JPH01274022A - 光量調整装置 - Google Patents
光量調整装置Info
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- JPH01274022A JPH01274022A JP63102682A JP10268288A JPH01274022A JP H01274022 A JPH01274022 A JP H01274022A JP 63102682 A JP63102682 A JP 63102682A JP 10268288 A JP10268288 A JP 10268288A JP H01274022 A JPH01274022 A JP H01274022A
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- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/10—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
- G01J1/20—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle
- G01J1/22—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle using a variable element in the light-path, e.g. filter, polarising means
- G01J1/24—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle using a variable element in the light-path, e.g. filter, polarising means using electric radiation detectors
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は集積回路の製造に用いられるエキシマレーザ等
を光源とする露光装置に好適な光量調整装置に関するも
のである。
を光源とする露光装置に好適な光量調整装置に関するも
のである。
[従来の技術]
エキシマレーザを光源とする遠紫外線(deepUV)
領域の露光装置(ステッパ)は、0.5μm以下のパタ
ーンを形成するリソグラフィー工程の主力装置になる可
能性が強いものとして注目されいてる。特に、波長24
8nmのにrFエキシマレーザを光源とし、縮小投影レ
ンズにより1/10又は115にレチクルパターンを縮
小投影するタイプの露光装置は実用化が早いものとして
期待されている。
領域の露光装置(ステッパ)は、0.5μm以下のパタ
ーンを形成するリソグラフィー工程の主力装置になる可
能性が強いものとして注目されいてる。特に、波長24
8nmのにrFエキシマレーザを光源とし、縮小投影レ
ンズにより1/10又は115にレチクルパターンを縮
小投影するタイプの露光装置は実用化が早いものとして
期待されている。
従来、かかる露光装置においてウェハ上への照射光の積
算光量の調整は、光源から発振された照射光(パルス光
)の強度を所定の減衰率で減衰させ、減衰された後の照
射光の照度を照度検出手段で検出し、該照度検出手段の
出力信号を積算することにより照射光のウェハ上での積
算光量に対応した値を検知し、積算光量を予め設定され
た目標値となるように調整していた。
算光量の調整は、光源から発振された照射光(パルス光
)の強度を所定の減衰率で減衰させ、減衰された後の照
射光の照度を照度検出手段で検出し、該照度検出手段の
出力信号を積算することにより照射光のウェハ上での積
算光量に対応した値を検知し、積算光量を予め設定され
た目標値となるように調整していた。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、上記のような遠紫外線領域のでリソグラフィ
ー工程で用いられるフォトレジスト材料は、種類によっ
て感光度がかなり異なっており、適正露光量の範囲は1
0mJ/cm2程度から0.5J/cm’程度までと非
常に広くなっている。一方、エキシマレーザの出力はパ
ルス状で、そのパルスエネルギーはパルス毎にかなりバ
ラツキがあり、比較的均一なレーザでもバラツキの範囲
が±5%程度はある。このため、パルス毎のエネルギー
のバラツキの影Jを押えるために一定以上のパルス数(
例えば100パルス)を照射する必要があり、フォトレ
ジスト材料の感度が高い場合には減衰手段によって照射
光の強度を大幅に減衰させることが行われる。
ー工程で用いられるフォトレジスト材料は、種類によっ
て感光度がかなり異なっており、適正露光量の範囲は1
0mJ/cm2程度から0.5J/cm’程度までと非
常に広くなっている。一方、エキシマレーザの出力はパ
ルス状で、そのパルスエネルギーはパルス毎にかなりバ
ラツキがあり、比較的均一なレーザでもバラツキの範囲
が±5%程度はある。このため、パルス毎のエネルギー
のバラツキの影Jを押えるために一定以上のパルス数(
例えば100パルス)を照射する必要があり、フォトレ
ジスト材料の感度が高い場合には減衰手段によって照射
光の強度を大幅に減衰させることが行われる。
しかし、現在のところ強度が非常に異なる照射光の照度
を精密に検出できるような照度検出手段を製造すること
は困難であり、照射光の強度を大幅に低下させた場合に
は、照度光の照度を検出する出力信号が非常に小さな値
となり、出力信号に対する相対的な検出誤差が増大して
しまうということが問題となる。
