JP3006558B2 - フォトマスクの帯電防止方法およびそれに用いる装置 - Google Patents

フォトマスクの帯電防止方法およびそれに用いる装置

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JP3006558B2 JP22664797A JP22664797A JP3006558B2 JP 3006558 B2 JP3006558 B2 JP 3006558B2 JP 22664797 A JP22664797 A JP 22664797A JP 22664797 A JP22664797 A JP 22664797A JP 3006558 B2 JP3006558 B2 JP 3006558B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子ビーム露光装置
に用いるフォトマスクに関し、特にフォトマスクの帯電
防止方法およびその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電子ビーム露光装置において、フォトマ
スクに電荷が帯電するとフォトマスクに照射される荷電
粒子ビームの軌道が曲げられて、正しい位置にパターン
を形成することができなくなる。
【0003】この問題を解決する為に従来技術では、ガ
ラス基盤上に金属膜としてのクロム膜が遮光膜として形
成され、その上にウェハー転写時の多重反射によるパタ
ーン精度の劣化を防ぐ反射防止膜を有し、その上にレジ
ストを塗布した構造のフォトマスクにおいて、電子ビー
ム露光装置のカセットに保持されたフォトマスクと露光
装置とを電気的に導通させるために、カセットに固定さ
れた板バネの先端を尖らせて導通ピンを形成し、板バネ
のバネ性によりピン先端でフォトマスクを構成するレジ
スト膜及び反射防止膜例えば酸化クロム膜を機械的に貫
通して、その下のクロム等の導電膜と接触させるという
方法がとられていた。
【0004】上述の機械的な導通方法においては、導通
用ピンを押し当てる強さが不足した場合、レジスト膜及
び反射防止膜を完全に貫通させることができないため導
通をとることができないという欠点があり、また導通を
完全にとるため導通用ピンの押し当て力を増すと、フォ
トマスクに過大な力が加わってたわみが生じて描画精度
が低下するという欠点があり、さらにピンの先端が変形
したりバネ性も低下し易いという欠点もある。
【0005】上述の機械的導通方法における欠点を避け
るために、例えば特開平4−371952号公報に開示
されているように、図6において、ガラス基板31上に
クロム膜32を形成したのち、ガラス基板31周辺の少
なくとも一部のクロム膜32が露出するように酸化クロ
ム膜33を形成してハードマスク30を形成する方法が
ある。
【0006】さらにまた、特開平2−125416号公
報に開示されているように、図7において、カセット4
6にセットされたマスク基板47のレジスト41に、導
通用ピン45を板バネ44で接触させ、高電圧印加用電
極48の先端をレジスト41を貫通しうる力で金属膜4
2に接触させ、高電圧を印加してレジスト41を絶縁破
壊させ、導通用ピン45と金属膜42とを完全に導通さ
せた後、電極48をマスク基板47上から除去する方法
がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフォト
マスクの周辺の導電膜であるクロム膜の一部を露出させ
る方法は、マスク上に反射防止膜である酸化クロム膜を
形成する際に、膜の蒸着範囲を制限するための窓を有す
るホルダーでガラス基板を覆うために、窓の近辺の蒸着
具合が他の部分と異なって反射防止膜の膜厚の均一性が
保てないという欠点がある。
【0008】さらにまた、高電圧印加用電極に高電圧を
印加してレジストを絶縁破壊させ、導電用ピンと金属膜
との導通を完全にとる方法は、装置が複雑となりかつ操
作上手間も掛り、コスト高になるという欠点がある。
【0009】本発明の目的は、導通ピン間の抵抗値をモ
ニターしながらあらかじめフォトマスクの導電膜まで複
数の導通ピンを打ち込む事により、確実に導電膜にピン
先を打ち込み、導通ピンが導電膜に達しない為に起こる
導通不良を減らす事により、露光時にフォトマスク上に
電荷がたまる為に起こる異常露光をなくすることにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスクの
帯電防止方法は、あらかじめ、フォトマスクの所定の位
置において、少なくとも2個の導通ピンをフォトマスク
の導電膜に達するまで打込み、導通ピンが打込まれたフ
ォトマスクを電子ビーム露光装置のカセットに装着し、
カセットに投げられた導通プレートと導通ピンとを電気
的に接触させることにより、フォトマスクから帯電した
電荷を除去するようになっている。
【0011】上述のフォトマスクに打込まれた少なくと
も2個の導通ピンが、フォトマスクの導電膜まで達した
ことを、2個の導通ピンの間の電気抵抗を測定すること
により確認することが好適である。
【0012】さらにまた、上述のフォトマスクに少なく
とも2個の導通ピンを打込む際に、フォトマスクに過度
の押力を加えないために、押力調整装置を用いて打込む
ことが好適である。
【0013】本発明のフォトマスクの帯電防止方法を工
程順に示せば次のとおりである。
【0014】導通ピン置場に並べられた少なくとも2個
の導通ピンを、上下動、水平移動又は回転運動可能な1
個の治具上に設けられた、少なくとも2個の吸着アーム
の先端部の吸着パッドで吸引して、吸着パッドに並設さ
れた抵抗検出ピンと電気的に接触させて、導通ピン間の
電気抵抗値を確認し、次に治具を上昇させて導通ピン間
の電気抵抗値が無限大なることを確認し、治具を各導通
ピンのフォトマスク上の所定の位置に移動し、次に治具
を下降させて導通ピンをフォトマスクに打込みながら導
通ピンの間の電気抵抗値をモニターし、電気抵抗値が所
定の値を示したとき打込みを終了させ、吸着パッドによ
る導通ピンの吸着を解除して治具をはじめの位置に戻
し、導通ピンが打込まれたフォトマスクを、電子ビーム
露光装置のカセットに装入して、カセットに設けられた
導通プレートと導通ピンとを電気的に接触させる。
【0015】このように電気抵抗値をモニターしながら
導通ピンをフォトマスクに打込むことにより、フォトマ
スクの導電膜まで確実に導通ピンを打込むことが容易と
なる。したがってフォトマスクをカセットに装入してカ
セットに設けられた導通プレートと導電ピンとを接触さ
せることにより、フォトマスクとカッセトとの導通が確
実にとれるため、フォトマスクに帯電する電荷を除去す
ることができる。
【0016】さらにまた、フォトマスクに導通ピンを打
込む際に、吸着アームに設けられた押力調整装置を用い
ることにより、フォトマスクに過度の押力を加えること
を避けることができる。
【0017】本発明のフォトマスクの帯電防止に用いら
れる装置は以下に示すように構成される。すなわち、導
通ピン置場に並べられた導通ピンの中の少なくとも2個
を、パッドにより吸着する治具上に設けられた少なくと
も2個の吸着アームと、導通ピンがパッドに吸着された
とき、導通ピンと電気的に接触する、吸着パッドに並設
された抵抗検出ピンと、抵抗検出ピンの各々と導線によ
って接続され、導通ピンの間の電気抵抗を測定するため
の治具上に固設された電気抵抗測定器と、治具駆動手段
による治具の上下動、水平移動及び垂直軸の周りの回転
運動を制御し、さらに吸着アームの吸着を制御する治具
駆動制御装置とを有している。
【0018】さらに治具上に設けられた吸着アームに
は、導通ピンをフォトマスクに打込む際の押力を調整す
るための押力調整装置を具備している。
【0019】上述のように構成された治具によって導通
ピンが打込まれたフォトマスクを装入するための、電子
ビーム露光装置の露光用カセットを備え、カセットには
導通プレートが設けられ、装入されたカセットの導通ピ
ンと接触させてフォトマスクに帯電する電荷を容易に除
去するようになっている。
【0020】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図1は本発明のフォトマ
スクの帯電防止に用いられる装置の一実施の形態の図で
あって、図1(A)は装置の斜視略図、図1(B)は導
通ピン置場の斜視略図である。図2は、図1(A)に示
すフォトマスクのA−A断面の部分の略図である。図3
は、電子ビーム露光装置に用いるカセットに、フォトマ
スクを装着した図であって、図3(A)は部分平面略
図、図3(B)はC−C線に沿った部分断面の略図であ
る。図2において、フォトマスク10は、基板15及び
その上に順次形成された導電膜14、反射防止膜13お
よび電子ビームレジスト膜12によって構成されてい
る。導通ピン9は、少なくとも1個の突起9aを有する
