JP3006211B2 - ホトトランジスタ受光回路 - Google Patents
ホトトランジスタ受光回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、インバ−タ装置，サ
−ボシステム等にパルス幅変調信号（ＰＷＭ信号）の伝
達回路として用いられるホトトランジスタ受光回路に関
する。
−ボシステム等にパルス幅変調信号（ＰＷＭ信号）の伝
達回路として用いられるホトトランジスタ受光回路に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＷＭ信号伝達回路としてのホトトラン
ジスタ受光回路は、スイッチング遅れ時間が少なく、電
源電圧が変動しても安定したベ−ス駆動信号をパワ−ト
ランジスタ等のパワ−スイッチング素子に伝送できるこ
とが求められる。そして、このスイッチング遅れ時間を
少なくするためには、ホトトランジスタの動作点をその
活性領域に保持することが有効である。
ジスタ受光回路は、スイッチング遅れ時間が少なく、電
源電圧が変動しても安定したベ−ス駆動信号をパワ−ト
ランジスタ等のパワ−スイッチング素子に伝送できるこ
とが求められる。そして、このスイッチング遅れ時間を
少なくするためには、ホトトランジスタの動作点をその
活性領域に保持することが有効である。
【０００３】図７は従来のホトトランジスタ受光回路を
示す接続図であり、ホトカプラ１はＰＷＭ信号（入力電
流ＩF ）を光信号に変換する例えばＧa Ａs 等のホトダ
イオ−ド２と、光信号を電気信号に変換するホトトラン
ジスタ３とで構成され、そのエミッタＥが抵抗４および
５を介して接地されることによりホトトランジスタ３が
エミッタホロワ構成されるとともに、抵抗４および５の
抵抗値および直流電源９の電圧Ｖccにより、コレクタ電
流Ｉｃ,コレクタ・エミッタ間電圧ＶCE，および出力電
圧ＶB が所定の動作条件を満たすよう設定される。ま
た、電源９には抵抗７を介してパワ−トランジスタ６が
接続され、そのベ−スにホトトランジスタ３の出力信号
（抵抗５の端子電圧）ＶB がベ−ス駆動信号として印加
されることにより、パワ−トランジスタ６がＰＷＭ信号
に基づいてオンオフ制御される。
示す接続図であり、ホトカプラ１はＰＷＭ信号（入力電
流ＩF ）を光信号に変換する例えばＧa Ａs 等のホトダ
イオ−ド２と、光信号を電気信号に変換するホトトラン
ジスタ３とで構成され、そのエミッタＥが抵抗４および
５を介して接地されることによりホトトランジスタ３が
エミッタホロワ構成されるとともに、抵抗４および５の
抵抗値および直流電源９の電圧Ｖccにより、コレクタ電
流Ｉｃ,コレクタ・エミッタ間電圧ＶCE，および出力電
圧ＶB が所定の動作条件を満たすよう設定される。ま
た、電源９には抵抗７を介してパワ−トランジスタ６が
接続され、そのベ−スにホトトランジスタ３の出力信号
（抵抗５の端子電圧）ＶB がベ−ス駆動信号として印加
されることにより、パワ−トランジスタ６がＰＷＭ信号
に基づいてオンオフ制御される。
【０００４】図８は従来のホトトランジスタ受光回路の
負荷特性線図であり、入力電流ＩFをパラメ−タとする
ホトトランジスタ３の電流ＩC とコレクタ・エミッタ間
電圧ＶCEとは、曲線の傾斜ｄｉ／ｄｖが大きく変化する
中間領域と、曲線の傾斜が小さく一定な活性領域とに大
別される。ＰＷＭ信号を遅れなくパワ−トランジスタに
伝達することが求められるホトトランジスタ受光回路に
おいては、電圧ＶCEの変動に対する電流ＩC の変化が少
なく，したがってスイッチング遅れが少ない活性領域に
おいて、入力電流ＩF を５ｍＡ程度に抑えて許容損失Ｐ
C(MAX)を越えない範囲にホトトランジスタの動作点を設
定することが理想とされている。図７に示す従来のホト
トランジスタ受光回路において、抵抗４により、ＶCE＝
