JP3006606B1 - 光リンク装置 - Google Patents

光リンク装置

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JP3006606B1
JP3006606B1 JP33121098A JP33121098A JP3006606B1 JP 3006606 B1 JP3006606 B1 JP 3006606B1 JP 33121098 A JP33121098 A JP 33121098A JP 33121098 A JP33121098 A JP 33121098A JP 3006606 B1 JP3006606 B1 JP 3006606B1
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    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
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    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
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Abstract

【要約】 【課題】 外来雑音に対して充分なシールド効果を有
し、かつ低コスト化された光リンク装置を提供する。 【解決手段】 受信用及び送信用サブアセンブリRx、
Txの外部リードピン10、40のうち接地用の外部リ
ードピンが接触・固定される部分を含む本体下部50の
所定部分を導電部50aとし、それ以外の部分を絶縁部
50bとして別々の部材として形成する。それらを合わ
せて本体下部50とし、その導電部50aと、導電性を
有する本体上部52とを接触させることによって、受信
用及び送信用サブアセンブリRx、Txを覆う本体各部
をグランド電位として、効果的な電磁シールドを形成す
ることができる。特に、本体下部50を2つの部材から
構成することによって、製造上の低コスト化を実現でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子または受
光素子を内蔵する光モジュールを備え、データ通信用に
用いられる光リンク装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、光リンク装置として、発光ダイオ
ードと電子素子をプラスチック樹脂で樹脂封止すること
で送信用サブアセンブリを形成し、フォトダイオードと
電子素子をプラスチック樹脂で樹脂封止することで受信
用サブアセンブリを形成して、これら送信用及び受信用
のサブアセンブリを、レセプタクル部が予め一体成型さ
れたプラスチック樹脂製の筐体内に内蔵することによっ
て、一体化構造にした光リンク装置が提案されている
(特開平8−136765号、特開平8−136766
号、特開平8−136767号、特開平8−16025
6号、特開平8−166524号、特開平8−2016
59号、特開平8−211252号)。
【0003】このような光リンク装置は、発光・受光素
子及び電子素子のパッケージを金属製としたものに比べ
て、低コスト化や小型化が可能であり、また、加工が容
易であるという利点がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような樹脂封止した送信用及び受信用のサブアセンブ
リを樹脂製の筐体内に内蔵した構造の光リンク装置にお
いては、外来雑音に対してシールド効果が得られない樹
脂を使用しているため、シールドの付設とそれによる外
来雑音対策が重要な課題となっている。特に、取り扱う
光信号の強度がますます小さくなり、それに伴って電気
信号の信号レベルが小さくなるほど、このような外来雑
音の影響が増大する。
【0005】このような外来雑音を防ぐ電磁シールド
は、例えば樹脂製の筐体において金属による導電部分を
付設することによって実現されるが、このようなシール
ドにおいては、(1)樹脂封止した受信用及び送信用の
サブアセンブリを効果的に覆うこと、及び(2)受信用
及び送信用のサブアセンブリに設けられているリードピ
ンのうち、グランド電位に設定される接地用のリードピ
ンと、シールドを構成する導電部分とを確実に接触させ
ること、の2点が特に重要である。
【0006】このようなシールドの具体的方法として
は、例えば樹脂封止した受信用及び送信用のサブアセン
ブリを金属製のフィルムや薄板等で覆うことによって、
シールド効果を得るという方法が考えられる。しかし、
この構造では、部品点数の増加や製造工程の複雑化を招
くという問題がある。また、金属製のパッケージを用い
る場合と同様に高コスト化する。
【0007】また、筐体の必要部分に対して金属メッキ
を施して、シールド効果を得るという方法が考えられ
る。この構造では、筐体を構成する樹脂製の部品におい
て、接地用のリードピンとの接触部分を含む所定の部分
に選択的に金属メッキを施す必要がある。このような部
