JP2997794B2 - コンタクトホールの形成方法 - Google Patents
コンタクトホールの形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンタクトホールの形
成方法に関し、特には半導体装置の製造工程におけるコ
ンタクトホールの形成方法に関する。
成方法に関し、特には半導体装置の製造工程におけるコ
ンタクトホールの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、図３
（１）に示すように、基板３０１上に導電層３０２を形
成することによって、表面に凹凸形状を有するウエハ３
１が形成される。このようなウエハ３において、上記凹
凸形状の凹部を絶縁膜で埋め込んで平坦化し、さらに導
電層３０２に接続するコンタクトホールを形成する場合
には、以下のようにする。
（１）に示すように、基板３０１上に導電層３０２を形
成することによって、表面に凹凸形状を有するウエハ３
１が形成される。このようなウエハ３において、上記凹
凸形状の凹部を絶縁膜で埋め込んで平坦化し、さらに導
電層３０２に接続するコンタクトホールを形成する場合
には、以下のようにする。
【０００３】先ず、窒化シリコンからなる絶縁膜３２を
面内均一に成膜する。そして、絶縁膜３２の上面にポリ
イミドからなる平坦化絶縁膜３３を表面が平坦化する状
態で成膜し、これによって上記凹凸形状の凹部を平坦化
絶縁膜３３で埋め込む。ここで、例えば、ウエハ３１表
面に導電層３０２の形成密度が高い高密度領域３と導電
層３０２の形成密度が低い低密度領域４とが形成されて
いる場合には、平坦化絶縁膜３３の表面には段差が形成
される。そして、高密度領域３の段差の凸部上に形成さ
れる平坦化絶縁膜３３の膜厚Ｔ1 と、低密度領域４の段
差の凸部上に形成される平坦化絶縁膜３３の膜厚Ｔ2 と
は異なる厚さになる。
面内均一に成膜する。そして、絶縁膜３２の上面にポリ
イミドからなる平坦化絶縁膜３３を表面が平坦化する状
態で成膜し、これによって上記凹凸形状の凹部を平坦化
絶縁膜３３で埋め込む。ここで、例えば、ウエハ３１表
面に導電層３０２の形成密度が高い高密度領域３と導電
層３０２の形成密度が低い低密度領域４とが形成されて
いる場合には、平坦化絶縁膜３３の表面には段差が形成
される。そして、高密度領域３の段差の凸部上に形成さ
れる平坦化絶縁膜３３の膜厚Ｔ1 と、低密度領域４の段
差の凸部上に形成される平坦化絶縁膜３３の膜厚Ｔ2 と
は異なる厚さになる。
【０００４】そこで、上記の様な場合には、平坦化絶縁
膜３３上に第１のレジスト３４を表面が平坦化するよう
に塗布し、図３（２）に示すように、上記第１のレジス
ト３４と平坦化絶縁膜３３を、絶縁膜３２が現れるまで
エッチバックする。その際、第１のレジスト３４と平坦
化絶縁膜３３のエッチングレートができるだけ近くなる
ような条件でエッチバックする。これによって、平坦化
絶縁膜３３表面の段差を減少させる。
膜３３上に第１のレジスト３４を表面が平坦化するよう
に塗布し、図３（２）に示すように、上記第１のレジス
ト３４と平坦化絶縁膜３３を、絶縁膜３２が現れるまで
エッチバックする。その際、第１のレジスト３４と平坦
化絶縁膜３３のエッチングレートができるだけ近くなる
ような条件でエッチバックする。これによって、平坦化
絶縁膜３３表面の段差を減少させる。
【０００５】その後、図３（３）に示すように、第１及
び平坦化絶縁膜３２，３３上に第２のレジスト３５を塗
布し、リソグラフィーによって導電層３０２上の第２の
レジスト３５に開口部３０５を形成する。そして、図３
（４）に示すように、第２のレジスト３５をマスクにし
て平坦化絶縁膜３３と絶縁膜３２とをエッチングする。
これによって、凹凸形状の凹部を平坦化絶縁膜３３で埋
め込んでウエハ３１の表面を平坦化した状態で、導電層
３０２に接続するコンタクトホール３６が形成される。
び平坦化絶縁膜３２，３３上に第２のレジスト３５を塗
布し、リソグラフィーによって導電層３０２上の第２の
レジスト３５に開口部３０５を形成する。そして、図３
（４）に示すように、第２のレジスト３５をマスクにし