導体で、突起9aがフォトマスク10の導電膜14まで
打ち込まれ、図3に示すように、電子ビーム露光装置の
カセット20に装着されたフォトマスク10に帯電する
電荷を、カセット20に固設された導通プレート21を
介してカセット側に流す働きを持っている。
【0021】図1において、治具1は、不図示の治具駆
動装置によって上下動、水平移動及び軸の周りに回転運
動が可能で、それらの動作を制御する治具駆動制御装置
3を具備している。治具1にはさらに、導通ピン9を吸
引するための吸引用真空を供給する吸引用配管4を有す
る2個の吸着アーム7が設けられ、吸着アーム7の先端
には導通ピン9を吸着するための吸着パッド22が設け
られている。
【0022】各吸着パッド22に並設された抵抗検出ピ
ン8は、吸着アーム7及び吸着パッド22に絶縁された
状態で固定され、導通ピン9が吸着パッド22に吸着し
たときに、導通ピン9と電気的に接触するようになって
いる。抵抗検出ピン8は、導線19によって治具1に固
設された電気抵抗測定器6に接続され、吸着パッド22
に吸着した2個の導通ピン9の間の電気抵抗値をモニタ
ーするように設けられている。
【0023】押力調整装置5は、治具1を下降させて導
通ピン9の突起9aをフォトマスク10に打込むときの
押力を調整する装置で、図5の断面図に示すように、吸
着アーム7と吸引用配管4との接続部において、ケーシ
ング16が治具1のベース2に固設され、吸着アーム7
の軸方向押力を、ケーシング16と吸着アーム7の段部
18との間に設けられたスプリング17の張力によって
調整するようになっている。
【0024】図1(B)に示す導通ピン置場11には、
ピン台11aの上に導通ピン9を突起9aを下にして整
列配置し、治具1を移動して吸着パッド22が導通ピン
置場11から容易に導通ピン9を吸着して搬出すること
ができるようになっている。次に本発明の実施の形態の
動作について図2、図3、図4を参照して説明する。ま
ず導通ピン置場11に並べられている複数の導通ピン9
を吸着アーム7で吸着する。このとき吸着アーム7先端
には不導体の吸着パッド22がある為、吸着アーム7と
導通ピン9とは電気的に絶縁されている。また、この時
に吸着アーム7の側面に電気的に絶縁した状態で固定さ
れた抵抗検出ピン8と導通ピン9とが接触する。この時
点では導通ピン9同士は導通ピン置場11を介して電気
的につながっているので、電気抵抗測定器6はある範囲
内の抵抗値を示す(図4(A)参照)。
【0025】そしてこの状態で治具駆動制御装置3によ
り治具1を上方へ移動させると、導通ピン9同士は電気
的に絶縁された状態になる為に、電気抵抗測定器6は無
限大の値を示す(図4(B)参照)。
【0026】次に、治具駆動制御装置3により導通ピン
9をフォトマスク10上の所定の位置まで移動して、治
具1をゆっくり降下させながら導通ピン9をフォトマス
ク10上に打ち込んでゆく。このとき導通ピン9の突起
9aの先端はフォトマスク10上に形成されている電子
ビームレジスト膜12、反射防止膜13、導電膜14の
順に接触していく。そして、複数の導通ピン9の突起9
aの先端が総て導電膜14に接触した時点で、電気抵抗
測定器6がある範囲内の値を示すので、この時点で打込
み動作を終了させる。この打込み動作中にフォトマスク
10上に加えられる力は、押力調整装置5により常に最
適な状態に保たれる。(図4(C)参照)。
【0027】最後に、治具駆動制御装置3により吸着用
真空の供給を止め治具1を上昇させると、導通ピン9の
みがフォトマスク10上に残される(図4(D)参
照)。
【0028】この導通ピン9が打ち込まれた状態のフォ
トマスク10を、図3に示すように、露光用カセット2
0に装着して、露光用カセット20側に設けられた導通
プレート21とフォトマスク10上に打ち込まれた導通
ピン9とが電気的に接触する様にすることにより、フォ
トマスクに帯電する電荷を容易に除去することができ
る。
【0029】
【実施例】次に図面1、2、3を参照して本発明の実施
例について説明する。フォトマスク10に打込まれる導
通ピン9は、銅などの導体で作られた円形又は多角形状
の平板に、図2に示すような2個の円錐状の突起9aが
設けられている。
【0030】導通ピン9を保持するための吸着アーム7
は、中空円筒形状をなし、その先端には不導体の高分子
材料で作られた中空円筒形の吸着パッド22が固着され
ている。吸引用配管4は、不図示の吸引装置に接続して
吸着アーム7に吸引用真空を供給する。