分メッキの方法としては、2色成型(メッキを施す部分
と、メッキを行わない部分とを、それぞれ別の材料によ
って2回成型する)による方法や、マスキングによる方
法等があるが、いずれの方法も、製造工程の複雑化や高
コスト化などの問題を生じる。また、筐体部品の形状等
について、設計上の制約が大きい。
【0008】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、外来雑音に対する充分なシールド効果を有
し、かつ低コスト化された光リンク装置を提供すること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による光リンク装置は、光ファイバー
からの光信号を受光する受光素子と受光素子の出力信号
を処理する電子素子とを樹脂封止して成る受信用サブア
センブリと、光ファイバーへ光信号を送出する発光素子
と発光素子へ電気信号を供給する電子素子とを樹脂封止
して成る送信用サブアセンブリとの少なくとも一方が搭
載され、受信用サブアセンブリ及び送信用サブアセンブ
リに設けられた外部リードピンが固定される本体下部
と、本体下部と係合する本体上部と、本体下部の前方に
固着され、光ファイバーを受容した光コネクタが嵌合す
る光レセプタクル部とを有する光リンク装置であって、
本体上部は、導電性の成型部材であり、本体下部は、そ
の全面が導電性である導電部材と、樹脂製の絶縁部材と
を有して構成され、導電部材は、受信用サブアセンブリ
及び送信用サブアセンブリの外部リードピンのうち、接
地用の外部リードピンが電気的に接触して固定される導
電案内溝を有し、絶縁部材は、受信用サブアセンブリ及
び送信用サブアセンブリの外部リードピンのうち、所定
の電圧の印加または信号の入出力が行われる外部リード
ピンが固定される絶縁案内溝を有し、導電案内溝の少な
くとも1つ、または接地用の外部リードピンの少なくと
も1つは、接地用の外部リードピンが弾性変形されるこ
とによって接地用の外部リードピンと導電部材との電気
的な接触を保持するように形成されるとともに、本体上
部と導電部材とが電気的に接触して設置されることによ
って、受信用サブアセンブリ及び送信用サブアセンブリ
を覆う電磁シールドが構成されていることを特徴とす
る。
【0010】搭載されるサブアセンブリの各外部リード
ピンは本体下部の案内溝に接触・固定されるが、そのう
ち接地用の外部リードピンが接触・固定される本体下部
の部分を、導電性を有する構成とし、その本体下部の部
分を導電性を有する本体上部と電気的に接触させること
によって、金属製の薄板などの部材を追加することなく
送信用及び受信用サブアセンブリを効果的に覆う電磁シ
ールドを構成することができる。特に、本体下部を一体
成型せずに導電部材及び絶縁部材から構成することによ
って、部分メッキ等による工程の複雑化を無くして、そ
の低コスト化を実現することができる。
【0011】また、接地用の外部リードピンが接触・固
定される導電案内溝については、単に溝に接触させるの
みの構造とした場合には、安定した接触を保持するため
に、例えば10μm程度の精度での案内溝の成型が必要
となる。これに対して、上記のように外部リードピンが
弾性変形されて、その弾性力で接触を保持する構成とす
ることによって、様々な環境下での使用に際して確実に
接触を維持することが可能となる。
【0012】上記の本体下部を構成する導電部材は、そ
の全面に導電性メッキが施された樹脂製であることが好
ましい。あるいは、金属製であることが好ましい。金属
製とした場合には、射出成型またはダイキャスト成型に
よる金属部材とすることが特に望ましい。
【0013】また、接地用の外部リードピンの弾性変形
による電気的な接触の保持については、導電案内溝の少
なくとも1つは、接地用の外部リードピンを弾性変形さ
せて電気的な接触を保持する突起部を有するように構成
することが好ましい。あるいは、接地用の外部リードピ
ンの少なくとも1つは、導電案内溝によって弾性変形さ
れて電気的な接触を保持する湾曲部を有するように構成
することが好ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明による光
リンク装置の好適な実施形態について詳細に説明する。
なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付
し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率
は、説明のものと必ずしも一致していない。
【0015】まず、本発明による光リンク装置に用いら
れる受光素子を有する光モジュールである受信用サブア
センブリについて説明する。図1は、受信用サブアセン
ブリRxの構成を示す斜視図である。受信用サブアセン
ブリRxは、第1の封止部16及び第2の封止部18を
有して構成されている。
【0016】第1の封止部16内には、光ファイバから
の光信号を受光する受光素子である光素子(図示してい
ない)と、光素子を搭載するための光素子搭載部(図示
