JPS6381882A - エネルギ−量制御装置 - Google Patents

エネルギ−量制御装置

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JPS6381882A
JPS6381882A JP61224920A JP22492086A JPS6381882A JP S6381882 A JPS6381882 A JP S6381882A JP 61224920 A JP61224920 A JP 61224920A JP 22492086 A JP22492086 A JP 22492086A JP S6381882 A JPS6381882 A JP S6381882A
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JP
Japan
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exposure
energy
amount
light
exposure rate
Prior art date
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JP61224920A
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English (en)
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Takechika Nishi
健爾 西
Toru Kiuchi
徹 木内
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Nikon Corp
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Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring

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  • Optics & Photonics (AREA)
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  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、適宜の感応物体に対する照射エネルギー量の
制御にかかるものであり、例えば、露光光としてエキシ
マ等のパルスレーザを使用する露光装置の露光量制御に
好適なエネルギー量制御装置に関するものである。
[従来の技術] 従来のエネルギー量制御装置、例えば露光光の制御装置
としては、特開昭60−169136号公報に開示され
ているものがある。
この装置は、露光エネルギーを、適正露光量よりわずか
に少ない露光エネルギーを与える粗露光と、残りの必要
とされる露光エネルギーを与える修正露光との2段階に
分けることにより、全体として露光エネルギーのバラツ
キを抑制するようにしたものである。
すなわち、複数パルスで1シヨツトの露光を行う場合、
最終パルスによって露光量を制御するこのにより、最適
露光量を得るようにしている。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、以上のような手段では、最終パルスに含
まれる誤差に対して何ら配慮されていないため、依然と
して露光量か的確に制御されず、適切な露光を行なうこ
とができないという不都合がある。
また、上記公報に指摘されているように、半導体素子製
造のフォトリングラフィ工程における露光量の変動は、
解像力や線幅の再現性に重大な影響を与えるおそれかあ
る。そして、他方では、集積回路の集積度は近年増々向
上しており、解像度等もより良いものが要求されるに至
っている。
従って、露光エネルギーの制御にも、増々高い精度が必
要とされている。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、露光
光量などのエネルギー量を、要求される精度に応じて制
御することができるエネルギー量制御装置を提供するこ
とを、その目的とするものである。
[問題点を解決するための手段と作用コ木発明は、エネ
ルギー発生源から出力されるパルスエネルギー量を各パ
ルス毎に調整する調整手段と、これらの各パルスのエネ
ルギー量の積算値を計測する積算手段と、該積算値か最
適な総エネルギー量にほぼ一致するまで、各出力パルス
毎のエネルギーか収束的に順次小さくなるように、前記
調整手段を制御する制御手段とを具備し、これらによっ
て適切な露光量を得ることを技術的要点としている。
[実施例] 以下、本発明の実施例を、添付図面を参照しながら詳細
に説明する。
第1図には、本発明の一実施例が示されている。また、
第2図には、主要部分の詳細な構成例が示されている。
これら第1図及び第2図において、露光光源であるエキ
シマレーザなどの外部トリガ可能なパルスレーザ10か
ら出力されたレーザ光は、拡大レンズ12.対物レンズ
】4を各々透過して、偏光板16に入射するようになっ
ている。
偏光板16は、第2図に示されているように、斜線部に
レーザ光があたるが、そのレーザ光が直線偏光である場
合、偏光板16の回転量によって透過する光量は理想的
には0〜100%の間で変化する。そして、その回転位
