JP3016317B2 - 可変利得増幅器 - Google Patents
可変利得増幅器Info
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- JP3016317B2 JP3016317B2 JP5018304A JP1830493A JP3016317B2 JP 3016317 B2 JP3016317 B2 JP 3016317B2 JP 5018304 A JP5018304 A JP 5018304A JP 1830493 A JP1830493 A JP 1830493A JP 3016317 B2 JP3016317 B2 JP 3016317B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は可変利得増幅器に関し、
特に集積回路で使用する自動利得制御回路の可変利得増
幅器に関する。
特に集積回路で使用する自動利得制御回路の可変利得増
幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の可変利得増幅器の一例は、例えば
図3に示すように、トランジスタQ23,Q24から成
る第1の差動対と、トランジスタQ25,Q26から成
る第2の差動対とで構成される利得制御電圧を入力とす
る双差動対とを設け、トランジスタQ21,Q22とエ
ミッタに挿入された抵抗RE21,RE22から成り、
極性の異なる信号vをそれぞれのベースの入力とする第
3の差動対のコレクタを前記双差動対のそれぞれの共通
エミッタに接続した構成を有している。
図3に示すように、トランジスタQ23,Q24から成
る第1の差動対と、トランジスタQ25,Q26から成
る第2の差動対とで構成される利得制御電圧を入力とす
る双差動対とを設け、トランジスタQ21,Q22とエ
ミッタに挿入された抵抗RE21,RE22から成り、
極性の異なる信号vをそれぞれのベースの入力とする第
3の差動対のコレクタを前記双差動対のそれぞれの共通
エミッタに接続した構成を有している。
【0003】前記第3の差動対のエミッタに接続された
抵抗RE21,RE22は互いに接続されると共に、定
電流I0の電流源J21に接続され、出力信号v0は双
差動対のコレクタに挿入された抵抗RL21から取り出
す。図3の可変利得増幅器において、バイアスされた状
態ではトランジスタQ23,Q24,Q25,Q26か
ら成る双差動対のそれぞれのコレクタに流れる電流は互
いに等しい。
抵抗RE21,RE22は互いに接続されると共に、定
電流I0の電流源J21に接続され、出力信号v0は双
差動対のコレクタに挿入された抵抗RL21から取り出
す。図3の可変利得増幅器において、バイアスされた状
態ではトランジスタQ23,Q24,Q25,Q26か
ら成る双差動対のそれぞれのコレクタに流れる電流は互
いに等しい。
【0004】ここで、入力端子21,22に入力される
制御電圧の電圧差がVAだけ変化してトランジスタQ2
3に流れる電流IQ23とトランジスタQ24に流れる
電流IQ24の比がA:1になったとすれば、図3の可
変利得増幅器の電圧利得GVは、電流源J21の値をI
0として、次式のようになる。
制御電圧の電圧差がVAだけ変化してトランジスタQ2
3に流れる電流IQ23とトランジスタQ24に流れる
電流IQ24の比がA:1になったとすれば、図3の可
変利得増幅器の電圧利得GVは、電流源J21の値をI
0として、次式のようになる。
【0005】 GV=RL/(re+RE)・A/(1+A) ここで、A=exp(Q|VA|/(KT)),re=
KT/Q/(I0/2)であるので、制御電圧を変化さ
せることにより、利得を変化させることができる。ただ
し、Kはボルツマンの定数、Qは電子の素電荷、Tは接
合温度である。また、このときの出力端子23のバイア
ス電位をVBout、電流源J21の電流値をI0、電
源24の電圧をVccとすれば、次式となる。
KT/Q/(I0/2)であるので、制御電圧を変化さ
せることにより、利得を変化させることができる。ただ
し、Kはボルツマンの定数、Qは電子の素電荷、Tは接
合温度である。また、このときの出力端子23のバイア