していない)とが封止されている。この光素子として
は、例えば1.3μm波長帯の光信号に対して感度を有
するInGaAs−PIN型フォトダイオード等の受光
素子が用いられる。また、この光素子の先端には、半導
体製造工程において受光面を被う絶縁膜をエッチング加
工することにより、微小な集光レンズを形成しても良
い。
【0017】この第1の封止部16は、矩形状の基部1
6aと、円錐台形状の台部16bと、台部16bの頂上
部分に成型された非球面レンズ16cとが一体化された
構造を有している。非球面レンズ16cは、光素子の受
光面、及び光素子の先端に位置する上記した集光レンズ
と光軸が一致するように形成されている。台部16b
は、非球面レンズ16c、光素子の受光面、及び集光レ
ンズに対して同心円状であり、頂上部分に行くにしたが
って次第に細くなるように、所定の傾斜角を持った側壁
と所定の高さを有する円錐台となっている。
【0018】一方、第2の封止部18内には、受光素子
の出力信号を処理する電子素子(図示していない)と、
電子素子を搭載するための電子素子搭載部(図示してい
ない)とが封止されている。第1の封止部16及びその
内部に位置する光素子搭載部と、第2の封止部18及び
その内部に位置する電子素子搭載部とは、鈎形状に曲げ
られた4本の内部リードピン8によって電気的かつ機械
的に連結されている。また、第2の封止部18の両側面
からは、電子素子搭載部に接続されている14本の外部
リードピン10が、下方に曲げられて形成されている。
さらに、図1には示されていないが、第1の封止部16
の台部16bには、後述するように光ファイバフェルー
ルを受容するための円筒状のスリーブSLが固着され、
これによって、DIP(デュアルインパッケージ)型の
受信用サブアセンブリRxが形成される。
【0019】次に、本発明による光リンク装置に用いら
れる発光素子を有する光モジュールである送信用サブア
センブリについて説明する。図2は、送信用サブアセン
ブリTxの構成を示す斜視図である。送信用サブアセン
ブリTxは、第1の封止部46及び第2の封止部48を
有して構成されている。
【0020】第1の封止部46内には、光ファイバへ光
信号を送出する発光素子である光素子(図示していな
い)と、光素子を搭載するための光素子搭載部(図示し
ていない)とが封止されている。この光素子としては、
例えば1.3μm波長帯の光信号を出射する面発光型の
InGaAsP発光ダイオードや、面発光型のInGa
Asレーザダイオード等の発光素子が用いられる。ま
た、この光素子の先端には、半導体製造工程において発
光面を被う絶縁膜をエッチング加工することにより、微
小な集光レンズを形成しても良い。
【0021】この第1の封止部46は、矩形状の基部4
6aと、円錐台形状の台部46bと、台部46bの頂上
部分に成型された非球面レンズ46cとが一体化された
構造を有している。非球面レンズ46cは、光素子の発
光面、及び光素子の先端に位置する上記した集光レンズ
と光軸が一致するように形成されている。台部46b
は、非球面レンズ46c、光素子の発光面、及び集光レ
ンズに対して同心円状であり、頂上部分に行くにしたが
って次第に細くなるように、所定の傾斜角を持った側壁
と所定の高さを有する円錐台となっている。
【0022】一方、第2の封止部48内には、発光素子
の出力信号を処理する電子素子(図示していない)と、
電子素子を搭載するための電子素子搭載部(図示してい
ない)とが封止されている。第1の封止部46及びその
内部に位置する光素子搭載部と、第2の封止部48及び
その内部に位置する電子素子搭載部とは、鈎形状に曲げ
られた2本の内部リードピン38によって電気的かつ機
械的に連結されている。また、第2の封止部48の両側
面からは、電子素子搭載部に接続されている14本の外
部リードピン40が、下方に曲げられて形成されてい
る。さらに、図2には示されていないが、第1の封止部
46の台部46bには、後述するように光ファイバフェ
ルールを受容するための円筒状のスリーブSL’が固着
され、これによって、DIP(デュアルインパッケー
ジ)型の送信用サブアセンブリTxが形成される。
【0023】なお、送信用サブアセンブリTxの第2の
封止部48の上部には、電子素子搭載部の所定領域を露
出させる凹部48a、48bが設けられている。凹部4
8aには、実装された電子素子に接続されて、発光素子
への電気信号の電流値を微調整するための小型可変抵抗
器等を収容する。凹部48bは、この微調整の際に、プ
ローブピンでリードフレームの所定パターンの電位を測
定するために設けられている。
【0024】上記した受信用サブアセンブリRx及び送
信用サブアセンブリTxを用いた、本発明による光リン
ク装置について説明する。図3は、本発明に係る光リン
ク装置の一実施形態を展開して示す斜視図である。な
お、受信用サブアセンブリRx及び送信用サブアセンブ
リTxには、円筒状のスリーブSL、SL’がそれぞれ
固着されている。スリーブSL、SL’は不透明樹脂で
成型されており、先端側からフェルールを嵌挿させるた
めの挿入孔と、後端側から台部16b、46bを嵌合さ
