JPS59182576A - 電界効果トランジスタのゲ−トバイアス電圧発生装置 - Google Patents
電界効果トランジスタのゲ−トバイアス電圧発生装置Info
- Publication number
- JPS59182576A JPS59182576A JP59062065A JP6206584A JPS59182576A JP S59182576 A JPS59182576 A JP S59182576A JP 59062065 A JP59062065 A JP 59062065A JP 6206584 A JP6206584 A JP 6206584A JP S59182576 A JPS59182576 A JP S59182576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- light
- voltage
- bias voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 27
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 206010011224 Cough Diseases 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010033799 Paralysis Diseases 0.000 description 1
- 241000270708 Testudinidae Species 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002496 gastric effect Effects 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/082—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明や属する技術分野〕
本発明は、電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧
発生装置璽隼に関する。
発生装置璽隼に関する。
ｍ界効果トランジスタを運転する場合には、ソースとド
レインとの間て印加される運転電圧のほかに、ゲートと
基板との間、もしくはゲートとチャネルとの間、あるい
はゲートとソースまたはドレインとの間に別の電圧が必
要である。例えば短縮型電界効果トランジスタは一般に
ソース・ドレイン間の運転電圧のほかに運転電圧に反作
用する電圧がゲートとドレイ／と一〇間Ｃ（印加される
。
レインとの間て印加される運転電圧のほかに、ゲートと
基板との間、もしくはゲートとチャネルとの間、あるい
はゲートとソースまたはドレインとの間に別の電圧が必
要である。例えば短縮型電界効果トランジスタは一般に
ソース・ドレイン間の運転電圧のほかに運転電圧に反作
用する電圧がゲートとドレイ／と一〇間Ｃ（印加される
。
したかつてこの種のｎチャネル電界効果トランジスタの
場合には正の運転電圧のほかに負のゲートれる。外部電
源はそれに費用がかかることは別としても種々の適用範
囲において実用的とはいえない。
場合には正の運転電圧のほかに負のゲートれる。外部電
源はそれに費用がかかることは別としても種々の適用範
囲において実用的とはいえない。
電圧変換器によシ予め与えられた運転゛電圧からエネル
・ギー蓄債要素の光放都゛にょって亀のゲートバイアス
電圧を発生させることもできる。この種のゲートバイア
ス電圧の発生は高価につき好ましくない。
・ギー蓄債要素の光放都゛にょって亀のゲートバイアス
電圧を発生させることもできる。この種のゲートバイア
ス電圧の発生は高価につき好ましくない。
四に、改のゲートバイアス電圧５１基準電位ＶＬ利する
ソース電位の持ち上げによっても行なわれ、その場合に
ソース電極、ｌゴコンデンサにて高周波的（ては基準電
位に対して阻止されている。しかしながら、胃周ｌ皮の
ソース接地に対するインピーダンス比は斤帰されたコン
デンサにより著しくｉ！萼を受ける。それ放電界効果ト
ランジスタのためのこの（ψｔ’）’ｙ’−トハイアス
′覗圧発圧発生え４ひ化ガリウム電界効果トランジスタ
のように３〜５０Ｈ２の周波数範囲で動作するものに・
は受は入れら丸ない。
ソース電位の持ち上げによっても行なわれ、その場合に
ソース電極、ｌゴコンデンサにて高周波的（ては基準電
位に対して阻止されている。しかしながら、胃周ｌ皮の
ソース接地に対するインピーダンス比は斤帰されたコン
デンサにより著しくｉ！萼を受ける。それ放電界効果ト
ランジスタのためのこの（ψｔ’）’ｙ’−トハイアス
′覗圧発圧発生え４ひ化ガリウム電界効果トランジスタ
のように３〜５０Ｈ２の周波数範囲で動作するものに・
は受は入れら丸ない。
マイクロ波技術における多くの場合において直接のソー
ス接地は呻けられないので、ドレイン電流の調整のだめ
の第２の負の運転電圧が心安となる。ゲートバイアス電
圧に依存したドレイン電流の調整または制御は電界効果
トランジスタの場合には例えば動作点調整または制御に
関連して１要である。
ス接地は呻けられないので、ドレイン電流の調整のだめ
の第２の負の運転電圧が心安となる。ゲートバイアス電
圧に依存したドレイン電流の調整または制御は電界効果
トランジスタの場合には例えば動作点調整または制御に
関連して１要である。
本発明の目的は、予め与えられた運転電圧から、電気的
（Ｃ絶縁もしくは電気的に結分されて予め与えられた運
転電圧範囲外にあシ゛眠界効果トランジスタのゲートバ
イアス電圧発生お古び／また・はチャネル電流の調整ま
たζ制御のために用いることのできる別の電圧を発生す
る電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧発生装置