ス電位をVBout、電流源J21の電流値をI0、電
源24の電圧をVccとすれば、次式となる。
【0006】 VBout=Vcc−RL・I0/2・A/(1+A) 図4は従来の可変利得増幅器の他例を示す回路図であ
る。図4において、従来の可変利得増幅器の他例は、ト
ランジスタQ33,Q34から成る第1の差動対と、ト
ランジスタQ35,Q36から成る第2の差動対とで構
成される第1の双差動対を有し、前記第1の双差動対の
各々の共通エミッタにトランジスタQ31,Q32から
成る第3の差動対の各々のコレクタが接続され、トラン
ジスタQ39,Q40から成る第4の差動対とトランジ
スタQ41,Q42から成る第5の差動対とで構成され
る第2の双差動対を有し、前記第2の双差動対の各々共
通エミッタにトランジスタQ37,Q38から成る第6
の差動対の各々のコレクタが接続されている。
る。図4において、従来の可変利得増幅器の他例は、ト
ランジスタQ33,Q34から成る第1の差動対と、ト
ランジスタQ35,Q36から成る第2の差動対とで構
成される第1の双差動対を有し、前記第1の双差動対の
各々の共通エミッタにトランジスタQ31,Q32から
成る第3の差動対の各々のコレクタが接続され、トラン
ジスタQ39,Q40から成る第4の差動対とトランジ
スタQ41,Q42から成る第5の差動対とで構成され
る第2の双差動対を有し、前記第2の双差動対の各々共
通エミッタにトランジスタQ37,Q38から成る第6
の差動対の各々のコレクタが接続されている。
【0007】前記第1の差動対の共通エミッタは第1の
電流源J31に接続され、前記第6の差動対のエミッタ
は抵抗RE31,RE32を介して共に第2の電流源J
32に接続され、前記第1,第2の双差動対を構成する
トランジスタは、トランジスタQ33,Q41のコレク
タが各々接続され、トランジスタQ34,Q42のコレ
クタが各々接続され、トランジスタQ35,Q39のコ
レクタが各々接続され、トランジスタQ36,Q40の
コレクタが各々接続されている。出力信号は、前記第
1,第2の双差動対のトランジスタQ35,Q39の共
通コレクタに接続された負荷抵抗RL33より取り出
す。前記第1,第2の双差動対には、制御電圧が入力さ
れ、前記第6の差動対のベースには互いに極性の異なる
信号vがそれぞれ入力され、前記第3の差動対には前記
第6の差動対に印加されるバイアス電圧VBと同一のバ
イアス電圧VBが印加される。図4の回路では、第1,
第2の双差動対の入力端子31,32に入力される制御
電圧の電圧差がVAだけ変化して、トランジスタえ39
に流れる電流IQ39とトランジスタQ40に流れる電
流IQ40の比がA:1になったとすれば、図4の可変
利得増幅器の電圧利得GVは電流源J32の電流値をI
0とすると、次式となる。
電流源J31に接続され、前記第6の差動対のエミッタ
は抵抗RE31,RE32を介して共に第2の電流源J
32に接続され、前記第1,第2の双差動対を構成する
トランジスタは、トランジスタQ33,Q41のコレク
タが各々接続され、トランジスタQ34,Q42のコレ
クタが各々接続され、トランジスタQ35,Q39のコ
レクタが各々接続され、トランジスタQ36,Q40の
コレクタが各々接続されている。出力信号は、前記第
1,第2の双差動対のトランジスタQ35,Q39の共
通コレクタに接続された負荷抵抗RL33より取り出
す。前記第1,第2の双差動対には、制御電圧が入力さ
れ、前記第6の差動対のベースには互いに極性の異なる
信号vがそれぞれ入力され、前記第3の差動対には前記
第6の差動対に印加されるバイアス電圧VBと同一のバ
イアス電圧VBが印加される。図4の回路では、第1,
第2の双差動対の入力端子31,32に入力される制御
電圧の電圧差がVAだけ変化して、トランジスタえ39
に流れる電流IQ39とトランジスタQ40に流れる電
流IQ40の比がA:1になったとすれば、図4の可変
利得増幅器の電圧利得GVは電流源J32の電流値をI
0とすると、次式となる。
【0008】 GV=RL/(re+RE)・A/(A+1) ここで、A=exp(Q|VA|/(KT)),re=