せるための嵌合穴と、これらの挿入孔と嵌合穴間を連通
する連通孔を有している。
【0025】光リンク装置の筐体は、受信用サブアセン
ブリRx及び送信用サブアセンブリTxを搭載する、導
電部50a及び絶縁部50bからなる本体下部50と、
本体下部50に対して蓋の役目を担う本体上部52と、
受信用サブアセンブリRx及び送信用サブアセンブリT
xをそれぞれ覆うように設置されるフレームFR、F
R’と、光コネクタを着脱自在に嵌合させる光レセプタ
クル部54とから構成され、これらを組み合わせること
により、一体化構造を有する光リンク装置が形成され
る。
【0026】図4は、導電部50a及び絶縁部50bと
を合わせた状態での本体下部50の斜視図を示す。本体
下部50を構成する導電部50aは液晶ポリマー樹脂で
一体成型されており、その外面の全面に銅(Cu)及び
ニッケル(Ni)、金(Au)などの導電性メッキが施
されている。また、絶縁部50bはポリフェニレンサル
ファイド樹脂で一体成型されている。
【0027】導電部50aには第1の導電搭載部56a
が、また絶縁部50bには第1の絶縁搭載部56bが形
成されており、これらを重ね合わせることによって、受
信用サブアセンブリRxを搭載するための本体下部50
の第1の搭載部56が構成される。同様に、導電部50
aには第2の導電搭載部58aが、また絶縁部50bに
は第2の絶縁搭載部58bが形成されており、これらを
重ね合わせることによって、送信用サブアセンブリTx
を搭載するための本体下部50の第2の搭載部58が構
成される。
【0028】絶縁部50bには、第1、第2の搭載部5
6、58の間に立設された一対の係合爪60、62が形
成されている。また、導電部50aの第1の導電搭載部
56aには、円筒状スリーブSLを嵌合させるU字状の
案内突起64、及び第2の封止部18を予め決められた
高さに保持するための矩形状の載置台66が形成されて
いる。一方、第2の導電搭載部58aには、円筒状スリ
ーブSL’を嵌合させるU字状の案内突起70、及び第
2の封止部48を予め決められた高さに保持するための
矩形状の載置台72が形成されている。
【0029】第1の搭載部56は、受信用サブアセンブ
リRxの外部リードピン10を一本一本個別に係合させ
る複数の細長い案内溝62a、62bを有して構成され
ている。これらの案内溝62a、62bは本実施形態に
おいてはそれぞれ7個である。案内突起64側からそれ
ぞれ案内溝62a1〜62a7、62b1〜62b7とする
と、このうち案内溝62a1〜62a5、62b3及び6
2b5は導電部50aに形成された導電案内溝である。
また、案内溝62a6〜62a7、62b1〜62b2、6
2b4及び62b6〜62b7は絶縁部50bに形成され
た絶縁案内溝である。
【0030】第1の搭載部56に固定される受信用サブ
アセンブリRxの外部リードピン10のうち、導電部5
0aに形成された上記の導電案内溝62a1〜62a5
62b3及び62b5に係合される外部リードピンはグラ
ンド電位に設定される接地用のものであり、これらの案
内溝は外側に露出して形成されている。さらに、案内溝
62b3及び62b5の下方にある絶縁部50bの部位に
は、外部リードピン10を本体下部50の下面から突出
させるように開口部が設けられている。
【0031】また、絶縁部50bに形成されている絶縁
案内溝62a6〜62a7、62b1〜62b2、62b4
及び62b6〜62b7は、係合される外部リードピンが
導電性の部分と接触しないように、いずれも外側が覆わ
れている貫通孔として形成されている。このような構成
において、第1の搭載部56に受信用サブアセンブリR
xを搭載すると、各外部リードピン10が案内溝62
a、62bにそれぞれ係合し、さらに、外部リードピン
10の各下端部分が貫通して本体下部50の裏面側へ突
出するようになっている。
【0032】第2の搭載部58は、送信用サブアセンブ
リTxの外部リードピン40を一本一本個別に係合させ
る複数の細長い案内溝68a、68bを有して構成され
ている。これらの案内溝68a、68bは本実施形態に
おいてはそれぞれ7個である。案内突起70側からそれ
ぞれ案内溝68a1〜68a7、68b1〜68b7とする
と、このうち案内溝68a1〜68a5及び68b4〜6
8b5は導電部50aに形成された導電案内溝である。
また、案内溝68a6〜68a7、68b1〜68b3及び
68b6〜68b7は絶縁部50bに形成された絶縁案内
溝である。
【0033】第2の搭載部58に固定される送信用サブ
アセンブリTxの外部リードピン40のうち、導電部5
0aに形成された上記の導電案内溝68a1〜68a5
び68b4〜68b5に係合される外部リードピンはグラ
ンド電位に設定される接地用のものであり、これらの案
内溝は外側に露出して形成されている。さらに、案内溝
68b4及び68b5の下方にある絶縁部50bの部位に
は、外部リードピン40を本体下部50の下面から突出
させるように開口部が設けられている。
【0034】また、絶縁部50bに形成されている絶縁
案内溝68a6〜68a7、68b1〜68b3及び68b
