JP2963692B2 - エネルギーセンサーフィードバックによるレーザー照射式ステッパー若しくはスキャナー - Google Patents
エネルギーセンサーフィードバックによるレーザー照射式ステッパー若しくはスキャナーInfo
- Publication number
- JP2963692B2 JP2963692B2 JP10226136A JP22613698A JP2963692B2 JP 2963692 B2 JP2963692 B2 JP 2963692B2 JP 10226136 A JP10226136 A JP 10226136A JP 22613698 A JP22613698 A JP 22613698A JP 2963692 B2 JP2963692 B2 JP 2963692B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- energy
- laser
- burst
- pulses
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
- H01S3/08009—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2251—ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2256—KrF, i.e. krypton fluoride is comprised for lasing around 248 nm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、１９９８年３月４日出
願の出願番号０９／０３４，８７０号エキシマレーザー
のためのパルスエネルギー制御、及び１９９７年８月８
日出願の出願番号０８／９０８，８６２号レーザーに対
して２つのエネルギーモニターを有するステッパー若し
くはスキャナーの一部継続出願である。本発明は、レー
ザーエネルギー制御機器と方法に関する、より詳しくは
集積回路製造用のステッパー若しくはスキャンナーのた
めに使用される機器と技術に関する。
願の出願番号０９／０３４，８７０号エキシマレーザー
のためのパルスエネルギー制御、及び１９９７年８月８
日出願の出願番号０８／９０８，８６２号レーザーに対
して２つのエネルギーモニターを有するステッパー若し
くはスキャナーの一部継続出願である。本発明は、レー
ザーエネルギー制御機器と方法に関する、より詳しくは
集積回路製造用のステッパー若しくはスキャンナーのた
めに使用される機器と技術に関する。
【０００２】
【従来技術】レーザー照射式ステッパー若しくはスキャ
ナー レーザーは、シリコンウエハ上のフォトレジスト層を選
択的に露光するため、集積回路製造ためのステッパー若
しくはスキャナーシステムの光源として頻繁に使用され
る。マスク（或いはレチクル）を光とウエハーの間に差
し込み、選択的露光ができるようになっている。現在の
露光システム形態は、レーザー放射をウエハ表面上に向
ける比較的複雑な光学システムを包含している。ステッ
プ若しくはスキャンの最中に、フォトレジストを十分に
露光させるのに必要な光量は、光の強さと光がウエハに
当たる時間の長さの積である。代表的なレーザー光は毎
秒１０００パルスといった割合のパルスで生成され、フ
ォトレジストを十分に露光させるのに必要なパルス数
は、レーザー光の強度に基づき決定される。先行技術の
リソグラフィーレーザーは、レーザーの出力装置、ない
しその近くにパルスエネルギーモニターを有するのが代
表的である。本モニターは、個々のパルスのエネルギー
と積分された線量のエネルギー（事前に決定された数の
パルスの合計エネルギー）を制御するために、フィード
バック装置で使用可能である。パルスエネルギーモニタ
ーは、ステッパー若しくはスキャナー内に置くこともで
き、フィードバック信号用にこれらのモニターを使って
レーザー源を制御する努力がなされてきた。しかし、こ
れら先行技術のフィードバック制御システムは十分満足
とは言えず、レーザーに重大な振動を生み出すことがあ
る。 エネルギーシグマ 「エネルギーシグマ」 という言葉で定義されるパルスエ
ネルギーのバリエーションは、集積回路リソグラフィー
にとって重要である。エネルギーシグマは、一連のパル
ス中のパルスエネルギーの平均エネルギーからの標準偏
差である。エネルギーシグマに関するスペックは、約３
パーセントの範囲を典型的とするが、もっと狭い範囲が
望ましい。先行技術のエキシマレーザーは、先行する一
つないし複数のパルスをモニターしたエネルギーに基づ
き、各パルスの放電圧を自動的に調整するフィードバッ
ク電圧制御を含んでいる。リソグラフィーレーザーは
１，０００Ｈｚぐらいのパルス率の連続モードで作動さ
れることがあるが、この場合レーザー効果と光学効果は
素早く平衡に至るので、パルスのエネルギー電圧フィー
ドバック制御を使えばエネルギーシグマを小さく保つこ
とは比較的容易である。 バーストモード作動 集積回路リソグラフィーのためにレーザーを連続作動さ
せることは一般的ではない。より一般的な作動モードは
バーストモードと呼ばれ、レーザーを例えば１，０００
Ｈｚのパルス割合で約１１０から２５０パルス（「 バー
スト」 と呼ばれる一連のパルス）作動させ、その後１秒
の何分の１、例えば約０．２秒から数秒ないしそれより
長い時間程度のデッドタイムが続くというものである。
このデッドタイムの間に、照射されるウエハは、ステッ
プ（例：数ミリメートル移動）されるか、処理済ウエハ
が処理予定のウエハと交換されるか、ウエハの新しいカ
セットが入れられたりする。エネルギーシグマを制御す
ることに加え、各バースト間の合計線量を目標値に可能
な限り近づけることが、多くの状況で更に重要となる。
ナー レーザーは、シリコンウエハ上のフォトレジスト層を選
択的に露光するため、集積回路製造ためのステッパー若
しくはスキャナーシステムの光源として頻繁に使用され
る。マスク（或いはレチクル）を光とウエハーの間に差
し込み、選択的露光ができるようになっている。現在の
露光システム形態は、レーザー放射をウエハ表面上に向
ける比較的複雑な光学システムを包含している。ステッ
プ若しくはスキャンの最中に、フォトレジストを十分に
露光させるのに必要な光量は、光の強さと光がウエハに
当たる時間の長さの積である。代表的なレーザー光は毎
秒１０００パルスといった割合のパルスで生成され、フ
ォトレジストを十分に露光させるのに必要なパルス数
は、レーザー光の強度に基づき決定される。先行技術の
リソグラフィーレーザーは、レーザーの出力装置、ない
しその近くにパルスエネルギーモニターを有するのが代
表的である。本モニターは、個々のパルスのエネルギー
と積分された線量のエネルギー（事前に決定された数の
パルスの合計エネルギー）を制御するために、フィード
バック装置で使用可能である。パルスエネルギーモニタ
ーは、ステッパー若しくはスキャナー内に置くこともで
き、フィードバック信号用にこれらのモニターを使って
レーザー源を制御する努力がなされてきた。しかし、こ
れら先行技術のフィードバック制御システムは十分満足
とは言えず、レーザーに重大な振動を生み出すことがあ
る。 エネルギーシグマ 「エネルギーシグマ」 という言葉で定義されるパルスエ
ネルギーのバリエーションは、集積回路リソグラフィー
にとって重要である。エネルギーシグマは、一連のパル
ス中のパルスエネルギーの平均エネルギーからの標準偏
差である。エネルギーシグマに関するスペックは、約３
パーセントの範囲を典型的とするが、もっと狭い範囲が
望ましい。先行技術のエキシマレーザーは、先行する一
つないし複数のパルスをモニターしたエネルギーに基づ
き、各パルスの放電圧を自動的に調整するフィードバッ
ク電圧制御を含んでいる。リソグラフィーレーザーは
１，０００Ｈｚぐらいのパルス率の連続モードで作動さ
れることがあるが、この場合レーザー効果と光学効果は
素早く平衡に至るので、パルスのエネルギー電圧フィー
ドバック制御を使えばエネルギーシグマを小さく保つこ
とは比較的容易である。 バーストモード作動 集積回路リソグラフィーのためにレーザーを連続作動さ
せることは一般的ではない。より一般的な作動モードは
バーストモードと呼ばれ、レーザーを例えば１，０００
Ｈｚのパルス割合で約１１０から２５０パルス（「 バー
スト」 と呼ばれる一連のパルス）作動させ、その後１秒
の何分の１、例えば約０．２秒から数秒ないしそれより
長い時間程度のデッドタイムが続くというものである。
このデッドタイムの間に、照射されるウエハは、ステッ
プ（例：数ミリメートル移動）されるか、処理済ウエハ
が処理予定のウエハと交換されるか、ウエハの新しいカ
セットが入れられたりする。エネルギーシグマを制御す
ることに加え、各バースト間の合計線量を目標値に可能
な限り近づけることが、多くの状況で更に重要となる。
【０００３】レーザーを一定電圧のバーストモードで作
動させると、パルスエネルギーがバーストの最初の４０
ミリ秒間にレーザーを出してしまうので、ビームのパル
スエネルギーに大きな振れが生じる結果となる。また、
ステッパー若しくはスキャナーの光学要素の過渡状態
は、マスクに達するエネルギーにバリエーションを生じ
させ得る。これらの効果が組み合わさると、マスクに達
するパルスエネルギーに実質的なバリエーションを生じ
させ得る。先行技術のフィードバック制御回路では、エ
ネルギーバリエーションは部分的に減るだけである。振
れは、相対的にバーストからバーストへと繰り返される
ということが知られている。従って、この最初の４０パ
ルスの間のパルスエネルギーバリエーションを減らすた
め、時間依存アルゴリズムで電圧制御をプログラムする
試みがなされてきた。
動させると、パルスエネルギーがバーストの最初の４０
ミリ秒間にレーザーを出してしまうので、ビームのパル
スエネルギーに大きな振れが生じる結果となる。また、
ステッパー若しくはスキャナーの光学要素の過渡状態
は、マスクに達するエネルギーにバリエーションを生じ
させ得る。これらの効果が組み合わさると、マスクに達
するパルスエネルギーに実質的なバリエーションを生じ
させ得る。先行技術のフィードバック制御回路では、エ
ネルギーバリエーションは部分的に減るだけである。振
れは、相対的にバーストからバーストへと繰り返される
ということが知られている。従って、この最初の４０パ
ルスの間のパルスエネルギーバリエーションを減らすた
め、時間依存アルゴリズムで電圧制御をプログラムする
試みがなされてきた。
【０００４】必要なのは、レーザーシステム中だけでな
く、ステッパー若しくはスキャナー中のビームの乱れを
より適正に矯正できるエネルギーセンサーフィードバッ
クシステムである。
く、ステッパー若しくはスキャナー中のビームの乱れを
より適正に矯正できるエネルギーセンサーフィードバッ
クシステムである。
【０００５】
【発明の概要】本発明は、マスク近くの露光システム内
に位置する第１光度検知器とレーザー出力装置近くに位
置する第２光度検知器を有するステッパー若しくはスキ
ャナーといったレーザー照射式ウエハー露光システムを
提供する。フィードバック制御システムは、検知器類の
内の少なくとも１つの検知器により検出される信号に基
づきレーザーの出力を制御する。フィードバック制御シ
ステムは、バーストモードでレーザーを作動してマスク
の所で所望光度を有する光パルスを提供する目的でレー
ザー放電圧を制御するのに使用されるアルゴリズムでプ