KT/Q/(I0/2)であるので、制御電圧を変化さ
せることにより、利得を変化させることができる。ただ
し、Kはボルツマンの定数、Qは電子の素電荷、Tは接
合温度である。出力端子33のバイアス電位をVBou
t、電流源J31,L32の電流値をI0、電源34の
電圧をVccとすれば、次式となる。
KT/Q/(I0/2)であるので、制御電圧を変化さ
せることにより、利得を変化させることができる。ただ
し、Kはボルツマンの定数、Qは電子の素電荷、Tは接
合温度である。出力端子33のバイアス電位をVBou
t、電流源J31,L32の電流値をI0、電源34の
電圧をVccとすれば、次式となる。
【0009】VBout=Vcc−RL・I0/2
【発明が解決しようとする課題】図3の従来の可変利得
増幅器では、既に説明したように出力端子のバイアス電
位VBoutは、次式となる。
増幅器では、既に説明したように出力端子のバイアス電
位VBoutは、次式となる。
【0010】 VBout=Vcc−RL・I0/2・A/(1+A) A=exp(Q|VA|/(KT)) 制御電圧が変化すると、出力のバイアス電位が変化する
ため、集積回路に適用した場合では次段への接続は直結
となる場合が多く、次段の入力バイアスの変化に対する
余裕を大きく見込まなければならないため、電源電圧に
余裕がない場合には不都合である。この欠点を改善する
ため、図4のような可変利得増幅器が考案されており、
前述のように制御電圧によらず、出力端子33のバイア
ス電位を一定にできる。しかし、集積回路で使用される
プレーナー型トランジスタのコレクタには寄生容量が存
在する。図4の可変利得増幅器では図3の可変利得増幅
器に比べて負荷抵抗に接続されるトランジスタのコレク
タの数が2倍あり、寄生容量も2倍となるため、周波数
特性が負荷抵抗と寄生容量に支配的であれば、周波数特
性が二分の一程度に悪くなってしまうという欠点があっ
た。
ため、集積回路に適用した場合では次段への接続は直結
となる場合が多く、次段の入力バイアスの変化に対する
余裕を大きく見込まなければならないため、電源電圧に
余裕がない場合には不都合である。この欠点を改善する
ため、図4のような可変利得増幅器が考案されており、
前述のように制御電圧によらず、出力端子33のバイア
ス電位を一定にできる。しかし、集積回路で使用される
プレーナー型トランジスタのコレクタには寄生容量が存
在する。図4の可変利得増幅器では図3の可変利得増幅
器に比べて負荷抵抗に接続されるトランジスタのコレク
タの数が2倍あり、寄生容量も2倍となるため、周波数
特性が負荷抵抗と寄生容量に支配的であれば、周波数特
性が二分の一程度に悪くなってしまうという欠点があっ
た。
【0011】また、図3では、例えばトランジスタQ2
1とQ23、図4では例えばトランジスタQ31とQ3
3のように、従来の可変利得増幅器では差動対が二段接
続されており、それぞれのトランジスタのバイアスは独
立に設定できないため、バイアスの設定が困難であっ
た。
1とQ23、図4では例えばトランジスタQ31とQ3
3のように、従来の可変利得増幅器では差動対が二段接
続されており、それぞれのトランジスタのバイアスは独
立に設定できないため、バイアスの設定が困難であっ
た。
【0012】本発明の目的は、前記欠点を解決し、バイ
アス電圧を一定となし、かつ周波数特性を低下させない
で済むようにした可変利得増幅器を提供することにあ
る。
アス電圧を一定となし、かつ周波数特性を低下させない
で済むようにした可変利得増幅器を提供することにあ
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の可変利得増幅器
はの構成は、入力信号がそれぞれのベースに供給される
第1,第2のトランジスタで構成される第1の差動増幅
回路を設け、前記第1,第2のトランジスタのエミッタ
はそれぞれ第1,第2の抵抗を介して共通に接続され、
前記第1,第2のトランジスタのコレクタはそれぞれ第
3,第4の抵抗を介して共通に接続されると共に第3の
トランジスタのエミッタに接続され、前記第3のトラン
ジスタのコレクタは第1の電源に接続され、前記第3の
トランジスタのベースは第5の抵抗を介して前記第1の
