JP3008774B2 - ウエーハの仕込み方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体単結晶基板（以
下「ウエーハ」と言う。）の仕込み方法に関し、詳しく
は、気相成長装置内に略垂直または垂直軸に対し傾斜し
て設けられたサセプタにウエーハを仕込む方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程において、ウエーハ上に
気相反応を利用して半導体エピタキシャル層（以下「エ
ピタキシャル層」と言う。）を成長させる技術（気相エ
ピタキシャル法）は極めて重要である。エピタキシャル
層をウエーハ上に気相成長させる際には、枚葉型、縦型
（またはパンケーキ型）、バレル型（またはシリンダ
型）等の成長装置が用いられているが、中でもバレル型
成長装置は、ウエーハの表裏の温度差が比較的小さくな
る構造を持つのでスリップ等の温度差に起因する結晶欠
陥が発生しづらく、また、比較的均一な抵抗率分布を持
つエピタキシャル層を一度に多くのウエーハ上に形成す
ることができる利点もある。

【０００３】図３は、従来のバレル型気相成長装置の一
例を示す。このバレル型気相成長装置５０内には、反応
炉となるバレル状（または円筒状）のベルジャ５１が設
けられている。前記ベルジャ５１は石英製で、加熱ラン
プ５４からの放射エネルギを透過するように透明な側壁
を有している。

【０００４】ベルジャ５１内の中央部には、ウエーハＷ
を保持するサセプタ５２が吊るされ、垂直軸を中心にし
て回転するようになっている。サセプタ５２は通常グラ
ファイトからなり、表面が炭化珪素によって被覆され、
ウエーハＷが炭素によって汚染されるのを防止してい
る。また、サセプタ５２内部の中心軸には図示しない温
度センサが設けられ、サセプタ５２の裏面温度をモニタ
している。

【０００５】ベルジャ５１の側面外周には、水平に設け
られた縦列の加熱ランプ５４がベルジャ５１を同軸に取
り囲むように複数個配置され、ベルジャ５１の側壁から
一定距離を置いて設けられている。ベルジャ５１内に設
けられたサセプタ５２とウエーハＷは、この加熱ランプ
５４により加熱される。

【０００６】ベルジャ５１の上部は一対の反応ガス供給
用ノズル５５と接続され、処理中に前記ノズル５５より
供給された原料ガスを含む反応ガスとキャリアガスは、
サセプタ５２の側表面に沿って下方に流れ、ベルジャ５
１下部と接続されたガス排気口より外部に排出される。

【０００７】上記構成のバレル型気相成長装置５０を用
いてエピタキシャル成長する場合は、ウエーハＷを収容
したベルジャ５１内にキャリアガスとともに原料ガスを
流し、ベルジャ５１の透明な側壁を透過して伝達される
加熱ランプ５４からの放射エネルギにより、サセプタ５
２及びそれに保持されたウエーハＷを所望の反応温度に
加熱する。すると、ベルジャ５１内の熱的に活性化され
た原料ガスが気相反応し、ウエーハＷ上にエピタキシャ
ル層が成長する。

【０００８】ウエーハＷをバレル型気相成長装置５０に
仕込む際には、ベルジャ５１内の雰囲気を窒素ガス等の
不活性ガスで置換した後に、サセプタ５２をベルジャ５
１内から仕込み位置にまで上昇させる。サセプタ５２
は、垂直軸方向に長く延びた多角形の支持構造体であ
り、各側面に形成した円形凹状の座ぐり５３でウエーハ
Ｗを保持するようになっている。サセプタ５２は、上部
よりも下部が大きくて側面で軸方向に対し若干の傾きが
形成されているので、ウエーハＷも傾斜して座ぐり５３
内に保持され、ウエーハＷが落下することを防止でき
る。