ログラムされたプロセッサーを包含する。アルゴリズム
は少なくとも次のようなパラメーター、すなわち過去に
測定されたパルスエネルギー、計算されたエネルギーエ
ラー、計算された線量エラー、電圧に対するパルスエネ
ルギーの変化率の値、及び最低１つの基準電圧を使用す
る。好適実施例では、アルゴリズムはマスク近くに位置
する光度検知器で測定されるパルスエネルギーを使用し
てフィードバック制御を行いまたレーザー出力装置の所
にある光度検知器を用いて、レーザーの出力が事前に設
定された範囲内に保持されていることを保証する。
に位置する第１光度検知器とレーザー出力装置近くに位
置する第２光度検知器を有するステッパー若しくはスキ
ャナーといったレーザー照射式ウエハー露光システムを
提供する。フィードバック制御システムは、検知器類の
内の少なくとも１つの検知器により検出される信号に基
づきレーザーの出力を制御する。フィードバック制御シ
ステムは、バーストモードでレーザーを作動してマスク
の所で所望光度を有する光パルスを提供する目的でレー
ザー放電圧を制御するのに使用されるアルゴリズムでプ
ログラムされたプロセッサーを包含する。アルゴリズム
は少なくとも次のようなパラメーター、すなわち過去に
測定されたパルスエネルギー、計算されたエネルギーエ
ラー、計算された線量エラー、電圧に対するパルスエネ
ルギーの変化率の値、及び最低１つの基準電圧を使用す
る。好適実施例では、アルゴリズムはマスク近くに位置
する光度検知器で測定されるパルスエネルギーを使用し
てフィードバック制御を行いまたレーザー出力装置の所
にある光度検知器を用いて、レーザーの出力が事前に設
定された範囲内に保持されていることを保証する。
【０００６】
【実施例】第１好適実施例 ステッパーシステム 図１は、本発明を組み込んだシリコンウエハ上に集積回
路をリソグラフィーで焼き付けるステッパーシステムを
示している。図１では、エキシマレーザーシステム１０
は、レーザー１２として示されるエキシマレーザー励起
室と、レーザーシステム１０から放射されるレーザー光
の波長、スペクトル幅、光度、バースト持続時間を調整
するための種々のフィードバック制御回路と機構から成
る。これら制御回路と機構を、レーザーコントローラー
１４として示す。レーザーのチューニング、光度の制
御、及びレーザー光のパルスの制御に関する方法と構造
はよく知られており、レーザーシステム１０のレーザー
出力の制御に適しているならどんな方法を利用してもよ
い。
路をリソグラフィーで焼き付けるステッパーシステムを
示している。図１では、エキシマレーザーシステム１０
は、レーザー１２として示されるエキシマレーザー励起
室と、レーザーシステム１０から放射されるレーザー光
の波長、スペクトル幅、光度、バースト持続時間を調整
するための種々のフィードバック制御回路と機構から成
る。これら制御回路と機構を、レーザーコントローラー
１４として示す。レーザーのチューニング、光度の制
御、及びレーザー光のパルスの制御に関する方法と構造
はよく知られており、レーザーシステム１０のレーザー
出力の制御に適しているならどんな方法を利用してもよ
い。
【０００７】ステッパー２０は、レーザーシステム１０
からのレーザービーム２１を受け取り、ウエハー２２上
のフォトレジストの層を露光させるため、半導体ウエハ
２２の小区画（約２ｃｍ）上に、最終的にマスクパター
ンの像を結ばせる。所定のパルス数のレーザー光をあて
た後、ウエハ２２はＸ及び／或いはＹ方向に、Ｘ−Ｙテ
ーブル２４によりステップされる。ウエハ２２の各露光
の後、コントローラー２６がソフトウエアルーティーン
に応じてＸ−Ｙテーブル２４の位置を制御する。ウエハ
２２の各ステップの間、パルスコントローラー２７がレ
ーザーシステム１０に信号を与え、所定数の（約１１
０）パルスを発生させる。ステッパー２０の一部を形成
するキーボードとコンピューター（図示せず）を使って
ウエハー２２を自動処理するためのコントローラー２６
と２７をプログラムしてもよい。 レーザービーム エキシマレーザーシステム１０は、独立ユニットとして
製造されるのが代表的であるが、レーザーシステム１０
の光出力がステッパー光学器によってどのように影響さ
れるかを、事前に正確に知ることはできない。レーザー
システム１０によるレーザービームの出力２１は、窒素
を満たしたコンジット３０内の鏡２８と２９により、ス
テッパー２０の光入力ポートへ方向付される。窒素を使
うのは、湿気がコンジット３０に入るの防ぎ、コンジッ
ト３０を通って伝搬するレーザー光が減衰するのを防ぐ
ためである。
からのレーザービーム２１を受け取り、ウエハー２２上
のフォトレジストの層を露光させるため、半導体ウエハ
２２の小区画（約２ｃｍ）上に、最終的にマスクパター
ンの像を結ばせる。所定のパルス数のレーザー光をあて
た後、ウエハ２２はＸ及び／或いはＹ方向に、Ｘ−Ｙテ
ーブル２４によりステップされる。ウエハ２２の各露光
の後、コントローラー２６がソフトウエアルーティーン
に応じてＸ−Ｙテーブル２４の位置を制御する。ウエハ
２２の各ステップの間、パルスコントローラー２７がレ
ーザーシステム１０に信号を与え、所定数の（約１１
０）パルスを発生させる。ステッパー２０の一部を形成
するキーボードとコンピューター（図示せず）を使って
ウエハー２２を自動処理するためのコントローラー２６
と２７をプログラムしてもよい。 レーザービーム エキシマレーザーシステム１０は、独立ユニットとして
製造されるのが代表的であるが、レーザーシステム１０
の光出力がステッパー光学器によってどのように影響さ
れるかを、事前に正確に知ることはできない。レーザー
システム１０によるレーザービームの出力２１は、窒素
を満たしたコンジット３０内の鏡２８と２９により、ス
テッパー２０の光入力ポートへ方向付される。窒素を使
うのは、湿気がコンジット３０に入るの防ぎ、コンジッ
ト３０を通って伝搬するレーザー光が減衰するのを防ぐ
ためである。
【０００８】複数のマスクパターンを含んだレチクル３
６にビーム２１を送る前に、ビームコンディショナー光
学器３２とビームコンデンサー光学器３４がビーム２１
を、必要とされる状態に変える。ビームコンディショニ
ング光学器３２は、ビーム域に亘ってレーザービーム２
１の空間的強さを平均化するために、（均質化装置を形
成する）一連のレンズを含むこともある。こうした均質
化装置は、第２レンズが後に続く２次元アレー状の小レ
ンズを使用して、小レンズの出力光を平均化してもよ
い。コンディショナー光学器３２とコンデンサー光学器
３４は、また必要に応じビームを拡張しスクエアビーム
を形成してもよい。こうした光学器３２と３４は従来型
のもので構わない。部分反射鏡３８と、必要に応じて配
される他の光学器が、レンズ３９を通ってレチクル３６
上にビームを再度方向付けする。レチクル３６のマスク
パターンはクロムまたは不伝導性の物質が代表的で、ウ
エハ２２表面上のフォトレジストに複写されるべきパタ
ーンに形成される。焦点収束光学器４０は、レチクル３
６を通って光をウエハ２２の２ｃｍ区画上に焦点収束さ
せる。
６にビーム２１を送る前に、ビームコンディショナー光
学器３２とビームコンデンサー光学器３４がビーム２１
を、必要とされる状態に変える。ビームコンディショニ
ング光学器３２は、ビーム域に亘ってレーザービーム２
１の空間的強さを平均化するために、（均質化装置を形
成する）一連のレンズを含むこともある。こうした均質
化装置は、第２レンズが後に続く２次元アレー状の小レ
ンズを使用して、小レンズの出力光を平均化してもよ
い。コンディショナー光学器３２とコンデンサー光学器
３４は、また必要に応じビームを拡張しスクエアビーム
を形成してもよい。こうした光学器３２と３４は従来型
のもので構わない。部分反射鏡３８と、必要に応じて配
される他の光学器が、レンズ３９を通ってレチクル３６
上にビームを再度方向付けする。レチクル３６のマスク
パターンはクロムまたは不伝導性の物質が代表的で、ウ
エハ２２表面上のフォトレジストに複写されるべきパタ
ーンに形成される。焦点収束光学器４０は、レチクル３
６を通って光をウエハ２２の２ｃｍ区画上に焦点収束さ
せる。
【０００９】部分反射鏡３８に突き当たる光の内わずか
なパーセントを、サンプルアンドホールド回路を持った
従来型のフォト検知器で受ける。適切なタイプのフォト
検知器の１つは、ＤＣオフセットを差し引いた後の当た
る光の強さに電流出力が比例するフォトダイオードから
成る。こうしたフォト検知器はよく知られている。従来
型のサンプルアンドホールド回路は、持続時間約５０ｎ
ｓパルスのエネルギーに相当する積分信号をサンプル
し、その信号がコンピュータプロセッサーでが読み取ら
れるまで保持する。類似の鏡４５とフォト検知器４６を
用い、レーザー１２出力部分でのビーム２１の光度を測
定する。従来型シャッター４７が鏡４５の下流に置か
れ、ビーム２１がステッパー２０へ入るのを制御可能的
に阻止する。Ｘ−Ｙテーブルコントローラー２６は、所
定数のパルスのレーザーエネルギーを照射後、ウエハ２
２を次の位置にステップさせるようプログラムされてお
り、パルスは所定の波長とパルス幅を持つのが代表的で
ある。パルス数は、ステップの間にウエハに突き当たら
ねばならぬとされる光の合計エネルギーに基づき計算さ
れる。これには、光エネルギーの正確な測定が必要とな
る。
なパーセントを、サンプルアンドホールド回路を持った
従来型のフォト検知器で受ける。適切なタイプのフォト
検知器の１つは、ＤＣオフセットを差し引いた後の当た
る光の強さに電流出力が比例するフォトダイオードから
成る。こうしたフォト検知器はよく知られている。従来
型のサンプルアンドホールド回路は、持続時間約５０ｎ
ｓパルスのエネルギーに相当する積分信号をサンプル
し、その信号がコンピュータプロセッサーでが読み取ら
れるまで保持する。類似の鏡４５とフォト検知器４６を
用い、レーザー１２出力部分でのビーム２１の光度を測
定する。従来型シャッター４７が鏡４５の下流に置か
れ、ビーム２１がステッパー２０へ入るのを制御可能的
に阻止する。Ｘ−Ｙテーブルコントローラー２６は、所
定数のパルスのレーザーエネルギーを照射後、ウエハ２
２を次の位置にステップさせるようプログラムされてお
り、パルスは所定の波長とパルス幅を持つのが代表的で
ある。パルス数は、ステップの間にウエハに突き当たら
ねばならぬとされる光の合計エネルギーに基づき計算さ
れる。これには、光エネルギーの正確な測定が必要とな
る。
【００１０】エキシマレーザーはパワー供給装置、制御
回路、そして冷却システムを含み、ステッパーの外側に
ある比較的大型の装置である。ステッパー２０の様々な
光学器が生じさせる減衰は使用中に変化し得るものなの
で、レーザーシステム１０が特定ステップの間に生成す
るパルスのエネルギーは、希望に反し、ウエハー２２上
のフォトレジストを露光するのに必要な最適量よりも大
きかったり、小さかったりなり得る。対象となる減衰を
引き起こすステッパー光学器の後でかつレチクル３６の
前に、フォト検知器４４を置いてフィードバックエネル
ギー制御用に使えば、ステッパー光学器による減衰や歪
みは、レーザー出力強度の調整時、自動的に考慮され
る。しかし、フォト検知器４４を単独使用した場合、エ
ネルギー過渡現象の原因が光学器のせいなのかまたはレ
ーザーシステム１０自体のせいなのかを識別できない。 レーザー出力の制御 コンピュータープロセッサー４８は、レーザーパルスと
バーストのタイミングに関する情報を始めとするフォト