電源に接続され、第1,第2の制御電圧がそれぞれのベ
ースに供給される第4,第5及び第6,第7のトランジ
スタから構成される第2の差動増幅回路を設け、前記第
4,第5,第6,第7のトランジスタのエミッタは共通
に接続されると共に第1の電流源に接続され、前記第
6,第7のトランジスタのコレクタは共通に接続され、
前記第4のトランジスタのコレクタは第2の電源に接続
され、前記第1の差動増幅回路に供給される電流を前記
第6,第7のトランジスタの共通コレクタに流れる電流
で可変し、前記第5の抵抗に供給する電流を前記第5の
トランジスタのコレクタ電流で可変することを特徴とす
る。
はの構成は、入力信号がそれぞれのベースに供給される
第1,第2のトランジスタで構成される第1の差動増幅
回路を設け、前記第1,第2のトランジスタのエミッタ
はそれぞれ第1,第2の抵抗を介して共通に接続され、
前記第1,第2のトランジスタのコレクタはそれぞれ第
3,第4の抵抗を介して共通に接続されると共に第3の
トランジスタのエミッタに接続され、前記第3のトラン
ジスタのコレクタは第1の電源に接続され、前記第3の
トランジスタのベースは第5の抵抗を介して前記第1の
電源に接続され、第1,第2の制御電圧がそれぞれのベ
ースに供給される第4,第5及び第6,第7のトランジ
スタから構成される第2の差動増幅回路を設け、前記第
4,第5,第6,第7のトランジスタのエミッタは共通
に接続されると共に第1の電流源に接続され、前記第
6,第7のトランジスタのコレクタは共通に接続され、
前記第4のトランジスタのコレクタは第2の電源に接続
され、前記第1の差動増幅回路に供給される電流を前記
第6,第7のトランジスタの共通コレクタに流れる電流
で可変し、前記第5の抵抗に供給する電流を前記第5の
トランジスタのコレクタ電流で可変することを特徴とす
る。
【0014】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の第1の実施例の可変利得増幅器を示
す回路図である。図1において、本実施例は、トランジ
スタQ1,Q2から成る差動対と、エミッタ抵抗RE
1,RE2と、負荷抵抗RL1,RL2と、第1の電流
源J1とから構成され、信号vを入力とする差動増幅器
と、第2の電流源J2と抵抗RL3,RBと、トランジ
スタQ3とから構成されるバイアス回路と、制御電圧を
入力とし前記電流源J1,J2に電流を送出する差動対
を有する。前記差動対は、トランジスタQ4,Q5,Q
6,Q7から成り、トランジスタQ6,Q7のコレクタ
を共通に接続した構成を有する。前記バイアス回路は、
前記差動増幅器の負荷抵抗RL1,RL2に接続され、
抵抗RL1,RL2,RL3は同じ抵抗値に選ばれる。
る。図1は本発明の第1の実施例の可変利得増幅器を示
す回路図である。図1において、本実施例は、トランジ
スタQ1,Q2から成る差動対と、エミッタ抵抗RE
1,RE2と、負荷抵抗RL1,RL2と、第1の電流
源J1とから構成され、信号vを入力とする差動増幅器
と、第2の電流源J2と抵抗RL3,RBと、トランジ
スタQ3とから構成されるバイアス回路と、制御電圧を
入力とし前記電流源J1,J2に電流を送出する差動対
を有する。前記差動対は、トランジスタQ4,Q5,Q
6,Q7から成り、トランジスタQ6,Q7のコレクタ
を共通に接続した構成を有する。前記バイアス回路は、
前記差動増幅器の負荷抵抗RL1,RL2に接続され、
抵抗RL1,RL2,RL3は同じ抵抗値に選ばれる。
【0015】次に、動作について説明する。バイアスさ
れた状態から入力端子1に入力される制御電圧が入力端
子2に入力されている電圧よりVAだけ変化したとする
と、電流源J1,J2,J3の電流値をそれぞれI0,
I1,I2とすれは、トランジスタQ6,Q7の共通コ
レクタに流れる電流IA,トランジスタQ5のコレクタ
に流れる電流IBは、それぞれ次式となる。
れた状態から入力端子1に入力される制御電圧が入力端
子2に入力されている電圧よりVAだけ変化したとする
と、電流源J1,J2,J3の電流値をそれぞれI0,
I1,I2とすれは、トランジスタQ6,Q7の共通コ