ＶCC＝１０Ｖとした場合、その負荷直線は１０Ａ，動作
点は中間領域のＡ点となり、動作点Ａを中心にして負荷
直線１０Ａ上をＰＷＭ電圧がパルス状に変化することに
なる。この状態で電源電圧が低下しＶCEが５Ｖに低下し
たと仮定すると、負荷直線は１０Ｂに移り、動作点はＢ
点に移行するため、これに伴ってスイッチング速度が低
下してスイッチング遅れ時間が増大する。
負荷特性線図であり、入力電流ＩFをパラメ−タとする
ホトトランジスタ３の電流ＩC とコレクタ・エミッタ間
電圧ＶCEとは、曲線の傾斜ｄｉ／ｄｖが大きく変化する
中間領域と、曲線の傾斜が小さく一定な活性領域とに大
別される。ＰＷＭ信号を遅れなくパワ−トランジスタに
伝達することが求められるホトトランジスタ受光回路に
おいては、電圧ＶCEの変動に対する電流ＩC の変化が少
なく，したがってスイッチング遅れが少ない活性領域に
おいて、入力電流ＩF を５ｍＡ程度に抑えて許容損失Ｐ
C(MAX)を越えない範囲にホトトランジスタの動作点を設
定することが理想とされている。図７に示す従来のホト
トランジスタ受光回路において、抵抗４により、ＶCE＝
ＶCC＝１０Ｖとした場合、その負荷直線は１０Ａ，動作
点は中間領域のＡ点となり、動作点Ａを中心にして負荷
直線１０Ａ上をＰＷＭ電圧がパルス状に変化することに
なる。この状態で電源電圧が低下しＶCEが５Ｖに低下し
たと仮定すると、負荷直線は１０Ｂに移り、動作点はＢ
点に移行するため、これに伴ってスイッチング速度が低
下してスイッチング遅れ時間が増大する。
【０００５】図９は改良された従来のホトトランジスタ
受光回路を示す接続図であり、ホトトランジスタ３の電
源側に直列抵抗１２，ツェナ−ダイオ−ド１３，および
コンデンサ１４からなる定電圧回路１１を設けた点が前
述の従来技術と異なっている。このように構成されたホ
トトランジスタ受光回路では、ホトトランジスタ３，抵
抗４および５の直列回路に加わる電圧がツェナ−ダイオ
−ド１３のツェナ−電圧ＶZ に保持されるので、電源電
圧ＶCCとツェナ−電圧ＶZ との差に相当する電圧範囲で
電源電圧が変動しても負荷直線および動作点に変化は無
く、従ってスイッチング遅れ時間も一定値に保持され
る。
受光回路を示す接続図であり、ホトトランジスタ３の電
源側に直列抵抗１２，ツェナ−ダイオ−ド１３，および
コンデンサ１４からなる定電圧回路１１を設けた点が前
述の従来技術と異なっている。このように構成されたホ
トトランジスタ受光回路では、ホトトランジスタ３，抵
抗４および５の直列回路に加わる電圧がツェナ−ダイオ
−ド１３のツェナ−電圧ＶZ に保持されるので、電源電
圧ＶCCとツェナ−電圧ＶZ との差に相当する電圧範囲で
電源電圧が変動しても負荷直線および動作点に変化は無
く、従ってスイッチング遅れ時間も一定値に保持され
る。
【０００６】図１０は従来技術におけるスイッチング遅
れ時間と電源電圧との関係を示す特性線図であり、図７
に示すホトトランジスタ受光回路は曲線１７に示すよう
に、電源電圧の低下に伴ってスイッチング遅れ時間が大
幅に大きくなる。これに対して、定電圧回路１１を有す
るホトトランジスタ受光回路は曲線１９に示すように電
圧変動の広い範囲に渡ってスイッチング遅れ時間の低下
が殆ど無く、ＰＷＭ信号を遅滞なくパワートランジスタ
に伝達することができる。
れ時間と電源電圧との関係を示す特性線図であり、図７
に示すホトトランジスタ受光回路は曲線１７に示すよう
に、電源電圧の低下に伴ってスイッチング遅れ時間が大
幅に大きくなる。これに対して、定電圧回路１１を有す
るホトトランジスタ受光回路は曲線１９に示すように電
圧変動の広い範囲に渡ってスイッチング遅れ時間の低下
が殆ど無く、ＰＷＭ信号を遅滞なくパワートランジスタ
に伝達することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のホトトランジス