検知器４４、４６からの信号を受信し、レーザーに対す
る調整を決定するための特別なアルゴリズムを使って、
フォト検知器４４、４６の出力を処理し、所望の個々の
パルスエネルギーと積分された線量エネルギーを実現す
る。プロセッサー４８の出力は、更にレーザーコントロ
ーラー１４の回路要素で処理され、レーザー出力を制御
するためにレーザー１２の作動電圧を制御する。
回路、そして冷却システムを含み、ステッパーの外側に
ある比較的大型の装置である。ステッパー２０の様々な
光学器が生じさせる減衰は使用中に変化し得るものなの
で、レーザーシステム１０が特定ステップの間に生成す
るパルスのエネルギーは、希望に反し、ウエハー２２上
のフォトレジストを露光するのに必要な最適量よりも大
きかったり、小さかったりなり得る。対象となる減衰を
引き起こすステッパー光学器の後でかつレチクル３６の
前に、フォト検知器４４を置いてフィードバックエネル
ギー制御用に使えば、ステッパー光学器による減衰や歪
みは、レーザー出力強度の調整時、自動的に考慮され
る。しかし、フォト検知器４４を単独使用した場合、エ
ネルギー過渡現象の原因が光学器のせいなのかまたはレ
ーザーシステム１０自体のせいなのかを識別できない。 レーザー出力の制御 コンピュータープロセッサー４８は、レーザーパルスと
バーストのタイミングに関する情報を始めとするフォト
検知器４４、４６からの信号を受信し、レーザーに対す
る調整を決定するための特別なアルゴリズムを使って、
フォト検知器４４、４６の出力を処理し、所望の個々の
パルスエネルギーと積分された線量エネルギーを実現す
る。プロセッサー４８の出力は、更にレーザーコントロ
ーラー１４の回路要素で処理され、レーザー出力を制御
するためにレーザー１２の作動電圧を制御する。
【００１１】図２は、各パルスの間のレーザー光の強度
を制御するため、また必要に応じ他の特性を調整するた
めの、レーザーシステム１０内のフィードバック回路要
素を示している。ステッパー２０のフォト検知器４４か
らの信号はアナログ信号が典型的である。この信号は、
最初にパルス持続期間よりも長い時間間隔に亘って積分
され、各パルスの光エネルギーを効率よく測定できるよ
う、サンプルアンドホールド回路５６を利用してサンプ
ル採取される。その結果生じた信号は、その後アナログ
−デジタルコンバーター５８を使って、デジタル信号に
変換される。サンプルクロック５９を、サンプルアンド
ホールド回路５６用に、またアナログ−デジタルコンバ
ーター５８の全エネルギーを測定するために設け、ほぼ
３０−５０ｎｓパルスの全エネルギーを測定するため、
適当な時間で読み取りを行う。
を制御するため、また必要に応じ他の特性を調整するた
めの、レーザーシステム１０内のフィードバック回路要
素を示している。ステッパー２０のフォト検知器４４か
らの信号はアナログ信号が典型的である。この信号は、
最初にパルス持続期間よりも長い時間間隔に亘って積分
され、各パルスの光エネルギーを効率よく測定できるよ
う、サンプルアンドホールド回路５６を利用してサンプ
ル採取される。その結果生じた信号は、その後アナログ
−デジタルコンバーター５８を使って、デジタル信号に
変換される。サンプルクロック５９を、サンプルアンド
ホールド回路５６用に、またアナログ−デジタルコンバ
ーター５８の全エネルギーを測定するために設け、ほぼ
３０−５０ｎｓパルスの全エネルギーを測定するため、
適当な時間で読み取りを行う。
【００１２】コンバーター５８のデジタル出力はここで
プロセッサー６０に流されるが、プロセッサー６０は、
レーザー１２自身を制御するために使われる制御信号に
光度を表すデジタル信号を関係付けるソフトウエア６１
でプログラムされており、パソコンであってもよい。プ
ロセッサー６０はハードワイアドＡＳＩＣでも構わな
い。レーザーシステム１０のフォト検知器４６からのア
ナログ信号を、全く同一のサンプルアンドホールド回路
６２とアナログ−デジタルコンバーター６４で処理し、
プロセッサー６０に流す。レーザーコントローラー１４
はプロセッサー６０から制御信号を受信し、既知の方法
でレーザー１２の特性を調整する。レーザーの光度出力
の調整用に使われる周知の一方法では、レーザー１２の
充電圧が調整され、この充電圧は順番に圧縮と増幅され
て充電圧にほぼ比例するはるかに高い放電圧が生み出さ
れる。 パルスと線量エネルギー制御 この実施例では、レーザー１２は毎秒１，０００パルス
の反復率で作動する。パルス毎のエネルギーは約１０ｍ
Ｊが典型的である。典型的な照射ステップは、以下の通
りである。
プロセッサー６０に流されるが、プロセッサー６０は、
レーザー１２自身を制御するために使われる制御信号に
光度を表すデジタル信号を関係付けるソフトウエア６１
でプログラムされており、パソコンであってもよい。プ
ロセッサー６０はハードワイアドＡＳＩＣでも構わな
い。レーザーシステム１０のフォト検知器４６からのア
ナログ信号を、全く同一のサンプルアンドホールド回路
６２とアナログ−デジタルコンバーター６４で処理し、
プロセッサー６０に流す。レーザーコントローラー１４
はプロセッサー６０から制御信号を受信し、既知の方法
でレーザー１２の特性を調整する。レーザーの光度出力
の調整用に使われる周知の一方法では、レーザー１２の
充電圧が調整され、この充電圧は順番に圧縮と増幅され
て充電圧にほぼ比例するはるかに高い放電圧が生み出さ
れる。 パルスと線量エネルギー制御 この実施例では、レーザー１２は毎秒１，０００パルス
の反復率で作動する。パルス毎のエネルギーは約１０ｍ
Ｊが典型的である。典型的な照射ステップは、以下の通
りである。
【００１３】 時間 ウエハー移動 ０．１秒 照射 ０．１１秒（１１０パルス） ウエハー移動 ０．１秒 照射 ０．１１秒（１１０パルス） ウエハー移動 ０．１秒 照射 ０．１１秒（１１０パルス） 〃 〃 〃 ウエハー移動 ０．１秒 照射 ０．１１秒（１１０パルス） ウエハー交換 １０秒 ウエハー移動 ０．１秒 照射 ０．１１秒（１１０パルス） 〃 〃 〃 このように通常作動は、約１１０ミリ秒に１１０パルス
のバースト、これに約０．１秒、場合によっては１０秒
間のデッドタイム続く。時々に応じ、より長いデッドタ
イムを与え、他の作動ができるようにするであろう。こ
の基本プロセスは１日２４時間、１週間に７日間、何カ
月にも亘って続き、１日にパルスで数百万、バーストで
数千を生成するレーザーを用いるのが代表的である。上
記バーストモードで通常肝要なのは、ウエハーの各セク
ションが各バーストで同一の照射エネルギーを受け取る
ことである。また、チップメーカーはバリエーション
（エネルギーシグマ）が最低に抑えられるようパルスを
出したいと思っている。
のバースト、これに約０．１秒、場合によっては１０秒
間のデッドタイム続く。時々に応じ、より長いデッドタ
イムを与え、他の作動ができるようにするであろう。こ
の基本プロセスは１日２４時間、１週間に７日間、何カ
月にも亘って続き、１日にパルスで数百万、バーストで
数千を生成するレーザーを用いるのが代表的である。上
記バーストモードで通常肝要なのは、ウエハーの各セク
ションが各バーストで同一の照射エネルギーを受け取る
ことである。また、チップメーカーはバリエーション
（エネルギーシグマ）が最低に抑えられるようパルスを
出したいと思っている。
【００１４】本発明のこの好適実施例で使う機器とソフ
トウエアは、各パルス（パルスＮ−１）のエネルギーを
モニターし、次に続くパルス（パルスＮ）のエネルギー
を、（１）パルスＮ−１の測定エネルギーと目標パルス
エネルギーとの比較結果と、（２）パルスＮ−１のバー
ストにより蓄積された線量とパルスＮ−１による目標パ
ルスの線量との比較結果とに基づき制御する。こうした
バーストモードでの作動は、レーザー自身の内部とステ
ッパー機器という光学列の中の両方に、著しい過渡的パ
ルスを作り出す。出願人は、主要な過渡的パルスがバー
スト開始後最初の３０−４０ミリ秒内でのレーザーで発
生することを発見している。ステッパー光学列では、主
要な過渡的パルスはバーストの最初の１０から１５ミリ
秒間で発生する。
トウエアは、各パルス（パルスＮ−１）のエネルギーを
モニターし、次に続くパルス（パルスＮ）のエネルギー
を、（１）パルスＮ−１の測定エネルギーと目標パルス
エネルギーとの比較結果と、（２）パルスＮ−１のバー
ストにより蓄積された線量とパルスＮ−１による目標パ
ルスの線量との比較結果とに基づき制御する。こうした
バーストモードでの作動は、レーザー自身の内部とステ
ッパー機器という光学列の中の両方に、著しい過渡的パ
ルスを作り出す。出願人は、主要な過渡的パルスがバー
スト開始後最初の３０−４０ミリ秒内でのレーザーで発
生することを発見している。ステッパー光学列では、主
要な過渡的パルスはバーストの最初の１０から１５ミリ
秒間で発生する。
【００１５】レーザーと光学部品を適正に選択して、こ
れらの過渡的パルスをなくす努力がなされてきたが、こ
うした努力にもかかわらず、著しい過渡的パルスは依然
残っており、対処されなくてはならない。出願人は、ア
クティブなパルスツーパルス式パルスエネルギーモニタ
リングとパルスツーパルス式レーザー出力制御を提供す
る本発明により、これらの過渡的パルスの影響を最小限
に抑えている。これらのパルスエネルギー値は、経過的
パルスエネルギー値と充電圧、また電圧によるエネルギ
ー充電率の値ｄＥ／ｄＶと共に、エネルギーシグマを向
上させかつ線量のエネルギーを所望範囲内に制御するた
め、各パルスに先立ち充電圧を調整するのに使われる。 正確なｄＥ／ｄＶの重要性 出力パルスエネルギーを制御する先行技術の方法は一般
的に、要求される目標エネルギーからの偏差を測定し、
所望のエネルギーにより近い近似値を生み出すよう意図
される次のパルス用に充電圧に対する修正値を計算する
というものである。先行技術での修正量は、電圧の一定
増加（あるいは減少）量、ないしエネルギーエラーに比
例する増加量のいずれかであった。比例定数は先行技術
では固定され、例えば充電圧をエネルギーエラー＋１ｍ
Ｊ毎に５０ボルトずつ減らす。これら制御設計では、比
例定数は制御ソフトウエアの固定パラメーターであり、
レーザーデザイナーにより実験的に予め決められてい
る。この比例定数の理想的な値はエネルギー対電圧カー
ブの局部的な微分係数（勾配）ｄＥ／ｄＶから導かれ
る。エネルギーエラーが与えられると、電圧修正はＤＶ
＝ＤＥ／（ｄＥ／ｄＶ）となる。但し１／（ｄＥ／ｄ
Ｖ）は先に論じた比例の定数である。ｄＥ／ｄＶに関す
る値が正確にセットすることが重要である。何故なら、
このことは制御アルゴリズムが目標エネルギーへどれだ
け速く且つ正確に収束するかに影響するからである。１
／（ｄＥ／ｄＶ）の値が小さすぎると収束は緩慢且つ不
正確となる。逆に１／（ｄＥ／ｄＶ）の値が大きすぎる
と制御アルゴリズムは極端に不安定となる。不都合なこ
とに、ｄＥ／ｄＶは一定でなく、作動電圧、フッ素濃
度、ガス温度、コンポーネントの寿命等の種々の要因の
せいで時間経過と共に変化する。図５は様々なフッ素濃
度に対する充電圧の関数（エネルギーは一定でない）と
してのｄＥ／ｄＶの代表的なグラフである。図６は３種
の異なる電圧でのフッ素濃度の関数としてのｄＥ／ｄＶ
を示す。結果的に、先行技術で述べられた制御設計は、
比例定数を最適値よりも随分小さく設定させられてお
り、これはいくつかの条件下でアルゴリズムが不安定に
ならないのを保証するためである。
れらの過渡的パルスをなくす努力がなされてきたが、こ