レクタに流れる電流IA,トランジスタQ5のコレクタ
に流れる電流IBは、それぞれ次式となる。
【0016】 IA=I2・A/(1+A) IB=I2/2/(1+A) 但し、A=exp(Q|VA|/(KT))であり、K
はボルツマンの定数、Qは電子の素電荷、Tは接合温
度。
はボルツマンの定数、Qは電子の素電荷、Tは接合温
度。
【0017】電源4の電圧をVcc.トランジスタQ3
のベース・エミッタ間電位をVBEQ3とすると、出力
端子3のバイアス電位VBoutは、VBout=Vc
c−VBEQ3−RL3I1−RL1I0/2+I2/
2/(1+A)・(RL3+ARL1)となる。抵抗R
L1,RL2,RL3の値を等しくRLと選べば、VB
out=Vcc−VBEQ3−RL(I1+I0/2−
I2/2)となり、入力端子1,2に制御電圧が入力さ
れても、出力端子3のバイアス電圧は一定とすることが
できる。なお、抵抗RBはトランジスタQ6,Q7が飽
和にない程度の電圧降下を発生する。また、電圧利得G
Vは、次式となる。
のベース・エミッタ間電位をVBEQ3とすると、出力
端子3のバイアス電位VBoutは、VBout=Vc
c−VBEQ3−RL3I1−RL1I0/2+I2/
2/(1+A)・(RL3+ARL1)となる。抵抗R
L1,RL2,RL3の値を等しくRLと選べば、VB
out=Vcc−VBEQ3−RL(I1+I0/2−
I2/2)となり、入力端子1,2に制御電圧が入力さ
れても、出力端子3のバイアス電圧は一定とすることが
できる。なお、抵抗RBはトランジスタQ6,Q7が飽
和にない程度の電圧降下を発生する。また、電圧利得G
Vは、次式となる。
【0018】GV=RL/(re+RE) 但し、re=KT/Q/((I0−I2・A/(1+
A))/2),A=exp(Q|VA|/(KT))。
A))/2),A=exp(Q|VA|/(KT))。
【0019】一方、負荷抵抗RL1に接続されるトラン
ジスタのコレクタは1つであり、負荷抵抗に入る寄生容
量は、図3の従来例と同様で周波数特性は同程度であ
る。さらに、トランジスタQ4,Q5,Q6,Q7で構
成され制御電圧を入力とする差動対と、トランジスタQ
1,Q2で構成され信号vを入力とする差動増幅器のバ
イアスは、それぞれ独立に設定できる。
ジスタのコレクタは1つであり、負荷抵抗に入る寄生容
量は、図3の従来例と同様で周波数特性は同程度であ
る。さらに、トランジスタQ4,Q5,Q6,Q7で構
成され制御電圧を入力とする差動対と、トランジスタQ
1,Q2で構成され信号vを入力とする差動増幅器のバ
イアスは、それぞれ独立に設定できる。
【0020】図2は、本発明の第2の実施例の回路図で
ある。図2において、第2の実施例は、トランジスタQ
11,Q12から成る差動対と、エミッタ抵抗RE1
1,RE12と、負荷抵抗RL11,RL12と、トラ
ンジスタQ18,Q19から成る第一のカレントミラー
から構成され、信号vを入力とする差動増幅器を設け、
トランジスタQ10,Q20から構成される第二のカレ
ントミラーと、抵抗RL13,トランジスタQ13から
構成されるバイアス回路と、制御電圧を入力とし前記第
一,第二のカレントミラーの電流を与える差動対とを有
する。
ある。図2において、第2の実施例は、トランジスタQ
11,Q12から成る差動対と、エミッタ抵抗RE1
1,RE12と、負荷抵抗RL11,RL12と、トラ
ンジスタQ18,Q19から成る第一のカレントミラー
から構成され、信号vを入力とする差動増幅器を設け、
トランジスタQ10,Q20から構成される第二のカレ
ントミラーと、抵抗RL13,トランジスタQ13から
構成されるバイアス回路と、制御電圧を入力とし前記第
一,第二のカレントミラーの電流を与える差動対とを有
する。
【0021】前記差動対は、トランジスタQ14,Q1
5,Q16,Q17から成り、トランジスタQ16,Q
17のコレクタを共通に接続し、トランジスタQ14,
Q15,Q16,Q17のエミッタは共通に接続される
と共に、電流源J11に接続した構成を有する。前記バ
イアス回路は、前記差動増幅器の負荷抵抗RL11,R
L12に接続され、抵抗RL11,RL12,RL13
は同じ値に選ばれる。