を精密に検出できるような照度検出手段を製造すること
は困難であり、照射光の強度を大幅に低下させた場合に
は、照度光の照度を検出する出力信号が非常に小さな値
となり、出力信号に対する相対的な検出誤差が増大して
しまうということが問題となる。
この発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、フ
ォトレジスト材料の感度が大幅に異なる場合でも精度良
く積算光量の制御ができる光量調整装置を提供すること
を目的としている。
ォトレジスト材料の感度が大幅に異なる場合でも精度良
く積算光量の制御ができる光量調整装置を提供すること
を目的としている。
[課題を解決するための手段]
この発明においては、照度検出手段を減衰手段を通過す
る前の照射光の照度を検出するように配置し、該照度検
出手段の出力信号を前記減衰手段の減衰率に応じて補正
する補正手段を設け、該補正された出力信号に基づいて
照射光の積算光量に対応した値を検知することによフて
上記の課題を解決したものである。
る前の照射光の照度を検出するように配置し、該照度検
出手段の出力信号を前記減衰手段の減衰率に応じて補正
する補正手段を設け、該補正された出力信号に基づいて
照射光の積算光量に対応した値を検知することによフて
上記の課題を解決したものである。
[作 用]
本発明においては、減衰手段を通過する前の照射光の照
度を検出するようにしているので、フォトレジスト材料
の感度に応じて、減衰手段の減衰率をさまざまに変化さ
せても、照度検出手段に入射する照射光の強度はほぼ一
定であり、常に高い精度で照射光の照度を検出すること
ができる。
度を検出するようにしているので、フォトレジスト材料
の感度に応じて、減衰手段の減衰率をさまざまに変化さ
せても、照度検出手段に入射する照射光の強度はほぼ一
定であり、常に高い精度で照射光の照度を検出すること
ができる。
そして、前記照度検出手段の出力信号を前記減衰手段の
減衰率に応じて補正し、この補正された出力信号を積算
することにより、照射光の積算光量に対応した値を非常
に正確に検知している。このため、照射光の積算光量を
予め設定された目標値に極めて高い精度で調整すること
ができる。
減衰率に応じて補正し、この補正された出力信号を積算
することにより、照射光の積算光量に対応した値を非常
に正確に検知している。このため、照射光の積算光量を
予め設定された目標値に極めて高い精度で調整すること
ができる。
[実施例]
第1図は本発明の実施例の構成図である。ビームは後述
する露光制御部17からの信号により、エキシマレーザ
光源1から発振され、ビームスプリッタ−30で一部が
反射される。ビームスプリッタ−30で反射されたビー
ムはレンズ31を介して照度検出手段である検知器32
の受光面に照射される。この段階ではビームはまだ減衰
されておらず、集光された状態であるので強度が高く、
検知器32としては、焦電型検知器のようなパルスエネ
ルギーを検出するタイプの検知器も用いることができ、
高精度で照度を検出できる。この検知器32からの出力
信号はアンプ33で電流/電圧変換され、さらに増幅さ
れてサンプルホールド回路34によりパルス波形のピー
クがボールドされて後述する露光制御部17に入力れさ
る。
する露光制御部17からの信号により、エキシマレーザ
光源1から発振され、ビームスプリッタ−30で一部が
反射される。ビームスプリッタ−30で反射されたビー
ムはレンズ31を介して照度検出手段である検知器32
の受光面に照射される。この段階ではビームはまだ減衰
されておらず、集光された状態であるので強度が高く、
検知器32としては、焦電型検知器のようなパルスエネ
ルギーを検出するタイプの検知器も用いることができ、
高精度で照度を検出できる。この検知器32からの出力
信号はアンプ33で電流/電圧変換され、さらに増幅さ
れてサンプルホールド回路34によりパルス波形のピー
クがボールドされて後述する露光制御部17に入力れさ
る。
また、ビームスプリッタ−30を透過したビームは減衰
手段である可変アテニュエータ2に入る。この可変アテ
ニュエータ2は、交換可能な透過率の異なる複数の薄膜
を蒸着したフィルターや金属メツシュフィルター等から
なり、後述する露光制御部17からの信号によって予め
減衰率が所定の値に設定されている。該可変アテニュエ
ーク2を通過して減衰されたビームは、続いてフライア
イレズやスペックル低減光学系等で構成されるビーム強
度−株化光学系3に入射し、ここでビーム断面における
強度の均一化が図られる。
手段である可変アテニュエータ2に入る。この可変アテ
ニュエータ2は、交換可能な透過率の異なる複数の薄膜
を蒸着したフィルターや金属メツシュフィルター等から
なり、後述する露光制御部17からの信号によって予め
減衰率が所定の値に設定されている。該可変アテニュエ
ーク2を通過して減衰されたビームは、続いてフライア
イレズやスペックル低減光学系等で構成されるビーム強
度−株化光学系3に入射し、ここでビーム断面における
強度の均一化が図られる。
その後、ビームはビームスプリッタ−4に入り、ここで
も一部か反射され、残りはビームスプリッタ−4を透過
する。透過したビームは、レンズ5により、可変ブライ
ンド6上に強度の−様なビームとして照射される。可変
ブラインド6は所定の大きさの開口部を有しており、こ
の開口部の像は第1コンデンサーレンズ7、反射ミラー
8、及び第2コンデンサーレンズ9を介してレヂクルR
上に集光される。これにより、レチクルRの下面に形成
された所定のパターンが投影レンズしによりウェハWの
上面にあるフォトレジスト材料上に投影結像される。
も一部か反射され、残りはビームスプリッタ−4を透過