うした努力にもかかわらず、著しい過渡的パルスは依然
残っており、対処されなくてはならない。出願人は、ア
クティブなパルスツーパルス式パルスエネルギーモニタ
リングとパルスツーパルス式レーザー出力制御を提供す
る本発明により、これらの過渡的パルスの影響を最小限
に抑えている。これらのパルスエネルギー値は、経過的
パルスエネルギー値と充電圧、また電圧によるエネルギ
ー充電率の値ｄＥ／ｄＶと共に、エネルギーシグマを向
上させかつ線量のエネルギーを所望範囲内に制御するた
め、各パルスに先立ち充電圧を調整するのに使われる。 正確なｄＥ／ｄＶの重要性 出力パルスエネルギーを制御する先行技術の方法は一般
的に、要求される目標エネルギーからの偏差を測定し、
所望のエネルギーにより近い近似値を生み出すよう意図
される次のパルス用に充電圧に対する修正値を計算する
というものである。先行技術での修正量は、電圧の一定
増加（あるいは減少）量、ないしエネルギーエラーに比
例する増加量のいずれかであった。比例定数は先行技術
では固定され、例えば充電圧をエネルギーエラー＋１ｍ
Ｊ毎に５０ボルトずつ減らす。これら制御設計では、比
例定数は制御ソフトウエアの固定パラメーターであり、
レーザーデザイナーにより実験的に予め決められてい
る。この比例定数の理想的な値はエネルギー対電圧カー
ブの局部的な微分係数（勾配）ｄＥ／ｄＶから導かれ
る。エネルギーエラーが与えられると、電圧修正はＤＶ
＝ＤＥ／（ｄＥ／ｄＶ）となる。但し１／（ｄＥ／ｄ
Ｖ）は先に論じた比例の定数である。ｄＥ／ｄＶに関す
る値が正確にセットすることが重要である。何故なら、
このことは制御アルゴリズムが目標エネルギーへどれだ
け速く且つ正確に収束するかに影響するからである。１
／（ｄＥ／ｄＶ）の値が小さすぎると収束は緩慢且つ不
正確となる。逆に１／（ｄＥ／ｄＶ）の値が大きすぎる
と制御アルゴリズムは極端に不安定となる。不都合なこ
とに、ｄＥ／ｄＶは一定でなく、作動電圧、フッ素濃
度、ガス温度、コンポーネントの寿命等の種々の要因の
せいで時間経過と共に変化する。図５は様々なフッ素濃
度に対する充電圧の関数（エネルギーは一定でない）と
してのｄＥ／ｄＶの代表的なグラフである。図６は３種
の異なる電圧でのフッ素濃度の関数としてのｄＥ／ｄＶ
を示す。結果的に、先行技術で述べられた制御設計は、
比例定数を最適値よりも随分小さく設定させられてお
り、これはいくつかの条件下でアルゴリズムが不安定に
ならないのを保証するためである。
【００１６】本特許に述べる制御設計の意図は、パラメ
ーターｄＥ／ｄＶを半連続方式、即ちレーザーの作動中
断を要求せずに直接測定する方法を提供し、それにより
レーザーエネルギーを常に最適制御可能とすることであ
る。 再エントリースラッグと光学路エネルギースイング リソグラフィーに使用される代表的なＫｒＦエキシマレ
ーザーでは、レーザー室のガスが、電極棒から室を回っ
て電極棒に戻るまでの１往復するのに必要な時間は約３
０ｍｓである。１，０００Ｈｚでレーザーを作動させる
と、バーストの開始後約３０ｍｓに発生するパルス（例
えば、Ｎ＝２８、２９、３０、３１、３２のパルス）の
ための一定充電圧でのエネルギー出力が、平均して実質
的に減ることを、出願者は測定している。（一定の充電
圧下での）パルスエネルギーにおけるこの減少が、バー
ストの最初の数パルスの間、電極棒の間にあるガスの電
極棒への戻りに関連していると、出願者は考えている。
これに関する証拠は、ガス循環率を徐々に下げると出力
の落ち込みのタイミングが遅れることを表した実験結果
である。出願者は、最初のパルスからのこのガスの戻り
を「再エントリースラッグ」と称する。また、バースト
の最初のパルスのエネルギーは、バーストのその後のパ
ルスのそれと実質的に異なるのが典型的である。最初の
パルスに続く４０ｍｓの後、一定電圧下のパルスエネル
ギーは比較的一定している。この最初の摂動を処理する
過程で、出願者はバーストを２つの時間的区域、即ち
「Ｋ」域と呼ぶ第１区域（より早期のパルス数、例えば
４０パルス、から成る）と、出願者がこの明細書で
「Ｌ」域と呼ぶ第２区域（Ｋ域に続くパルスから成る）
とに分ける。
ーターｄＥ／ｄＶを半連続方式、即ちレーザーの作動中
断を要求せずに直接測定する方法を提供し、それにより
レーザーエネルギーを常に最適制御可能とすることであ
る。 再エントリースラッグと光学路エネルギースイング リソグラフィーに使用される代表的なＫｒＦエキシマレ
ーザーでは、レーザー室のガスが、電極棒から室を回っ
て電極棒に戻るまでの１往復するのに必要な時間は約３
０ｍｓである。１，０００Ｈｚでレーザーを作動させる
と、バーストの開始後約３０ｍｓに発生するパルス（例
えば、Ｎ＝２８、２９、３０、３１、３２のパルス）の
ための一定充電圧でのエネルギー出力が、平均して実質
的に減ることを、出願者は測定している。（一定の充電
圧下での）パルスエネルギーにおけるこの減少が、バー
ストの最初の数パルスの間、電極棒の間にあるガスの電
極棒への戻りに関連していると、出願者は考えている。
これに関する証拠は、ガス循環率を徐々に下げると出力
の落ち込みのタイミングが遅れることを表した実験結果
である。出願者は、最初のパルスからのこのガスの戻り
を「再エントリースラッグ」と称する。また、バースト
の最初のパルスのエネルギーは、バーストのその後のパ
ルスのそれと実質的に異なるのが典型的である。最初の
パルスに続く４０ｍｓの後、一定電圧下のパルスエネル
ギーは比較的一定している。この最初の摂動を処理する
過程で、出願者はバーストを２つの時間的区域、即ち
「Ｋ」域と呼ぶ第１区域（より早期のパルス数、例えば
４０パルス、から成る）と、出願者がこの明細書で
「Ｌ」域と呼ぶ第２区域（Ｋ域に続くパルスから成る）
とに分ける。
【００１７】各バーストでの最初の数パルスは、ステッ
パー光学器の光学路に沿って通過するにつれ、減損の程
度に実質的な変動が生ずる。これらの作用は光学要素の
振動及び／または熱的の過渡現象のせいと考えられる。
バーストに入って約１０パルス後、これらの変動は実質
的に消滅する。 機器 本発明のこの実施例では、パルスエネルギー制御用に従
来型エキシマレーザー機器を使用している。各バースト
の各パルスのパルスエネルギーはフォトダーオード４４
と４６により測定される。フォトダイオード４６は、レ
ーザー１２の出力を出力連結器を丁度越えたところで測
定するので、この検知器からの信号はスラッグ効果で生
じるレーザー内の摂動には敏感であるが、光学列の摂動
は調べられない。フォトダイオード４４はレーザーと光
学列内の摂動を検分するので、レチクル上のエネルギー
をより良く表すことができる。これらフォトダイオード
の応答時間は１ｍｓを下回る。約２０ｎｓの各パルスに
起因して蓄積された信号がストアされ、この信号はコン
ピューターコントローラー２２によりパルス開始後おお
よそ１．０マイクロ秒で読み込まれる。バーストの先行
する個々のパルス全ての累積エネルギーをバースト線量
値と呼ぶことにする。コンピューターコントローラー
は、Ｎ＋１パルスのための高電圧を指定するため、Ｎパ
ルスのパルスエネルギーを表す信号を目標パルスエネル
ギーとバースト線量値と共に使用する。この計算には２
００マイクロ秒を要す。Ｎ＋１のための高電圧値が決ま
ると、コンピューターコントローラーは、Ｎ＋１パルス
用の充電圧を確立する高電圧パワー供給装置１１に信号
を数マイクロ秒かけて送る。コンピューターコントロー
ラー２２は、高電圧供給装置１１がキャパシタＣｏを指
定電圧まで充電するよう指令する。（高反復率では、計
算完了以前に充電を開始することが望ましい。）充電に
は４００マイクロ秒を要するが、キャパシタＣｏは十分
に充電され、Ｎパルスからのトリガー信号の１．０ミリ
秒後にトリガー回路１３からＮ＋１パルス用のトリガー
信号を受け取る時には作動できるよう準備ができてい
る。トリガー信号を受信すると、キャパシタＣｏは約６
５０ボルトを図４に示される磁気圧縮回路に約５マイク
ロ秒間放電し、パルスは磁気圧縮回路により圧縮・増幅
され、約１６，０００ボルトの放電圧をキャパシタＣｏ
上に発生させるが、これは約１０ｍＪで持続時間約７５
ｎｓ（９５％の積分）のレーザーパルスを発生させなが
ら１００ｎｓで電極棒６を横切る放電が起こっているこ
とになる。 望ましいアルゴリズム バーストモードでの作動時、実質的に要求されるパルス
エネルギーを実現するため、充電圧を調整するのに特別
に望ましい処理を以下に説明する。
パー光学器の光学路に沿って通過するにつれ、減損の程
度に実質的な変動が生ずる。これらの作用は光学要素の
振動及び／または熱的の過渡現象のせいと考えられる。
バーストに入って約１０パルス後、これらの変動は実質
的に消滅する。 機器 本発明のこの実施例では、パルスエネルギー制御用に従
来型エキシマレーザー機器を使用している。各バースト
の各パルスのパルスエネルギーはフォトダーオード４４
と４６により測定される。フォトダイオード４６は、レ
ーザー１２の出力を出力連結器を丁度越えたところで測
定するので、この検知器からの信号はスラッグ効果で生
じるレーザー内の摂動には敏感であるが、光学列の摂動
は調べられない。フォトダイオード４４はレーザーと光
学列内の摂動を検分するので、レチクル上のエネルギー
をより良く表すことができる。これらフォトダイオード
の応答時間は１ｍｓを下回る。約２０ｎｓの各パルスに
起因して蓄積された信号がストアされ、この信号はコン
ピューターコントローラー２２によりパルス開始後おお
よそ１．０マイクロ秒で読み込まれる。バーストの先行
する個々のパルス全ての累積エネルギーをバースト線量
値と呼ぶことにする。コンピューターコントローラー
は、Ｎ＋１パルスのための高電圧を指定するため、Ｎパ
ルスのパルスエネルギーを表す信号を目標パルスエネル
ギーとバースト線量値と共に使用する。この計算には２
００マイクロ秒を要す。Ｎ＋１のための高電圧値が決ま
ると、コンピューターコントローラーは、Ｎ＋１パルス
用の充電圧を確立する高電圧パワー供給装置１１に信号
を数マイクロ秒かけて送る。コンピューターコントロー
ラー２２は、高電圧供給装置１１がキャパシタＣｏを指
定電圧まで充電するよう指令する。（高反復率では、計
算完了以前に充電を開始することが望ましい。）充電に
は４００マイクロ秒を要するが、キャパシタＣｏは十分
に充電され、Ｎパルスからのトリガー信号の１．０ミリ
秒後にトリガー回路１３からＮ＋１パルス用のトリガー
信号を受け取る時には作動できるよう準備ができてい
る。トリガー信号を受信すると、キャパシタＣｏは約６
５０ボルトを図４に示される磁気圧縮回路に約５マイク
ロ秒間放電し、パルスは磁気圧縮回路により圧縮・増幅
され、約１６，０００ボルトの放電圧をキャパシタＣｏ
上に発生させるが、これは約１０ｍＪで持続時間約７５
ｎｓ（９５％の積分）のレーザーパルスを発生させなが
ら１００ｎｓで電極棒６を横切る放電が起こっているこ
とになる。 望ましいアルゴリズム バーストモードでの作動時、実質的に要求されるパルス
エネルギーを実現するため、充電圧を調整するのに特別
に望ましい処理を以下に説明する。
【００１８】処理は２つの電圧調整アルゴリズムを使
う。ＰＩアルゴリズムと称する第１アルゴリズムは、バ
ーストのパルス番号４０（「Ｌ」域）以後のパルスに適
用される。第２アルゴリズムは最初の４０パルスに適用
され、ＫＰＩアルゴリズムと呼ばれる。イニシャル「Ｐ
Ｉ」は「比例積分」を、「ＫＰＩ」の「Ｋ」はバースト
