JP3000661B2 - 傾斜機能型誘電体セラミックス - Google Patents
傾斜機能型誘電体セラミックスInfo
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- JP3000661B2 JP3000661B2 JP2311097A JP31109790A JP3000661B2 JP 3000661 B2 JP3000661 B2 JP 3000661B2 JP 2311097 A JP2311097 A JP 2311097A JP 31109790 A JP31109790 A JP 31109790A JP 3000661 B2 JP3000661 B2 JP 3000661B2
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- dielectric constant
- ceramic
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、誘電体セラミックスを用いて構成された傾
斜機能材料に関し、特に、誘電体セラミック層を母相と
し、気孔を分散相とした傾斜機能型誘電体セラミックス
に関する。
斜機能材料に関し、特に、誘電体セラミック層を母相と
し、気孔を分散相とした傾斜機能型誘電体セラミックス
に関する。
従来より、混晶系を用いた誘電体複合材料が公知であ
る。例えば、CaTiO3−MgTiO3混晶系からなる誘電体複合
材料では、CaTiO3（誘電率εｒ＝170）とMgTiO3（誘電
率εｒ＝17）との混合比を変えることにより、全体とし
ての誘電率εｒを変化させることができ、それによって
誘電率εｒ＝17〜170の範囲の値を示す材料を得ること
が可能とされている。
る。例えば、CaTiO3−MgTiO3混晶系からなる誘電体複合
材料では、CaTiO3（誘電率εｒ＝170）とMgTiO3（誘電
率εｒ＝17）との混合比を変えることにより、全体とし
ての誘電率εｒを変化させることができ、それによって
誘電率εｒ＝17〜170の範囲の値を示す材料を得ること
が可能とされている。
上記のように、混晶系誘電体複合材料では、個々の誘
電体材料では得られない範囲の誘電率を示す誘電体材料
を得ることができる。
電体材料では得られない範囲の誘電率を示す誘電体材料
を得ることができる。
〔発明が解決しようとする課題〕 他方、用途によっては、誘電体セラミックス内の部分
によって誘電率が異なる。誘電率に関して傾斜機能型の
誘電体セラミックスが求められている。上記のような混
晶系を用いた誘電体複合材料を用いれば、成分である各
誘電体セラミックスの混合比を部分的に変化させること
により、誘電率に関して傾斜機能型の誘電体セラミック
スを得ることができる。
によって誘電率が異なる。誘電率に関して傾斜機能型の
誘電体セラミックスが求められている。上記のような混
晶系を用いた誘電体複合材料を用いれば、成分である各
誘電体セラミックスの混合比を部分的に変化させること
により、誘電率に関して傾斜機能型の誘電体セラミック
スを得ることができる。
しかしながら、上記混晶系を用いた誘電体複合材料を
利用して、誘電率が部分的に異なる傾斜機能型の誘電体
セラミックスを構成した場合には、実際には、誘電率だ
けでなく、他の誘電特性も変化してしまうという問題が
あった。
利用して、誘電率が部分的に異なる傾斜機能型の誘電体
セラミックスを構成した場合には、実際には、誘電率だ
けでなく、他の誘電特性も変化してしまうという問題が
あった。
例えば、CaTiO3−MgTiO3系では、CaTiO3及びMgTiO3の
誘電率の温度変化率は、それぞれ、ηｆ＝800ppm/℃及
びηｆ＝−45ppm/℃であるが、混合比を変化させた場
合、誘電率だけでなく上記誘電率の温度変化率もηｆ＝
−45〜＋800ppm/℃の範囲で変化してしまう。
誘電率の温度変化率は、それぞれ、ηｆ＝800ppm/℃及
びηｆ＝−45ppm/℃であるが、混合比を変化させた場
合、誘電率だけでなく上記誘電率の温度変化率もηｆ＝
−45〜＋800ppm/℃の範囲で変化してしまう。
誘電体を電子部品あるいは電気部品に用いる場合、特