ｗＪが供することにある。
（Ｃ絶縁もしくは電気的に結分されて予め与えられた運
転電圧範囲外にあシ゛眠界効果トランジスタのゲートバ
イアス電圧発生お古び／また・はチャネル電流の調整ま
たζ制御のために用いることのできる別の電圧を発生す
る電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧発生装置
ｗＪが供することにある。
この目的（ケ本発゛握によれば、それぞれ所定値以上の
大きさのチャネル電流を有している１つ又！Ｉ：ｌ：並
列接続された所定の許容範囲内で同様な複数の福、界効
果トランジスタが、電気的に駆動される１つ以上の光源
と共に１．ｆヤネル寛訛の少なくとも一部が該光源を駆
動して光エネルギーが発せられ、該光エネルギーが少な
くとも１つの受光素子に直流・電圧を生ぜしめるごとく
接続されていて。
大きさのチャネル電流を有している１つ又！Ｉ：ｌ：並
列接続された所定の許容範囲内で同様な複数の福、界効
果トランジスタが、電気的に駆動される１つ以上の光源
と共に１．ｆヤネル寛訛の少なくとも一部が該光源を駆
動して光エネルギーが発せられ、該光エネルギーが少な
くとも１つの受光素子に直流・電圧を生ぜしめるごとく
接続されていて。
しかも核直流電圧、１電界効果トランジスタのゲートに
直接もしくは間接（て導かれ、それにより尋かれたゲー
ト電圧がチャネル電流に反作用するようになっていて、
且つそのチャネル電流を調整するための電気−ｆｃ置が
設けら九てｈることによって遅５にされる。
直接もしくは間接（て導かれ、それにより尋かれたゲー
ト電圧がチャネル電流に反作用するようになっていて、
且つそのチャネル電流を調整するための電気−ｆｃ置が
設けら九てｈることによって遅５にされる。
以上５図面ｒ４照しながら本発明を実施例すζついて（
に詳卸１に説明する。
に詳卸１に説明する。
図は本発明装置の実／Ａｉｉ例の原理構成ケ示す。図＋
Ｃ９ｉ電界効果トランジスタ１が示されており、この電
界効果トランジスタのソース２はアースさｎていて、ド
レイン３は発光ダイオード・１の電気的に駆動される光
源の入力端に接Ｒａｔざ在ている。発光ダイオード４の
出力端は電界効果トランジスタ１の運転電圧、すなわち
ドレイン電圧ＵＤＤに麗かれている。発光ダイオード４
ｖｃ並列にチャネル電流ＩＤの動作点全調整するための
ボテンンヨメータ５が接続されている。電界効果トラン
ジ、スタ１にドレイン電流工ゎが流ｆしると、この電流
の少なくとも一部は発光ダイオード４を通って流れる。
Ｃ９ｉ電界効果トランジスタ１が示されており、この電
界効果トランジスタのソース２はアースさｎていて、ド
レイン３は発光ダイオード・１の電気的に駆動される光
源の入力端に接Ｒａｔざ在ている。発光ダイオード４の
出力端は電界効果トランジスタ１の運転電圧、すなわち
ドレイン電圧ＵＤＤに麗かれている。発光ダイオード４
ｖｃ並列にチャネル電流ＩＤの動作点全調整するための
ボテンンヨメータ５が接続されている。電界効果トラン
ジ、スタ１にドレイン電流工ゎが流ｆしると、この電流
の少なくとも一部は発光ダイオード４を通って流れる。
このクーイオード４を通って流れる電流が十分であれば
ダイオード４は光を発し、その光は適当な装置徐におい
て１つ以上の、とくに６つの・受光索子６によって受は
人ｉｔられ、光起゛成圧に変侠きれる。
ダイオード４は光を発し、その光は適当な装置徐におい
て１つ以上の、とくに６つの・受光索子６によって受は
人ｉｔられ、光起゛成圧に変侠きれる。
１つの発光ダイオードの代シに直列もしくは並列接続式
れｆＣ複数の発光ダイオードや、あるいは同じように接
続された他の電気的光源を使用してもよい。複数の受光
素子６は直列接続をれている。
れｆＣ複数の発光ダイオードや、あるいは同じように接
続された他の電気的光源を使用してもよい。複数の受光
素子６は直列接続をれている。
そｊ″Ｌらの直列接続されている受光索子６の一方の自
由端子７にＪｉ高い方の電位が印ノ）Ｄ ＠れ、これに
対して、それらの直列接続されている受′に索子６の他
方の自由端子８には低い方の電位が印加されている。負
のゲートバイアス電圧で駆動される電が効果トラン／メ
タのドレイン電流の制御のために端子７がアースされ、
他方では端子８が′電界効果トラノジスタのゲート９Ｖ
Ｃ接続されていると共に一端をアースされている抵抗１
０７）他端に接・テされている０、ドンイ／電ＡＫより
生せしめられる直のゲートバイアス電圧が該ドレイン電
流に反作用する７Ｅめ、この回路によシトレイン電流（
１）調整が行なわれる。ドレイン電流の増大は発光ダイ
オードが放つ放１４１エネルギーが増えるという結果を
もたらす。この増大した放射エネルギーが更１ｃ受元累
子により大きな光起電圧を生ぜしめるので。
由端子７にＪｉ高い方の電位が印ノ）Ｄ ＠れ、これに
対して、それらの直列接続されている受′に索子６の他
方の自由端子８には低い方の電位が印加されている。負
のゲートバイアス電圧で駆動される電が効果トラン／メ
タのドレイン電流の制御のために端子７がアースされ、
他方では端子８が′電界効果トラノジスタのゲート９Ｖ
Ｃ接続されていると共に一端をアースされている抵抗１
０７）他端に接・テされている０、ドンイ／電ＡＫより
生せしめられる直のゲートバイアス電圧が該ドレイン電
流に反作用する７Ｅめ、この回路によシトレイン電流（
１）調整が行なわれる。ドレイン電流の増大は発光ダイ
オードが放つ放１４１エネルギーが増えるという結果を
もたらす。この増大した放射エネルギーが更１ｃ受元累
子により大きな光起電圧を生ぜしめるので。
トラノ／スタ１に流れるドレイン電流をよシ強く抑１１
１する負のゲートバイアス電圧が生じる。図示のごとき
装置ｒｆｃよりゲートバイアス電圧か一つだけ与えらす
る運転電圧から生ぜしめられ、１：１１時（ｌこドレイ
ン電流の迩切な調整が行なわｆする。