の「Ｋ域」ことである。 ＫＰＩアルゴリズム Ｋ域は１番目からｋ番目までのパルスから成り、この好
適実施例で、ｋ＝４０である。Ｎ番目パルス用の充電圧
を設定するアルゴリズムは、以下の通り。 ＶN ＝ （ＶB ）N − （ＶC ）N-1 Ｎ＝１，２，．．．．ｋ 但し、ＶN ＝ Ｎ番目のパルス用の充電圧 （ＶB ）N ＝ Ｋ域のＮ番目のパルスの目標エネルギー
ＥT の生成に必要な電圧に関し、現時点での最善の見積
値を表すｋストア電圧のアレー。本アレーを、各バース
ト後下記方程式で更新する。
う。ＰＩアルゴリズムと称する第１アルゴリズムは、バ
ーストのパルス番号４０（「Ｌ」域）以後のパルスに適
用される。第２アルゴリズムは最初の４０パルスに適用
され、ＫＰＩアルゴリズムと呼ばれる。イニシャル「Ｐ
Ｉ」は「比例積分」を、「ＫＰＩ」の「Ｋ」はバースト
の「Ｋ域」ことである。 ＫＰＩアルゴリズム Ｋ域は１番目からｋ番目までのパルスから成り、この好
適実施例で、ｋ＝４０である。Ｎ番目パルス用の充電圧
を設定するアルゴリズムは、以下の通り。 ＶN ＝ （ＶB ）N − （ＶC ）N-1 Ｎ＝１，２，．．．．ｋ 但し、ＶN ＝ Ｎ番目のパルス用の充電圧 （ＶB ）N ＝ Ｋ域のＮ番目のパルスの目標エネルギー
ＥT の生成に必要な電圧に関し、現時点での最善の見積
値を表すｋストア電圧のアレー。本アレーを、各バース
ト後下記方程式で更新する。
【００１９】（ＶC ）N-1 ＝先行パルスのエネルギー
エラーとバースト中のＮ−１パルスまでの先行パルスの
間に起きたエネルギーエラーに基づく電圧修正
エラーとバースト中のＮ−１パルスまでの先行パルスの
間に起きたエネルギーエラーに基づく電圧修正
【００２０】
【数１】
【００２１】定義により、（ＶC ）0 ＝０である。但
し、 Ａ，Ｂ ＝ 分数で、０と１が典型的。本好適実施例
は、Ａ、Ｂ共に０．５ E i ＝ ｉ番目パルスのエネルギーエラー ＝ Ｅi −ＥT 、Ｅi はｉ番目パルスのエネルギー、Ｅ
T は目標エネルギー Ｄi ＝ バーストの累積線量エラーで、１からｉまでの
パルスを含む
し、 Ａ，Ｂ ＝ 分数で、０と１が典型的。本好適実施例
は、Ａ、Ｂ共に０．５ E i ＝ ｉ番目パルスのエネルギーエラー ＝ Ｅi −ＥT 、Ｅi はｉ番目パルスのエネルギー、Ｅ
T は目標エネルギー Ｄi ＝ バーストの累積線量エラーで、１からｉまでの
パルスを含む
【００２２】
【数２】
【００２３】ｄＥ／ｄＶ＝ 充電圧に対するパルスエネ
ルギーの微分係数。（本実施例では、各バースト中のｄ
Ｅ／ｄＶ値を１つ以上実験的に決定し、これらの値の連
続平均値を計算に使用する。） ストア電圧の値（ＶB ）N を、各バーストの間ないし後
に、次式で更新する。
ルギーの微分係数。（本実施例では、各バースト中のｄ
Ｅ／ｄＶ値を１つ以上実験的に決定し、これらの値の連
続平均値を計算に使用する。） ストア電圧の値（ＶB ）N を、各バーストの間ないし後
に、次式で更新する。
【００２４】
【数３】
【００２５】但し、指数Ｍはバースト数を表す。 Ｃ ＝ 分数で、０と１の間の典型的。本実施例では
０．３ ＰＩアルゴリズム Ｌ域は、バーストのｋ＋１番目から最後までのパルスか
ら成る（好適実施例のパルス番号は４１以上）。Ｎ番目
パルス用の充電圧設定のアルゴリズムは、以下の通り。
０．３ ＰＩアルゴリズム Ｌ域は、バーストのｋ＋１番目から最後までのパルスか
ら成る（好適実施例のパルス番号は４１以上）。Ｎ番目
パルス用の充電圧設定のアルゴリズムは、以下の通り。
【００２６】
【数４】
【００２７】Ｎ＝ｋ＋１、ｋ＋２、．．． 但し、ＶN ＝ Ｎ番パルスのための充電圧 ＶN-1 ＝ Ｎ−１番目（手前の）パルスのための充電
圧 変数Ａ、Ｂ、E1、Ｄ1 とｄＥ／ｄＶは以前の定義の通
り。 ｄＥ／ｄＶの決定 レーザーの特性における比較的緩慢な変化を追跡するた
め、ｄＥ／ｄＶに関しる新しい値を周期的に決定する。
好適実施例ではＬ域の２つの連続パルスの間、制御され
た方法で電圧を変更或いは「 ディザリング」 すること
で、ｄＥ／ｄＶを測定する。これら２つのパルスに関し
ては、ＰＩエネルギー制御アルゴリズムを一時保留し、
次式に置き換えられる。パルスｊに関して、
圧 変数Ａ、Ｂ、E1、Ｄ1 とｄＥ／ｄＶは以前の定義の通
り。 ｄＥ／ｄＶの決定 レーザーの特性における比較的緩慢な変化を追跡するた
め、ｄＥ／ｄＶに関しる新しい値を周期的に決定する。
好適実施例ではＬ域の２つの連続パルスの間、制御され
た方法で電圧を変更或いは「 ディザリング」 すること
で、ｄＥ／ｄＶを測定する。これら２つのパルスに関し
ては、ＰＩエネルギー制御アルゴリズムを一時保留し、
次式に置き換えられる。パルスｊに関して、
【００２８】
【数５】
【００２９】但し、ＶDither＝ 固定された電圧増加値
で、数ボルトが一般的。パルスｊ＋１に関しては、
で、数ボルトが一般的。パルスｊ＋１に関しては、
【００３０】
【数６】
【００３１】パルスｊ＋１の後、ｄＥ／ｄＶを計算す
る。
る。
【００３２】
【数７】
【００３３】ｄＥ／ｄＶの計算は非常にノイジーにな
る。何故なら、ディザリング電圧が原因で予想されるエ
ネルギー変化は、レーザーの正常なエネルギーバリエー
ションと同じ強さとなる得るからである。好適実施例
で、最後の５０回のｄＥ／ｄＶ計算の連続平均値には、
実際にはＰＩとＫＰＩアルゴリズムが用いられる。Ｖ
Dither選択のために好ましい方法では、エネルギー目標
ＥT の数パーセントを代表的とする、望ましいエネルギ
ーディザーＥDitherを指定し、その後ｄＥ／ｄＶに関す
る現在値（平均値）を使って、Ｖditherを計算する。
る。何故なら、ディザリング電圧が原因で予想されるエ
ネルギー変化は、レーザーの正常なエネルギーバリエー
ションと同じ強さとなる得るからである。好適実施例
で、最後の５０回のｄＥ／ｄＶ計算の連続平均値には、
実際にはＰＩとＫＰＩアルゴリズムが用いられる。Ｖ
Dither選択のために好ましい方法では、エネルギー目標
ＥT の数パーセントを代表的とする、望ましいエネルギ
ーディザーＥDitherを指定し、その後ｄＥ／ｄＶに関す
る現在値（平均値）を使って、Ｖditherを計算する。
【００３４】
【数８】
【００３５】パルスｊ＋２（２つのディザーされたパル
スの直後に続く）はディザーされることがなく、特別な
値を有する。
スの直後に続く）はディザーされることがなく、特別な
値を有する。
【００３６】
【数９】
【００３７】Ｖj+2 に関するこの特別な値を、適用され
る電圧ディザーとパルスｊ＋１から予想されるエネルギ
ーディザーの両方に関して修正する。 パルスエネルギー検知 図１に示すように、フォト検知器４６はレーザー１２の
出力装置におけるレーザービームをサンプルし、フォト
検知器４４はレチクルの丁度上流のレーザービームをサ
ンプルする。フォト検知器のどちらか一方あるいは両方
が、パルスエネルギーとバーストエネルギーを制御する
上記制御アルゴリズム用のパルスエネルギー信号を提供
するために、使われる。好適実施例の中で、出願者はレ
チクル近くのフォト検知器４４を用いている。この検知
器を使うことの利点は、レチクルの受け取るエネルギー
に基づいてシステム全体が制御されることにある。不利
な点は、光学列に起因する問題によって、制御アルゴリ
ズムがあまりに多くのエネルギーをレーザーから求める
結果となるかもしれないことである。この潜在的な問題
を最小限に押さえるため、付加的な電圧制御を挿入して
上記のアルゴリズムを変更し、フォト検知器４６で測定
されるパルスエネルギーを、例えば目標出力ＥT ±２ｍ
Ｊぐらいの範囲に制限する。上限値を越えれば、光学列
に問題があることを示している。下限値を読み取るよう
ならば、検知器の１つに問題があることを示す。レーザ
ー或いはステッパー制御は、もしこれら限界値の１つに
到達した場合に警告信号を発するようにプログラムされ
るか、そうでなければ検知器４６により測定されるパル
スエネルギーが上限値に近づくと、電圧制御アルゴリズ
ムがフォト検知器４６に基づき充電圧を制限するように
変更されることになる。 第２好適実施例 スキャナーシステム 図９は、集積回路のリソグラフィーでの焼き付け用のス
キャナーシステムの略図である。略図はスキャナーシス
テムと称されるシステム及びステップアンドスキャンシ
ステムと称されるタイプのシステムを表している。スキ
ャナーシステムとステップアンドスキャンシステムの双
方で、ウエハレベルのレンズフィールドは、２３に示さ
れた例えば、約２６Ｘ８ｍｍの長い長方形に形成され
る。照射の間、レチクルとウエハ両者は反対位置で同時
にスキャンされ、２２に示された例えば２６−Ｘ３３ｍ
ｍのイメージフィールドを露光する。スキャナーシステ
ムの場合、ウエハがウエハの一方の側から他方の側まで
連続的にスキャンする一方、レチクルはレチクル返しの
イメージフィールドを照射するため、レーザーバースト
の間反対方向へステップ送りでスキャンする。ステップ
アンドスキャンシステムでは、ウエハとレチクルの両方
が照射の合間にステップ送りされ、照射期間中には反対
方向にスキャンされる。
る電圧ディザーとパルスｊ＋１から予想されるエネルギ
ーディザーの両方に関して修正する。 パルスエネルギー検知 図１に示すように、フォト検知器４６はレーザー１２の
出力装置におけるレーザービームをサンプルし、フォト
検知器４４はレチクルの丁度上流のレーザービームをサ
ンプルする。フォト検知器のどちらか一方あるいは両方
が、パルスエネルギーとバーストエネルギーを制御する
上記制御アルゴリズム用のパルスエネルギー信号を提供
するために、使われる。好適実施例の中で、出願者はレ
チクル近くのフォト検知器４４を用いている。この検知
器を使うことの利点は、レチクルの受け取るエネルギー
に基づいてシステム全体が制御されることにある。不利
な点は、光学列に起因する問題によって、制御アルゴリ
ズムがあまりに多くのエネルギーをレーザーから求める
結果となるかもしれないことである。この潜在的な問題
を最小限に押さえるため、付加的な電圧制御を挿入して
上記のアルゴリズムを変更し、フォト検知器４６で測定
されるパルスエネルギーを、例えば目標出力ＥT ±２ｍ
Ｊぐらいの範囲に制限する。上限値を越えれば、光学列
に問題があることを示している。下限値を読み取るよう
ならば、検知器の１つに問題があることを示す。レーザ
ー或いはステッパー制御は、もしこれら限界値の１つに
到達した場合に警告信号を発するようにプログラムされ
るか、そうでなければ検知器４６により測定されるパル
スエネルギーが上限値に近づくと、電圧制御アルゴリズ
ムがフォト検知器４６に基づき充電圧を制限するように
変更されることになる。 第２好適実施例 スキャナーシステム 図９は、集積回路のリソグラフィーでの焼き付け用のス
キャナーシステムの略図である。略図はスキャナーシス
テムと称されるシステム及びステップアンドスキャンシ
ステムと称されるタイプのシステムを表している。スキ
ャナーシステムとステップアンドスキャンシステムの双
方で、ウエハレベルのレンズフィールドは、２３に示さ
れた例えば、約２６Ｘ８ｍｍの長い長方形に形成され
る。照射の間、レチクルとウエハ両者は反対位置で同時
にスキャンされ、２２に示された例えば２６−Ｘ３３ｍ
ｍのイメージフィールドを露光する。スキャナーシステ
ムの場合、ウエハがウエハの一方の側から他方の側まで
連続的にスキャンする一方、レチクルはレチクル返しの
イメージフィールドを照射するため、レーザーバースト
の間反対方向へステップ送りでスキャンする。ステップ