5,Q16,Q17から成り、トランジスタQ16,Q
17のコレクタを共通に接続し、トランジスタQ14,
Q15,Q16,Q17のエミッタは共通に接続される
と共に、電流源J11に接続した構成を有する。前記バ
イアス回路は、前記差動増幅器の負荷抵抗RL11,R
L12に接続され、抵抗RL11,RL12,RL13
は同じ値に選ばれる。
【0022】次に、動作について説明する。バイアスさ
れた状態から入力端子11に入力される制御電圧が入力
端子12に入力されている電圧よりVAだけ変化したと
すると、電流源J11の電流値をI0とすれば、トラン
ジスタQ16,Q17の共通コレクタに流れる電流I
A,トランジスタQ15のコレクタに流れる電流IB
は、それぞれ次式となる。
れた状態から入力端子11に入力される制御電圧が入力
端子12に入力されている電圧よりVAだけ変化したと
すると、電流源J11の電流値をI0とすれば、トラン
ジスタQ16,Q17の共通コレクタに流れる電流I
A,トランジスタQ15のコレクタに流れる電流IB
は、それぞれ次式となる。
【0023】 IA=I0・A/(1+A) IB=I0/2/(1+A) 但し、A=exp(Q|VA|/(KT)),Kはボル
ツマンの定数、Qは電子の素電荷、Tは接合温度であ
り、電源14の電圧をVcc,トランジスタQ13のベ
ース・エミッタ間電位をVBEQ13とすると、出力端
子13のバイアス電位VBoutは、VBout=Vc
c−VBEQ13−I0/2/(1+A)(RL3+A
・RL1)となる。抵抗RL1,RL2,RL3の値を
等しくRLと選べば、VBout=Vcc−VBEQ1
3−I0/2・RLとなり、入力端子11,12に制御
電圧が入力されても、出力端子13のバイアス電圧は一
定とすることができる。また、電圧利得GVは、次式と
なる。
ツマンの定数、Qは電子の素電荷、Tは接合温度であ
り、電源14の電圧をVcc,トランジスタQ13のベ
ース・エミッタ間電位をVBEQ13とすると、出力端
子13のバイアス電位VBoutは、VBout=Vc
c−VBEQ13−I0/2/(1+A)(RL3+A
・RL1)となる。抵抗RL1,RL2,RL3の値を
等しくRLと選べば、VBout=Vcc−VBEQ1
3−I0/2・RLとなり、入力端子11,12に制御
電圧が入力されても、出力端子13のバイアス電圧は一
定とすることができる。また、電圧利得GVは、次式と
なる。
【0024】GV=RL/(re+RE) 但し、re=KT/Q/(I0・A/(1+A))/
2),A=exp(Q|VA|/(KT))。
2),A=exp(Q|VA|/(KT))。
【0025】周波数特性,バイアス電圧設定について
は、図1の実施例と同様であるが、図2の実施例は、図
1の実施例よりも少ない素子数で実現できる。
は、図1の実施例と同様であるが、図2の実施例は、図
1の実施例よりも少ない素子数で実現できる。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の可変利得
増幅器は、出力バイアス電圧を一定にできると共に周波
数特性を悪化させないという効果を有する。
増幅器は、出力バイアス電圧を一定にできると共に周波
数特性を悪化させないという効果を有する。
【0027】その一例を示すと、トランジスタを飽和さ
せないために必要なコレクタ・エミッタ間電圧を1V,
トランジスタのベース・エミッタ間電圧を0.8Vと
し、電流源は通常カレントミラーが使用されるため、必
要な電圧は1V程度であるとする。更に出力振幅を1V
にとったと仮定すると、図3の従来例では、制御電圧の
バイアス設定範囲は(2.8V〜Vcc−1.2V)、
入力信号のバイアス設定範囲は(1.8V〜Vcc−
2.2V)となる。一方、図2の本発明の可変利得増幅
器では、制御電圧のバイアス設定範囲は(0.8V〜V
cc−1.8V)、入力信号のバイアス設定範囲は
(1.8V〜Vcc−2.2V)となり、バイアス設定
の幅が広がると共に、制御電圧と入力信号のバイアスを
独立に設定できるという利点がある。制御信号と入力信
号のバイアスは独立に設定できるため、バイアスの設定
が容易になり、設計が容易な可変利得増幅器を提供でき