１する負のゲートバイアス電圧が生じる。図示のごとき
装置ｒｆｃよりゲートバイアス電圧か一つだけ与えらす
る運転電圧から生ぜしめられ、１：１１時（ｌこドレイ
ン電流の迩切な調整が行なわｆする。
本発明による一Ａ１【・まひ化ガリウム電界効果トラン
ジスタにおけるゲートバイアス電圧発生に効果的に使用
できる。一般にそのｆｃ ／） ＩＣＩ４ゲート−（イ
アス軍圧ｐＡ節に１０μＡ１とくに１μＡよりも小さい
電流が必要である。さらに、本発明装ｋｖよ・シワ−Ｍ
ＯＳトランジスタにおける電気絶縁された茗号制御に使
用することができる。
ジスタにおけるゲートバイアス電圧発生に効果的に使用
できる。一般にそのｆｃ ／） ＩＣＩ４ゲート−（イ
アス軍圧ｐＡ節に１０μＡ１とくに１μＡよりも小さい
電流が必要である。さらに、本発明装ｋｖよ・シワ−Ｍ
ＯＳトランジスタにおける電気絶縁された茗号制御に使
用することができる。
種々の用途において発光ダイオードおよび受光素子・−
ホトカプラの形で使用するとよい。その場合に、パワー
ＭＯ８）ランジスタの信号制御のためｖｃは、必要なゲ
ートノくイアスミ圧が一１Ｖなｌ／）し−２，５Ｖであ
ることから、６個までの受光素子が使用される。
ホトカプラの形で使用するとよい。その場合に、パワー
ＭＯ８）ランジスタの信号制御のためｖｃは、必要なゲ
ートノくイアスミ圧が一１Ｖなｌ／）し−２，５Ｖであ
ることから、６個までの受光素子が使用される。
本発明装置ＩＩま原理的には、ドレイン電圧が加わって
いるときドレイン電流を有する総ての電界効果トランジ
スタ、しかもこのドレイン電流がＯＶのゲート電圧のと
き帛′Ｃｃ電界効果トランジスタに流れるかまたメグご
りドレイン電流が適当な予側接悄電子回路によってざも
なければ無電流の電界効果トランジスタにわざわざ生ぜ
しめられるもののどちらであってもよい鳩ての電界効果
トランジスタにおいで、ゲートバイアス電圧の発生に使
用できる。本発明装置は原理的には負のゲートノ＜イア
スミ圧も正のゲートバイアス電圧も発生することができ
る。負のゲートバイアス電圧発生の事例・′工図面ＰＣ
’もとづく本発明の詳細な説明した。正のゲートバイア
ス電圧゛発主の場合にな図において直列接続されている
受光素子６の端子７と・８とを交替させるビ・女がある
。
いるときドレイン電流を有する総ての電界効果トランジ
スタ、しかもこのドレイン電流がＯＶのゲート電圧のと
き帛′Ｃｃ電界効果トランジスタに流れるかまたメグご
りドレイン電流が適当な予側接悄電子回路によってざも
なければ無電流の電界効果トランジスタにわざわざ生ぜ
しめられるもののどちらであってもよい鳩ての電界効果
トランジスタにおいで、ゲートバイアス電圧の発生に使
用できる。本発明装置は原理的には負のゲートノ＜イア
スミ圧も正のゲートバイアス電圧も発生することができ
る。負のゲートバイアス電圧発生の事例・′工図面ＰＣ
’もとづく本発明の詳細な説明した。正のゲートバイア
ス電圧゛発主の場合にな図において直列接続されている
受光素子６の端子７と・８とを交替させるビ・女がある
。
本発明装置・ユと９わけマイクロ波技１府１／Ｃおける
用途にり荷している。
用途にり荷している。
図ま本発明の一実ノ／ｌ！１例の原理的構成を示す回路
図である。 ■・・・電界効果トラ７ジスタ、２ ノース、３ドレイ
ン、１−発光ダイオード、５ ボテ／／ヨメータ、６・
受光索子、７，８ ・端子、９ ゲート、１０ 抵抗
。
図である。 ■・・・電界効果トラ７ジスタ、２ ノース、３ドレイ
ン、１−発光ダイオード、５ ボテ／／ヨメータ、６・
受光索子、７，８ ・端子、９ ゲート、１０ 抵抗
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■）それぞれ所定領以−Ｆ＋／）大きさのチャネル電流
を有している１つ又は並列接続された所定の許容範囲内
で同様な複数の電界効果トランジスタＣ１，）が、電気
的に駆動される１つ以上の′ｊｔ、源（・１）と共Ｅｔ
ｃ 、チャネル電流の少なくとも一部が１咳光源（４）
を駆動して光エネルギーが発せられ、該光エネルギーが
少なくとも１つの受光素子（６ンに直流電圧余生ゼしの
るごとく接続されていて、しかも該直流電圧＋ｄ％界効
果トラ／ジスタ（１）のゲート（９）に直接もしぐζ間
接に樽かγＬ１それＶこより導かれたゲート電圧がチャ
ネル電）にに反作用するようになっていて、且つそのチ
ャネル電流を調整するだめの電気装置ｌが設けられてい
ることで特徴とする″電界効果トランジスタのゲートバ
イアス電圧発生装置。 ２）チャネル電流を調整するだめの電気装置はとする特
許請求の範囲第１項記載の装置。 ３）前記光源（４）として発光ダイオードが使用される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載の装置。 ４）前１１受＃、ｇ子（６）は６つまでの直列接続さｎ
た受光素子であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項ないし第３＠のいずれかに記載の装置。 ５）発光ダイオード（４）と受光素子（６）とはホトカ
ブラの形で一体化されていることを特徴とする特許請求
の範囲第３項または第４ＩＪ１記載の装置。 ６）電界効果トランジスタとしてひ化ガリウム電界効果
トランジスタが用いられることを特徴とする特許請求の
範囲第１項；ｔいし第５１Ｊｉｌ。 のいずれかに記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833311489 DE3311489A1 (de) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Vorrichtung zur erzeugung einer gate-vorspannung an feldeffekttransistoren |