殊な用途を除いては、誘電率の温度変化率はゼロに近い
のが望ましい。しかるに、上記CaTiO3−MgTiO3系では、
CaTiO3/MgTiO3＝6/94（モル％）付近において誘電率の
温度変化率ηｆがゼロとなるが、この混合比から離れる
に従って、誘電率の温度変化率ηｆはゼロから遠ざかる
ことになる。
殊な用途を除いては、誘電率の温度変化率はゼロに近い
のが望ましい。しかるに、上記CaTiO3−MgTiO3系では、
CaTiO3/MgTiO3＝6/94（モル％）付近において誘電率の
温度変化率ηｆがゼロとなるが、この混合比から離れる
に従って、誘電率の温度変化率ηｆはゼロから遠ざかる
ことになる。
従って、CaTiO3−MgTiO3系誘電体複合材料では、混合
比を変えることにより誘電率を変化させることができた
としても、上記特定の混合比付近でしか使用できないこ
とになる。すなわち、混晶系を用いた誘電体複合材料を
利用して誘電率が部分的に異なる傾斜機能型の誘電体セ
ラミックスを得ようとした場合、誘電率の温度変化率η
ｆはゼロに近い値としたまま、誘電率を変化させること
はできなかった。よって、混晶系を利用した誘電体複合
材料により、電子部品または電気部品において広汎な用
途に用い得る傾斜機能型の誘電体セラミックスを得るこ
とは現実には不可能であった。
比を変えることにより誘電率を変化させることができた
としても、上記特定の混合比付近でしか使用できないこ
とになる。すなわち、混晶系を用いた誘電体複合材料を
利用して誘電率が部分的に異なる傾斜機能型の誘電体セ
ラミックスを得ようとした場合、誘電率の温度変化率η
ｆはゼロに近い値としたまま、誘電率を変化させること
はできなかった。よって、混晶系を利用した誘電体複合
材料により、電子部品または電気部品において広汎な用
途に用い得る傾斜機能型の誘電体セラミックスを得るこ
とは現実には不可能であった。
本発明の目的は、誘電率の温度変化率を変化させるこ
となく、誘電率が部分的に変化されている傾斜機能型誘
電体セラミックスを提供することにある。
となく、誘電率が部分的に変化されている傾斜機能型誘
電体セラミックスを提供することにある。
本発明は、誘電率をε１、誘電率のうち温度に影響さ
れる成分をε10、温度により変化する成分をαＴとした
ときに（但し、αは温度により変化する係数を、Ｔは温
度を示す）ε１＝ε10＋αＴである誘電体材料に気孔を
分散させてなる誘電体セラミックスであって、該誘電体
セラミックス内において、気孔率が誘電体セラミックス
内の位置に応じて連続的にあるいは段階状に変化してお
り、全体としての誘電率εがε＝ε10 (1-p)＋（１−
Ｐ）・αT/ε10 P（但し、Ｐ×102が気孔の体積百分率を
示す）であることを特徴とする、傾斜機能型誘電体セラ
ミックスである。
れる成分をε10、温度により変化する成分をαＴとした
ときに（但し、αは温度により変化する係数を、Ｔは温
度を示す）ε１＝ε10＋αＴである誘電体材料に気孔を
分散させてなる誘電体セラミックスであって、該誘電体
セラミックス内において、気孔率が誘電体セラミックス
内の位置に応じて連続的にあるいは段階状に変化してお
り、全体としての誘電率εがε＝ε10 (1-p)＋（１−
Ｐ）・αT/ε10 P（但し、Ｐ×102が気孔の体積百分率を
示す）であることを特徴とする、傾斜機能型誘電体セラ
ミックスである。
すなわち、本発明の傾斜機能型誘電体セラミックス
は、誘電体セラミックスを母相とし、気孔を分散相とし
て構成されており、分散相である気孔の密度が、母相で
ある誘電体セラミックス内の位置に応じて変化している
ことを特徴とするものである。
は、誘電体セラミックスを母相とし、気孔を分散相とし
て構成されており、分散相である気孔の密度が、母相で
ある誘電体セラミックス内の位置に応じて変化している
ことを特徴とするものである。
誘電率が誘電体セラミックス内の位置の関数として変
化している。すなわち誘電率が傾斜している傾斜機能型
誘電体セラミックスを得ようとした場合、上述したとお
り、混晶系の誘電体複合材料では、他の誘電特性が変化
するため、実際の電子部品または電気部品に利用するこ
とが困難であった。これは、従来の誘電体複合材料で
は、母相及び分散相のいずれもが誘電体セラミックスで