て平坦化絶縁膜３３と絶縁膜３２とをエッチングする。
これによって、凹凸形状の凹部を平坦化絶縁膜３３で埋
め込んでウエハ３１の表面を平坦化した状態で、導電層
３０２に接続するコンタクトホール３６が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のコンタ
クトホールの形成方法には、以下のような課題があっ
た。すなわち、上記図３（２）で示した工程では、平坦
化絶縁膜３３表面の段差を減少させるために、上記第１
のレジストと平坦化絶縁膜３３とを同様のエッチングレ
ートでエッチングするようにしている。しかし、レジス
トと平坦化絶縁膜を構成するポリイミドとを、同一のエ
ッチングレートでエッチングできる条件はなく、通常、
レジストのエッチングレートの方がポリイミドのエッン
グレートより大きい。このため、第１のレジスト３４と
平坦化絶縁膜３３とをエッチバックした後にも、平坦化
絶縁膜３３の表面には段差が残る。したがって、図３
（４）に示したように、第２のレジスト３５をマスクに
してコンタクトホールを形成するエッチングを行うと、
低密度領域４のエッチングは高密度領域３と比較してよ
り深い位置まで進み、高密度領域３と低密度領域４とに
形成されるコンタクトホール３６の開口幅に相違が生じ
る。このため、各コンタクトホール３６のコンタクト抵
抗にばらつきが生じる。
クトホールの形成方法には、以下のような課題があっ
た。すなわち、上記図３（２）で示した工程では、平坦
化絶縁膜３３表面の段差を減少させるために、上記第１
のレジストと平坦化絶縁膜３３とを同様のエッチングレ
ートでエッチングするようにしている。しかし、レジス
トと平坦化絶縁膜を構成するポリイミドとを、同一のエ
ッチングレートでエッチングできる条件はなく、通常、
レジストのエッチングレートの方がポリイミドのエッン
グレートより大きい。このため、第１のレジスト３４と
平坦化絶縁膜３３とをエッチバックした後にも、平坦化
絶縁膜３３の表面には段差が残る。したがって、図３
（４）に示したように、第２のレジスト３５をマスクに
してコンタクトホールを形成するエッチングを行うと、
低密度領域４のエッチングは高密度領域３と比較してよ
り深い位置まで進み、高密度領域３と低密度領域４とに
形成されるコンタクトホール３６の開口幅に相違が生じ
る。このため、各コンタクトホール３６のコンタクト抵
抗にばらつきが生じる。
【０００７】そこで本発明は、低コストにて上記課題を
解決できるコンタクトホールの形成方法を提供すること
を目的とする。
解決できるコンタクトホールの形成方法を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本発明は、導電層の形成によって表面に凹凸
形状を有するウエハの上面に成膜された無機材料からな
る絶縁膜と、当該絶縁膜の上面に前記凹凸形状の凹部を
埋め込む状態で成膜された有機樹脂材料からなる平坦化
絶縁膜とに、前記導電層に接続する状態でコンタクトホ
ールを形成する方法であり、以下の手順で行う。 先ず、
第１の工程では、導電層上に開口部を有する第１のレジ
ストパターンを、前記平坦化絶縁膜上に形成する。次い
で第２の工程では、前記第１のレジストパターンをマス
クにしたエッチングによって、前記導電層上の前記平坦
化絶縁膜を除去する。そして、第３の工程では前記第１
のレジストパターンを除去し、第４の工程では前記第１
のレジストパターンと同一の開口部を有する第２のレジ
ストパターンを前記絶縁膜及び前記平坦化絶縁膜上に形
成する。その後、第５の工程では、前記第２のレジスト
パターンをマスクにしたエッチングによって、前記 導電
層上の前記絶縁膜を除去する。
になされた本発明は、導電層の形成によって表面に凹凸
形状を有するウエハの上面に成膜された無機材料からな
る絶縁膜と、当該絶縁膜の上面に前記凹凸形状の凹部を
埋め込む状態で成膜された有機樹脂材料からなる平坦化
絶縁膜とに、前記導電層に接続する状態でコンタクトホ
ールを形成する方法であり、以下の手順で行う。 先ず、
第１の工程では、導電層上に開口部を有する第１のレジ
ストパターンを、前記平坦化絶縁膜上に形成する。次い
で第２の工程では、前記第１のレジストパターンをマス