置は、回転制御装置18によって制御されるようになっ
ている。なお、回転量は、図示しないエンコーダによっ
て検出されるようになっている。
次に、偏光板16を透過したレーザ光は、ビームスプリ
ッタ−20に入射するようになっている。ここてレーザ
光は分割され、一方は集光レンズ22を透過して光量計
測用の受光素子24に入射し、他方は可干渉除去装置2
6に入射した後、更にインテグレータ28、コンデンサ
レンズ30を透過してレチクル32に入射し、その後不
図示の投影レンズを介して感光基板の露光に使用される
ようになっている。感光基板はxyに移動可能なステー
ジ上に載胃されている。
次に、上述した受光素子24の出力は、アンプ34を介
して、積算光量記憶装置36に入力され、ここで積算に
より得られた光量は、制御装置38に人力されるように
なっている。制御装置38は、人力されたデータに基い
て、偏光板16の回転制御装置18およびパルスレーザ
10に制御指令を行なう機能を有する。
すなわち、レチクル32に達する+レーザ光量は、制御
装置38の指令により、パルスレーザ10自身に含まれ
るエネルギー変更手段(図示せず)と、偏光板16の回
転量によって調整されるように構成さねている。
なお、偏光板16のかわりに、例えば特開昭60−16
2218号公報に開示されているようなシャッター装置
を用いるようにしてもよい。
第3図には、偏光板16の回転量と、透過光量との関係
の一例か示されており、透過光量は、CoSのカーブに
なる。
次に、以上のような実施例の動作について、第4図およ
び第5図を参照しながら説明する。第4図には、各露光
パルス毎の露光量が示されており、第5図には、光量制
御のフローチャートか示されている。
まず、光量制御の概略について説明する。最初の露光パ
ルスにおいては、最適露光量Eを最大露光NA。とじ(
第5図ステップSA参照)、最大露光誤差α[%コを考
慮して、設定露光量Bnが定められる(ステップSC参
照)。
詳述すると、最大露光量Anは、最適露光量Eである。
仮に、最大露光ユA。で露光を行なうと、プラスの方に
露光誤差が生じた場合には、露光オーバーになる。従っ
て、かかる不都合が生じないように、最大露光誤差αを
考慮して、設定露光量Bnを定め、この値に基いて露光
が行なわれる(ステップSC参照)。
次に、実際の露光では、誤差が生ずるため、実際の露光
量C1が測定される(ステップSC参照)。そして、最
大露光量A。と実際の露光量Cnとの差、すなわち残存
する露光量が求められ、これが許容誤差Δ以下か否かが
判断される(ステップSC参照)。
その結果、許容誤差Δ以下であると判断されたときは、
露光を終了し、Δ以上であると判断されたときは、残存
露光量An−C,を最大露光量Aoとして(ステップS
C参照)、ステップSRないしSEの操作が繰り返され
る。
次に、以上の露光量制御を、第1図および第2図に示し
た装置に基いて詳細に説明する。
まず、偏光板16を、制御装置38による回転制御装置
18への指令により回転させ、最大出力のレーザ光によ
る露光が行なわれる位置にする。
次に、パルスレーザ10の出力エネルギーと偏光板16
の透過率とによって決まる、ウェハ(図示せず)上での
エネルギー量が、例えば最適露光量Eよりも大きな値と
なるように、制御装置38により制御が行なわれる。こ
れは必らずしも大きな値である必要はない。
以上のような状態において、ウェハが載置されているス
テージ(図示せず)上に取り付けられた光量受光素子(
図示せず)の出力と、受光素子24の出力との比が求め
られ、記憶される。
ここで、かかる比がQであるとすると、受光素子24で
受光されたレーザ光の積算光量記憶装置36における積
算値がE/Qになったときに、ウェハ上における全露光
量が已になっているはずである。これはウェハ露先前に
行なわれるキャリブレーションてあり、Qはビームスプ
リッタ−20、可干渉除去装置26、インテグレータ2
8、コンデンサーレンズ30、レチクル32及び投影レ
ンズによる光量損失分に相当する。
制御装置38は、以上のようにして求めた比と、受光素
子24の出力による積算光量値とによって、実際の露光
量の演算を行う。
また、偏光板16の回転量と露光量との関係は、第3図
に示すように、cosカーブになる。
従って、ウェハ上で設定露光量B。を得る場合の偏光板
16の角度θ。は、 θ。=arccos (Bn  −q/E)・・−(i
)となる。
まず、最初のパルスによる露光ステップでは、上述した
ように、最適露光量Eを最大露光量A。
とじて設定露光量Bnが(2)式により制御装置38に
よって求められ、更には(1)式に従って偏光板16の
回転角度θ。が求められる。
B11=A、−α/ 100 ・・−・−(2)そして
、制御装置38から回転制御装置18に対して指令が行
なわれ、設定露光量Bnとなるように偏光板16の角度
θ。の調整が行なわれる。
そしてパルスレーザ10にトリガを与えて1パルスの発
光を行ない、同時に露光時の実際の露光量C1(積算光
量値)が測定され、残存露光量が許容誤差Δ以下か否か
が判断される。
ここで、 A、−C,≦Δ・・・・・・(3) のときは、露光終了である。
他方、 A、−Cn>Δ・・・・・・(4) のときは、 An=A、−Co・−−−−・(5) とし、上述した(2)式を用いて次のパルス発光による
露光ステップの設定露光、7 B、、が求められ、上述
した操作が繰り返ざわる。以上の動作ではパルスレーザ
10の出力エネルギーは一定となるようにしたが、パル