タ受光回路では、定電圧回路を付加することにより、電
源電圧の変動に伴うスイッチング遅れ時間の増大を阻止
することができる。しかしながら、定電圧回路が小型化
困難な大容量（数１０μＦ）のコンデンサ１４を含むた
めに、ホトトランジスタ受光回路が大型化するという問
題があり、更には集積化によるホトトランジスタ受光回
路の小型化を阻害するという問題が発生する。
タ受光回路では、定電圧回路を付加することにより、電
源電圧の変動に伴うスイッチング遅れ時間の増大を阻止
することができる。しかしながら、定電圧回路が小型化
困難な大容量（数１０μＦ）のコンデンサ１４を含むた
めに、ホトトランジスタ受光回路が大型化するという問
題があり、更には集積化によるホトトランジスタ受光回
路の小型化を阻害するという問題が発生する。
【０００８】この発明の目的は、電源電圧の変動がスイ
ッチング遅れ時間に及ぼす影響が少なく、集積化による
回路の小型化が可能なホトトランジスタ受光回路を得る
ことにある。
ッチング遅れ時間に及ぼす影響が少なく、集積化による
回路の小型化が可能なホトトランジスタ受光回路を得る
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明によれば、パルス幅変調信号をホトダイオ
−ドが発する光信号として受け，電気信号に変換したパ
ルス幅変調信号をパワ−スイッチング素子に駆動信号と
して伝達するホトトランジスタにおいて、エミッタフォ
ロワ構成された前記ホトトランジスタが、その出力側に
ツェナ−ダイオ−ドを負荷として備えてなるものとす
る。
に、この発明によれば、パルス幅変調信号をホトダイオ
−ドが発する光信号として受け，電気信号に変換したパ
ルス幅変調信号をパワ−スイッチング素子に駆動信号と
して伝達するホトトランジスタにおいて、エミッタフォ
ロワ構成された前記ホトトランジスタが、その出力側に
ツェナ−ダイオ−ドを負荷として備えてなるものとす
る。
【００１０】また、パルス幅変調信号をホトダイオ−ド
が発する光信号として受け，電気信号に変換したパルス
幅変調信号をパワ−スイッチング素子に駆動信号として
伝達するホトトランジスタにおいて、ホトトランジスタ
のエミッタにエミッタが接続されコレクタが抵抗接地さ
れたｐｎｐトランジスタと、そのベ−スと前記ホトトラ
ンジスタのコレクタとの間に接続されたツェナ−ダイオ
−ドと、前記ベ−スのバイアス抵抗とからなる能動負荷
によりホトトランジスタがエミッタフォロワ構成されて
なるものとする。
が発する光信号として受け，電気信号に変換したパルス
幅変調信号をパワ−スイッチング素子に駆動信号として
伝達するホトトランジスタにおいて、ホトトランジスタ
のエミッタにエミッタが接続されコレクタが抵抗接地さ
れたｐｎｐトランジスタと、そのベ−スと前記ホトトラ
ンジスタのコレクタとの間に接続されたツェナ−ダイオ
−ドと、前記ベ−スのバイアス抵抗とからなる能動負荷
によりホトトランジスタがエミッタフォロワ構成されて
なるものとする。
【００１１】
【００１２】
【作用】この発明の構成において、エミッタフォロワ構
成されたホトトランジスタが、その出力側にツェナ−ダ
イオ−ドを負荷として備えるよう構成したことにより、
ホトトランジスタのコレクタ・エミッタ間には電源電圧
とツェナ−電圧の差に相当する電圧が加わることにな
り、電源電圧の変動に伴ってコレクタ・エミッタ間の電
圧が大きく変動するが、負荷直線および動作点がｄｉ／
ｄｖが小さく，かつ一定なホトトランジスタの活性領域
内を移動するので、スイッチング遅れ時間に及ぼす影響
を低減する機能が得られる。
成されたホトトランジスタが、その出力側にツェナ−ダ
イオ−ドを負荷として備えるよう構成したことにより、
ホトトランジスタのコレクタ・エミッタ間には電源電圧