クにしたエッチングによって、前記導電層上の前記平坦
化絶縁膜を除去する。そして、第３の工程では前記第１
のレジストパターンを除去し、第４の工程では前記第１
のレジストパターンと同一の開口部を有する第２のレジ
ストパターンを前記絶縁膜及び前記平坦化絶縁膜上に形
成する。その後、第５の工程では、前記第２のレジスト
パターンをマスクにしたエッチングによって、前記 導電
層上の前記絶縁膜を除去する。
【０００９】
【作用】このようなコンタクトホールの形成方法では、
第１のレジストパターンを用いて平坦化絶縁膜をエッチ
ング除去した後に、第２のレジストパターンを用いてそ
の下層の絶縁膜がエッチング除去される。このため、絶
縁膜下の導電層に達するコンタクトホールの開口幅は、
導電層上における平坦化絶縁膜の膜厚に依存せず、第２
のレジストパターンに設けられた開口部によって制御さ
れることになる。しかも、第２工程では、無機材料から
なる絶縁膜上に成膜された有機樹脂材料からなる平坦化
絶縁膜をエッチング除去するため、このエッチングにお
いては絶縁膜がストッパになり、制御性及び再現性が確
保される。また、第１のレジストパターンと第２のレジ
ストパターンとは、同一の開口部を有しているため、こ
れらのレジストパターンを形成する際のリソグラフィー
においては、同一のマスクを用いた露光が行われること
になる。
第１のレジストパターンを用いて平坦化絶縁膜をエッチ
ング除去した後に、第２のレジストパターンを用いてそ
の下層の絶縁膜がエッチング除去される。このため、絶
縁膜下の導電層に達するコンタクトホールの開口幅は、
導電層上における平坦化絶縁膜の膜厚に依存せず、第２
のレジストパターンに設けられた開口部によって制御さ
れることになる。しかも、第２工程では、無機材料から
なる絶縁膜上に成膜された有機樹脂材料からなる平坦化
絶縁膜をエッチング除去するため、このエッチングにお
いては絶縁膜がストッパになり、制御性及び再現性が確
保される。また、第１のレジストパターンと第２のレジ
ストパターンとは、同一の開口部を有しているため、こ
れらのレジストパターンを形成する際のリソグラフィー
においては、同一のマスクを用いた露光が行われること
になる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１の断面模式図に
基づいて説明する。図に示すように、ウエハ１１は例え
ばガリウム砒素からなる基板１０１と、この基板１１の
上面に形成された配線パターンからなる導電層１０２と
で構成されている。ウエハ１１の表面は、導電層１０２
の形成によって凹凸形状を有する状態になっている。ま
た、ウエハ１の表面は、例えば導電層１０２が高密度に
配置されている高密度領域３と、これと比較して導電層
１０２の配置密度が低い低密度領域４とに分けられる。
基づいて説明する。図に示すように、ウエハ１１は例え
ばガリウム砒素からなる基板１０１と、この基板１１の
上面に形成された配線パターンからなる導電層１０２と
で構成されている。ウエハ１１の表面は、導電層１０２
の形成によって凹凸形状を有する状態になっている。ま
た、ウエハ１の表面は、例えば導電層１０２が高密度に
配置されている高密度領域３と、これと比較して導電層
１０２の配置密度が低い低密度領域４とに分けられる。
【００１１】そして、上記ウエハ１１の上面には上記の
凹凸形状に沿った状態で絶縁膜１２が成膜されている。
この絶縁膜１２は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ）法によって成膜された窒化シリコンからな
り、ウエハ１１の上面に面内均一な膜厚で成膜されてい
る。さらに、絶縁膜１２の上面には、ウエハ１１表面の
凹凸形状の凹部を埋め込み、かつ表面が平坦な状態でポ
リイミドのような有機樹脂材料からなる平坦化絶縁膜１
３が成膜されている。上記のように成膜された平坦化絶
縁膜１３は、高密度領域３の導電層１０２上の膜厚Ｔ1
が低密度領域４の導電層１０２上の膜厚Ｔ2より厚く成
膜され、これによって表面に段差が形成される。そし
て、平坦化絶縁膜１３を構成するポリイミドは、成膜後
に熱処理を行って体積収縮させておく。