6〜68b7は、係合される外部リードピンが導電性の部
分と接触しないように、いずれも外側が覆われている貫
通孔として形成されている。このような構成において、
第2の搭載部58に送信用サブアセンブリTxを搭載す
ると、各外部リードピン40が案内溝68a、68bに
それぞれ係合し、さらに、外部リードピン40の各下端
部分が貫通して本体下部50の裏面側へ突出するように
なっている。
【0035】なお、本実施形態においては、各案内溝6
2a、62b、68a、68bのうち、第1の導電搭載
部56aの導電部50a内側に形成されている2つの案
内溝62b3、62b5には、その一部に図5の部分拡大
図に示すような突起部63がそれぞれ設けられている。
【0036】以上のように構成された本体下部50に対
して、図6に示すように第1の搭載部56に受信用サブ
アセンブリRxを搭載し、第2の搭載部58に送信用サ
ブアセンブリTxを搭載することにより、一体化した中
間部品を形成する。
【0037】光レセプタクル部54は、硬質のPPS
(ポリフェニレンサルファイド)樹脂により射出成型さ
れている。図3に示すように、光レセプタクル部54の
後方には、円筒状スリーブSL、SL’を嵌合させる円
筒状の嵌合穴80、82が長手方向に沿って形成され、
前方には、光ファイバーフェルールを受容した光コネク
タを挿入するための開口部84と、開口部84と嵌合穴
80、82間を連通する矩形の嵌合穴86が形成されて
いる。
【0038】光レセプタクル部54の両側には、例えば
プリント基板への取付け位置を決定し、固定ネジで固着
するためのネジ止め突部88が設けられ、特に機械的強
度を得るために他の部分に較べて肉厚に形成されてい
る。
【0039】さらに、嵌合穴80、82が形成された矩
形状の後端部90、92には、本体上部52の凸部13
3、134、135、136(図7)を嵌合させるため
の縦溝98、99、100、101が形成され、後端部
90、92の間には、係合爪60を嵌めるための矩形凹
部102が形成されている。
【0040】そして、図6に示すように、受信用サブア
センブリRxと送信用サブアセンブリTxに固着された
スリーブSL、SL’を嵌合穴80、82中に嵌合さ
せ、本体上部52の凹部130a、130b、132
a、132b(図7)と後端部90、92及び案内突起
64、70を嵌合させることにより、一体化させる。
【0041】本体上部52は、液晶ポリマー樹脂で一体
成型されており、その上端部には、受信用サブアセンブ
リRxの第1、第2の封止部16、18にそれぞれ対応
する複数の長穴104a、104bと、送信用サブアセ
ンブリTxの第1、第2の封止部46、48にそれぞれ
対応する複数の長穴106a、106bと、係合爪6
0、62を係合させる一対の係合穴108、110が形
成されている。
【0042】さらに、図7に示すように、本体上部52
の内側には、各サブアセンブリRx、Txの第1の封止
部16、46を収容するための収容室112、114
と、第2の封止部18、48を収容するための収容室1
16、118とが形成されている。
【0043】また、受信用サブアセンブリRxの両側に
設けられた外部リードピン10を、横方向から本体下部
50の案内溝62a側へ押しつけて固定する付勢部12
0a、及び案内溝62b側へ押しつけて固定する付勢部
120bと、送信用サブアセンブリTxの両側に設けら
れた外部リードピン40を、横方向から本体下部50の
案内溝68a側へ押しつけて固定する付勢部124a、
及び案内溝68b側へ押しつけて固定する付勢部124
bが形成されている。
【0044】なお、これらの付勢部120a、120
b、124a、124bは、それぞれ案内溝62a、6
2b、68a、68bのうち導電部50aに外側に露出
して形成されている導電案内溝62a1〜62a5、62
3及び62b5、68a1〜68a5、68b4〜68b5
に対応した位置に、外部リードピンを10、40を押し
つけるための突起を有して設置されており、絶縁部50
bに貫通孔状に形成されている絶縁案内溝に対しては、
付勢部は設置されていない。
【0045】収容室112、114の前方には、係合穴
108が設けられた凸部128が形成されている。凸部
128の両側とそれに対向する端面には、案内突起6
4、70を嵌合させるための凹部130a、130bと
132a、132bが形成されている。
【0046】また、収容部116、118の天部と、各
サブアセンブリRx、Txの第2の封止部18、48と
の間には、図6に示すように、フレームFR、FR’が
配置される。フレームFR、FR’は、図3に示すよう
に、その装置外側及び内側にそれぞれ下方に突出してい
る側部FRa及びFRb、FRa’及びFRb’を有し
て形成されている。側部FRa及びFRb、FRa’及
びFRb’の内側の幅は各サブアセンブリRx、Txの
第2の封止部18、48の幅に対応し、側部FRa及び
FRb、FRa’及びFRb’の下方への突出高さは、
第2の封止部18、48の上面から外部リードピン1
0、40の上端までの距離に対応している。