るという効果も有する。
せないために必要なコレクタ・エミッタ間電圧を1V,
トランジスタのベース・エミッタ間電圧を0.8Vと
し、電流源は通常カレントミラーが使用されるため、必
要な電圧は1V程度であるとする。更に出力振幅を1V
にとったと仮定すると、図3の従来例では、制御電圧の
バイアス設定範囲は(2.8V〜Vcc−1.2V)、
入力信号のバイアス設定範囲は(1.8V〜Vcc−
2.2V)となる。一方、図2の本発明の可変利得増幅
器では、制御電圧のバイアス設定範囲は(0.8V〜V
cc−1.8V)、入力信号のバイアス設定範囲は
(1.8V〜Vcc−2.2V)となり、バイアス設定
の幅が広がると共に、制御電圧と入力信号のバイアスを
独立に設定できるという利点がある。制御信号と入力信
号のバイアスは独立に設定できるため、バイアスの設定
が容易になり、設計が容易な可変利得増幅器を提供でき
るという効果も有する。
【図1】本発明の第1の実施例の可変利得増幅器の回路
図である。
図である。
【図2】本発明の第2の実施例の回路図である。
【図3】従来の可変利得増幅器の一例の回路図である。
【図4】従来の可変利得増幅器の他例の回路図である。
1,2,11,12,21,22,31,32 入力
端子 3,13,23,33 出力端子 4,14,24,34 電源 RE1,RE2,RE11,RE12,RE22,RE
31,RE32 エミッタ抵抗 RL1,RL2,RL3,RL11,RL12,RL1
3,RL21,RL22,RL31,RL32,RL3
3,RL34 負荷抵抗 Q1〜Q7,Q10〜Q26,Q31〜Q42 トラ
ンジスタ J1〜J3,J11,J21,J31,J32 電流
源 VB バイアス電圧 v 信号
端子 3,13,23,33 出力端子 4,14,24,34 電源 RE1,RE2,RE11,RE12,RE22,RE
31,RE32 エミッタ抵抗 RL1,RL2,RL3,RL11,RL12,RL1
3,RL21,RL22,RL31,RL32,RL3
3,RL34 負荷抵抗 Q1〜Q7,Q10〜Q26,Q31〜Q42 トラ
ンジスタ J1〜J3,J11,J21,J31,J32 電流
源 VB バイアス電圧 v 信号
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−65513(JP,A) 特開 平2−65512(JP,A) 特開 平1−317009(JP,A) 特開 昭62−7210(JP,A) 特開 昭61−93710(JP,A) 特開 昭62−173811(JP,A) 特開 昭61−98422(JP,A) 実開 平2−819(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03G 1/00 - 3/18 H03G 3/45 H03G 3/30
Claims (3)
- 【請求項1】 入力信号がそれぞれのベースに供給され
る第1,第2のトランジスタで構成される第1の差動増
幅回路を設け、前記第1,第2のトランジスタのエミッ
タはそれぞれ第1,第2の抵抗を介して共通に接続さ
れ、前記第1,第2のトランジスタのコレクタはそれぞ
れ第3,第4の抵抗を介して共通に接続されると共に第
3のトランジスタのエミッタに接続され、前記第3のト
ランジスタのコレクタは第1の電源に接続され、前記第
3のトランジスタのベースは第5の抵抗を介して前記第
1の電源に接続され、第1,第2の制御電圧がそれぞれ
のベースに供給される第4,第5及び第6,第7のトラ
ンジスタから構成される第2の差動増幅回路を設け、前
記第4,第5,第6,第7のトランジスタのエミッタは
共通に接続されると共に第1の電流源に接続され、前記
第6,第7のトランジスタのコレクタは共通に接続さ
れ、前記第4のトランジスタのコレクタは第2の電源に
接続され、前記第1の差動増幅回路に供給される電流を
前記第6,第7のトランジスタの共通コレクタに流れる
電流で可変し、前記第5の抵抗に供給する電流を前記第
5のトランジスタのコレクタ電流で可変することを特徴
とする可変利得増幅器。 - 【請求項2】 前記第6,第7のトランジスタのコレク
タと前記第1,第2の抵抗とが、第2の電流源を介し
