ハの露光を制御することを特徴とする半導体ウエハ製作
システム。 - 【請求項２】 特定の強度の光を放射するレーザーを更
に備える請求項１記載の半導体ウエハ製作システム。 - 【請求項３】 前記レーザーは、前記光学要素および前
記第一光度検出器を含むハウジングとは別個のハウジン
グ内のエキシマーレーザーである請求項２記載の半導体
ウエハ製作システム。 - 【請求項４】 前記レーザーは、前記露光システムによ
って支持されていない自立ユニットである請求項２記載
の半導体ウエハ製作システム。 - 【請求項５】 前記プロセッサーは、前記第一光度検出
器および第二光度検出器のデジタル化出力を受け、前記
第一光度検出器によって検出された光度と前記第二検出
器によって検出された光度との差を計算して、前記マス
クに突き当たるレーザー光に影響するファクタを決定す
る請求項２記載の半導体ウエハ製作システム。 - 【請求項６】 前記レーザー光に影響する前記ファクタ
は、前記ウエハ露光システム内の前記光学要素の変化を
含む請求項５記載の半導体ウエハ製作システム。 - 【請求項７】 前記レーザー光に影響する前記ファクタ
は、更に、前記ウエハ露光システムにおける前記光学要
素に対するレーザービーム角度の変化を含む請求項６記
載の半導体ウエハ製作システム。 - 【請求項８】 前記プロセッサーは、前記第一光度検出
器および第二光度検出器の前記デジタル化出力を検出し
た後、前記第二光度検出器の出力に基づく前記レーザー
によるパルス強さの過渡現象を識別し、前記レーザーに
よる過渡現象の繰り返しパターンを決定し、前記レーザ
ーによる前記過渡現象の過去の履歴に基づくレーザー光
出力の第一事前補正を決定し、前記第一光度検出器の出
力に基づく前記レーザーの外部のファクタによる前記パ
ルス強さの過渡現象を識別し、前記レーザーの外部の前
記ファクタによる過渡現象の繰り返しパターンを決定
し、前記レーザーの外部の前記ファクタによる前記過渡
現象の過去の履歴に基づく前記レーザー光出力の第二事
前補正を決定し、前記第一事前補正と前記第二事前補正
とを合わせて、合成事前補正を得て、前記合成事前補正
に対応する信号をレーザーコントローラーに加えること
を含む方法を実施する請求項５記載の半導体ウエハ製作
システム。 - 【請求項９】 前記レーザーに接続されたレーザーコン
トローラーを更に備え、該レーザーコントローラーは、
前記合成事前補正に基づくレーザー出力を調整する請求
項８記載の半導体ウエハ製作システム。 - 【請求項１０】 半導体ウエハ製作システムによって実
施される方法であって、前記半導体ウエハ製作システム
は、レーザーによって生成された光を受けるウエハ露光
システムであって、前記レーザーとマスクとの間に光学
要素を設け、該光学要素が少なくとも１つのレンズを含
み且つ前記レーザーによって放射された前記光を、前記
マスクに突き当たる前に減衰させるようにするウエハ露
光システムと、前記光学要素のうちの少なくとも１つを
出て前記マスクに突き当たる前のレーザー光の少なくと
も一部分を受けるように前記露光システム内に設置され
た第一光度検出器と、前記レーザーからのレーザー光出
力の少なくとも一部分を受けるように前記レーザーのす
ぐ近くに設置された第二光度検出器とを備えているよう
な方法において、前記第一光度検出器によって検出され
た光強度と前記第二光度検出器によって検出された光強
度との差を計算して前記マスクに突き当たるレーザー光
に影響するファクタを決定することを含むことを特徴と
する方法。 - 【請求項１１】 前記差は、前記マスクに突き当たる前
記光に影響する前記レーザーの外部のファクタを識別す
る請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 前記レーザーの外部のファクタは、前
記ウエハ露光システム内の前記光学要素の変化を含む請
求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】 前記レーザーの外部の前記ファクタ
は、更に、前記ウエハ露光システムにおける前記光学要
素に対するレーザービーム角度の変化を含む請求項１２
記載の方法。 - 【請求項１４】 前記第二光度検出器の出力に基づく前
記レーザーによるパルス強さの過渡現象を識別し、前記
レーザーによる過渡現象の繰り返しパターンを決定し、
前記レーザーによる前記過渡現象の過去の履歴に基づく
レーザー光出力の第一事前補正を決定し、前記第一光度
検出器の出力に基づく前記レーザーの外部のファクタに
よる前記パルス強さの過渡現象を識別し、前記レーザー
の外部の前記ファクタによる過渡現象の繰り返しパター
ンを決定し、前記レーザーの外部の前記ファクタによる
前記過渡現象の過去の履歴に基づく前記レーザー光出力
の第二事前補正を決定し、前記第一事前補正と前記第二
事前補正とを合わせて、合成事前補正を得て、前記合成
事前補正に対応する信号をレーザーコントローラーに加
えることを更に含む請求項１０記載の方法。 - 【請求項１５】 前記レーザーを制御して前記合成事前
補正に基づくレーザー出力を調整することを更に含む請
求項１４記載の方法。 - 【請求項１６】 前記差に基づいて前記レーザーを制御
することを更に含む請求項１０記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/908862 | 1997-08-08 | ||
| US08/908,862 US6141081A (en) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | Stepper or scanner having two energy monitors for a laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121370A JPH11121370A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3017475B2 true JP3017475B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=25426340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10226135A Expired - Fee Related JP3017475B2 (ja) | 1997-08-08 | 1998-08-10 | レーザーに対して二つのエネルギーモニターを有するステッパー或いはスキャナー |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6141081A (ja) |
| EP (1) | EP1002242B1 (ja) |
| JP (1) | JP3017475B2 (ja) |
| KR (2) | KR100567578B1 (ja) |
| AU (1) | AU8664598A (ja) |
| DE (2) | DE69835153T2 (ja) |
| TW (1) | TW413971B (ja) |
| WO (1) | WO1999008133A2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102105749B (zh) * | 2008-10-29 | 2013-06-26 | 三菱电机株式会社 | 空调装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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