する。透過したビームは、レンズ5により、可変ブライ
ンド6上に強度の−様なビームとして照射される。可変
ブラインド6は所定の大きさの開口部を有しており、こ
の開口部の像は第1コンデンサーレンズ7、反射ミラー
8、及び第2コンデンサーレンズ9を介してレヂクルR
上に集光される。これにより、レチクルRの下面に形成
された所定のパターンが投影レンズしによりウェハWの
上面にあるフォトレジスト材料上に投影結像される。
一方、ビームスプリッタ−4で反射されたビームはレン
ズ5と同等なレンズ10により、可変ブラインド6と光
学的に等価な位置に配置されて照度検出手段である検知
器12に受光されるようになっており、この検知器12
とレンズ10の間には、後述する露光制御部17からの
信号によって動作する脱着可能なシャッター35が配置
されている。検知器12からの出力信号はアンプ18で
電流/電圧変換され、さらに増幅されてサンプルホール
ド回路19によりパルス波形のピークがボールドされて
露光制御部17に人力れさる。
ズ5と同等なレンズ10により、可変ブラインド6と光
学的に等価な位置に配置されて照度検出手段である検知
器12に受光されるようになっており、この検知器12
とレンズ10の間には、後述する露光制御部17からの
信号によって動作する脱着可能なシャッター35が配置
されている。検知器12からの出力信号はアンプ18で
電流/電圧変換され、さらに増幅されてサンプルホール
ド回路19によりパルス波形のピークがボールドされて
露光制御部17に人力れさる。
次に、この露光制御部17の動作について説明する。露
光を開始する際には、かかる露光制御部17に外部から
積算露光量の目標値に関する指令信号S doseと露
光開始信号S expが入力され、それによりエキシマ
レーザ光源1に発光トリガー信号Stが出力されるとと
もに、目標値に応じて可変アテニュエータ2が所定の減
衰享有するように減衰指令信号Saが出力される。
光を開始する際には、かかる露光制御部17に外部から
積算露光量の目標値に関する指令信号S doseと露
光開始信号S expが入力され、それによりエキシマ
レーザ光源1に発光トリガー信号Stが出力されるとと
もに、目標値に応じて可変アテニュエータ2が所定の減
衰享有するように減衰指令信号Saが出力される。
また、かかる露光制御手段17は前記減衰手段2の減衰
率に応じて検知器33の出力信号を補正する補正手段2
0を備えており、即ち検知器33の出力信号に減衰率を
乗じることによりウニ八面上の照度に比例した値を得る
ことができる。そして、この補正された出力信号を積算
することにより、照射光の積算光量に対応する値が正確
に検知され、この検知された値と予め設定された目標値
が一致した際に露光制御部17からの発振トリガー信号
stの出力が停止され、エキシマレーザ光源lの発振が
停止される。
率に応じて検知器33の出力信号を補正する補正手段2
0を備えており、即ち検知器33の出力信号に減衰率を
乗じることによりウニ八面上の照度に比例した値を得る
ことができる。そして、この補正された出力信号を積算
することにより、照射光の積算光量に対応する値が正確
に検知され、この検知された値と予め設定された目標値
が一致した際に露光制御部17からの発振トリガー信号
stの出力が停止され、エキシマレーザ光源lの発振が
停止される。
さらに、かかる露光制御部17からはシャッター駆動部
36に対して、適宜、シャッター信号Ssが出され、シ
ャッター35を開けて検知器12からの出力信号と検知
器33の出力信号の比較がなされる。検知器12は可変
ブラインド6と光学的に等価な位置(共役位置)に配置
されているので、ウェハW上と対応した照明状態となっ
ており、検知器33の検出精度は検知器12の出力信号
を基準として検査することができる。ここで、検知器1
2は減衰されて強度の弱くなったビームの照度を検出す
ることになるので、シリコンダイオード(PINフォト
ダイオード)のような高速応答の検知を用いるのが望ま
しい。また、検知器は遠紫外線が照射され続けることに
より検出性能が劣化する危険性のあるので、通常の露光
時にはシャッター35を閉めて検知器12が受光しない
ようにしておき、定期的(1ウエハの露光前、10ツト
の露光前等)にシャッター35を開けて検知器33の精
度検査を行うことが望ましい。
36に対して、適宜、シャッター信号Ssが出され、シ
ャッター35を開けて検知器12からの出力信号と検知
器33の出力信号の比較がなされる。検知器12は可変
ブラインド6と光学的に等価な位置(共役位置)に配置
されているので、ウェハW上と対応した照明状態となっ
ており、検知器33の検出精度は検知器12の出力信号
を基準として検査することができる。ここで、検知器1
2は減衰されて強度の弱くなったビームの照度を検出す
ることになるので、シリコンダイオード(PINフォト
ダイオード)のような高速応答の検知を用いるのが望ま
しい。また、検知器は遠紫外線が照射され続けることに
より検出性能が劣化する危険性のあるので、通常の露光
時にはシャッター35を閉めて検知器12が受光しない
ようにしておき、定期的(1ウエハの露光前、10ツト
の露光前等)にシャッター35を開けて検知器33の精
度検査を行うことが望ましい。
また、本実施例では、検知器33からの出力信号を減衰
率に応じて補正してから積算するものとしたが、その出
力信号をそのまま積算し、積算光量値を減衰率で補正し
ても同じ効果が得られる。
率に応じて補正してから積算するものとしたが、その出
力信号をそのまま積算し、積算光量値を減衰率で補正し
ても同じ効果が得られる。
[発明の効果]
以上のように本発明においては、減衰手段を通過する前