【0047】このフレームFR、FR’は、第2の封止
部18、48の上方に、その上部下面が第2の封止部1
8、48の上面に接し、側部FRa及びFRb、FR
a’及びFRb’が第2の封止部18、48を挟んで、
側部FRa及びFRb、FRa’及びFRb’の下端が
外部リードピン10、40の上端に接するように配置さ
れる。そして、本体上部52の収容部116、118の
天部と、本体下部50の載置台66、72の間に、上記
した各サブアセンブリRx、Txの第2の封止部18、
48と、その上方にそれぞれ位置するフレームFR、F
R’とが挟持される。
【0048】本体上部52は、全面にわたり銅(Cu)
及びニッケル(Ni)、金(Au)等の導電性メッキが
施されている。尚、この導電性メッキは、直接半田付け
が可能な程度の厚みを有し、かつ下地である液晶ポリマ
ー樹脂から容易に剥離しないようにメッキ処理が施され
ている。
【0049】そして、図8に示すように、この本体上部
52を本体下部50に被せ、係合爪60、62を係合穴
108、110中に挿入することで、係合爪60、62
が反力で自動的に係合穴108、110と噛み合い、一
体化構造の光リンク装置が完成する。なお、係合爪6
0、62と係合穴108、110の噛み合いを外すと、
容易に本体上部52を本体下部50から取り外すことが
できる。
【0050】次に、かかる構造を有する光リンク装置の
効果を説明する。図9は、各部の接続状態を示すための
図8におけるI−I矢印断面図であり、具体的には、受
信用サブアセンブリRx、送信用サブアセンブリTxの
それぞれ案内突起64、70側から3番目の外部リード
ピン10、40を含む平面での断面図である。
【0051】図6において、本体上部52を導電部50
a及び絶縁部50bからなる本体下部50に組み付ける
と、本体上部52の内壁が、導電部50aの両側の側壁
74、76に接触する。また、本体上部52に設けられ
た付勢部120a、120b、124a、124bと、
案内溝62a、62b、68a、68bのうち導電部5
0aに設けられた導電案内溝との間にそれぞれ接地用の
外部リードピンを挟み込み接触する。この状態におい
て、外部リードピン10、40のうちの接地用の外部リ
ードピンをグランド電位にすると、本体上部52全体が
グランド電位となり、受信用サブアセンブリRxと送信
用サブアセンブリTxを外来雑音からシールドすること
ができる。
【0052】図9に示した断面図の領域においては、装
置内側の外部リードピン40は非接地用であって、絶縁
部50bに設けられた絶縁案内溝68b3によって固定
されている。それに対して、装置両側の外部リードピン
10及び装置外側の外部リードピン40は接地用であっ
て、導電案内溝62a3及び付勢部120a、導電案内
溝62b3及び付勢部120b、導電案内溝68a3及び
付勢部124aによってそれぞれ接触・固定されてい
る。このような接続によって、導電部50a及び本体上
部52はグランド電位とされる。また、非グランド電位
である外部リードピンは対応する絶縁案内溝、図9にお
いては絶縁案内溝68b3、が貫通孔状に形成されてい
ることによって、導電性の部分と接触することはない。
【0053】このような電磁シールドに金属製の薄板な
どの別個の部材を用いた場合、部品個数が増加し、ま
た、製造工程が複雑化して高コストとなる。また、本体
下部及び本体上部をシールドに用いる場合においても、
その必要部分に導電性メッキを施した場合、部分メッキ
の必要性によって同様に高コストとなる。これに対し
て、上記のように本体下部50を導電性メッキされた樹
脂製の導電部50a及び樹脂製の絶縁部50bの2つの
部材から構成し、導電部50a及び本体上部52の導電
性メッキをそれぞれ全面メッキとすることによって、製
造工程を簡素化して低コストを実現できる。また、この
ような導電部50aは例えば射出成型またはダイキャス
ト成型による金属製のものとすることも可能である。
【0054】また特に本実施形態においては、図5に示
すように、導電案内溝62b3及び62b5の外部リード
ピン10と接触する所定の部分に、突起部63がそれぞ
れ形成されている。これによって、図9に示すように、
外部リードピン10を挿入した際に突起部63によって
外部リードピン10の一部が弾性変形し、その弾性力に
よって外部リードピン10と本体側の導電部分との接触
を確実に保持することができる。
【0055】このような突起部63などの構造を有しな
い案内溝の場合、様々な環境において使用される産業用
機器のレベルでの耐環境性を確保して外部リードピンと
本体との安定した電気的接触を保持するためには、例え
ば10μm程度の高精度での成型が必要となる。このよ
うな高精度成型を行うためには、成型条件を度々見直す
ことが必要となるなど成型工程が複雑化し、かつ成型後
の検査・選別が必要となるので、高コストとなり歩留ま
りが悪くなる。これに対して、上記のような突起部63
を有した案内溝とした場合、弾性変形によって確実かつ
安定して接触を維持することが可能となる。また、この
場合クリープの影響も小さくなる。