【０００９】従来、ウエーハＷをサセプタ５２に仕込む
際には、図４（ａ）に示すように、オペレータがテフロ
ン（デュポン社商品名）のコーティングを施したステン
レススチール製のピンセット８１でウエーハＷの周辺部
を握持し、該ウエーハＷを座ぐり５３の内縁部５３ａに
載せ、座ぐり５３の底面５３ｂに立てかけるようにしな
がらウエハＷを座ぐり５３に仕込む。更に、図４（ｂ）
に示すように、ピンセット８１でウエーハＷの主表面の
周辺部を押し、ウエーハＷの裏面全体を座ぐり５３の底
面５３ｂに当接させた状態にする。ウエーハＷと底面５
３ｂの間に隙間があると、その隙間の位置に対応するウ
エーハ上に温度差に起因するスリップ等の結晶欠陥が発
生するので問題である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記の仕込み方法で
は、ピンセット８１がウエーハＷの主表面に直接接触す
るため、該ウエーハＷの主表面に損傷が発生する。ま
た、ステンレススチール製のピンセット８１にはテフロ
ンのコーティングを施してあるが、長期間の使用により
テフロンのコーティングが剥がれて、ウエーハＷや座ぐ
り５３への金属汚染を引き起こす。さらに、ピンセット
８１でウエーハＷを座ぐり５３に押し込む際に、ウエー
ハＷの下端部が座ぐり５３との接点である内縁部５３ａ
を必然的に擦ってしまい、該内縁部５３ａを傷めるだけ
でなく、摩擦により発生したシリコンやＳｉＣの粒子が
ウエーハＷ上に付着する。

【００１１】ウエーハに損傷を与えず且つウエーハ自体
から粒子を発生しないようなウエーハ取扱システムとし
て、ロボットを使用し、ウエーハの縁をピボット式のフ
ィンガで握持して仕込むシステムが米国特許４，０１
２，９７１号や米国特許４，４５７，６６１号及び米国
特許５，２２４，８０９号で開示されている。

【００１２】これらのシステムを利用して仕込を行う
と、ウエーハ主表面での損傷や金属汚染または粒子の付
着は、大幅に抑制できる。すなわち、ウエーハの縁を握
持しウエーハＷの主表面には直接接触しないので、ウエ
ーハ主表面での損傷が発生しない。また、ウエーハの縁
を握持するフィンガは耐熱製の高分子化合物のような非
金属物質で構成できるので、金属汚染も防止できる。さ
らに、ウエーハＷを座ぐり５３の底面５３ｂに押し付け
た後に内縁部５３ａに下ろすので、内縁部５３ａで粒子
も発生しない。

【００１３】しかしこれらのシステムを用いるには、ウ
エーハの仕込み及び取り出しを行う際にフィンガが開閉
運動できるだけの空間を持つ堀り込みを座ぐりの周辺部
に形成する必要があり、気相エピタキシャル成長を行う
際にこの堀り込みに起因する新たな問題が発生する。

【００１４】すなわち、キャリアガスの水素や原料ガス
の気相反応により副生する塩化水素が、不純物が高濃度
にドープされたウエーハの裏面側に前記堀り込み部を通
って過剰に回り込むと、前記ウエーハの裏面側を酸化膜
で形成した保護膜で被覆してあっても、該酸化膜は過剰
の水素や塩化水素によりエッチング除去されるためオー
トドープ現象が発生し、エピタキシャル層の抵抗率に悪
影響を及ぼす。また、気相エピタキシャル成長中に原料
ガスがウエーハの裏面側に前記堀り込み部を通って過剰
に回り込むと、その原料ガスの回り込んだ場所がシリコ
ン結晶類の析出によって部分的に盛り上がり、ウエーハ
の周辺部のフラットネスレベルが悪くなる。

【００１５】また、座ぐりに仕込まれたウエーハの周辺
部と座ぐりの内縁部との間隔が前記堀り込み部で急に大
きくなっているため、該掘り込み部での温度分布が局部
的に不均一となり、前記堀り込み部に対応するウエーハ
の周辺部に温度差に起因する微小なスリップ等の結晶欠
陥が発生する。

【００１６】さらに、上記のシステムはロボットを使用
する事が要件であるため、従来の装置に導入するために
は大がかりな改造が必要となる。

【００１７】本発明は、上記の問題点を解決しようとす
るもので、その目的は、ウエーハの主表面の損傷や粒子
の発生及び金属汚染を防止することができるウエーハの
仕込み方法を、簡単な構成で提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明のウエ
ーハの仕込み方法は、気相成長装置内に略垂直または垂
直軸に対し傾斜して設けられたサセプタにウエーハを仕
込む際に、加圧ガスをウエーハ表面に噴射して該ウエー
ハの裏面全体を前記サセプタに当接させることを特徴と
する。