の照射光の照度を検出するように照度検出手段が配置さ
れているので、減衰手段の減衰率が大きく変わっても、
常にほぼ一定の高い強度の照射光の照度を検出すること
になり、安定して高い精度で照度を検出することができ
る。そして、減衰手段の減衰率に応じて、かかる照度検
出手段の出力信号を補正し、補正された出力信号に基づ
いて、照射光の積算光量に対応した値を極めて正確検知
することができ、積算光量を予め設定された目標値に非
常に精度良く調整することができる。
の照射光の照度を検出するように照度検出手段が配置さ
れているので、減衰手段の減衰率が大きく変わっても、
常にほぼ一定の高い強度の照射光の照度を検出すること
になり、安定して高い精度で照度を検出することができ
る。そして、減衰手段の減衰率に応じて、かかる照度検
出手段の出力信号を補正し、補正された出力信号に基づ
いて、照射光の積算光量に対応した値を極めて正確検知
することができ、積算光量を予め設定された目標値に非
常に精度良く調整することができる。
即ち、本発明にかかる光(を調整装置を用いればフォト
レジスト材料の感度が大幅に異なる場合でも、積算光量
をそれぞれのフォトレジスト材料に最適な値に正確に調
整することかでき、増々高集積化が進む集積9回路の製
造に極めて有益である。
レジスト材料の感度が大幅に異なる場合でも、積算光量
をそれぞれのフォトレジスト材料に最適な値に正確に調
整することかでき、増々高集積化が進む集積9回路の製
造に極めて有益である。
第1図は本発明の実施例の構成図である。
し主要部分の符号の説明]
1・・・エキシマレーザ光源
2・・・可変アテニュエータ
3・・・ビーム強度一種化光学系
R・・・レチクル
L・・・投影レンズ
W…ウェハ
12.32・・・検知器
17・・・露光制御部
20・・・補正手段
代理人 弁理士 佐 藤 正 年
第1 図
Claims (1)
- 光源からの照射光の照度を検出する照度検出手段と、
該照射光の強度を所定の減衰率で減衰させる減衰手段を
有し、前記照度検出手段の出力信号に基づいて、前記照
射光の積算光量に対応した値を検知し、該積算光量を予
め定められた目標値に調整する光量調整装置において、
前記照度検出手段は前記減衰手段を通過する前の照射光
の照度を検出するように配置され、該照度検出手段の出
力信号を前記減衰手段の減衰率に応じて補正する補正手
段を設け、該補正された出力信号に基づいて前記照射光
の積算光量に対応した値を検知することを特徴とする光
量調整装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63102682A JPH01274022A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 光量調整装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63102682A JPH01274022A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 光量調整装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01274022A true JPH01274022A (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14334005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63102682A Pending JPH01274022A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 光量調整装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01274022A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998059364A1 (fr) * | 1997-06-25 | 1998-12-30 | Nikon Corporation | Aligneur de projection, son procede de fabrication, procede d'exposition dudit aligneur et procede de fabrication de composants au moyen de l'aligneur |
JP2000277413A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Canon Inc | 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
KR100317684B1 (ko) * | 1993-08-26 | 2002-04-06 | 시마무라 테루오 | 노광량제어장치,주사형노광장치,이들장치를이용한소자제조방법 |
DE10323664A1 (de) * | 2003-05-14 | 2004-12-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Belichtungsvorrichtung mit Dosissensorik |
-
1988
- 1988-04-27 JP JP63102682A patent/JPH01274022A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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