【0056】なお、上記の実施形態においては2つの導
電案内溝62b3及び62b5のみに突起部63が設けら
れているが、接地用の外部リードピンに対する他の導電
案内溝についても、同様に突起部を設けた構成としても
良い。
【0057】このような確実な電気的接触は、上記した
突起部以外にも様々な構造によって実現することができ
る。例えば、図10に示すように、導電案内溝は突起部
等を有しないように形成し、所定の外部リードピン10
を予めプレス加工などによって湾曲・変形させた湾曲部
65を形成しておくことによって、同様に安定して接触
を保持することができる。
【0058】本実施形態の光リンク装置による電気的接
触の保持の耐環境性について、導電部50a及び本体上
部52を全面メッキが施された樹脂製のものとして、そ
の耐環境性試験を行った。条件としては、−40℃以下
及び85℃以上での熱衝撃試験をそれぞれ1000サイ
クル、110℃での高温放置試験を1500時間、85
℃かつ85%RHでの高温高湿試験を1500時間それ
ぞれ行ったが、いずれの場合においても電気的接触が充
分に保持され、信頼性の高い電磁シールドが実現されて
いることが示された。
【0059】さらに、本実施形態においては各サブアセ
ンブリRx、Txの内部リードピン8、38がそれぞれ
異なった方向に鈎状に曲げられているため、相互間での
電磁誘導雑音の影響を受け難い構造となっている。この
ため、各サブアセンブリRx、Tx間でのいわゆるクロ
ストーク等の発生を抑制することができる。
【0060】本体上部52に長穴104a、104b、
106a、106bを設けたので、本リンクを配線基板
に半田付固定した後に容易に水洗処理を実施することが
できる。さらに、動作時には、各サブアセンブリRx、
Txから発生する熱を長穴104a、104b、106
a、106bを通じて効率的に外部へ放出することがで
きる。
【0061】さらに、本体上部52の内壁天部と、本体
下部50の載置台66、72との間に各サブアセンブリ
Rx、Txの第2の封止部18、48を、フレームF
R、FR’を介して挟持することによって、縦方向の位
置ずれを抑制している。また、図9に示すように、フレ
ームFR、FR’の側部FRa及びFRb、FRa’及
びFRb’の下端が、外部リードピン10または40の
上端に接するように設置されることによって、外部リー
ドピン10、40の光リンク装置の下部から突出した部
分を他の装置に挿入する場合等においても、外部リード
ピン10、40を上方から押さえることによって支持し
て、外部リードピン10、40の変形を防ぐことができ
る。
【0062】また、本体下部50の係合爪60、62と
本体上部52の係合穴108、110を係合させること
により、本体下部50と本体上部52との上下方向の位
置ずれを抑制している。さらに、本体下部50の案内突
起64、70を本体上部52の凹部130a、130b
と、132a、132bに嵌合させるので、本体下部5
0と本体上部52との横方向と前後方向への位置ずれを
抑制している。
【0063】また、各サブアセンブリRx、Txのスリ
ーブSL、SL’を、本体下部50の案内突起64、7
0に嵌合させスリーブ軸方向の動きを拘束する構造とな
っており、さらに、これらのスリーブSL、SL’を光
レセプタクル部54の嵌合穴80、82に精密に嵌合さ
せ、かつ光レセプタクル部54の後端部90、92を本
体下部50の案内突起64、70とともに、本体上部5
2の凹部130a、130b、132a、132bの溝
部に嵌合させるので、本体下部50と光レセプタクル部
54及び本体上部52が強固に一体化され、さらに、光
コネクタを装着した時に、光ファイバーフェルールをス
リーブSL、SL’内にスムーズに装着することができ
るとともに、光ファイバーフェルール中に受容された光
ファイバーと、各サブアセンブリRx、Tx内の受光素
子と発光素子とを高い精度で光結合させることができ
る。
【0064】尚、本実施形態では、本体下部50の導電
部50a及び本体上部52を液晶ポリマー樹脂で成型す
る場合を説明したが、例えばポリフェニレンサルファイ
ド樹脂や、シンジオタクチックポリスチレン(SPS)
など他の樹脂を用いても良い。本体下部50の絶縁部5
0bなどについても、同様に他の樹脂を用いても良い。
また、導電性の部材である導電部50a、本体上部52
については、例えば金属製とすることも可能である。
【0065】また、本実施形態では、受信用サブアセン
ブリRxと送信用サブアセンブリTxとを備えた光リン
ク装置について説明したが、本発明は、受信用サブアセ
ンブリRxと送信用サブアセンブリTxとのいずれか一
方を備えた光リンク装置にも同様に適用することが可能
である。
【0066】
【発明の効果】本発明による光リンク装置は、以上詳細
に説明したように、次のような効果を得る。すなわち、
受信用及び送信用サブアセンブリを導電性の部材で覆う
ことによって外来雑音に対する電磁シールドとするシー
ルド機構を有する光リンク装置において、受信用及び送
信用サブアセンブリの外部リードピンのうち接地用の外
部リードピンが接触・固定される部分を含む本体下部の