とツェナ−電圧の差に相当する電圧が加わることにな
り、電源電圧の変動に伴ってコレクタ・エミッタ間の電
圧が大きく変動するが、負荷直線および動作点がｄｉ／
ｄｖが小さく，かつ一定なホトトランジスタの活性領域
内を移動するので、スイッチング遅れ時間に及ぼす影響
を低減する機能が得られる。
【００１３】また、ホトトランジスタのエミッタにエミ
ッタが接続されコレクタが抵抗接地されたｐｎｐトラン
ジスタと、そのベ−スとホトトランジスタのコレクタと
の間に接続されたツェナ−ダイオ−ドと、前記ベ−スの
バイアス抵抗とからなる能動負荷によりホトトランジス
タがエミッタフォロワ構成されてなるものとすれば、ホ
トトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧は、ツェナ
−ダイオ−ドのツェナ−電圧とｐｎｐトランジスタのべ
−ス・エミッタ間電圧との差に相当する電圧に固定され
るため、ホトトランジスタの動作点も一点に固定され
る。従って、電源電圧の変動に伴うスイッチング遅れ時
間の変化が排除されるとともに、能動負荷が大容量のコ
ンデンサを含まないので、ホトトランジスタ受光回路の
小型化および集積化が可能になる。
ッタが接続されコレクタが抵抗接地されたｐｎｐトラン
ジスタと、そのベ−スとホトトランジスタのコレクタと
の間に接続されたツェナ−ダイオ−ドと、前記ベ−スの
バイアス抵抗とからなる能動負荷によりホトトランジス
タがエミッタフォロワ構成されてなるものとすれば、ホ
トトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧は、ツェナ
−ダイオ−ドのツェナ−電圧とｐｎｐトランジスタのべ
−ス・エミッタ間電圧との差に相当する電圧に固定され
るため、ホトトランジスタの動作点も一点に固定され
る。従って、電源電圧の変動に伴うスイッチング遅れ時
間の変化が排除されるとともに、能動負荷が大容量のコ
ンデンサを含まないので、ホトトランジスタ受光回路の
小型化および集積化が可能になる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて説明す
る。図１はこの発明の実施例になるホトトランジスタ受
光回路を示す接続図、図２は実施例における負荷特性線
図、図３は実施例におけるスイッチング遅れ時間と電源
電圧との関係を示す特性線図であり、従来技術と同じ構
成部分には同一参照符号を付すことにより、重複した説
明を省略する。図において、ホトトランジスタ３のエミ
ッタＥは負荷としてのツェナ−ダイオ−ド２１および抵
抗５を介して接地され、ホトトランジスタ３がエミッタ
フォロワ構成される。
る。図１はこの発明の実施例になるホトトランジスタ受
光回路を示す接続図、図２は実施例における負荷特性線
図、図３は実施例におけるスイッチング遅れ時間と電源
電圧との関係を示す特性線図であり、従来技術と同じ構
成部分には同一参照符号を付すことにより、重複した説
明を省略する。図において、ホトトランジスタ３のエミ
ッタＥは負荷としてのツェナ−ダイオ−ド２１および抵
抗５を介して接地され、ホトトランジスタ３がエミッタ
フォロワ構成される。
【００１５】このように構成されたホトトランジスタ受
光回路において、ホトトランジスタ３のコレクタ・エミ
ッタ間の電圧ＶCEは、電源電圧ＶCCとツェナ−ダイオ−
ド２１のツェナ−電圧ＶZ との差となり、その負荷直線
は図２に示すように、電源電圧ＶCCの低下に伴って直線
２０Ｃから直線２０Ｄへと移動し、これに伴ってホトト
ランジスタの動作点もＣ点からＤ点へと移動する。しか
しながら、動作点が入力電流ＩF が５ｍＡのＩ−Ｖ曲線
２０Ｅの活性領域にあり、曲線の傾斜ｄｉ／ｄｖが小さ
く，かつ一定なため、電源電圧ＶCCの変動がスイッチン
グ遅れ時間に影響を及ぼすことは無く、図３に曲線２０