アンドスキャンシステムでは、ウエハとレチクルの両方
が照射の合間にステップ送りされ、照射期間中には反対
方向にスキャンされる。
【００３８】１０００Ｈｚ、１０ｍＪのパルスでの典型
的な照射時間は、約２５０ｍｓである。ウエハのスキャ
ン速度は、約２００ｍｍ／秒すなわち約２ｍｍ／ｍｓの
範囲にある。レンズフィールドは幅約８ｍｍなので、ウ
エハ上の各ポイントの照射時間は約４０ｍｓとなり、ウ
エハの目標区域の各地点は約４０のパルスを受ける。こ
れらのパルスはステッパーのレンズフィールドの断面積
の約１／３のエリアに向けて焦点を合わされているの
で、ウエハの各地点の線量エネルギーの合計は、ステッ
パーとスキャナーの両方ともほぼ同じになる。 ステッパーエネルギー制御 図７は、ステッパーとレーザーの両方にフォト検知器を
使いステッパーを制御する好適パルスエネルギー制御ア
ルゴリズムにおける、主要ステップを示すフローチャー
トである。パルスＮ用に充電圧を設定するため、ステッ
パーのエネルギーＥS とレーザーのエネルギーＥL を測
定し、ステップ５０として示す。Ｎ−１パルスに対する
エネルギーエラーE とＮ−１パルスまでの線量エラーを
計算するのがステップ５２である。
的な照射時間は、約２５０ｍｓである。ウエハのスキャ
ン速度は、約２００ｍｍ／秒すなわち約２ｍｍ／ｍｓの
範囲にある。レンズフィールドは幅約８ｍｍなので、ウ
エハ上の各ポイントの照射時間は約４０ｍｓとなり、ウ
エハの目標区域の各地点は約４０のパルスを受ける。こ
れらのパルスはステッパーのレンズフィールドの断面積
の約１／３のエリアに向けて焦点を合わされているの
で、ウエハの各地点の線量エネルギーの合計は、ステッ
パーとスキャナーの両方ともほぼ同じになる。 ステッパーエネルギー制御 図７は、ステッパーとレーザーの両方にフォト検知器を
使いステッパーを制御する好適パルスエネルギー制御ア
ルゴリズムにおける、主要ステップを示すフローチャー
トである。パルスＮ用に充電圧を設定するため、ステッ
パーのエネルギーＥS とレーザーのエネルギーＥL を測
定し、ステップ５０として示す。Ｎ−１パルスに対する
エネルギーエラーE とＮ−１パルスまでの線量エラーを
計算するのがステップ５２である。
【００３９】この実施例で出願者は、最初の４０パルス
の各々に対する４セットのビン値を持っており、そのビ
ン値のセットはバースト間の時間間隔に基づいて選択さ
れるが、このビン値は、レーザー毎に固有でしかもパル
ス寿命を通じて変化する。レーザー作動につれ、ビン値
をエネルギー制御アルゴリズムで継続的に更新する。Ｎ
がＫ以下の場合、本ケースは４０パルスであるが、線量
エラーとエネルギーエラーを、ｄＥ／ｄＶの平均値と充
電圧のビン値と共に使用して、ステップ５４に示したＶ
N を計算する。ＮがＫより大きい場合、ステップ５６に
示すように、先行する電圧値をビン値の代わりに使用す
る。ｄＥ／ｄＶの測定をステップ５８に示す。この好適
実施例では、制御ユニットがレーザーの所で測定された
パルスエネルギーを調べるが、先行パルスが目標エネル
ギーから±２ｍＪ以上ずれた場合、ステップ６０に示す
ように再び±２ｍＪ以上それることがないと保証するよ
うに次のパルスの電圧セットが選択されることになろ
う。低いエネルギーまたは高いエネルギーもステッパー
のソフトウエアに報告されることになる。 スキャナーエネルギー制御アルゴリズム 図８はスキャナーのパルスエネルギーを制御するための
類似のプランを示す。これはステッパーに関して図７で
示したものと本質的には同じである。相違点は（ステッ
プ６２に示す）Ｋパルス（好適実施例ではＫ＝４０）の
後に、線量の計算Ｄ＊N-1 が最新の４０パルスだけを使
ってなされる点である。これは、ウエハ上の各ポイント
が４０パルスを受け取るようなスキャン率という条件下
でのスキャニングプランに基づいている。 バリエーション 上述のアルゴリズムに関しては様々なバリエーションが
可能である。例えばレーザーの出力装置に位置するパル
スエネルギー検知器は、図７と図８に示されたアルゴリ
ズム中で使用可能であり、またステップ６０に示す計算
に対しても、範囲を狭めて使用可能である。アルゴリズ
ムに対する多くの他の変更が、本開示で教示された一般
的な原理の範囲内でなされようことは、当業者に自明で
あろう。アルゴリズムに関しては、ｄＥ／ｄＶはＫ域は
もとよりＬ域でも決定できる。ディザリングはバースト
毎に１回、または数回行われてもよい。ディザリングの
順序は上述のように固定パルス番号ｊで行われてもよい
し、或いは１つのバーストから次のバーストまでの間に
様々に変えて無作為に選んだパルス番号に対して開始し
てもよい。
の各々に対する４セットのビン値を持っており、そのビ
ン値のセットはバースト間の時間間隔に基づいて選択さ
れるが、このビン値は、レーザー毎に固有でしかもパル
ス寿命を通じて変化する。レーザー作動につれ、ビン値
をエネルギー制御アルゴリズムで継続的に更新する。Ｎ
がＫ以下の場合、本ケースは４０パルスであるが、線量
エラーとエネルギーエラーを、ｄＥ／ｄＶの平均値と充
電圧のビン値と共に使用して、ステップ５４に示したＶ
N を計算する。ＮがＫより大きい場合、ステップ５６に
示すように、先行する電圧値をビン値の代わりに使用す
る。ｄＥ／ｄＶの測定をステップ５８に示す。この好適
実施例では、制御ユニットがレーザーの所で測定された
パルスエネルギーを調べるが、先行パルスが目標エネル
ギーから±２ｍＪ以上ずれた場合、ステップ６０に示す
ように再び±２ｍＪ以上それることがないと保証するよ
うに次のパルスの電圧セットが選択されることになろ
う。低いエネルギーまたは高いエネルギーもステッパー
のソフトウエアに報告されることになる。 スキャナーエネルギー制御アルゴリズム 図８はスキャナーのパルスエネルギーを制御するための
類似のプランを示す。これはステッパーに関して図７で
示したものと本質的には同じである。相違点は（ステッ
プ６２に示す）Ｋパルス（好適実施例ではＫ＝４０）の
後に、線量の計算Ｄ＊N-1 が最新の４０パルスだけを使
ってなされる点である。これは、ウエハ上の各ポイント
が４０パルスを受け取るようなスキャン率という条件下
でのスキャニングプランに基づいている。 バリエーション 上述のアルゴリズムに関しては様々なバリエーションが
可能である。例えばレーザーの出力装置に位置するパル
スエネルギー検知器は、図７と図８に示されたアルゴリ
ズム中で使用可能であり、またステップ６０に示す計算
に対しても、範囲を狭めて使用可能である。アルゴリズ
ムに対する多くの他の変更が、本開示で教示された一般
的な原理の範囲内でなされようことは、当業者に自明で
あろう。アルゴリズムに関しては、ｄＥ／ｄＶはＫ域は
もとよりＬ域でも決定できる。ディザリングはバースト
毎に１回、または数回行われてもよい。ディザリングの
順序は上述のように固定パルス番号ｊで行われてもよい
し、或いは１つのバーストから次のバーストまでの間に
様々に変えて無作為に選んだパルス番号に対して開始し
てもよい。
【００４０】読者はＡ、Ｂ、Ｃが収束因子であり、他に
多く値をとり得ることを認識すべきである。上記の指定
より高い値は迅速な収束をもたらすが、不安定さが増す
原因となる。また別の実施例では、Ａ＝（２Ｂ）1/2 で
ある。この関係式は認知された技術から発展したもの
で、臨界減衰を発生させる。線量の修正がない場合、Ｂ
はゼロとなり得るが、Ａはアルゴリズムの線量伝達部分
に関する減衰項を与えるので、ゼロになり得ない。決定
されたｄＥ／ｄＶの値が小さすぎると、上記アルゴリズ
ムは過修正を生じさせる。従って、エネルギーシグマ値
がしきい値を越す場合、好ましい技法ではｄＥ／ｄＶを
随意に２倍にする。ＶとｄＥ／ｄＶのデフォルト値をバ
ーストの最初のパルスに与える。Ｄは各バースト開始時
にゼロに設定する。ｄＥ／ｄＶのデフォルト値は、初期
の過修正を避けるため、予想されるｄＥ／ｄＶの約３倍
に設定する。
多く値をとり得ることを認識すべきである。上記の指定
より高い値は迅速な収束をもたらすが、不安定さが増す
原因となる。また別の実施例では、Ａ＝（２Ｂ）1/2 で
ある。この関係式は認知された技術から発展したもの
で、臨界減衰を発生させる。線量の修正がない場合、Ｂ
はゼロとなり得るが、Ａはアルゴリズムの線量伝達部分
に関する減衰項を与えるので、ゼロになり得ない。決定
されたｄＥ／ｄＶの値が小さすぎると、上記アルゴリズ
ムは過修正を生じさせる。従って、エネルギーシグマ値
がしきい値を越す場合、好ましい技法ではｄＥ／ｄＶを
随意に２倍にする。ＶとｄＥ／ｄＶのデフォルト値をバ
ーストの最初のパルスに与える。Ｄは各バースト開始時
にゼロに設定する。ｄＥ／ｄＶのデフォルト値は、初期
の過修正を避けるため、予想されるｄＥ／ｄＶの約３倍
に設定する。
【００４１】上述のディザー無しでｄＥ／ｄＶを決定す
るための代替的方法は、レーザー作動中にエネルギーと
電圧値を単に測定してストアすることである。（指定電
圧ではなく測定電圧値を使用してもよい。）これらのデ
ータは、一定パルスエネルギーに関するＶの関数として
ｄＥ／ｄＶを決定するために使用できる。値の構成要素
は重大な不確実性を有する測定値の差異であるため、ｄ
Ｅ／ｄＶの各個別の値はかなり大きな不確実性を含むこ
とに読者は気づかねばならない。ｄＥ／ｄＶを決めるデ
ィザー行使をバースト毎にする必要はなく、代わりにＭ
バースト毎に１回という具合に周期的に行うことができ
る。或いは、ｄＥ／ｄＶの測定をコンピューターが実行
する計算と置き換えてもよいし、またＶN+1 の計算のた
めにオペレーターが先行パルスのｄＥ／ｄＶ値を手動で
挿入することもできる。代替的なアプローチでは、この
制御システムに関するＶN 用に実際の測定値を使用する
ことになる。またＶBIN 値は指定された値から計算さ
れ、上記の実施例では実測値ではない。明確な代替法は
測定電圧値を使用することになろう。ＥT は普通１０ｍ
Ｊのような一定値であるが、一定である必要はない。例
えば、最後の１０パルスのＥT は公称のパルスエネルギ
ーよりも小さくなり得るから、これらのパルスに関する
目標ＥT からのパーセンテージ偏差は、積分されたパル
ス線量に対しより小さな影響しか持たない。状況によ
り、コンピューターコントローラー２２をプログラム
し、バースト間で変わるＥT 値を提供するのがよい。
るための代替的方法は、レーザー作動中にエネルギーと
電圧値を単に測定してストアすることである。（指定電
圧ではなく測定電圧値を使用してもよい。）これらのデ
ータは、一定パルスエネルギーに関するＶの関数として
ｄＥ／ｄＶを決定するために使用できる。値の構成要素
は重大な不確実性を有する測定値の差異であるため、ｄ
Ｅ／ｄＶの各個別の値はかなり大きな不確実性を含むこ
とに読者は気づかねばならない。ｄＥ／ｄＶを決めるデ
ィザー行使をバースト毎にする必要はなく、代わりにＭ
バースト毎に１回という具合に周期的に行うことができ
る。或いは、ｄＥ／ｄＶの測定をコンピューターが実行
する計算と置き換えてもよいし、またＶN+1 の計算のた
めにオペレーターが先行パルスのｄＥ／ｄＶ値を手動で
挿入することもできる。代替的なアプローチでは、この
制御システムに関するＶN 用に実際の測定値を使用する
ことになる。またＶBIN 値は指定された値から計算さ
れ、上記の実施例では実測値ではない。明確な代替法は
測定電圧値を使用することになろう。ＥT は普通１０ｍ
Ｊのような一定値であるが、一定である必要はない。例
えば、最後の１０パルスのＥT は公称のパルスエネルギ