【００１９】例えば、気相成長装置内に略垂直または垂
直軸に対し傾斜して設けられたサセプタにウエーハを仕
込む際に、真空チャックで該ウエーハの裏面を吸着して
前記サセプタの外周面に形成された座ぐりの内縁部に載
せ、次いで加圧ガスを該ウエーハ表面に噴射して該ウエ
ーハの裏面全体を座ぐりの底面に当接させる方法が好ま
しい。

【００２０】また、気相成長装置内に略垂直または垂直
軸に対し傾斜して設けられたサセプタにウエーハを仕込
む際に、握持案内用器具で該ウエーハの縁を保持しなが
ら、加圧ガスを該ウエーハ表面に噴射して該噴射圧力で
該ウエーハを前記握持案内用器具に沿って移動させて前
記サセプタの外周面に形成された座ぐり内に案内し、該
ウエーハの裏面全体を座ぐりの底面に当接させる方法が
好ましい。

【００２１】前記加圧ガスは、孔径が０．１μｍ以下の
フィルタにより濾過されたものが好ましい。前記加圧ガ
スの噴出口は、例えば、ガスの出口の先端部に近いほど
径が大きい末広がり状のものが好ましい。

【００２２】

【作用】図１に示すように、気相成長装置内に略垂直ま
たは垂直軸に対し傾斜して設けられたサセプタ５２にウ
エーハＷを仕込む際に、加圧ガスをウエーハＷ表面に噴
射しその圧力で該ウエーハＷをサセプタ５２に押し付け
る方法は、サセプタ５２上から剥離し加圧ガスにより巻
き上げられる粒子や加圧ガス中に存在する粒子がウエー
ハＷの表面に付着し、気相成長により積層欠陥や突起物
になるとの先入観により、これまでウエーハＷの仕込に
試みられることが無かった。

【００２３】しかし、サセプタ５２にウエーハＷを仕込
む際に、該ウエーハＷの裏面全体をサセプタ５２に当接
させるために、実際に加圧ガスを該ウエーハＷの表面に
噴射してみると、ウエーハＷの主表面に直接接触しない
ので、傷などの損傷が発生しない上に、ピンセット８１
でウエーハＷの周辺部を押す方法よりもむしろ粒子の発
生量は少なく、また、スリップ等の温度差に起因する結
晶欠陥の発生も無かった。

【００２４】これは、加圧ガスをウエーハＷの表面の中
心付近に噴射した場合、加圧ガスはウエーハの中心付近
から周辺方向に流れるので、ウエーハＷの下端部と座ぐ
り５３の内縁部５３ａとの間で発生するシリコンやＳｉ
Ｃの粒子が前記加圧ガスの流れに逆らってウエーハＷ上
に付着することを抑制すると同時に、既にウエーハＷ表
面に付着していた粒子を吹き飛ばすこともできるからで
あると考えられる。

【００２５】図３に示す気相成長装置５０内に略垂直ま
たは垂直軸に対し傾斜して設けられたサセプタ５２にウ
エーハＷを仕込む際には、例えば図１（ａ）に示すよう
に、真空チャック２１のようなウエーハ保持手段で該ウ
エーハＷの裏面を保持して前記サセプタ５２の外周面に
形成された座ぐり５３の内縁部５３ａに載せ、次いで空
気や窒素またはヘリウムのような不活性ガス等の加圧ガ
スをウエーハＷの表面に噴射する。すると、前記加圧ガ
スの圧力でウエーハＷはサセプタ５２に押し付けられる
ので、図１（ｂ）に示すように、ウエーハＷの裏面全体
を座ぐり５３の底面５３ｂに当接させることができる。

【００２６】ウエーハ保持手段として、前記真空チャッ
ク２１の代わりに握持案内用器具２２を用いる場合は、
図２に示すように、該握持案内用器具２２でウエーハＷ
の縁を保持する。次いで、空気や窒素またはヘリウムの
ような不活性ガス等の加圧ガスをウエーハＷの表面に噴
射して、その圧力でウエーハＷを握持案内用器具２２に
沿って移動させながら前記サセプタ５２の外周面に形成
された座ぐり５３内に案内する。すると、前記加圧ガス
の圧力でウエーハＷはサセプタ５２に押し付けられるの
で、ウエーハＷの裏面全体を座ぐり５３の底面５３ｂに
当接させることができる。