あるため、分散相の分布密度に応じて、他の誘電特性も
変化してしまうことによる。
化している。すなわち誘電率が傾斜している傾斜機能型
誘電体セラミックスを得ようとした場合、上述したとお
り、混晶系の誘電体複合材料では、他の誘電特性が変化
するため、実際の電子部品または電気部品に利用するこ
とが困難であった。これは、従来の誘電体複合材料で
は、母相及び分散相のいずれもが誘電体セラミックスで
あるため、分散相の分布密度に応じて、他の誘電特性も
変化してしまうことによる。
これに対して、本発明では、母相である誘電体セラミ
ックスに対し、分散相として気孔が利用されており、誘
電率の温度変化率をゼロに近い値としたまま、誘電率を
誘電体内で部分的に変化させることが可能とされてい
る。この理由を、以下において説明する。
ックスに対し、分散相として気孔が利用されており、誘
電率の温度変化率をゼロに近い値としたまま、誘電率を
誘電体内で部分的に変化させることが可能とされてい
る。この理由を、以下において説明する。
気孔内に存在する物質である空気は、誘電率εｒ≒１
であり、誘電率の温度変化率が数ppm/℃程度と非常に小
さく、Ｑ値が数千〜数万と非常に高いという特性を有す
る。
であり、誘電率の温度変化率が数ppm/℃程度と非常に小
さく、Ｑ値が数千〜数万と非常に高いという特性を有す
る。
母相である誘電体セラミックスの誘電率をε１とし、
気孔内の物質すなわち空気の誘電率をε２とする。
気孔内の物質すなわち空気の誘電率をε２とする。
まず、誘電体セラミックスの誘電率ε１は、下記の式
（１）で表されるように、温度に影響されない成分ε10
及び温度により変化する成分αＴからなる。なお、Ｔは
温度を、αは温度によって変化する係数を示す。
（１）で表されるように、温度に影響されない成分ε10
及び温度により変化する成分αＴからなる。なお、Ｔは
温度を、αは温度によって変化する係数を示す。
ε１＝ε10＋αＴ …（１） 他方、複合誘電体中に体積分率（Ｐ）の割合で気孔が
混合されている場合、その複合誘電体全体の誘電率ε
は、 logε＝（１−Ｐ）logε１＋Plogε２ …（２） で表される。式（２）において、ε２＝１であるため、 ε＝ε1 (1-P) ＝（ε10＋αＴ）(1-P) ＝ε10 (1-P)（１＋αT/ε10）(1-P) …（３） となる。
混合されている場合、その複合誘電体全体の誘電率ε
は、 logε＝（１−Ｐ）logε１＋Plogε２ …（２） で表される。式（２）において、ε２＝１であるため、 ε＝ε1 (1-P) ＝（ε10＋αＴ）(1-P) ＝ε10 (1-P)（１＋αT/ε10）(1-P) …（３） となる。
式（３）から明らかなように、全体の誘電率εは、誘
電体セラミックスの誘電率ε１と気孔の体積分率Ｐ×10
2のみで決定される。
電体セラミックスの誘電率ε１と気孔の体積分率Ｐ×10
2のみで決定される。
さらに、用いる誘電体セラミックスの誘電率ε１の温
度変化率が非常に小さい場合には、ε10＞＞αＴである
ため、全体の誘電率εは、 εε10 (1-P)｛１＋（１−Ｐ）αT/ε10｝ ＝ε10 (1-P)＋（１−Ｐ）・αT/▲εP 10▼ …（４） となる。ε10＞＞αＴであるため、式（４）の最終辺の
第２項は無視できるほど小さくなる。従って、全体とし
ての誘電率εは、誘電体セラミックスの誘電率ε１の温
度によって影響されない成分ε10と、気孔の体積分率Ｐ
×102とからのみほぼ決定されることになる。
度変化率が非常に小さい場合には、ε10＞＞αＴである
ため、全体の誘電率εは、 εε10 (1-P)｛１＋（１−Ｐ）αT/ε10｝ ＝ε10 (1-P)＋（１−Ｐ）・αT/▲εP 10▼ …（４） となる。ε10＞＞αＴであるため、式（４）の最終辺の
第２項は無視できるほど小さくなる。従って、全体とし
ての誘電率εは、誘電体セラミックスの誘電率ε１の温
度によって影響されない成分ε10と、気孔の体積分率Ｐ
×102とからのみほぼ決定されることになる。
すなわち、式（４）から明らかなように、気孔は誘電
体の体積を減らし見掛け上の誘電率を減らすように作用
するだけであり、かつ使用する誘電体セラミックスの誘