Ｆで示すようにスイッチング遅れ時間と電源電圧の関係
は従来技術における２つの曲線１７および１９（図１０
参照）の中間程度にまで改善され、集積化が容易な簡素
な回路構成のホトトランジスタ受光回路により、電源電
圧の変動の影響を排除してＰＷＭ信号を遅滞なくパワ−
トランジスタにベ−ス駆動信号として伝達することがで
きる。なお、負荷としてのツェナ−ダイオ−ド２１に直
列に抵抗を挿入するよう構成すれば、負荷直線２０Ｃ，
２０Ｄ等に右下がりの傾斜を持たせることが可能であ
り、負荷直線が許容コレクタ損失ＰC と交差することに
よって生ずるホトトランジスタの損傷を回避することが
できる。
光回路において、ホトトランジスタ３のコレクタ・エミ
ッタ間の電圧ＶCEは、電源電圧ＶCCとツェナ−ダイオ−
ド２１のツェナ−電圧ＶZ との差となり、その負荷直線
は図２に示すように、電源電圧ＶCCの低下に伴って直線
２０Ｃから直線２０Ｄへと移動し、これに伴ってホトト
ランジスタの動作点もＣ点からＤ点へと移動する。しか
しながら、動作点が入力電流ＩF が５ｍＡのＩ−Ｖ曲線
２０Ｅの活性領域にあり、曲線の傾斜ｄｉ／ｄｖが小さ
く，かつ一定なため、電源電圧ＶCCの変動がスイッチン
グ遅れ時間に影響を及ぼすことは無く、図３に曲線２０
Ｆで示すようにスイッチング遅れ時間と電源電圧の関係
は従来技術における２つの曲線１７および１９（図１０
参照）の中間程度にまで改善され、集積化が容易な簡素
な回路構成のホトトランジスタ受光回路により、電源電
圧の変動の影響を排除してＰＷＭ信号を遅滞なくパワ−
トランジスタにベ−ス駆動信号として伝達することがで
きる。なお、負荷としてのツェナ−ダイオ−ド２１に直
列に抵抗を挿入するよう構成すれば、負荷直線２０Ｃ，
２０Ｄ等に右下がりの傾斜を持たせることが可能であ
り、負荷直線が許容コレクタ損失ＰC と交差することに
よって生ずるホトトランジスタの損傷を回避することが
できる。
【００１６】図４はこの発明の異なる実施例になるホト
トランジスタ受光回路を示す接続図、図５は異なる実施
例における負荷特性線図、図６は異なる実施例における
スイッチング遅れ時間と電源電圧の関係を示す特性線図
である。図において、ホトトランジスタ３の出力側には
能動負荷３１が設けられ、パワ−トランジスタ６のバイ
アス抵抗５を含めてホトトランジスタ３がエミッタフォ
ロワ構成された点が前述の実施例と異なっている。すな
わち、能動負荷３１は、例えばホトトランジス３のエミ
ッタにエミッタが接続されコレクタが抵抗５を介して接
地されたｐｎｐトランジスタ３２と、そのベ−スとホト
トランジスタ３のコレクタとの間に接続されたツェナ−
ダイオ−ド３３と、ｐｎｐトランジスタ３２のベ−スの
バイアス抵抗３４とで構成される。
トランジスタ受光回路を示す接続図、図５は異なる実施
例における負荷特性線図、図６は異なる実施例における
スイッチング遅れ時間と電源電圧の関係を示す特性線図
である。図において、ホトトランジスタ３の出力側には
能動負荷３１が設けられ、パワ−トランジスタ６のバイ
アス抵抗５を含めてホトトランジスタ３がエミッタフォ
ロワ構成された点が前述の実施例と異なっている。すな
わち、能動負荷３１は、例えばホトトランジス３のエミ
ッタにエミッタが接続されコレクタが抵抗５を介して接
地されたｐｎｐトランジスタ３２と、そのベ−スとホト
トランジスタ３のコレクタとの間に接続されたツェナ−
ダイオ−ド３３と、ｐｎｐトランジスタ３２のベ−スの
バイアス抵抗３４とで構成される。
【００１７】このように構成されたホトトランジスタ受
光回路において、ホトトランジスタ３のコレクタ・エミ
ッタ間電圧ＶCEは、ツェナ−ダイオ−ド３３のツェナ−
電圧ＶZ とｐｎｐトランジスタ３２のベ−ス・エミッタ
間電圧ＶBEとの差に相応する電圧に固定されるので、ホ