ーよりも小さくなり得るから、これらのパルスに関する
目標ＥT からのパーセンテージ偏差は、積分されたパル
ス線量に対しより小さな影響しか持たない。状況によ
り、コンピューターコントローラー２２をプログラム
し、バースト間で変わるＥT 値を提供するのがよい。
【００４２】計算の線量制御をＥS の代ってＥL に基づ
いて行ったり、ＥL に基づく制限を排除したり、或いは
範囲をより小さくまたはより長くしたりもできる。上述
のように、コンピューターコントローラーは、レーザー
の作動に伴い実際に収集されるデータに基づきビン値Ｖ
を自動更新するようプログラム化されるのが望ましい。
ｄＥ／ｄＶ、ＶN 、ＥN が分かると、特定パルスＮにつ
いてＥＴを生成するであろう電圧をコンピューターが決
めることは簡単になる。バースト初期段階の過渡現象は
バーストとバーストの間の時間的合間に影響される。従
って、少なくとも３セットのビン値を確立しこの時間的
間隔を基に使うのが好ましい。例えば、異なるビン値の
セットを以下のバースト間の時間間隔、（１）０から１
秒（２）１から１０秒、（３）１０から６０秒、（４）
６０秒以上、の各々に確立できよう。
いて行ったり、ＥL に基づく制限を排除したり、或いは
範囲をより小さくまたはより長くしたりもできる。上述
のように、コンピューターコントローラーは、レーザー
の作動に伴い実際に収集されるデータに基づきビン値Ｖ
を自動更新するようプログラム化されるのが望ましい。
ｄＥ／ｄＶ、ＶN 、ＥN が分かると、特定パルスＮにつ
いてＥＴを生成するであろう電圧をコンピューターが決
めることは簡単になる。バースト初期段階の過渡現象は
バーストとバーストの間の時間的合間に影響される。従
って、少なくとも３セットのビン値を確立しこの時間的
間隔を基に使うのが好ましい。例えば、異なるビン値の
セットを以下のバースト間の時間間隔、（１）０から１
秒（２）１から１０秒、（３）１０から６０秒、（４）
６０秒以上、の各々に確立できよう。
【００４３】次の論文、即ち、日本応用物理学会誌３４
巻（１９９５年）の６５６５ページから６５７２ページ
に、Ｋ．鈴木他が著した「パルス化したエネルギー変動
と露光された位置ジターを利用したスキャニング露光の
ための線量制御」、１９９７年３月の光学的マイクロリ
ソグラフィーに関するＳＰＩＥシンポジウムで、Ｇ．ｄ
ｅＺｗａｒｔ他が著した「ＤＵＶリソグラフィーのため
のステップとスキャンシステムの性能」を、線量制御の
ためのスキャニングシステムの光学器と方法についての
詳細な情報を付加的に提供するため参照用として掲げ
る。本発明の特定実施例を示して説明したが、より広範
な状況で本発明からはずれることなく、変更や修正をな
し得ることは当業者に明らかであり、従って本願に付随
する請求項は、本発明の真髄と範囲内にあるこうした変
更と修正の全てを含むものである。
巻（１９９５年）の６５６５ページから６５７２ページ
に、Ｋ．鈴木他が著した「パルス化したエネルギー変動
と露光された位置ジターを利用したスキャニング露光の
ための線量制御」、１９９７年３月の光学的マイクロリ
ソグラフィーに関するＳＰＩＥシンポジウムで、Ｇ．ｄ
ｅＺｗａｒｔ他が著した「ＤＵＶリソグラフィーのため
のステップとスキャンシステムの性能」を、線量制御の
ためのスキャニングシステムの光学器と方法についての
詳細な情報を付加的に提供するため参照用として掲げ
る。本発明の特定実施例を示して説明したが、より広範
な状況で本発明からはずれることなく、変更や修正をな
し得ることは当業者に明らかであり、従って本願に付随
する請求項は、本発明の真髄と範囲内にあるこうした変
更と修正の全てを含むものである。
【図１】ウエハのすぐ近くとレーザーシステム内とに光
度モニターを有するように変更された、レーザーシステ
ムとステッパー／スキャナー露光システムを示す。
度モニターを有するように変更された、レーザーシステ
ムとステッパー／スキャナー露光システムを示す。
【図２】レーザー出力を調整用に使われるフィードバッ
クシステムを一般的に示す。
クシステムを一般的に示す。
【図３】レーザー出力を制御の際、２つの検知器からの
信号の使用を表す第１フローチャートである。
信号の使用を表す第１フローチャートである。
【図４】エキシマレーザー用の好適パルスパワーシステ
ムを簡略化した電気回路線図である。
ムを簡略化した電気回路線図である。
【図５】充電圧の関数としてのｄＥ／ｄＶのグラフであ
る。
る。
【図６】フッ素濃度の関数としてのｄＥ／ｄＶのグラフ
である。
である。
【図７】１つはステッパー内、他の１つはレーザー出力
部分にある２つの検知器を使ってレーザーを制御する特
定アルゴリズムを提供する第２フローチャーである。
部分にある２つの検知器を使ってレーザーを制御する特
定アルゴリズムを提供する第２フローチャーである。
【図８】図７に類似のフローチャートで、制御アルゴリ
ズムがスキャナー用に望ましいという点のみ異なる。
ズムがスキャナー用に望ましいという点のみ異なる。
【図９】スキャナーシステムを示す。
６．．．電極棒 １０．．．エキシマレーザー １１．．．高電圧供給装置 １２．．．レーザー １３．．．トリガーサーキット １４．．．レーザーコントローラー ２０．．．ステッパー ２１．．．レーザービーム ２２．．．ウエハ ２４．．．Ｘ−Ｙテーブル ２６．．．Ｘ−Ｙテーブルコントローラー ２７．．．パルスコントローラー ２８、２９、４５．．．鏡 ３０．．．コンジット ３２．．．ビームコンディショナー ３４．．．ビームコンデンサー ３６．．．レチクル ３８．．．部分反射鏡 ３９．．．レンズ ４０．．．焦点合わせ光学器 ４４、４６．．．フォト検知器 ４７．．．シャッター ４８．．．コンピュータープロセッサー ５６、６２．．．サンプルアンドホールド回路 ５８、６４．．．Ａ／Ｄコンバーター ５９．．．サンプルクロック ６０．．．プロセッサー ６１．．．プログラム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イーゴー ヴィー フォメンコフ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92129 サン ディエゴ ジャーナル ウェイ 14390 (72)発明者 ハーヴィー エイ ビソーセル アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92037 ラ ジョラ ヴィア ソノマ 8354 アパートメント ディー (72)発明者 ロバート ジー オザルスキー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92064 ポーウェイ レイク ポーウェ イ ロード 13894 (56)参考文献 特開 平10−125591（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−92744（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−229038（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−250402（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−83057（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 505 G03F 7/22
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザー光パルスＰ1 、Ｐ2 、．．．．
ＰN-1 、ＰN を生成するパルスパワーシステムを有する
レーザーであって、前記パルスパワーシステムが充電圧
を定める高電圧充電システムを有する、そうしたレーザ
ーと、前記レーザーにより生成された光パルスを受ける
ウエハ露光システムであって、前記露光システムが前記
レーザーとマスクの間に光学要素を提供し、前記光学要
素が、前記レーザーから発せられた前記光パルスを前記
マスクに当たる前に減衰させる、そのようなウエハ露光
システムと、出ていくレーザー光パルスの少なくとも一
部を前記光学要素の少なくとも１つの個所でしかも前記
光パルスが前記マスクに当たる以前に受けるように前記
露光システム内に置かれた第１光度検知器と、前記レー
ザーからのレーザー光パルス出力の少なくとも一部を受
けるように、前記レーザーのすぐ近くに置かれた第２光
度検知器と、前記第１光度検知器と前記第２光度検知器
の少なくとも１つの出力装置であって、レーザー光に対
し半導体ウエハを露光制御するのに使われる出力装置
と、充電圧を定める高電圧充電システムを持つパルスパ
ワーシステムを有した前記レーザーからの現在のバース
トパルスＰ1 、Ｐ2 、．．ＰN-1 、ＰN を定めるパルス
の線量における積分されたエネルギー線量とパルスエネ
ルギーとを制御するためのアルゴリズムでプログラムさ
れたプロセッサーとから成り、前記アルゴリズムは、
（Ａ）前記のパルスバーストでの各パルスのエネルギー
を測定する段階と、（Ｂ）充電圧に対するパルスエネル
ギーの変化率、ｄＥ／ｄＶを決める段階と、（Ｃ）前記
パルスバーストでの１つ以上の複数パルス群中の各パル
スＰN のパルスエネルギーを、或るアルゴリズムでプロ
グラムされたコンピュータープロセッサーを利用して、
レーザーの充電圧を調整することで制御する段階とから
成り、前記或るアルゴリズムは、（１）各ＰN に対し、
パルスエネルギーエラーE を前記バースト中での少なく
とも１つ以前のパルスの測定エネルギーと所定の目標パ
ルスエネルギー値に基づいて決定し、（２）各ＰN+1 に
対し、前記バースト中で先行した全パルスＰ1 からＰN
によって積分された線量エラーＤを決定し、（３）ｉ）
前記ｄＥ／ｄＶ、ｉｉ）前記Ｅ、ｉｉｉ）前記Ｄ、ｉ
Ｖ）少なくとも１つの基準電圧を使用して、前記の第１
複数パルスの中の前記パルスＰN+1 の各々に対し、充電
圧ＶN+1 を決定することを特徴とする半導体ウエハ製造
システム。 - 【請求項２】 充電圧を定める高電圧充電システムを持
つパルスパワーシステムを有したエキシマレーザーから
の現在のバーストパルスＰ1 、Ｐ2 、．．Ｐ N 、
ＰN+1 ．．ＰF を定めるパルスバーストにおける積分さ
れたエネルギー線量とパルスエネルギーとを制御するた
めのシステムにおいて、前記アルゴリズムが（Ａ）前記
パルスバースト中の各パルスのエネルギーを測定する段
階と、（Ｂ）充電圧に対するパルスエネルギーの変化率
ｄＥ／ｄＶを決める段階と、（Ｃ）前記パルスバースト
でのＰk を定義する最初のＫパルス群の中の各パルスＰ
N のパルスエネルギーを、或るアルゴリズムでプログラ
ムされたコンピュータープロセッサーを利用して、レー
ザーの充電圧を調整することで制御する段階と、（Ｄ）
前記パルスバーストでのＰk に続くパルス群の中の各パ
ルスＰN+1 のパルスエネルギーを別のアルゴリズムでプ
ログラムされたコンピュータープロセッサーを利用して
レーザーの充電圧を調整することで制御する段階とから
成り、更に、前記（Ｃ）における前記或るアルゴリズム
は、（１）各ＰN+1 に対し、パルスエネルギーエラーＥ
を、前記バースト中での少なくとも１つ以前のパルスの
測定エネルギーと所定の目標パルスエネルギー値に基づ
いて決定し、（２）各ＰN+1 に対し、前記バースト中に
先行した全パルスＰ1 からＰN によって積分された線量