電率ε１の温度変化が非常に小さい場合には、誘電率の
温度変化率が非常に小さい誘電体セラミックスの得られ
ることがわかる。
体の体積を減らし見掛け上の誘電率を減らすように作用
するだけであり、かつ使用する誘電体セラミックスの誘
電率ε１の温度変化が非常に小さい場合には、誘電率の
温度変化率が非常に小さい誘電体セラミックスの得られ
ることがわかる。
よって、本発明によれば、誘電率の温度変化率を変化
させることなく、誘電率のみが変化する傾斜機能型誘電
体セラミックスを得ることができる。
させることなく、誘電率のみが変化する傾斜機能型誘電
体セラミックスを得ることができる。
実施例１ 誘電率εｒ＝37、及び誘電率の温度変化率ηｆ＝０
（ppm/℃）の特性を有する平均粒径１μｍの誘電体セラ
ミックス、（Zr0.3Sn0.2）TiO4の粉末と、平均粒径３μ
ｍのカーボン粉末とを用意した。
（ppm/℃）の特性を有する平均粒径１μｍの誘電体セラ
ミックス、（Zr0.3Sn0.2）TiO4の粉末と、平均粒径３μ
ｍのカーボン粉末とを用意した。
上記誘電体粉末及びカーボン粉末を、下記の第１表に
示すように、それぞれ、含有量を0.4重量％ずつ変化さ
せて、試料番号１〜51の組成の混合粉末を作製した。得
られた51種類の組成の混合粉末を用い、厚み100μｍの
セラミックグリーンシートを作製した。
示すように、それぞれ、含有量を0.4重量％ずつ変化さ
せて、試料番号１〜51の組成の混合粉末を作製した。得
られた51種類の組成の混合粉末を用い、厚み100μｍの
セラミックグリーンシートを作製した。
次に、試料番号１〜51の組成のセラミックグリーンシ
ートを第２図に示すように、２枚ずつ試料番号順に積層
した。第２図において、1a,1bは、試料番号１のセラミ
ックグリーンシートを、2a,2bは試料番号２のセラミッ
クグリーンシートを、50a,50b及び51a,51bは、それぞ
れ、試料番号50及び51のセラミックグリーンシートであ
る。
ートを第２図に示すように、２枚ずつ試料番号順に積層
した。第２図において、1a,1bは、試料番号１のセラミ
ックグリーンシートを、2a,2bは試料番号２のセラミッ
クグリーンシートを、50a,50b及び51a,51bは、それぞ
れ、試料番号50及び51のセラミックグリーンシートであ
る。
得られた積層体60（第２図の下方に示す積層体）で
は、厚み方向すなわちｘ方向において、第３図に示すよ
うにカーボン含有率が段階状に変化されている。
は、厚み方向すなわちｘ方向において、第３図に示すよ
うにカーボン含有率が段階状に変化されている。
次に、積層体60を、第４図に破線Ａで示すように切断
し、薄板状の試料61を得た。得られた薄板状の試料61
を、空気中、300℃の温度で１時間加熱し、有機成分を
燃焼させた後、窒素雰囲気中、1350℃の温度で３時間焼
成した。得られた焼結体を、空気中、1200℃の温度で５
時間アニーリングし、第１図（ａ）に示す実施例の誘電
体セラミックス62とした。
し、薄板状の試料61を得た。得られた薄板状の試料61
を、空気中、300℃の温度で１時間加熱し、有機成分を
燃焼させた後、窒素雰囲気中、1350℃の温度で３時間焼
成した。得られた焼結体を、空気中、1200℃の温度で５
時間アニーリングし、第１図（ａ）に示す実施例の誘電
体セラミックス62とした。
上記のようにして得た実施例の誘電体セラミックスの
顕微鏡写真を画像処理することにより得られた誘電体セ
ラミックスの気孔率の変化を第５図に模式的に示す。第
５図において、ドットＢは気孔を示す。第５図から明ら
かなように、気孔Ｂは、ｘ方向において、その分散率が
変化していることがわかる。
顕微鏡写真を画像処理することにより得られた誘電体セ
ラミックスの気孔率の変化を第５図に模式的に示す。第
５図において、ドットＢは気孔を示す。第５図から明ら
かなように、気孔Ｂは、ｘ方向において、その分散率が
変化していることがわかる。
次に、上述のようにして得た誘電体セラミックス62の
両主面に、第６図に示すように電極63a〜電極67bを形成
した。そして、電極63a−63b間、電極64a−64b間、電極
65a−65b間、電極66a−66b間、電極67a−67b間の誘電特
性を測定した。結果を、下記の第２表に示す。
両主面に、第６図に示すように電極63a〜電極67bを形成
した。そして、電極63a−63b間、電極64a−64b間、電極
65a−65b間、電極66a−66b間、電極67a−67b間の誘電特
性を測定した。結果を、下記の第２表に示す。
第２表から明らかなように、本実施例の誘電体セラミ
ックス62では、第６図のｘ方向に、誘電率εが変化して
いることがわかる。また、誘電体セラミックスの各部分
において、誘電率εが温度変化に伴って変化していない
ことがわかる。
ックス62では、第６図のｘ方向に、誘電率εが変化して
いることがわかる。また、誘電体セラミックスの各部分
において、誘電率εが温度変化に伴って変化していない
ことがわかる。
実施例２ 実施例１で用いた誘電体粉末、すなわち（Zr0.3S
n0.2）TiO4粉末に代えて、6CaTiO3−94MgTiO3粉末を用
いたことを除いては、実施例１とまったく同様にして傾
斜機能型誘電体セラミックスを作製し、試料内の位置の
違いによる誘電特性の違いを実施例１と同様に測定し
た。結果を、下記の第３表に示す。
n0.2）TiO4粉末に代えて、6CaTiO3−94MgTiO3粉末を用
いたことを除いては、実施例１とまったく同様にして傾
斜機能型誘電体セラミックスを作製し、試料内の位置の
違いによる誘電特性の違いを実施例１と同様に測定し
た。結果を、下記の第３表に示す。
なお、用いた誘電体粉末6CaTiO3−94MgTiO3粉末の平
均粒径は1.5μｍであり、その誘電率εは20であり、誘
電率の温度変化率ηｆは０である。
均粒径は1.5μｍであり、その誘電率εは20であり、誘
電率の温度変化率ηｆは０である。
実施例３ 使用する誘電体粉末を、Ba（Zn1/3Ta2/3）O3に変更し
たことを除いては、実施例１とまったく同様にして傾斜
機能型誘電体セラミックスを作製し、実施例１と同様に
して誘電体セラミックス内の各部分における誘電特性を
測定した。なお、Ba（Zn1/3Ta2/3）O3の誘電率εは31、
誘電率の温度変化率ηｆは０である。
たことを除いては、実施例１とまったく同様にして傾斜
機能型誘電体セラミックスを作製し、実施例１と同様に
して誘電体セラミックス内の各部分における誘電特性を
測定した。なお、Ba（Zn1/3Ta2/3）O3の誘電率εは31、
誘電率の温度変化率ηｆは０である。
他の構造例 第１図（ａ）に示した誘電体セラミックス62では、矩
形の誘電体セラミックスの一の辺に沿って気孔率が変化
されており、それによって該一の辺に沿った方向（ｘ方
向）に沿って誘電率が変化されていた。本発明は、この
ような矩形の誘電体セラミックスにおいて、一の辺に沿
った方向において誘電率が変化されているものに限定さ
れない。
形の誘電体セラミックスの一の辺に沿って気孔率が変化
されており、それによって該一の辺に沿った方向（ｘ方
向）に沿って誘電率が変化されていた。本発明は、この
ような矩形の誘電体セラミックスにおいて、一の辺に沿
った方向において誘電率が変化されているものに限定さ
れない。
例えば、第７図（ａ）及び（ｂ）に示すように、円板
状の誘電体セラミックス71において、中心から周囲に向
かって気孔率が連続的に高められ、それによって中心か
ら外周に至るに連れてεが低下するように誘電体セラミ
ックスを構成することもできる。
状の誘電体セラミックス71において、中心から周囲に向
かって気孔率が連続的に高められ、それによって中心か
ら外周に至るに連れてεが低下するように誘電体セラミ
ックスを構成することもできる。
同様に、第８図（ａ）及び（ｂ）に示すように、円筒
状の誘電体セラミックス72において、底面から上面に向
かって、すなわち高さ方向に気孔率を変化させて、それ
によって高さ方向の誘電率が連続的に変化されている傾
斜機能型誘電体セラミックスを構成してもよい。
状の誘電体セラミックス72において、底面から上面に向
かって、すなわち高さ方向に気孔率を変化させて、それ
によって高さ方向の誘電率が連続的に変化されている傾
斜機能型誘電体セラミックスを構成してもよい。
また、気孔率は、ある方向において段階状に変化させ
てもよく、連続的に変化させてもよい。
てもよく、連続的に変化させてもよい。
さらに、第１図（ｂ）に一点鎖線Ｑで示すように、気
孔率をある方向において、一旦増大するように変化さ
せ、しかる後減少するように変化させてもよい。
孔率をある方向において、一旦増大するように変化さ
せ、しかる後減少するように変化させてもよい。
他の製造方法の例 実施例１では、気孔を形成するために、カーボン粉末
を用いたが、カーボン粉末に代えて、パラフィンやセル
ロース固形物のように、誘電体セラミックスの焼成温度
で飛散し得る他、の材料を用いてもよい。
を用いたが、カーボン粉末に代えて、パラフィンやセル
ロース固形物のように、誘電体セラミックスの焼成温度
で飛散し得る他、の材料を用いてもよい。
また、誘電体セラミックス粉末とカーボン粉末とを混
合してなるスラリーをスプレードライヤー法により乾燥
し、この乾燥状態を変化させて、乾燥粉末を堆積体その
ものの組成を積層方向に連続的に変化させることによっ
て、気孔率を変化させてもよい。
合してなるスラリーをスプレードライヤー法により乾燥
し、この乾燥状態を変化させて、乾燥粉末を堆積体その
ものの組成を積層方向に連続的に変化させることによっ
て、気孔率を変化させてもよい。
さらに、誘電体粉末やカーボン粉末等の材料粉末の充
填比を積層方向に変化させて、気孔率，を変化させても
よい。
填比を積層方向に変化させて、気孔率，を変化させても
よい。
本発明によれば、誘電体セラミックス内において気孔
率がその位置に応じて連続的にまたは段階状に変化され
ているため、誘電率の温度変化率を変化させることな
く、誘電率が誘電体セラミックス内の位置に応じて、連
続的にまたは段階状に変化している傾斜機能型の誘電体
セラミックスを提供することが可能となる。
率がその位置に応じて連続的にまたは段階状に変化され
ているため、誘電率の温度変化率を変化させることな
く、誘電率が誘電体セラミックス内の位置に応じて、連
続的にまたは段階状に変化している傾斜機能型の誘電体
セラミックスを提供することが可能となる。
よって、本発明の傾斜機能型誘電体セラミックスを用
いることにより、従来は実現することが困難であった特
性を示す種々の電子部品または電気部品を構成すること
が可能となる。
いることにより、従来は実現することが困難であった特
性を示す種々の電子部品または電気部品を構成すること
が可能となる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は実施例１で得られた傾斜機能
型誘電体セラミックスを示す斜視図及び該誘電体セラミ
ックス内における位置と気孔率の関係を示す図、第２図
は実施例１においてセラミックグリーンシートを積層し
て積層体を得る工程を示す斜視図、第３図は実施例１の
積層体におけるカーボン含有量と位置との関係を示す
図、第４図は実施例１において積層体を切断して薄板状
試料を得る工程を示す斜視図、第５図は実施例１で得ら
れた焼結体内の気孔の分布を模式的に示す図、第６図は
実施例で得た誘電体セラミックスの誘電特性を測定する
ために形成された電極を説明するための斜視図、第７図
（ａ）及び（ｂ）は本発明が適用される誘電体セラミッ
クスの他の構造例を示す斜視図及び位置と気孔率及び誘
電率との関係を示す図、第８図（ａ）及び（ｂ）は本発
明に適用されるさらに他の形状の傾斜機能型誘電体セラ
ミックスを示す斜視図及び位置と気孔率及び誘電率との
関係を示す図である。 図において、1a,1b,2a,2b,50a,50b,51a,51bはセラミッ
クグリーンシート、60は積層体、61は薄板状試料、62は
傾斜機能型誘電体セラミックス、Ｂは気孔を示す。
型誘電体セラミックスを示す斜視図及び該誘電体セラミ
ックス内における位置と気孔率の関係を示す図、第２図
は実施例１においてセラミックグリーンシートを積層し
て積層体を得る工程を示す斜視図、第３図は実施例１の
積層体におけるカーボン含有量と位置との関係を示す
図、第４図は実施例１において積層体を切断して薄板状
試料を得る工程を示す斜視図、第５図は実施例１で得ら
れた焼結体内の気孔の分布を模式的に示す図、第６図は
実施例で得た誘電体セラミックスの誘電特性を測定する
ために形成された電極を説明するための斜視図、第７図
（ａ）及び（ｂ）は本発明が適用される誘電体セラミッ