所定部分を導電部材とし、それ以外の部分を絶縁部材と
して別々の部材として形成する。それらを合わせて本体
下部とし、その導電部材と、導電性を有する本体上部と
を接触させることによって、受信用及び送信用サブアセ
ンブリを覆う本体各部をグランド電位として、効果的な
電磁シールドを形成することができる。特に、本体下部
を2つの部材から構成することによって、製造上の低コ
スト化を実現できる。
【0067】また、外部リードピンを弾性変形させる接
続方法とすることによって、接地用の外部リードピン及
び本体下部を安定して接触させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】受信用サブアセンブリの構成を示す斜視図であ
る。
【図2】送信用サブアセンブリの構成を示す斜視図であ
る。
【図3】本発明に係る光リンク装置の構成を展開して示
す斜視図である。
【図4】導電部及び絶縁部を合わせた状態を示す本体下
部の斜視図である。
【図5】導電部の案内溝の構成を部分的に拡大して示す
斜視図である。
【図6】本体下部と光レセプタクル部を連結した状態を
示す斜視図である。
【図7】本体上部の内側の構成を示す斜視図である。
【図8】光リンク装置の外観の構成を示す斜視図であ
る。
【図9】突起部を有する形態による各部の電気的接触を
示す断面図である。
【図10】湾曲部を有する形態による各部の電気的接触
を示す断面図である。
【符号の説明】
Rx…受信用サブアセンブリ、Tx…送信用サブアセン
ブリ、SL、SL’…スリーブ、50…本体下部、50
a…導電部、50b…絶縁部、52…本体上部、FR、
FR’…フレーム、54…光レセプタクル部、8、38
…内部リードピン、10、40…外部リードピン、1
6、36…第1の封止部、18、48…第2の封止部、
56…第1の搭載部、58…第2の搭載部、62a、6
2b、68a、68b…案内溝。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 31/02 - 31/024 H01L 33/00 G02B 6/42 - 6/43

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光ファイバーからの光信号を受光する受
    光素子と前記受光素子の出力信号を処理する電子素子と
    を樹脂封止して成る受信用サブアセンブリと、光ファイ
    バーへ光信号を送出する発光素子と前記発光素子へ電気
    信号を供給する電子素子とを樹脂封止して成る送信用サ
    ブアセンブリとの少なくとも一方が搭載され、前記受信
    用サブアセンブリ及び前記送信用サブアセンブリに設け
    られた外部リードピンが固定される本体下部と、 前記本体下部と係合する本体上部と、 前記本体下部の前方に固着され、前記光ファイバーを受
    容した光コネクタが嵌合する光レセプタクル部とを有す
    る光リンク装置であって、 前記本体上部は、導電性の成型部材であり、 前記本体下部は、その全面が導電性である導電部材と、
    樹脂製の絶縁部材とを有して構成され、 前記導電部材は、前記受信用サブアセンブリ及び前記送
    信用サブアセンブリの前記外部リードピンのうち、接地
    用の前記外部リードピンが電気的に接触して固定される
    導電案内溝を有し、 前記絶縁部材は、前記受信用サブアセンブリ及び前記送
    信用サブアセンブリの前記外部リードピンのうち、所定
    の電圧の印加または信号の入出力が行われる前記外部リ
    ードピンが固定される絶縁案内溝を有し、 前記導電案内溝の少なくとも1つ、または前記接地用の
    外部リードピンの少なくとも1つは、前記接地用の外部
    リードピンが弾性変形されることによって前記接地用の
    外部リードピンと前記導電部材との電気的な接触を保持
    するように形成されるとともに、前記本体上部と前記導
    電部材とが電気的に接触して設置されることによって、
    前記受信用サブアセンブリ及び前記送信用サブアセンブ
    リを覆う電磁シールドが構成されていることを特徴とす
    る光リンク装置。
  2. 【請求項2】 前記導電部材は、その全面に導電性メッ
    キが施された樹脂製であることを特徴とする請求項1記
    載の光リンク装置。
  3. 【請求項3】 前記導電部材は、金属製であることを特
    徴とする請求項1記載の光リンク装置。
  4. 【請求項4】 前記導電案内溝の少なくとも1つは、前
    記接地用の外部リードピンを弾性変形させて電気的な接
    触を保持する突起部を有することを特徴とする請求項1
    記載の光リンク装置。
  5. 【請求項5】 前記接地用の外部リードピンの少なくと
    も1つは、前記導電案内溝によって弾性変形されて電気
    的な接触を保持する湾曲部を有することを特徴とする請
    求項1記載の光リンク装置。
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