て、前記第2の電源に接続され、前記第3のトランジス
タのベースは第6の抵抗を介して第3の電流源に接続さ
れ、前記第5のトランジスタのコレクタは前記第3の電
流源に接続され、前記第3の電流源は前記第2の電源に
接続されている請求項1に記載の可変利得増幅器。 - 【請求項3】 前記第6,第7のトランジスタのコレク
タと前記第1,第2の抵抗とが、第1のカレントミラー
に接続され、前記第5のトランジスタのコレクタと前記
第5の抵抗とが、第2のカレントミラーに接続されてい
る請求項1に記載の可変利得増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5018304A JP3016317B2 (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 可変利得増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5018304A JP3016317B2 (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 可変利得増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06232663A JPH06232663A (ja) | 1994-08-19 |
JP3016317B2 true JP3016317B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=11967879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5018304A Expired - Lifetime JP3016317B2 (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 可変利得増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3016317B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6038311B2 (ja) * | 2013-06-18 | 2016-12-07 | 久光製薬株式会社 | アプリケータ |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031763A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Fujitsu Ltd | 可変利得回路 |
KR100506351B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2005-08-05 | 한국전자통신연구원 | 가변 이득 증폭기 |
US20140253087A1 (en) * | 2013-03-05 | 2014-09-11 | Richwave Technology Corp. | Fixed voltage generating circuit |
US9088252B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-07-21 | Richwave Technology Corp. | Fixed voltage generating circuit |
-
1993
- 1993-02-05 JP JP5018304A patent/JP3016317B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6038311B2 (ja) * | 2013-06-18 | 2016-12-07 | 久光製薬株式会社 | アプリケータ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06232663A (ja) | 1994-08-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991124 |