【0031】抵抗検出ピン8は、銅などの導体で作ら
れ、導通ピン9が吸着パッド22に吸着したときにのみ
その先端部が導通ピン9と接触し、先端部以外の部分は
ゴムなどの不導体によって絶縁されて吸着アーム7の側
面に固定されている。
【0032】電気抵抗測定器6は、抵抗検出ピン8と抵
抗値モニター用導線19で接続され、導通ピン9同士の
間の電気抵抗をモニターする測定器で、0〜∞オーム
(Ω)の抵抗値を表示する。
【0033】治具1に接続され、治具1の上下動、水平
移動及び軸の周りの回転運動の動作を行なうための治具
駆動装置(不図示)は、周知のロータリーシリンダとエ
アシリンダとを組合わせて構成されている。治具1に設
けられた治具駆動制御装置3は、治具駆動装置の上述の
動作及び吸引を制御するための制御装置である。
【0034】カセット20には、カセットに装着された
フォトマスク10の導通ピン9と対応する位置に、銅な
どの導体で作られた導通プレート21が設けられてい
る。導通プレート21はばね性を有し、導通ピン9の板
状の上面と電気的に接触して、露光中に照射される電子
ビームによりフォトマスク10上に帯電する電荷をカセ
ット側に流すようになっている。
【0035】次に、本発明の実施の形態において述べた
動作においては、図4(A)における状態すなわち導通
ピン置場11上で吸着された2個の導通ピン9同士は、
導通ピン置場11を介して電気的につながっており、電
気抵抗測定器6は1000Ω以下の値を示す。
【0036】次に、図4(B)に示すように、治具駆動
制御装置3を操作して治具駆動装置により治具1を20
〜50mm上昇させたとき、導通ピン9は導通ピン置場
11から離れるので、お互いに電気的に絶縁された状態
になり電気抵抗測定器6の指示は∞Ωを示す。
【0037】次に、図4(C)に示すように、治具駆動
制御装置3を操作して、治具1に吸着した2個の導通ピ
ン9をフォトマスク10の最大露光領域外の決められた
場所へ移動し、さらに降下させながらフォトマスク10
に打込む。このとき導通ピン9の突起9aは、フォトマ
スク10上に形成されている電子ビームレジスト膜1
2、酸化クロムなどで形成された反射防止膜13、クロ
ムなどで形成された導電膜14の順に接触する。2個の
導通ピン9の突起9aが、図2に示すように、導電膜1
4に接触した時点で2個の導通ピン間の電気抵抗値は1
000Ω以下を示すので、打込み動作を終了させる。こ
のように電気抵抗測定器6をモニターしながら導通ピン
9を打込むことにより、導通ピン9の突起9aが導電膜
に接触したことを容易に知ることができる。
【0038】さらにまたこの打込み動作中に、フォトマ
スク10上に加えられる力は、図5に示すような押力調
整装置5によって常に最適な状態に保たれる。すなわ
ち、導通ピン9をフォトマスク10に打込む際に、フォ
トマスク10から受ける反力によりスプリング17が縮
むため、フォトマスク10上にはスプリング17のバネ
力によって決まる最適な力が加わることになる。
【0039】上述した押力調整装置5には、スプリング
17が用いられているが、周知の空気圧又は液圧を使用
した押力調整装置と置換えることも容易である。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、複数の導
通ピンの間の電気抵抗値をモニターしながら、フォトマ
スクに導通ピンを打込むことにより、ピン先を確実に導
電膜に打込むことができ、さらに導通ピンが打込まれた
フォトマスクを、導通プレートが設けられた露光用カセ
ットに装着して導通ピンと導通プレートとを電気的に接
続するようにしたため、露光時にフォトマスク上にたま
る電荷を確実に除去できるという効果がある。
【0041】さらにまた、導通ピンを打込む際に、スプ
リングなどを使用した押力調整装置を使用すれば、フォ
トマスクに過度の押力を加えないため歪の発生を防止す
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のフォトマスクの帯電防止に用いる装置
の斜視図である。
【図2】図1のA−A線における部分断面略図である。
【図3】本発明による露光用カセットの部分略図で、図
3(A)は平面図、図3(B))は図3(A)のC−C
線断面図である。
【図4】図1の装置の動作の説明図である。
【図5】本発明による押力調整装置の一実施例の断面略
図である。
【図6】従来の技術によるフォトマスクの図である。