凹凸形状に沿った状態で絶縁膜１２が成膜されている。
この絶縁膜１２は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ）法によって成膜された窒化シリコンからな
り、ウエハ１１の上面に面内均一な膜厚で成膜されてい
る。さらに、絶縁膜１２の上面には、ウエハ１１表面の
凹凸形状の凹部を埋め込み、かつ表面が平坦な状態でポ
リイミドのような有機樹脂材料からなる平坦化絶縁膜１
３が成膜されている。上記のように成膜された平坦化絶
縁膜１３は、高密度領域３の導電層１０２上の膜厚Ｔ1
が低密度領域４の導電層１０２上の膜厚Ｔ2より厚く成
膜され、これによって表面に段差が形成される。そし
て、平坦化絶縁膜１３を構成するポリイミドは、成膜後
に熱処理を行って体積収縮させておく。
【００１２】上記のように成膜された絶縁膜１２と平坦
化絶縁膜１３とに、導電層１０２に接続するコンタクト
ホールを形成し、かつ第２の絶縁１３によってウエハ表
面の凹凸形状を埋め込んだ状態にする場合には、以下の
手順に従って行う。第１の工程では、導電層１０２上に
開口部１０４を有する第１のレジストパターン１４を、
平坦化絶縁膜１３上に形成する。ここでは先ず、平坦化
絶縁膜１３上にレジストを塗布する。レジストの塗布膜
厚は、表面が十分に平坦化され、かつ次の工程で平坦化
絶縁膜１３をエッチングする際にこのレジストからなる
第１のジストパターン１４が十分に平坦化絶縁膜１３の
エッチングマスクになるような厚さとする。次いで、マ
スクを用いた露光及びその後の現像処理を行うリソグラ
フィー技術によって、導電層１０２上に当たるレジスト
部分に開口部１０４を形成する。これによって、導電層
１０２上に開口部１０４を有する第１のレジストパター
ン１４を形成する。
化絶縁膜１３とに、導電層１０２に接続するコンタクト
ホールを形成し、かつ第２の絶縁１３によってウエハ表
面の凹凸形状を埋め込んだ状態にする場合には、以下の
手順に従って行う。第１の工程では、導電層１０２上に
開口部１０４を有する第１のレジストパターン１４を、
平坦化絶縁膜１３上に形成する。ここでは先ず、平坦化
絶縁膜１３上にレジストを塗布する。レジストの塗布膜
厚は、表面が十分に平坦化され、かつ次の工程で平坦化
絶縁膜１３をエッチングする際にこのレジストからなる
第１のジストパターン１４が十分に平坦化絶縁膜１３の
エッチングマスクになるような厚さとする。次いで、マ
スクを用いた露光及びその後の現像処理を行うリソグラ
フィー技術によって、導電層１０２上に当たるレジスト
部分に開口部１０４を形成する。これによって、導電層
１０２上に開口部１０４を有する第１のレジストパター
ン１４を形成する。
【００１３】次に、第２の工程では、図１（２）に示す
ように、第１のレジストパターン１４をマスクにしたエ
ッチングによって、導電層１０２上の平坦化絶縁膜１３
を除去する。ここでは、酸素を用いたリアクティブイオ
ンエッチングを行うことで絶縁膜１２をストッパにし、
導電層１０２上の絶縁膜１２が完全に現れるまで平坦化
絶縁膜１３のエッチングを行う。
ように、第１のレジストパターン１４をマスクにしたエ
ッチングによって、導電層１０２上の平坦化絶縁膜１３
を除去する。ここでは、酸素を用いたリアクティブイオ
ンエッチングを行うことで絶縁膜１２をストッパにし、
導電層１０２上の絶縁膜１２が完全に現れるまで平坦化
絶縁膜１３のエッチングを行う。
【００１４】その後、第３の工程では、図１（３）に示
すように、上記第２の工程に引き続き酸素を用いたリア
クティブイオンエッチングを行い、これによって第１の
レジストパターン１４を除去する。その後引き続き上記
エッチングを行い、ウエハ１１表面に形成された凹凸形
状の凹部にのみ平坦化絶縁膜１３が残る状態まで平坦化
絶縁膜１３をエッチングする。
すように、上記第２の工程に引き続き酸素を用いたリア
クティブイオンエッチングを行い、これによって第１の
レジストパターン１４を除去する。その後引き続き上記
エッチングを行い、ウエハ１１表面に形成された凹凸形
状の凹部にのみ平坦化絶縁膜１３が残る状態まで平坦化
絶縁膜１３をエッチングする。