【００２７】前記ウエーハＷの表面へ加圧ガスを噴射す
る際に、該加圧ガスの出口をウエーハＷの中央部に向け
て行うと、加圧ガスの圧力はウエーハ全面に均等に掛か
るのでウエーハＷの裏面全体がサセプタ５２に当接しや
すく、また、前記加圧ガスのガス流がサセプタ５２の表
面に吹きつけられる割合も低いのでサセプタ５２上から
剥離してウエーハＷ上に巻き上げられる粒子の量も少な
い。

【００２８】前記加圧ガスは、該加圧ガス内の粒子がウ
エーハＷの表面に付着することを防止するために、孔径
が０．１μｍ以下のフィルタ１３〔図１（ａ）を参照〕
により濾過された清浄なものを使用することが好まし
い。前記フィルタ１３の孔径が０．１μｍより大きくな
ると、０．１μｍよりも大きな粒子が前記フィルタ１３
を通過してウエーハＷの表面に付着し、気相成長により
デバイス加工後問題となる積層欠陥や突起物になる。前
記フィルタ１３の位置はできるだけ加圧ガスの出口側が
好ましく、加圧ガスの噴射手段１１〔図１（ａ）を参
照〕としては例えば、内部にカートリッジ式のフィルタ
１３を備えたものが良い。

【００２９】前記加圧ガスの噴出口１２〔図１（ａ）を
参照〕は、ウエーハ径が比較的に小さい場合には円筒形
にしてもよいが、ウエーハ径が例えば４インチφ以上と
比較的に大きい場合には、図１（ａ）に示すように、ガ
スの出口の先端部に近いほど径が大きい末広がり状に形
成することが好ましく、こうすることで、ウエーハＷに
対する加圧ガスの噴射面積が増大し、座ぐり５３への仕
込みをより的確に行うことができる。

【００３０】前記加圧ガスの噴射手段１１は、銃の形状
にしてオペレータがウエーハの仕込みの際に手に保持で
きるようにしても良いし、ロボットによるウエーハのハ
ンドリングシステムに組み込んでもよい。

【００３１】

【実施例】次に本発明を、図面に示す実施例により更に
詳細に説明する。 実施例１ 図１（ａ）および図１（ｂ）は本実施例のウエーハの仕
込み手順を示す説明図である。

【００３２】オペレータによるウエーハ仕込み方法を、
加圧ガスの噴射手段１１の一例であるＮ₂ 銃１１ａの使
用例について説明する。Ｎ₂ 銃１１ａは銃の形状をした
加圧ガスの噴射手段１１の一形態であり、Ｎ₂ 銃１１ａ
の噴出口からは加圧されたＮ₂ ガスが噴出される。図１
（ａ）に示すように、所定の圧力に設定された加圧窒素
供給ライン（図示せず）に連絡したＮ₂ 銃１１ａを左手
で持つ。右手（利き手側）で真空チャック２１を握って
ウエーハＷの裏面を吸着し、これを垂直軸に対し傾斜し
た気相成長用のサセプタ５２の座ぐり５３の内縁部５３
ａに載せる。次いで、ウエーハＷの表面から約１０ｃｍ
手前の位置でＮ₂ ガスをウエーハＷの中心部に噴射し、
噴射を継続しながら真空チャック２１の真空を解除して
これをウエーハＷから外し、Ｎ₂ ガスの圧力によりウエ
ーハＷの裏面全体を座ぐり５３の底面５３ｂに当接させ
る〔図１（ｂ）〕。

【００３３】前記Ｎ₂ 銃１１ａは例えば図１（ａ）に示
す構造を持ち、先端部に末広がり状のノズル１２と、該
ノズル１２の上流側に孔径が０．１μｍ以下で交換取り
付けが可能なカートリッジ型フィルタ１３とを備えたも
のである。なお、１５はフィルタ１３交換用の継手であ
り、１６ａはＮ₂ ガス供給用の開閉弁を操作する引金で
ある。また、真空チャック２１において２４は吸着部、
２５は開閉弁である。