トトランジスタ３の負荷直線は図５に示す直線３０Ｇに
固定され、その動作点も電源電圧の変動に関わりなくＩ
／Ｖ曲線２０Ｅの中間領域のＧ点に固定される。その結
果、スイッチング遅れ時間−電源電圧特性も図６に示す
曲線３０Ｈとなり、定電圧回路１１を有する従来のホト
トランジスタ受光回路（図９）におけるスイッチング遅
れ時間−電源電圧特性曲線１９（１０図）と同等にスイ
ッチング遅れ時間の電源電圧依存性を排除することがで
きる。
光回路において、ホトトランジスタ３のコレクタ・エミ
ッタ間電圧ＶCEは、ツェナ−ダイオ−ド３３のツェナ−
電圧ＶZ とｐｎｐトランジスタ３２のベ−ス・エミッタ
間電圧ＶBEとの差に相応する電圧に固定されるので、ホ
トトランジスタ３の負荷直線は図５に示す直線３０Ｇに
固定され、その動作点も電源電圧の変動に関わりなくＩ
／Ｖ曲線２０Ｅの中間領域のＧ点に固定される。その結
果、スイッチング遅れ時間−電源電圧特性も図６に示す
曲線３０Ｈとなり、定電圧回路１１を有する従来のホト
トランジスタ受光回路（図９）におけるスイッチング遅
れ時間−電源電圧特性曲線１９（１０図）と同等にスイ
ッチング遅れ時間の電源電圧依存性を排除することがで
きる。
【００１８】また、能動負荷３１は定電圧回路を有する
従来技術で必要とした大容量コンデンサを必要としない
ので、ホトトランジスタ受光回路の小型化が可能であ
り、集積化することによりコンパクト化されたホトトラ
ンジスタ受光回路を容易に得ることができる。
従来技術で必要とした大容量コンデンサを必要としない
ので、ホトトランジスタ受光回路の小型化が可能であ
り、集積化することによりコンパクト化されたホトトラ
ンジスタ受光回路を容易に得ることができる。
【００１９】
【発明の効果】この発明は前述のように、パルス幅変調
信号をホトダイオ−ドが発する光信号として受け，電気
信号に変換したパルス幅変調信号をパワ−スイッチング
素子に駆動信号として伝達するホトトランジスタにおい
て、エミッタフォロワ構成されたホトトランジスタが、
その出力側にツェナ−ダイオ−ドを負荷として備えるよ
う構成した。その結果、ホトトランジスタのコレクタ・
エミッタ間には電源電圧とツェナ−電圧の差に相当する
電圧が加わることになり、電源電圧の変動に伴ってコレ
クタ・エミッタ間の電圧が大きく変動するが、動作点が
ｄｉ／ｄｖが小さく，かつ一定なホトトランジスタの活
性領域内を移動するので、スイッチング遅れ時間に及ぼ
す影響を低減することが可能となり、従来のホトトラン
ジスタ受光回路で問題となった電源電圧の変動に伴うス
イッチング遅れ時間の変動が抑制され、ＰＷＭ信号を遅
滞なくパワ−トランジスタにベ−ス駆動信号として伝達
できる構成が簡素で集積化可能なホトトランジスタ受光
回路を経済的にも有利に提供することができる。
信号をホトダイオ−ドが発する光信号として受け，電気
信号に変換したパルス幅変調信号をパワ−スイッチング
素子に駆動信号として伝達するホトトランジスタにおい
て、エミッタフォロワ構成されたホトトランジスタが、
その出力側にツェナ−ダイオ−ドを負荷として備えるよ
う構成した。その結果、ホトトランジスタのコレクタ・
エミッタ間には電源電圧とツェナ−電圧の差に相当する
電圧が加わることになり、電源電圧の変動に伴ってコレ
クタ・エミッタ間の電圧が大きく変動するが、動作点が
ｄｉ／ｄｖが小さく，かつ一定なホトトランジスタの活
性領域内を移動するので、スイッチング遅れ時間に及ぼ
す影響を低減することが可能となり、従来のホトトラン
ジスタ受光回路で問題となった電源電圧の変動に伴うス
イッチング遅れ時間の変動が抑制され、ＰＷＭ信号を遅
滞なくパワ−トランジスタにベ−ス駆動信号として伝達
できる構成が簡素で集積化可能なホトトランジスタ受光
回路を経済的にも有利に提供することができる。
【００２０】また、ホトトランジスタのエミッタにエミ