【００１５】次いで、第４の工程では、図１（４）に示
すように、第１のレジストパターン（１４）と同一の開
口部１０５を有する第２のレジストパターン１５を、絶
縁膜１２及び平坦化絶縁膜１３上に形成する。ここでは
先ず、絶縁膜１２及び平坦化絶縁膜１３上にレジストを
塗布する。そして次に、マスクを用いた露光及びその後
の現像処理を行うリソグラフィー技術によって、導電層
１０２上に当たるレジスト部分に開口部１０５を形成す
る。この際、第１の工程で用いたと同一のマスクを用い
た露光を行うことによって、第１のレジストパターン
（１４）同一の開口部１０５、すなわ導電層１０２上に
開口部１０５を有する第２のレジストパターン１５を形
成する。
すように、第１のレジストパターン（１４）と同一の開
口部１０５を有する第２のレジストパターン１５を、絶
縁膜１２及び平坦化絶縁膜１３上に形成する。ここでは
先ず、絶縁膜１２及び平坦化絶縁膜１３上にレジストを
塗布する。そして次に、マスクを用いた露光及びその後
の現像処理を行うリソグラフィー技術によって、導電層
１０２上に当たるレジスト部分に開口部１０５を形成す
る。この際、第１の工程で用いたと同一のマスクを用い
た露光を行うことによって、第１のレジストパターン
（１４）同一の開口部１０５、すなわ導電層１０２上に
開口部１０５を有する第２のレジストパターン１５を形
成する。
【００１６】その後、第５の工程では、第２のレジスト
パターン１５をマスクにして、絶縁膜１２を異方性エッ
チングし、絶縁膜１２に導電層１０２に接続するコンタ
クトホール１６を形成する。
パターン１５をマスクにして、絶縁膜１２を異方性エッ
チングし、絶縁膜１２に導電層１０２に接続するコンタ
クトホール１６を形成する。
【００１７】上記のようにしてコンタクトホール１６を
形成した後、図２に示すように、第２のレジストパター
ンを除去する。これによって、凹凸形状の凹部を平坦化
絶縁膜１３で埋め込んで表面を平坦化した状態のウエハ
１１上において、導電層１０２に接続するコンタクトホ
ール１６が形成される。
形成した後、図２に示すように、第２のレジストパター
ンを除去する。これによって、凹凸形状の凹部を平坦化
絶縁膜１３で埋め込んで表面を平坦化した状態のウエハ
１１上において、導電層１０２に接続するコンタクトホ
ール１６が形成される。
【００１８】上記のコンタクトホールの形成方法では、
第１のレジストパターン１４をマスクにして平坦化絶縁
膜１３をエッチングした後、新たに形成した第２のレジ
ストパターン１５をマスクにして絶縁膜１２のエッチン
グを行うことで、導電層１０２に接続するコンタクトホ
ール１６が形成される。このため、コンタクトホール１
６の開口幅は、第２のレジストパターン１５に形成した
開口部１０５の幅によって制御されることになる。した
がって、導電層１０２の配置密度の違いによって導電層
１０２の上部に成膜された平坦化絶縁膜１３の膜厚
Ｔ 1 ，Ｔ 2 が異なる 場合であっても、コンタクトホール
１６の開口幅がばらつくことが防止される。しかも、有
機樹脂材料からなる平坦化絶縁膜１３をエッチングする
際には、酸素を用いたリアクティブイオンエッチングに
よって無機材料からなる絶縁膜１２をストッパにしたエ
ッチングが行われるため、制御性及び再現性を保って平
坦化絶縁膜１３をエッチング除去することが可能にな
る。このため、絶縁膜１４の膜厚を維持することがで
き、第５の工程では、均一な膜厚の絶縁膜１４がエッチ
ングされることになる。このことからも、この絶縁膜１
４に形成されるコンタクトホール１６の開口幅の均一性
を向上させることが可能になる。また、第１のレジスト
パターン１４と第２のレジストパターン１５とは、同一
の開口部１０４，１０５を有していることから、これら
を形成する際のリソグラフィーにおいては、同一のマス
クを用いた露光が行われる。このため、リソグラフィー
のマスクを追加することなく、第１のレジストパターン
１４及び第２のレジストパターン１５を得ることができ
る。以上の結果、コストの上昇を抑えながらも、均一な
開口幅のコンタクトホールを形成することが可能にな
る。
第１のレジストパターン１４をマスクにして平坦化絶縁
膜１３をエッチングした後、新たに形成した第２のレジ
ストパターン１５をマスクにして絶縁膜１２のエッチン
グを行うことで、導電層１０２に接続するコンタクトホ
ール１６が形成される。このため、コンタクトホール１
６の開口幅は、第２のレジストパターン１５に形成した
開口部１０５の幅によって制御されることになる。した
がって、導電層１０２の配置密度の違いによって導電層
１０２の上部に成膜された平坦化絶縁膜１３の膜厚
Ｔ 1 ，Ｔ 2 が異なる 場合であっても、コンタクトホール
１６の開口幅がばらつくことが防止される。しかも、有
機樹脂材料からなる平坦化絶縁膜１３をエッチングする
際には、酸素を用いたリアクティブイオンエッチングに
よって無機材料からなる絶縁膜１２をストッパにしたエ
ッチングが行われるため、制御性及び再現性を保って平
坦化絶縁膜１３をエッチング除去することが可能にな
る。このため、絶縁膜１４の膜厚を維持することがで
き、第５の工程では、均一な膜厚の絶縁膜１４がエッチ
ングされることになる。このことからも、この絶縁膜１
４に形成されるコンタクトホール１６の開口幅の均一性
を向上させることが可能になる。また、第１のレジスト
パターン１４と第２のレジストパターン１５とは、同一
の開口部１０４，１０５を有していることから、これら
を形成する際のリソグラフィーにおいては、同一のマス
クを用いた露光が行われる。このため、リソグラフィー
のマスクを追加することなく、第１のレジストパターン
１４及び第２のレジストパターン１５を得ることができ
る。以上の結果、コストの上昇を抑えながらも、均一な
開口幅のコンタクトホールを形成することが可能にな
る。
【００１９】
【発明の効果】以上、説明したように本発明のコンタク
トホールの形成方法によれば、第１のレジストパターン
をマスクにして平坦化絶縁膜をエッチングした後、第２
のレジストパターンをマスクにして絶縁膜のエッチング
を行うことによってコンタクトホールを形成する構成に
したことで、導電層に接続するコンタクトホールの開口
幅を、平坦化絶縁膜の膜厚のバラツキに依存させず第２
のレジストパターンの開口部の幅によって制御すること
ができる。しかも、有機樹脂材料からなる平坦化絶縁膜
をエッチング除去する際には無機材料からなる絶縁膜が
ストッパになり、このエッチングにおける制御性及び再
現性を確保することが可能になる。このため、絶縁膜の
膜厚を維持することができ、この絶縁膜に形成されるコ
ンタクトホールの開口幅の均一性を確保することが可能
になる。また、第１のレジストパターンと第２のレジス
トパターンとを同一の開口部を有するものとしたので、
これらのレジストパターンを形成するためのリソグラフ
ィーでは、同一のマスクを用いた露光を行うことでコス
トの上昇を抑えることが可能になる。以上の結果、低 コ
ストにて、平坦化絶縁膜の膜厚の相違に起因するコンタ
クトホールの開口幅のばらつきを解消することができ、
各コンタクトホールのコンタクト抵抗を均一化すること
が可能になる。
トホールの形成方法によれば、第１のレジストパターン
をマスクにして平坦化絶縁膜をエッチングした後、第２
のレジストパターンをマスクにして絶縁膜のエッチング
を行うことによってコンタクトホールを形成する構成に
したことで、導電層に接続するコンタクトホールの開口
幅を、平坦化絶縁膜の膜厚のバラツキに依存させず第２
のレジストパターンの開口部の幅によって制御すること
ができる。しかも、有機樹脂材料からなる平坦化絶縁膜
をエッチング除去する際には無機材料からなる絶縁膜が
ストッパになり、このエッチングにおける制御性及び再
現性を確保することが可能になる。このため、絶縁膜の
膜厚を維持することができ、この絶縁膜に形成されるコ
ンタクトホールの開口幅の均一性を確保することが可能
になる。また、第１のレジストパターンと第２のレジス
トパターンとを同一の開口部を有するものとしたので、
これらのレジストパターンを形成するためのリソグラフ
ィーでは、同一のマスクを用いた露光を行うことでコス
トの上昇を抑えることが可能になる。以上の結果、低 コ
ストにて、平坦化絶縁膜の膜厚の相違に起因するコンタ
クトホールの開口幅のばらつきを解消することができ、
各コンタクトホールのコンタクト抵抗を均一化すること
が可能になる。
【図１】実施例を説明する断面模式図である。
【図２】実施例を説明する断面模式図である。
【図３】従来例を説明する断面模式図である。
１１ ウエハ １２ 絶縁膜 １３ 平坦化絶縁膜１４ 第１のレジストパターン １５ 第２のレジストパターン １６ コンタクトホール １０２ 導電層 １０４，１０５ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−196629（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−235175（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−45274（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−94481（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065
Claims (1)
- 【請求項１】 導電層の形成によって表面に凹凸形状を
有するウエハの上面に成膜された無機材料からなる絶縁
膜と、当該絶縁膜の上面に前記凹凸形状の凹部を埋め込
む状態で成膜された有機樹脂材料からなる平坦化絶縁膜
とに、前記導電層に接続する状態でコンタクトホールを
形成する方法であって、 前記導電層上に開口部を有する第１のレジストパターン
を、前記平坦化絶縁膜上に形成する第１の工程と、 前記第１のレジストパターンをマスクにしたエッチング
によって、前記導電層上の前記平坦化絶縁膜を除去する
第２の工程と、 前記第１のレジストパターンを除去する第３の工程と、 前記第１のレジストパターンと同一の開口部を有する第
２のレジストパターンを前記絶縁膜及び前記平坦化絶縁
膜上に形成する第４の工程と、 前記第２のレジストパターンをマスクにしたエッチング
によって、前記導電層上の前記絶縁膜を除去する第５の
工程と を行うことを特徴とするコンタクトホールの形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5351601A JP2997794B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | コンタクトホールの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5351601A JP2997794B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | コンタクトホールの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201810A JPH07201810A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2997794B2 true JP2997794B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=18418378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5351601A Expired - Fee Related JP2997794B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | コンタクトホールの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2997794B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5351601A patent/JP2997794B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07201810A (ja) | 1995-08-04 |
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