【００３４】ウエーハＷ表面へのＮ₂ ガスの噴射は、ノ
ズル１２のガス噴出口先端部におけるＮ₂ ガスの圧力と
流量をウエーハ直径が大きいほど高くするとともに、前
記ガス噴出口先端部とウエーハＷとの距離Ｄ〔図１
（ｂ）を参照〕を５〜１５ｃｍとして行うことが好まし
い。

【００３５】つぎに、実施例１の方法による試験例１
と、図４の従来例による比較例１とについて説明する。 〔試験例１〕実施例１の手段および方法によって、図３
に示すバレル型気相成長装置内に設けられたサセプタ５
２の各座ぐり５３に、６インチφのウエーハＷを仕込ん
だ後、所定の条件で気相成長を行い、ウエーハＷの主表
面における欠陥の発生率を調査した。

【００３６】なお、Ｎ₂ 銃１１ａのノズル１２はフッ素
樹脂（テフロン）製で、ノズル形状は円錐形で末広がり
のものとするとともにＮ₂ ガス噴出口１２の径を６ｍｍ
φとし、該ガス噴出口１２とウエーハＷとの距離Ｄを１
０ｃｍ、Ｎ₂ ガスの噴出圧、流量をそれぞれ１．５ｋｇ
ｆ／ｃｍ² 、１８Ｎｌ／ｍｉｎとした。カートリッジ型
フィルタ１３は、孔径が０．０１μｍのものを用いた。
その結果、粒子と表面異物付着の発生率は両方合わせて
１．０％であり、傷とスリップの発生は無かった。

【００３７】〔比較例１〕図４の手段および方法を用い
た以外は、試験例１と同様にして気相成長を行い、欠陥
の発生率を調査した。この場合、ウエーハＷの仕込みで
は、ピンセット８１でウエーハＷの周辺部を握持し座ぐ
りの内縁部に載せた後に、ピンセット８１でウエーハＷ
の周辺部を押すようにして仕込んだ。その結果、ピンセ
ットで握持した箇所と押した箇所でウエーハ全数に傷が
発生し、ウエーハＷの周辺部を除外した場合での粒子や
表面異物付着の発生率は両方合わせて３．９％であっ
た。一方、スリップの発生は無かった。

【００３８】このように本発明により、傷の発生率を従
来方法に比べて大幅に減少させることができる上に、粒
子や表面異物付着の発生率も従来方法に比べて減少させ
ることができた。

【００３９】本発明では、前記Ｎ₂ 銃１１ａに代えて例
えば図２に示すように、直径約１．５ｃｍ、長さ約１５
ｃｍのガス供給管１１ｂの先端部にノズル１２と、該供
給管１１ｂの適所に開閉弁１６ｂを設け、該供給管１１
ｂに加圧ガス供給用のフレキシブルホースを接続したも
のを用いることもできる。また、前記ノズル１２の噴射
位置決めと前記開閉弁１６ｂの操作を自動制御できるよ
うなシステムにすると、ロボットによる自動仕込みにも
適用可能である。さらに、前記真空チャック２１に代え
て握持案内用器具２２を用いてウエーハＷの縁を保持す
るようにしてもよい。

【００４０】また本試験例では、バレル型気相成長装置
内に設けられたサセプタの座ぐりにウエーハを仕込む方
法について説明されているが、本発明は、気相成長装置
内に略垂直または垂直軸に対し傾斜して設けられたサセ
プタであれば、バレル型気相成長装置に限らず適用可能
である。

【００３９】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明で
は気相成長装置内に略垂直または垂直軸に対し傾斜して
設けられたサセプタにウエーハを仕込む際に、加圧ガス
をウエーハ表面に噴射することによりウエーハＷの主表
面に直接接触せずに該ウエーハの裏面全体を前記サセプ
タに当接させるようにしたので、ウエーハの主表面の損
傷や粒子の発生及び金属汚染の防止を行うことができ
る。孔径０．１μｍ以下のフィルタにより濾過された清
浄な加圧ガスを使用すると、該加圧ガス内の粒子がウエ
ーハの表面に付着することを効果的に防止できる。前記
加圧ガスの噴出口を該ガス噴出口先端部に近いほど径が
大きい末広がり状に形成すると、ウエーハに対する加圧
ガスの噴射面積が増大するので、座ぐりへの仕込みをよ
り的確に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の説明図であって、（ａ）はウ
エーハを真空チャックで保持してサセプタの座ぐり内縁
部に載せた状態を、（ｂ）はウエーハの仕込み完了時の
状態を、それぞれ示すものである。