| DE33114897 | 1983-03-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182576A true JPS59182576A (ja) | 1984-10-17 |
Family
ID=6195026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59062065A Pending JPS59182576A (ja) | 1983-03-29 | 1984-03-29 | 電界効果トランジスタのゲ−トバイアス電圧発生装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4629880A (ja) |
| EP (1) | EP0123874B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59182576A (ja) |
| DE (2) | DE3311489A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3311436A1 (de) * | 1983-03-29 | 1984-10-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur erzeugung einer gate-vorspannung an feldeffekttransistoren |
| JPS62126384A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-08 | Hitachi Ltd | 光学的物体検知装置 |
| JPS6351681A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
| US4857825A (en) * | 1988-09-16 | 1989-08-15 | Datatape, Inc. | Voltage controlled resistor |
| WO2022018397A1 (en) * | 2020-07-20 | 2022-01-27 | Bae Systems Plc | Biasing structures |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3611173A (en) * | 1969-11-03 | 1971-10-05 | Atomic Energy Commission | Charge-sensitive preamplifier using optoelectronic feedback |
| US3878406A (en) * | 1972-07-21 | 1975-04-15 | Licentia Gmbh | Circuit arrangement for driving light emitting semiconductor components |
| GB1531263A (en) * | 1975-10-24 | 1978-11-08 | Xerox Corp | Optoelectronic device |
| US4121168A (en) * | 1977-08-24 | 1978-10-17 | Burr-Brown Research Corporation | Optically coupled bias circuit for complementary output circuit and method |
| DE2840937C2 (de) * | 1978-09-20 | 1986-09-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integrierter gegengekoppelter Verstärker |
| US4390790A (en) * | 1979-08-09 | 1983-06-28 | Theta-J Corporation | Solid state optically coupled electrical power switch |
| US4323799A (en) * | 1979-08-09 | 1982-04-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Impulse activated time delay self-restoring switch |
| US4307298A (en) * | 1980-02-07 | 1981-12-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optically toggled bilateral switch having low leakage current |
| US4408131A (en) * | 1981-09-21 | 1983-10-04 | Westinghouse Electric Corp. | Optically isolated solid state relay |
| US4395637A (en) * | 1981-12-07 | 1983-07-26 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optically toggled latch-free normally off switch |
-
1983
- 1983-03-29 DE DE19833311489 patent/DE3311489A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-03-19 US US06/591,307 patent/US4629880A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-03-21 EP EP84103114A patent/EP0123874B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-03-21 DE DE8484103114T patent/DE3483655D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-03-29 JP JP59062065A patent/JPS59182576A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4629880A (en) | 1986-12-16 |
| EP0123874B1 (de) | 1990-11-28 |
| DE3311489A1 (de) | 1984-10-11 |
| EP0123874A3 (en) | 1987-04-01 |
| DE3483655D1 (de) | 1991-01-10 |
| EP0123874A2 (de) | 1984-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6242870B1 (en) | Light emitting device driving circuit | |
| US5949225A (en) | Adjustable feedback circuit for adaptive opto drives | |
| US3937988A (en) | Active termination network for clamping a line signal | |
| WO1999037979A1 (en) | High-speed logarithmic photo-detector | |
| JPS5816818B2 (ja) | 赤外線遠隔制御送信装置 | |
| US9088220B2 (en) | Combined low power isolated power supply with isolated data transfer | |
| EP0798828A2 (en) | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same | |
| US6922045B2 (en) | Current driver and method of precisely controlling output current | |
| US9614351B1 (en) | Low-power, direct-drive driver circuit for driving an externally modulated laser (EML), and methods | |
| EP1625656B1 (en) | Circuit for improved differential amplifier and other applications | |
| JPS59182576A (ja) | 電界効果トランジスタのゲ−トバイアス電圧発生装置 | |
| US4163906A (en) | Time division switching regulator | |
| JPS59139690A (ja) | 電流制御成分駆動用回路 | |
| US3586884A (en) | Circuit to control the duration of pulses | |
| US20100079196A1 (en) | System and method for improving the efficiency and reliability of a broadband transistor switch for periodic switching applications | |
| CA1099346A (en) | Isolation circuit with duty cycle feedback | |
| HU207913B (en) | Input circuit for high-frequency amplifiers | |
| US4609863A (en) | Power supply providing stabilized DC from an input voltage of AC superposed on DC without disturbing the input voltage | |
| US6313659B1 (en) | Controlled impedance CMOS receiver for integrated circuit communication between circuits | |
| US10826491B1 (en) | Control circuit for load switch | |
| EP3495839B1 (en) | Transmission system of an electrical signal | |
| US5508508A (en) | Apparatus for converting optical bipolar signals to optical unipolar signals | |
| US20040120699A1 (en) | Pulse width modulation current adjustment apparatus | |
| JPS5816581A (ja) | パルス変調形光出力制御回路 | |
| JP3006211B2 (ja) | ホトトランジスタ受光回路 |