ッタが接続されコレクタが抵抗接地されたｐｎｐトラン
ジスタと、そのベ−スとホトトランジスタのコレクタと
の間に接続されたツェナ−ダイオ−ドと、前記ベ−スの
バイアス抵抗とからなる能動負荷によりホトトランジス
タがエミッタフォロワ構成されてなるものとすれば、ホ
トトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧は、ツェナ
−ダイオ−ドのツェナ−電圧とｐｎｐトランジスタのベ
−ス・エミッタ間電圧との差に相当する電圧に固定され
るため、ホトトランジスタの動作点も一点に固定され
る。従って、従来技術で問題になった電源電圧の変動に
伴うスイッチング遅れ時間の変化が阻止され、ＰＷＭ信
号を遅滞なくパワ−トランジスタに伝達できるととも
に、能動負荷が従来技術で必要とした大容量のコンデン
サを含まないので、集積化することにより小型化された
ホトトランジスタ受光回路を経済的にも有利に提供する
ことができる。
ッタが接続されコレクタが抵抗接地されたｐｎｐトラン
ジスタと、そのベ−スとホトトランジスタのコレクタと
の間に接続されたツェナ−ダイオ−ドと、前記ベ−スの
バイアス抵抗とからなる能動負荷によりホトトランジス
タがエミッタフォロワ構成されてなるものとすれば、ホ
トトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧は、ツェナ
−ダイオ−ドのツェナ−電圧とｐｎｐトランジスタのベ
−ス・エミッタ間電圧との差に相当する電圧に固定され
るため、ホトトランジスタの動作点も一点に固定され
る。従って、従来技術で問題になった電源電圧の変動に
伴うスイッチング遅れ時間の変化が阻止され、ＰＷＭ信
号を遅滞なくパワ−トランジスタに伝達できるととも
に、能動負荷が従来技術で必要とした大容量のコンデン
サを含まないので、集積化することにより小型化された
ホトトランジスタ受光回路を経済的にも有利に提供する
ことができる。
【図１】この発明の実施例になるホトトランジスタ受光
回路を示す接続図
回路を示す接続図
【図２】実施例における負荷特性線図
【図３】実施例におけるスイッチング速度と電源電圧の
関係を示す特性線図
関係を示す特性線図
【図４】この発明の異なる実施例になるホトトランジス
タ受光回路を示す接続図
タ受光回路を示す接続図
【図５】異なる実施例における負荷特性線図
【図６】異なる実施例におけるスイッチング遅れ時間−
電源電圧特性線図
電源電圧特性線図
【図７】従来のホトトランジスタ受光回路を示す接続図
【図８】従来のホトトランジスタ受光回路の負荷特性線
図
図
【図９】改良された従来のホトトランジスタ受光回路を
示す接続図
示す接続図
【図１０】従来技術におけるスイッチング遅れ時間−電
源電圧特性線図
源電圧特性線図
１ ホトカプラ ２ ホトダイオ−ド ３ ホトトランジスタ ４ 抵抗（負荷） ５ 抵抗（ゲ−トバイアス） ６ パワ−トランジスタ ９ 直流電源 １１ 定電圧回路 １２ 抵抗 １３ ツェナ−ダイオ−ド １４ コンデンサ ２１ ツェナ−ダイオ−ド（負荷） ３１ 能動負荷 ３２ ｐｎｐトランジスタ ３３ ツェナ−ダイオ−ド ３４ 抵抗 ＩF 入力電流 ＩC ホトトランジスタのコレクタ電流 ＶCC 電源電圧 ＶCE ホトトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧 ＶZ ツェナ−ダイオ−ドのツェナ−電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03K 17/78 H01L 31/12 H02M 1/08 301
Claims (2)
- 【請求項１】パルス幅変調信号をホトダイオ−ドが発す
る光信号として受け，電気信号に変換したパルス幅変調
信号をパワ−スイッチング素子に駆動信号として伝達す
るホトトランジスタにおいて、エミッタフォロワ構成さ
れた前記ホトトランジスタが、その出力側にツェナ−ダ
イオ−ドを負荷として備えてなることを特徴とするホト
トランジスタ受光回路。 - 【請求項２】パルス幅変調信号をホトダイオ−ドが発す
る光信号として受け，電気信号に変換したパルス幅変調
信号をパワ−スイッチング素子に駆動信号として伝達す
るホトトランジスタにおいて、ホトトランジスタのエミ
ッタにエミッタが接続されコレクタが抵抗接地されたｐ
ｎｐトランジスタと、そのベ−スと前記ホトトランジス
タのコレクタとの間に接続されたツェナ−ダイオ−ド
と、前記ベ−スのバイアス抵抗とからなる能動負荷によ
りホトトランジスタがエミッタフォロワ構成されてなる
ことを特徴とするホトトランジスタ受光回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24388091A JP3006211B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | ホトトランジスタ受光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24388091A JP3006211B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | ホトトランジスタ受光回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0583106A JPH0583106A (ja) | 1993-04-02 |
| JP3006211B2 true JP3006211B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=17110359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24388091A Expired - Fee Related JP3006211B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | ホトトランジスタ受光回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3006211B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4606561B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2011-01-05 | ローム株式会社 | インターフェース回路 |
| DE10139204A1 (de) * | 2001-08-18 | 2003-02-27 | Pwb Ruhlatec Ind Prod Gmbh | Signalerzeugungs- und Korrekturschaltung und Verfahren zur Korrektur von digitalen Signalen |
| JP2013225807A (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Sharp Corp | 信号伝達回路、電源ユニット及び照明装置 |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP24388091A patent/JP3006211B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0583106A (ja) | 1993-04-02 |
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