スレーザ10の出力エネルギーの可変と偏光板26の回
転角度の可変とを組み合わせでもよい。
また偏光板16を高速に連続回転させておき、式(1)
で所望の角度O1か算出された後、偏光板16の回転角
度を検出するエンコーダから出力される角度情報が角度
θ。と所定の関係(例えば−致)になった時点でパルス
レーザ10にトリガをかけてパルス発光させるようにし
てもよい。
以上のように、本実施例によれば、露光量の制御を高い
精度で行なうことができるため、微細なパターンの投影
を良好に行なって線幅精度の向上を図ることができると
いう効果がある。
更に、露光光かスペックルを持ち、光量分布が異なる場
合には、最大光量誤差を大きく設定し、各パルスによっ
てスペックルが異なるように制御すれば、各パルスの光
量差を小さくすることができ、ランダム加算を行なうこ
とによりスペックルを除去することかできるという効果
もある。
なお、本発明は何ら上記実施例に限定されるものではな
く、例えば、装置構成を、同様の作用を奏するように種
々設計変更してよい。
また、上記実施例は、本発明を露光装置に適用した例で
あるが、その他のgfiに対しても本発明は適用される
ものである。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれは、必要に応じた高
い精度でエネルギー量の制御を行なうことかできるとい
う効果がある。
また、エネルギー照射のパルス数を固定にする必要がな
いので、パルス数によって光ユを制御する方式に比へて
短時間で正確な露光か可能となり、スルーブツトの向上
2図ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は光量
制御部分の詳細な例を示す構成図、第3図は偏光板の回
転位置と光1の関係を示すグラフ、第4図は光全制御の
手順を示すグラフ、第5図は光量制御の手順を示すフロ
ーチャートである。 10・・・パルスレーザ、16・・・(扁光(反、20
・・・ハーフミラ−518・・・偏光板回転制御独習、
24・・・受光素子、36・・・積算光量記憶装置、3
8・・・制御装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エネルギー発生源から出力されるパルスエネルギ
    ー量を制御するエネルギー量制御装置において、 前記エネルギー発生源から出力されるパルスのエネルギ
    ー量を各パルス毎に調整する調整手段と、 前記各パルスのエネルギー量の積算値を計測する積算手
    段と、 該積算値が、最適な総エネルギー量にほぼ一致するまで
    、各出力パルス毎のエネルギーが順次小さくなるように
    、前記調整手段を制御する制御手段とを具備したことを
    特徴とするエネルギー量制御装置。
JP61224920A 1986-09-25 1986-09-25 エネルギ−量制御装置 Pending JPS6381882A (ja)

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JP61224920A JPS6381882A (ja) 1986-09-25 1986-09-25 エネルギ−量制御装置

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JP61224920A JPS6381882A (ja) 1986-09-25 1986-09-25 エネルギ−量制御装置

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JPS6381882A true JPS6381882A (ja) 1988-04-12

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ID=16821236

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JP (1) JPS6381882A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4970546A (en) * 1988-04-07 1990-11-13 Nikon Corporation Exposure control device
US5389954A (en) * 1990-11-21 1995-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Laser process apparatus for forming holes in a workpiece
JPH07307281A (ja) * 1994-05-12 1995-11-21 Nec Corp 半導体装置の露光装置および露光方法
JP2002299736A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Shibuya Kogyo Co Ltd レーザ発振方法
US6661499B2 (en) 1998-06-12 2003-12-09 Nikon Corporation Projection exposure apparatus with a catadioptric projection optical system

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