【図２】別の実施例の説明図であって、ウエーハを握持
案内用器具で保持してサセプタの座ぐりに案内する状態
を示すものである。

【図３】従来のバレル型気相成長装置の正面断面図であ
る。

【図４】従来のウエーハ仕込み方法の説明図であって、
（ａ）はウエーハをサセプタの座ぐり内縁部に載せた状
態を、（ｂ）はウエーハの仕込み完了時の状態をそれぞ
れ示すものである。

【符号の説明】

１１ 加圧ガスの噴射手段 １１ａ Ｎ₂ 銃 １１ｂ ガス供給管 １２ ノズル １３ フィルタ １６ａ 引金 １６ｂ 開閉弁 ２１ 真空チャック ２２ 握持案内用器具 ２５ 開閉弁 ５０ バレル型気相成長装置 ５１ ベルジャ（反応炉） ５２ サセプタ ５３ 座ぐり ５３ａ 内縁部 ５３ｂ 底面 ５４ 加熱ランプ ５５ ノズル ８１ ピンセット Ｗ ウエーハ

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/68

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 気相成長装置内に略垂直または垂直軸に
   対し傾斜して設けられたサセプタにウエーハを仕込む際
   に、加圧ガスを該ウエーハ表面に噴射して該ウエーハの
   裏面全体を前記サセプタに当接させることを特徴とする
   ウエーハの仕込み方法。
2. 【請求項２】 気相成長装置内に略垂直または垂直軸に
   対し傾斜して設けられたサセプタにウエーハを仕込む際
   に、真空チャックで該ウエーハの裏面を吸着して前記サ
   セプタの外周面に形成された座ぐりの内縁部に載せ、次
   いで加圧ガスを該ウエーハ表面に噴射して該ウエーハの
   裏面全体を座ぐりの底面に当接させることを特徴とする
   ウエーハの仕込み方法。
3. 【請求項３】 気相成長装置内に略垂直または垂直軸に
   対し傾斜して設けられたサセプタにウエーハを仕込む際
   に、握持案内用器具で該ウエーハの縁を保持しながら、
   加圧ガスを該ウエーハ表面に噴射して該噴射圧力で該ウ
   エーハを前記握持案内用器具に沿って移動させて前記サ
   セプタの外周面に形成された座ぐり内に案内し、該ウエ
   ーハの裏面全体を座ぐりの底面に当接させることを特徴
   とするウエーハの仕込み方法。
4. 【請求項４】 前記加圧ガスは、孔径が０．１μｍ以下
   のフィルタにより濾過されたものであることを特徴とす
   る請求項２または請求項３に記載のウエーハの仕込み方
   法。
5. 【請求項５】 前記加圧ガスの噴出口は、ガスの出口の
   先端部に近いほど径が大きい末広がり状であることを特
   徴とする請求項２または請求項３に記載のウエーハの仕
   込み方法。
6. 【請求項６】 気相成長装置内に略垂直または垂直軸に
   対し傾斜して設けられたサセプタにウエーハを仕込む際
   に、真空チャックで該ウエーハの裏面を吸着して前記サ
   セプタの外周面に形成された座ぐりの内縁部に載せ、次
   いで孔径が０．１μｍ以下のフィルタにより濾過された
   加圧ガスを出口の先端部に近いほど径が大きい末広がり
   状のガス噴出口から該ウエーハ表面に噴射して該ウエー
   ハの裏面全体を座ぐりの底面に当接させることを特徴と
   するウエーハの仕込み方法。
7. 【請求項７】 気相成長装置内に略垂直または垂直軸に
   対し傾斜して設けられたサセプタにウエーハを仕込む際
   に、握持案内用器具で該ウエーハの縁を保持しながら、
   孔径が０．１μｍ以下のフィルタにより濾過された加圧
   ガスを出口の先端部に近いほど径が大きい末広がり状の
   ガス噴出口から該ウエーハ表面に噴射して、該噴射圧力
   で該ウエーハを前記握持案内用器具に沿って移動させて
   前記サセプタの外周面に形成された座ぐり内に案内し、
   該ウエーハの裏面全体を座ぐりの底面に当接させること
   を特徴とするウエーハの仕込み方法。