エラーＤを決定し、（３）ｉ）前記ｄＥ／ｄＶ、ｉｉ）
前記Ｅ、ｉｉｉ）前記Ｄ、ｉＶ）複数の先行バースト中
のＰN+1 に対し指定した電圧に基づく基準電圧を使っ
て、前記の第１複数パルスの中の前記パルスＰN+1 の各
々に対し充電圧ＶN+1 を決定するものであり、又前記
（Ｄ）における前記別のアルゴリズムは、（１）各Ｐ
N+1 に対し、パルスエネルギーエラーＥを、前記バース
ト中での少なくとも１つ以前のパルスの測定エネルギー
と、所定の目標パルスエネルギー値とにもとづいて決定
し、（２）各ＰN+1 に対し、前記バースト中で先行した
全パルスＰ1 からＰN により積分された線量エラーＤを
決定し、（３）ｉ）前記ｄＥ／ｄＶ、ｉｉ）前記Ｅ、ｉ
ｉｉ）前記Ｄ、ｉＶ）パルスＰN のために指定した電圧
に基づく基準電圧を使用して、前記第一複数パルスの中
の前記パルスＰN+1 の各々に対し充電圧ＶN+1 を決定す
ることを特徴とするシステム。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/908,862 US6141081A (en) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | Stepper or scanner having two energy monitors for a laser |
| US09/034,870 US6005879A (en) | 1997-04-23 | 1998-03-04 | Pulse energy control for excimer laser |
| US09/034870 | 1998-05-19 | ||
| US08/908862 | 1998-05-19 | ||
| US09/081374 | 1998-05-19 | ||
| US09/081,374 US6067306A (en) | 1997-08-08 | 1998-05-19 | Laser-illuminated stepper or scanner with energy sensor feedback |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11154642A JPH11154642A (ja) | 1999-06-08 |
| JP2963692B2 true JP2963692B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=27364746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10226136A Expired - Fee Related JP2963692B2 (ja) | 1997-08-08 | 1998-08-10 | エネルギーセンサーフィードバックによるレーザー照射式ステッパー若しくはスキャナー |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1010040B1 (ja) |
| JP (1) | JP2963692B2 (ja) |
| AU (1) | AU8763998A (ja) |
| WO (1) | WO1999008156A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004526334A (ja) * | 2001-05-11 | 2004-08-26 | サイマー， インコーポレイテッド | ４ＫＨｚガス放電レーザシステム |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000232249A (ja) | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Nikon Corp | レーザ出力制御方法、レーザ装置および露光装置 |
| US6392743B1 (en) * | 2000-02-29 | 2002-05-21 | Cymer, Inc. | Control technique for microlithography lasers |
| KR100630703B1 (ko) | 2004-10-15 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 레이저빔의 파장 제어 시스템 및 그 제어방법 |
| US9939732B2 (en) * | 2015-10-27 | 2018-04-10 | Cymer, Llc | Controller for an optical system |
| DE102019208386A1 (de) * | 2019-06-07 | 2020-12-10 | Infineon Technologies Ag | Steuersystem und Verfahren für Laserabtastung |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5191374A (en) * | 1988-11-17 | 1993-03-02 | Nikon Corporation | Exposure control apparatus |
| JP2631080B2 (ja) * | 1993-10-05 | 1997-07-16 | 株式会社小松製作所 | レーザ装置の出力制御装置 |
| JPH08250402A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
| KR100210569B1 (ko) * | 1995-09-29 | 1999-07-15 | 미따라이 하지메 | 노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법 |
| JPH09320932A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Nikon Corp | 露光量制御方法及び装置 |
-
1998
- 1998-07-31 AU AU87639/98A patent/AU8763998A/en not_active Abandoned
- 1998-07-31 EP EP98939150A patent/EP1010040B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-31 WO PCT/US1998/015974 patent/WO1999008156A1/en active IP Right Grant
- 1998-08-10 JP JP10226136A patent/JP2963692B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004526334A (ja) * | 2001-05-11 | 2004-08-26 | サイマー， インコーポレイテッド | ４ＫＨｚガス放電レーザシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1010040A4 (en) | 2005-09-14 |
| AU8763998A (en) | 1999-03-01 |
| EP1010040A1 (en) | 2000-06-21 |
| WO1999008156A1 (en) | 1999-02-18 |
| EP1010040B1 (en) | 2009-06-24 |
| WO1999008156A8 (en) | 1999-05-14 |
| JPH11154642A (ja) | 1999-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6067306A (en) | Laser-illuminated stepper or scanner with energy sensor feedback | |
| KR100531581B1 (ko) | 에너지 센서 피드백을 갖는 레이저가 조명되는 스테퍼또는 스캐너 | |
| US6721039B2 (en) | Exposure method, exposure apparatus and device producing method | |
| JP3235078B2 (ja) | 走査露光方法、露光制御装置、走査型露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| JP2001148344A (ja) | 露光装置、エネルギ源の出力制御方法、該方法を用いるレーザ装置、及びデバイス製造方法 | |
| JPH09148216A (ja) | 露光量制御方法 | |
| JP2682067B2 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| KR102213153B1 (ko) | 광빔의 코히어런스의 양의 조정 방법 | |
| JP2963692B2 (ja) | エネルギーセンサーフィードバックによるレーザー照射式ステッパー若しくはスキャナー | |
| JP2902172B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2008153645A (ja) | パルス放射線源の放出される放射線の出力の平均を安定化するための方法及び装置 | |
| JP3238737B2 (ja) | 被照明部材の温度制御方法およびその装置 | |
| JP2785157B2 (ja) | 光量制御装置および露光装置 | |
| JPS61154128A (ja) | 露光装置 | |
| JP3197486B2 (ja) | 露光量制御方法および装置 | |
| JP3428966B2 (ja) | 露光量制御装置 | |
| US20020191172A1 (en) | Laser output control method, laser apparatus and exposure apparatus | |
| JP4027205B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2636321B2 (ja) | 光量調整装置および光量調整方法 | |
| JP3296484B2 (ja) | 走査露光方法、走査型露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| JP2000306820A (ja) | 露光装置、露光方法、及びレーザ光源 | |
| JPH08255741A (ja) | 露光装置 | |
| JP3344477B2 (ja) | 走査露光方法、レーザ装置、走査型露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| JPH10223513A (ja) | 走査型露光装置 | |
| JP3301412B2 (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080806 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090806 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |