JP2992899B2 - 平面型画像表示装置の製造方法 - Google Patents
平面型画像表示装置の製造方法Info
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、平面上にマルチに敷設された電子源から発
生する電子を加速・収束し、蛍光体に衝突させて発光さ
せる平面型画像表示装置の製造方法に関する。
生する電子を加速・収束し、蛍光体に衝突させて発光さ
せる平面型画像表示装置の製造方法に関する。
［従来の技術］ 従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子とし
て、例えばエム・アイ・エリンソン（M.I.Elinson）等
によって発表された冷陰極素子が知られている［ラジオ
・エンジニアリング・エレクトロン・フィジィッス（Ra
dio Eng.Electron.phys.）第10巻,1290〜1296頁,1965
年］。
て、例えばエム・アイ・エリンソン（M.I.Elinson）等
によって発表された冷陰極素子が知られている［ラジオ
・エンジニアリング・エレクトロン・フィジィッス（Ra
dio Eng.Electron.phys.）第10巻,1290〜1296頁,1965
年］。
これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に
平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を
利用するもので、一般には表面伝導形電子放出素子と呼
ばれている。
平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を
利用するもので、一般には表面伝導形電子放出素子と呼
ばれている。
この表面伝導形電子放出素子としては、前記エリンソ
ン等により開発されたSnO2（Sb）薄膜を用いたものの
他、Au薄膜によるもの［ジー・ディトマー：“スイン・
ソリド・フィルムス”（G.Dittmer:“Thin Solid Fil
ms"）,9巻,317頁，（1972年）］、ITO薄膜によるもの
［エム・ハートウェル・アンド・シー・ジー・フォンス
タッド：“アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・
ディー・コンフ”（M.Hartwell aud C.G.Fonstad:“IE
EE Trans.ED Conf."）519頁，（1975年）］、カーボ
ン薄膜によるもの［荒木久他：“青空",第26巻，第１
号，第22頁，（1983年）］等が報告されている。
ン等により開発されたSnO2（Sb）薄膜を用いたものの
他、Au薄膜によるもの［ジー・ディトマー：“スイン・
ソリド・フィルムス”（G.Dittmer:“Thin Solid Fil
ms"）,9巻,317頁，（1972年）］、ITO薄膜によるもの
［エム・ハートウェル・アンド・シー・ジー・フォンス
タッド：“アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・
ディー・コンフ”（M.Hartwell aud C.G.Fonstad:“IE
EE Trans.ED Conf."）519頁，（1975年）］、カーボ
ン薄膜によるもの［荒木久他：“青空",第26巻，第１
号，第22頁，（1983年）］等が報告されている。
これらの表面伝導形電子放出素子は、 １）高い電子放出効率が得られる、 ２）構造が簡単であるため、製造が容易である、 ３）同一基板上に多数の素子を配列形成できる、 ４）応答速度が速い、 等の利点があり、今後広く応用される可能性をもってい
る。
る。
一方、面状に展開した複数の電子源と、この電子源か
らの電子ビームの照射を各々受ける蛍光体ターゲットと
を、各々相対向させた薄形の画像表示装置が、特開昭58
−1956号公報，特開昭60−225342号公報等で開示されて
いる。
らの電子ビームの照射を各々受ける蛍光体ターゲットと
を、各々相対向させた薄形の画像表示装置が、特開昭58
−1956号公報，特開昭60−225342号公報等で開示されて
いる。
これら電子線ディスプレイ装置は次のような構造から
なる。
なる。
第４図は従来ディスプレイ装置の概要を示すものであ
る。１はガラス基板、２は支持体、３は配線電極、４は
電子放出部、５は電子通過孔、６は変調電極、７はガラ
ス板、８は透明電極、９は画像形成部材で、例えば蛍光
体、レジスト材等電子が衝突することにより発光，変
色，帯電，変質等する部材から成る。10はフェースプレ
ート、11は蛍光体の輝点である。電子放出部４は薄膜技
術により作成され、ガラス基板１とは接触することがな
い中空構造を成すものである。配線電極３は電子放出部
材と同一の材料を用いて形成しても、別材料を用いても
良く、一般に融点が高く電気抵抗の小さいものが用いら
れる。支持体２は絶縁体材料もしくは導電体材料で形成
されている。
る。１はガラス基板、２は支持体、３は配線電極、４は
電子放出部、５は電子通過孔、６は変調電極、７はガラ
ス板、８は透明電極、９は画像形成部材で、例えば蛍光
体、レジスト材等電子が衝突することにより発光，変
色，帯電，変質等する部材から成る。10はフェースプレ
ート、11は蛍光体の輝点である。電子放出部４は薄膜技
術により作成され、ガラス基板１とは接触することがな
い中空構造を成すものである。配線電極３は電子放出部
材と同一の材料を用いて形成しても、別材料を用いても
良く、一般に融点が高く電気抵抗の小さいものが用いら
れる。支持体２は絶縁体材料もしくは導電体材料で形成
されている。
これら電子線ディスプレイ装置は、配線電極３に電圧
を印加せしめ中空構造をなす電子放出部より電子を放出
させ、これら電子流を情報信号に応じて変調する変調電
極６に電圧を印加することにより電子を取り出し、取り
出した電子を加速させ蛍光体９に衝突させるものであ
る。また、配線電極３と変調電極６でXYマトリックスを
形成せしめ、画像形成部材９上に画像標示を行うもので
ある。
を印加せしめ中空構造をなす電子放出部より電子を放出
させ、これら電子流を情報信号に応じて変調する変調電
極６に電圧を印加することにより電子を取り出し、取り
出した電子を加速させ蛍光体９に衝突させるものであ
る。また、配線電極３と変調電極６でXYマトリックスを
形成せしめ、画像形成部材９上に画像標示を行うもので
ある。
上述従来の電子線ディスプレイは熱電子源を用いてい
る為、次のような問題点があった。
る為、次のような問題点があった。
1.消費電力が高い。
2.変調スピードが遅い為大容量の表示ができない。
3.各素子間のバラツキが生じ易い為大面積化が難しい。
これらの問題点を解決する為に熱電子源に代えて、前
述した表面伝導形電子放出素子を配置した画像表示装置
が考えられる。
述した表面伝導形電子放出素子を配置した画像表示装置
が考えられる。
第５図は、表面伝導形電子放出素子を用いた画像表示
装置の構成図である。22は絶縁性基板、23は配線電極、
24は素子電極、25は電子放出部である。
装置の構成図である。22は絶縁性基板、23は配線電極、
24は素子電極、25は電子放出部である。
かかる装置は、第５図に示すように、配線電極23間に
素子を並べた線電子源群と変調電極６群でXYマトリクス
駆動を行うことにより画像表示するものである。これら
熱電子源あるいは表面伝導形電子放出素子を電子源とし
て用いた電子線ディスプレイにおいて、カラー表示を行
う場合には、通常のCRTの蛍光面を作成するのと同様
に、ホトリソプロセスによりフェースプレート10上に、
赤，緑，青の蛍光体膜をストライプ状あるいは円形に繰
り返し連続的に形成し、赤・緑・青の３色で一画素を構
成し、一画素中の各色に対応する電子源が少くとも一つ
は存在するように電子源を形成し、該電子源から放出さ
れた電子が変調電極の作用により、映像信号に応じて強
度を変調されたのち所定の色の蛍光体に衝突し、励起，
発光させることでフルカラー表示することが可能であ
る。
素子を並べた線電子源群と変調電極６群でXYマトリクス
駆動を行うことにより画像表示するものである。これら
熱電子源あるいは表面伝導形電子放出素子を電子源とし
て用いた電子線ディスプレイにおいて、カラー表示を行
う場合には、通常のCRTの蛍光面を作成するのと同様
に、ホトリソプロセスによりフェースプレート10上に、
赤，緑，青の蛍光体膜をストライプ状あるいは円形に繰
り返し連続的に形成し、赤・緑・青の３色で一画素を構
成し、一画素中の各色に対応する電子源が少くとも一つ
は存在するように電子源を形成し、該電子源から放出さ
れた電子が変調電極の作用により、映像信号に応じて強
度を変調されたのち所定の色の蛍光体に衝突し、励起，
発光させることでフルカラー表示することが可能であ
る。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来例では、一つの電子源が複数
の画素に対応している場合にせよ、一つの電子源が一画
素中の一色に対応している場合にせよ、フェースプレー
ト10上に赤，緑，青の３色の蛍光体からなる蛍光面を形
成する工程と、複数の電子源を面状に作成する工程と
は、独立して行われるのが通例であった。
の画素に対応している場合にせよ、一つの電子源が一画
素中の一色に対応している場合にせよ、フェースプレー
ト10上に赤，緑，青の３色の蛍光体からなる蛍光面を形
成する工程と、複数の電子源を面状に作成する工程と
は、独立して行われるのが通例であった。
従って、各電子源から放出された電子が、所定の画素
中の所定の色の蛍光体を選択的に励起，発光させるため
には、複数の電子源の配置のピッチ精度、蛍光体の各色
の大きさ，ピッチ精度を、共に高い精度で作成しなけれ
ばならず、さらには、電子源と蛍光膜の形成されたフェ
ースプレートとをアセンブリする時の位置精度も非常に
高いものが要求されるため、現行技術では位置ずれを完
全になくすのは非常に困難である。
中の所定の色の蛍光体を選択的に励起，発光させるため
には、複数の電子源の配置のピッチ精度、蛍光体の各色
の大きさ，ピッチ精度を、共に高い精度で作成しなけれ
ばならず、さらには、電子源と蛍光膜の形成されたフェ
ースプレートとをアセンブリする時の位置精度も非常に
高いものが要求されるため、現行技術では位置ずれを完
全になくすのは非常に困難である。
電子源のピッチの誤差，蛍光体のピッチの誤差及び電
子源とフェースプレートとの位置合わせ誤差等は、電子
が所定の色以外の蛍光体を励起，発光させることによる
色ずれを引き起こし、色純度の高い画像再現性が損わ
れ、著しい画像の劣化を起こし問題であった。
子源とフェースプレートとの位置合わせ誤差等は、電子
が所定の色以外の蛍光体を励起，発光させることによる
色ずれを引き起こし、色純度の高い画像再現性が損わ
れ、著しい画像の劣化を起こし問題であった。
すなわち、本発明の目的とするところは、上記課題を
解決した平面型画像表示装置の製造方法を提供すること
にある。
解決した平面型画像表示装置の製造方法を提供すること
にある。
［課題を解決するための手段及び作用］ 本発明の特徴をするところは、 複数の電子放出素子を基板に並べた電子源と、該電子
源から放出される電子ビームの照射を受けて画像を形成
する複数色の蛍光体が内側に塗布されたフェースプレー
トとを対向配置した平面型画像表示装置の製造に際し、 光非透過性の配線電極を形成した光透過性の絶縁性基
板と、感光性レジストが混入された蛍光体が内側に塗布
されたフェースプレートを予め組み合わせ、その後前記
光非透過性の配線電極を形成した光透過性の絶縁性基板
を介して、当該絶縁性基板の外側から、前記感光性レジ
ストが混入された蛍光体の露光を行うことを特徴とする
平面型画像表示装置の製造方法としている点にある。
源から放出される電子ビームの照射を受けて画像を形成
する複数色の蛍光体が内側に塗布されたフェースプレー
トとを対向配置した平面型画像表示装置の製造に際し、 光非透過性の配線電極を形成した光透過性の絶縁性基
板と、感光性レジストが混入された蛍光体が内側に塗布
されたフェースプレートを予め組み合わせ、その後前記
光非透過性の配線電極を形成した光透過性の絶縁性基板
を介して、当該絶縁性基板の外側から、前記感光性レジ
ストが混入された蛍光体の露光を行うことを特徴とする
平面型画像表示装置の製造方法としている点にある。
すなわち、本発明によれば、光透過性の絶縁性基板上
に光非透過性の配線電極を形成した後、蛍光体と感光性
レジストの混合液を塗布したフェースプレートを前記絶
縁性基板に対して位置決めし、組み合わせた後、絶縁性
基板の外側から光を照射し、絶縁性基板を透過した光に
より、感光性レジストが混入された蛍光体をフェースプ
レート上に固着させることで、所定の位置に所定の色の
蛍光体を形成するものである。これにより、電子源配置
のピッチ精度、及び電子源基板とフェースプレートとを
アセンブリする時の位置精度とにかかわらず、色純度再
現性の高い平面型の画像表示装置を提供できる。
に光非透過性の配線電極を形成した後、蛍光体と感光性
レジストの混合液を塗布したフェースプレートを前記絶
縁性基板に対して位置決めし、組み合わせた後、絶縁性
基板の外側から光を照射し、絶縁性基板を透過した光に
より、感光性レジストが混入された蛍光体をフェースプ
レート上に固着させることで、所定の位置に所定の色の
蛍光体を形成するものである。これにより、電子源配置
のピッチ精度、及び電子源基板とフェースプレートとを
アセンブリする時の位置精度とにかかわらず、色純度再
現性の高い平面型の画像表示装置を提供できる。
［実施例］ 以下、実施例により、本発明を具体的に詳述する。
実施例１ 第１図（ａ）〜（ｃ）により本発明の実施例を説明す
る。第１図（ａ）は本発明により製造される平面型画像
表示装置の最小限の構成要素を示す斜視図であり、第１
図（ｂ）は概念を最も良く表わす図、第１図（ｃ）は本
発明の電子源の一つの部分拡大断面図である。
る。第１図（ａ）は本発明により製造される平面型画像
表示装置の最小限の構成要素を示す斜視図であり、第１
図（ｂ）は概念を最も良く表わす図、第１図（ｃ）は本
発明の電子源の一つの部分拡大断面図である。
第１図（ａ）における電子放出部４は、第１図（ｃ）
に拡大して示すように、ガラス基板１上にCr50Åを下引
きとしてNi1000Åが蒸着された下側素子電極16の上に、
絶縁層15としてSiO22μｍが蒸着され、さらにその上
に、下びきCr50Å,Ni1000Å,Niの酸化防止用Cr100Åと
によって構成される上側素子電極14が蒸着され、上側素
子電極14と下側素子電極16とを絶縁する層15のほぼ垂直
な壁面に有機Pdを塗布し、300℃で30分焼成して得られ
る表面伝導形電子放出素子17から成る。電子源の配列ピ
ッチは700μｍとした。
に拡大して示すように、ガラス基板１上にCr50Åを下引
きとしてNi1000Åが蒸着された下側素子電極16の上に、
絶縁層15としてSiO22μｍが蒸着され、さらにその上
に、下びきCr50Å,Ni1000Å,Niの酸化防止用Cr100Åと
によって構成される上側素子電極14が蒸着され、上側素
子電極14と下側素子電極16とを絶縁する層15のほぼ垂直
な壁面に有機Pdを塗布し、300℃で30分焼成して得られ
る表面伝導形電子放出素子17から成る。電子源の配列ピ
ッチは700μｍとした。
尚、本実施例では、先ずガラス基板１上全面に、下側
素子電極16,絶縁層15,上側素子電極14を蒸着し、光透過
部18以外はレジストで覆い、ウエットエッチングで電極
部を、ドライエッチングで絶縁層を各々エッチングして
光透過部18を形成した。本実施例では光透過部18は円形
とし、径は400μｍとした。
素子電極16,絶縁層15,上側素子電極14を蒸着し、光透過
部18以外はレジストで覆い、ウエットエッチングで電極
部を、ドライエッチングで絶縁層を各々エッチングして
光透過部18を形成した。本実施例では光透過部18は円形
とし、径は400μｍとした。
第１図（ａ）に示すような構成において、フェースプ
レート10上に、光により硬化するレジストが混ぜ合わさ
れた蛍光体を塗布した後、電子源が形成されたガラス基
板1,変調電極6,フェースプレート10とを位置決め治具20
に固定し、ガラス基板１の裏面からランプ13の光19を照
射した。これを第２図に示す。
レート10上に、光により硬化するレジストが混ぜ合わさ
れた蛍光体を塗布した後、電子源が形成されたガラス基
板1,変調電極6,フェースプレート10とを位置決め治具20
に固定し、ガラス基板１の裏面からランプ13の光19を照
射した。これを第２図に示す。
図示するように光19は、レンズ12によりガラス基板１
に垂直に入射するように屈折させられている。
に垂直に入射するように屈折させられている。
上記作業により、フェースプレート10の内面に塗布さ
れた蛍光体は、レジストの硬化によりそれぞれ対応する
電子放出素子17のほぼ垂直上方に固着し、これは電子が
加速され衝突する位置と一致している。
れた蛍光体は、レジストの硬化によりそれぞれ対応する
電子放出素子17のほぼ垂直上方に固着し、これは電子が
加速され衝突する位置と一致している。
この際、ガラス基板１とフェースプレート10との間に
変調電極６が存在するが、変調電極６は電子通過孔５を
有するため、電子とほぼ同じ軌道を通過する光が妨げら
れることはない。
変調電極６が存在するが、変調電極６は電子通過孔５を
有するため、電子とほぼ同じ軌道を通過する光が妨げら
れることはない。
最後に、硬化していない部分の蛍光体を洗浄，除去す
れば所望の蛍光体パターンが得られる。尚、赤，緑，青
の３色の蛍光体を塗布する際には、上記工程を３回繰り
返す必要がある。また、例えば赤色蛍光体膜を形成した
い時は、緑及び青に対応する位置にある電子放出部から
は光が透過しないよう金属薄膜等で裏面をマスキングし
ておく必要がある。緑，青の蛍光体形成時は、該マスキ
ング材をずらして同様の工程を繰り返す。
れば所望の蛍光体パターンが得られる。尚、赤，緑，青
の３色の蛍光体を塗布する際には、上記工程を３回繰り
返す必要がある。また、例えば赤色蛍光体膜を形成した
い時は、緑及び青に対応する位置にある電子放出部から
は光が透過しないよう金属薄膜等で裏面をマスキングし
ておく必要がある。緑，青の蛍光体形成時は、該マスキ
ング材をずらして同様の工程を繰り返す。
さらに、第１図（ａ）で示される配線電極３の間隙部
も光を通さないようにするためには、本来光を通過しな
い絶縁体で覆う等の工夫が必要であるが、本実施例では
図に示すように変調電極６が配線電極３に直交してお
り、配線電極間隙距離、変調電極間隙距離が共に50μｍ
と小さかったため、漏れた光による露光部は現像時洗い
流され問題とならなかったため、特に配線電極３の間隙
部に光を通過しない絶縁材の塗布等は行わなかった。
も光を通さないようにするためには、本来光を通過しな
い絶縁体で覆う等の工夫が必要であるが、本実施例では
図に示すように変調電極６が配線電極３に直交してお
り、配線電極間隙距離、変調電極間隙距離が共に50μｍ
と小さかったため、漏れた光による露光部は現像時洗い
流され問題とならなかったため、特に配線電極３の間隙
部に光を通過しない絶縁材の塗布等は行わなかった。
実施例２ 本実施例では、実施例１で示した電子放出素子（電子
源を形成するガラス基板１上に、電子放出素子17がガラ
ス基板１の面に垂直に形成されている）の代わりに、ガ
ラス基板１上に平面的に電子放出素子が形成された（以
下平面形素子と呼ぶ。）実施例につき説明する。かかる
平面形素子では、Pdが塗布され電子放出部となる領域が
電極の狭ギャップ間に平面的に形成されるが、このPdが
塗布される電極間ギャップの幅が10μｍ以上であると、
安定した電子放出を得るのが困難である。本発明者等が
行った実験では、ギャップ幅が２μｍの時、最も電子放
出が安定していた。しかし、従来電極はNi等の光を通さ
ない金属を用いるのが普通であるから、電子放出部と一
致した光の透過部は２μｍの幅となるため十分な光量が
得られない。そこで、発明者等は平面形の素子において
は、電子放出部近傍の電極部を光透過性のITOとし、所
定の蛍光体の露光に十分な光量を得た。本実施例におけ
る透明電極と配線電極の関係を示す斜視図及び露光時の
概観を示す断面図を、それぞれ第３図（ａ），（ｂ）に
示す。
源を形成するガラス基板１上に、電子放出素子17がガラ
ス基板１の面に垂直に形成されている）の代わりに、ガ
ラス基板１上に平面的に電子放出素子が形成された（以
下平面形素子と呼ぶ。）実施例につき説明する。かかる
平面形素子では、Pdが塗布され電子放出部となる領域が
電極の狭ギャップ間に平面的に形成されるが、このPdが
塗布される電極間ギャップの幅が10μｍ以上であると、
安定した電子放出を得るのが困難である。本発明者等が
行った実験では、ギャップ幅が２μｍの時、最も電子放
出が安定していた。しかし、従来電極はNi等の光を通さ
ない金属を用いるのが普通であるから、電子放出部と一
致した光の透過部は２μｍの幅となるため十分な光量が
得られない。そこで、発明者等は平面形の素子において
は、電子放出部近傍の電極部を光透過性のITOとし、所
定の蛍光体の露光に十分な光量を得た。本実施例におけ
る透明電極と配線電極の関係を示す斜視図及び露光時の
概観を示す断面図を、それぞれ第３図（ａ），（ｂ）に
示す。
第３図（ａ）において、配線電極３はNiで厚さ5000Å
としているため光を通さない。透明電極21はITO1000Å
で形成され、電子放出素子部のギャップＧは２μｍ、長
さL2は300μｍとした。素子のピッチはX,Y方向とも700
μｍとして作成し、配線電極３については、狭い部分W1
は200μm,広い部分W2は650μｍとした。よって、配線電
極間で最も幅が狭くなる部分Ｓは50μｍである。配線電
極３の形状は不要な光の漏れをなくすため決めた。透明
電極21は長さL2450μｍ、片側幅T249μｍとした。光の
透過部の寸法としてはL1を500μｍとしたため、Ｘ方向
は２×Ｔ＋２＝500μｍ、Ｙ方向もL1＝500μｍの正方形
とした。この時、第３図（ｂ）に概略示したように露光
を行い、適正な透過光量が得られた。
としているため光を通さない。透明電極21はITO1000Å
で形成され、電子放出素子部のギャップＧは２μｍ、長
さL2は300μｍとした。素子のピッチはX,Y方向とも700
μｍとして作成し、配線電極３については、狭い部分W1
は200μm,広い部分W2は650μｍとした。よって、配線電
極間で最も幅が狭くなる部分Ｓは50μｍである。配線電
極３の形状は不要な光の漏れをなくすため決めた。透明
電極21は長さL2450μｍ、片側幅T249μｍとした。光の
透過部の寸法としてはL1を500μｍとしたため、Ｘ方向
は２×Ｔ＋２＝500μｍ、Ｙ方向もL1＝500μｍの正方形
とした。この時、第３図（ｂ）に概略示したように露光
を行い、適正な透過光量が得られた。
以上、第１、２の実施例とも電子源として表面伝導形
電子放出素子を用いた場合につき述べてきたが、例えば
ガラス基板等の光透過性の絶縁性基板上に形成でき、放
出された電子が蛍光体に到達する点に、基板裏面から光
が照射できるように作成可能な電子源であれば、表面伝
導形電子放出素子に限るものではない。
電子放出素子を用いた場合につき述べてきたが、例えば
ガラス基板等の光透過性の絶縁性基板上に形成でき、放
出された電子が蛍光体に到達する点に、基板裏面から光
が照射できるように作成可能な電子源であれば、表面伝
導形電子放出素子に限るものではない。
また、前記実施例では、光透過部が電子放出部と一致
する例を示したが、フェースプレート上の全色の蛍光体
に対応する位置に絶縁性基板上光透過部が存在する構成
であれば、光透過部は必ずしも電子放出部と一致しなく
ても良い。
する例を示したが、フェースプレート上の全色の蛍光体
に対応する位置に絶縁性基板上光透過部が存在する構成
であれば、光透過部は必ずしも電子放出部と一致しなく
ても良い。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の画像表示装置の製造方
法によれば、電子源の配列の位置ずれ，ピッチのずれに
応じて対応する蛍光体がフェースプレート上に形成され
るため、電子源作成時の位置ずれ及び電子源とフェース
プレートとをアセンブリする際の位置ずれにより引き起
こされる色ずれを防止でき、色純度の高い再現性を持つ
画像を得ることができる。
法によれば、電子源の配列の位置ずれ，ピッチのずれに
応じて対応する蛍光体がフェースプレート上に形成され
るため、電子源作成時の位置ずれ及び電子源とフェース
プレートとをアセンブリする際の位置ずれにより引き起
こされる色ずれを防止でき、色純度の高い再現性を持つ
画像を得ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図で、本図（ａ）
は主要構成要素を示す斜視図、本図（ｂ）は本発明の製
造方法を示す断面図、本図（ｃ）は電子源の部分拡大断
面図である。 第２図は、位置決め治具を用いた露光時の状態を示す断
面図である。 第３図は、第２の実施例の電子源斜視図及び部分拡大断
面図である。 第４図は、熱電子源を用いた従来の電子線ディスプレイ
の斜視構成図である。 第５図は、表面伝導形電子放出素子を用いた従来の電子
線ディスプレイの斜視構成図である。 １……ガラス基板 ２……支持体 3,23……配線電極 4,25……電子放出部 ５……電子通過孔 ６……変調電極 ７……ガラス板 ８……透明電極 ９……蛍光体 10……フェースプレート 11……蛍光体の輝点 12……レンズ 13……ランプ 14……上側素子電極 15……絶縁層 16……下側素子電極 17……表面伝導形電子放出素子 18……光透過部 19……光 20……位置決め固定治具 21……透明電極 24……素子電極
は主要構成要素を示す斜視図、本図（ｂ）は本発明の製
造方法を示す断面図、本図（ｃ）は電子源の部分拡大断
面図である。 第２図は、位置決め治具を用いた露光時の状態を示す断
面図である。 第３図は、第２の実施例の電子源斜視図及び部分拡大断
面図である。 第４図は、熱電子源を用いた従来の電子線ディスプレイ
の斜視構成図である。 第５図は、表面伝導形電子放出素子を用いた従来の電子
線ディスプレイの斜視構成図である。 １……ガラス基板 ２……支持体 3,23……配線電極 4,25……電子放出部 ５……電子通過孔 ６……変調電極 ７……ガラス板 ８……透明電極 ９……蛍光体 10……フェースプレート 11……蛍光体の輝点 12……レンズ 13……ランプ 14……上側素子電極 15……絶縁層 16……下側素子電極 17……表面伝導形電子放出素子 18……光透過部 19……光 20……位置決め固定治具 21……透明電極 24……素子電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 一郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 金子 哲也 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 岩井 久美 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 9/227
Claims (1)
- 【請求項１】複数の電子放出素子を基板に並べた電子源
と、該電子源から放出される電子ビームの照射を受けて
画像を形成する複数色の蛍光体が内側に塗布されたフェ
ースプレートとを対向配置した平面型画像表示装置の製
造に際し、 光非透過性の配線電極を形成した光透過性の絶縁性基板
と、感光性レジストが混入された蛍光体が内側に塗布さ
れたフェースプレートとを予め組み合わせ、その後前記
光非透過性の配線電極を形成した光透過性の絶縁性基板
を介して、当該絶縁性基板の外側から、前記感光性レジ
ストが混入された蛍光体の露光を行うことを特徴とする
平面型画像表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211807A JP2992899B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 平面型画像表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211807A JP2992899B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 平面型画像表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494046A JPH0494046A (ja) | 1992-03-26 |
| JP2992899B2 true JP2992899B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=16611926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2211807A Expired - Fee Related JP2992899B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 平面型画像表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2992899B2 (ja) |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2211807A patent/JP2992899B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0494046A (ja) | 1992-03-26 |
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