クスの他の構造例を示す斜視図及び位置と気孔率及び誘
電率との関係を示す図、第８図（ａ）及び（ｂ）は本発
明に適用されるさらに他の形状の傾斜機能型誘電体セラ
ミックスを示す斜視図及び位置と気孔率及び誘電率との
関係を示す図である。 図において、1a,1b,2a,2b,50a,50b,51a,51bはセラミッ
クグリーンシート、60は積層体、61は薄板状試料、62は
傾斜機能型誘電体セラミックス、Ｂは気孔を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 38/00 C04B 38/06
Claims (1)
- 【請求項１】誘電率をε１、誘電率のうち温度に影響さ
れる成分をε10、温度により変化する成分をαＴとした
ときに（但し、αは温度により変化する係数を、Ｔは温
度を示す）ε１＝ε10＋αＴである誘電体材料に気孔を
分散させてなる誘電体セラミックスであって、該誘電体
セラミックス内において、気孔率が誘電体セラミックス
内の位置に応じて連続的にあるいは段階状に変化してお
り、全体としての誘電率εがε＝ε10 (1-p)＋（１−
Ｐ）・αT/ε10 P（但し、Ｐ×102が気孔の体積百分率を
示す）であることを特徴とする、傾斜機能型誘電体セラ
ミックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311097A JP3000661B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 傾斜機能型誘電体セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311097A JP3000661B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 傾斜機能型誘電体セラミックス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04182369A JPH04182369A (ja) | 1992-06-29 |
| JP3000661B2 true JP3000661B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=18013103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2311097A Expired - Lifetime JP3000661B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 傾斜機能型誘電体セラミックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3000661B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8402846B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-03-26 | Mizuho Medy Co., Ltd. | Sample trituration vessel, tool and method using the same |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP2311097A patent/JP3000661B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8402846B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-03-26 | Mizuho Medy Co., Ltd. | Sample trituration vessel, tool and method using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04182369A (ja) | 1992-06-29 |
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