【図7】図6と同様の図である。
【符号の説明】
1 治具 2 ベース 3 治具駆動制御装置 4 吸引用配管 5 押力調整装置 6 電気抵抗測定器 7 吸着アーム 8 抵抗検出ピン 9、45 導通ピン 9a 突起 10 フォトマスク 11 導通ピン置場 11a ピン台 12、41 レジスト膜 13 反射防止膜 14、32、42 導電膜/クロム膜/金属膜 15、31、43 基板 16 ケーシング 17 スプリング 18 段部 19 導線 20、46 露光用カセット 21 導通プレート 22 吸着パッド 30、47 ハードマスク/マスク基板 33 酸化クロム膜 44 板バネ 48 高電圧印加用電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェーハ上にパターンを形成するための
    電子ビーム露光装置に用いるフォトマスクの、帯電を防
    止する方法であって、 あらかじめ、フォトマスク上の所定の位置において、複
    数個の導通ピンを前記フォトマスクの導電膜に達するま
    で打込み、 前記導通ピンが打込まれたフォトマスクを前記露光装置
    のカセットに装着し、 該カセットに設けられた導通プレートと前記導通ピンと
    を電気的に接触させることにより、前記フォトマスクに
    帯電した電荷を除去する、フォトマスクの帯電防止方
    法。
  2. 【請求項2】 前記フォトマスクに打込まれた複数個の
    導通ピンが、該フォトマスクの導電膜まで達したこと
    を、前記複数個の導通ピンの間の電気抵抗を測定するこ
    とにより確認する、請求項1に記載のフォトマスクの帯
    電防止方法。
  3. 【請求項3】 前記フォトマスクに複数個の導通ピンを
    打込む際に、該フォトマスクに過度の押力を加えないた
    め、押力調整装置を用いて打込む、請求項1に記載のフ
    ォトマスクの帯電防止方法。
  4. 【請求項4】 導通ピン置場に並べられた複数の導通ピ
    ンを、駆動可能の治具上に設けられた複数の吸着アーム
    の先端部の吸着パッドに吸着して、吸着パッドに並設さ
    れた抵抗検出ピンと電気的に接触させ、 該複数の導通ピンの間の電気抵抗値を確認し、 前記治具を上昇させて、前記複数の導通ピン間の電気抵
    抗値が無限大なることを確認し、 前記治具を前記各導通ピンのフォトマスク上の所定の位
    置に移動し、 前記治具を下降させて前記各導通ピンをフォトマスクに
    打込み、 前記各導通ピンの間の電気抵抗値が所定の値を示したと
    き前記打込みを終了させ、 前記吸着パッドによる導通ピンの吸着を解除して、前記
    治具をはじめの位置に戻し、 前記導通ピンが打込まれたフォトマスクを、電子ビーム
    露光装置のカセットに装入して、該カセットに設けられ
    た導通プレートと前記導通ピンとを電気的に接触させ
    る、請求項1に記載のフォトマスクの帯電防止方法。
  5. 【請求項5】 ウェーハ上にパターンを形成するための
    電子ビーム露光装置に用いるフォトマスクの帯電を防止
    する装置であって、 導通ピン置場に並べられた複数の導通ピンをパッドによ
    り吸着する、治具上に設けられた複数の吸着アームと、 前記導通ピンが前記パッドに吸着されたとき、該導通ピ
    ンと電気的に接触する、前記吸着パッドに並設された抵
    抗検出ピンと、 前記複数の抵抗検出ピンの各々と導線によって接続さ
    れ、前記複数の導通ピンの間の電気抵抗を測定するため
    前記治具上に固設された電気抵抗測定器と、 治具駆動装置による前記治具の上下動、水平移動及び垂
    直軸の周りの回転運動を制御し、さらに前記吸着アーム
    による吸着を制御する治具駆動制御装置と、 前記導通ピンが打込まれたフォトマスクを装入したと
    き、該導通ピンと電気的に接触する導通プレートを具備
    する露光用カセットとを有する、フォトマスクの帯電防
    止装置。
  6. 【請求項6】 前記治具上に設けられた複数の吸着アー
    ムが、前記導通ピンを吸着して前記治具の降下によって
    該導通ピンを前記フォトマスクの所定の位置に打込む
    際、押力を調整しうる押力調整装置を有する、請求項5
    に記載のフォトマスクの帯電防止装置。
  7. 【請求項7】 前記押力調整装置の押力が、バネ力によ
    って調整可能な、請求項6に記載のフォトマスクの帯電
    防止装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19853093B4 (de) * 1998-11-18 2004-11-04 Leica Microsystems Lithography Gmbh Verfahren und Anordnung zur Belichtung eines Substrates
US6482558B1 (en) * 2000-10-24 2002-11-19 Advanced Micro Devices, Inc. Conducting electron beam resist thin film layer for patterning of mask plates
JP4802025B2 (ja) * 2006-03-29 2011-10-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 基板のアース機構及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5403981B2 (ja) * 2008-09-22 2014-01-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 基板カバー
JP2010074046A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置
JP6564734B2 (ja) * 2015-07-27 2019-08-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
CN115362113A (zh) 2020-04-07 2022-11-18 发那科株式会社 机械手系统和机械手

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1508884A (en) * 1975-05-17 1978-04-26 Int Computers Ltd Apparatus for testing printed circuit board assemblies
US4814698A (en) * 1987-10-14 1989-03-21 Everett/Charles Contact Products, Inc. Technique for elimination of static in printed circuit board test fixtures
JPH02125416A (ja) * 1988-11-02 1990-05-14 Nec Corp 電子ビーム露光装置
SE464899B (sv) * 1989-04-25 1991-06-24 Henicor Assets Sa Jordavledare
US5362591A (en) * 1989-10-09 1994-11-08 Hitachi Ltd. Et Al. Mask having a phase shifter and method of manufacturing same
JPH04371952A (ja) * 1991-06-21 1992-12-24 Nec Corp ハードマスク
US5184398A (en) * 1991-08-30 1993-02-09 Texas Instruments Incorporated In-situ real-time sheet resistance measurement method
JPH07140209A (ja) * 1993-09-20 1995-06-02 Fujitsu Ltd 回路配線基板の検査装置およびその検査方法
EP0706209A3 (en) * 1994-10-06 1996-12-27 Applied Materials Inc Thin film resistance measurement
JP3080595B2 (ja) * 1997-02-28 2000-08-28 日本電産リード株式会社 基板検査装置および基板検査方法
KR100257584B1 (ko) * 1997-11-11 2000-06-01 윤종용 웨이퍼 테스트 시스템에서 제트축의 높이 설정 장치 및 방법

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