JP2992501B2 - 銀を主成分とするマトリックスのＨＴｃ超電導多重線ストランドのパウダー・イン・チューブ型製造方法 - Google Patents
銀を主成分とするマトリックスのＨＴｃ超電導多重線ストランドのパウダー・イン・チューブ型製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Landscapes
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高臨界温度（ＨＴ
ｃ）超電導多重線（filament）ストランド（brin、stran
d）、およびこのようなストランドの製造方法に関す
る。より詳細には本発明は、交流電流において使用され
る銀外装多重線ＨＴｃ超電導ストランド、およびこのよ
うなストランドの製造方法に関する。
ｃ）超電導多重線（filament）ストランド（brin、stran
d）、およびこのようなストランドの製造方法に関す
る。より詳細には本発明は、交流電流において使用され
る銀外装多重線ＨＴｃ超電導ストランド、およびこのよ
うなストランドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＨＴｃ超電導多重線ストランドを交流電
流において使用する場合、誘導電流によるエネルギー損
を制限するために、構成要素であるＨＴｃ超電導多重線
の良好なデカップリング（decoupling）が前提となる。
流において使用する場合、誘導電流によるエネルギー損
を制限するために、構成要素であるＨＴｃ超電導多重線
の良好なデカップリング（decoupling）が前提となる。
【０００３】「パウダー・イン・チューブ」（管内粉
体）技術によりＨＴｃ多重線ストランドを作製すること
が知られている。これは、熱処理後、特にＨＴｃセラミ
ック型の超電導材料に変化することが可能な粉末状試薬
でビレットを充填することから成る。
体）技術によりＨＴｃ多重線ストランドを作製すること
が知られている。これは、熱処理後、特にＨＴｃセラミ
ック型の超電導材料に変化することが可能な粉末状試薬
でビレットを充填することから成る。
【０００４】このビレットは、次いで真空下で密閉され
線引され、同じく密閉され線引される新規ビレット中で
束にされる。これによってできる多重線ストランドは同
一の段階を経ることができ、以下、所望する単位面積あ
たりの線数に達するまで同様にする。
線引され、同じく密閉され線引される新規ビレット中で
束にされる。これによってできる多重線ストランドは同
一の段階を経ることができ、以下、所望する単位面積あ
たりの線数に達するまで同様にする。
【０００５】このようにして作製されたストランドは、
次に、たとえば圧延および／または撚り作業により最終
形状にされ、次に、粉末状試薬を変化させるため熱処理
される。
次に、たとえば圧延および／または撚り作業により最終
形状にされ、次に、粉末状試薬を変化させるため熱処理
される。
【０００６】ビレットの構成材料は、種々の線引および
圧延段階を経ることができるようにするために、十分な
延性を有さなければならないこと、および、不活性な組
成、あるいは少なくとも、粉末状試薬を超電導相に変化
させる熱処理に影響を及ぼさない組成を有さなければな
らないことがわかっている。ビレットの構成材料として
銀を使用することが知られている。
圧延段階を経ることができるようにするために、十分な
延性を有さなければならないこと、および、不活性な組
成、あるいは少なくとも、粉末状試薬を超電導相に変化
させる熱処理に影響を及ぼさない組成を有さなければな
らないことがわかっている。ビレットの構成材料として
銀を使用することが知られている。
【０００７】しかしながら銀は、ＨＴｃ超電導体の動作
温度において非常に電導性が高い材料である。従って、
線間の電気的デカップリングはほとんどない。
温度において非常に電導性が高い材料である。従って、
線間の電気的デカップリングはほとんどない。
【０００８】１または２％のＰｄまたはＡｕ型不純物で
Ａｇをドープすることが知られている。この技術によ
り、２０Ｋにおいて２０倍の抵抗率を得ることができ
る。
Ａｇをドープすることが知られている。この技術によ
り、２０Ｋにおいて２０倍の抵抗率を得ることができ
る。
【０００９】この技術により７７Ｋへの適用も可能であ
る。しかしながらＡｇ／Ｐｄ合金は高価であり、そのた
め、量産の適用例においてはこの合金が経済的に大きな
障害になる。
る。しかしながらＡｇ／Ｐｄ合金は高価であり、そのた
め、量産の適用例においてはこの合金が経済的に大きな
障害になる。
【００１０】また、銀を主成分とするマトリックスの抵
抗率を上げる他、きわめて小さなピッチかつきわめて小
さな線径で導線を撚ることが知られている。しかしなが
ら、これによって得られるデカップリングは、交流にお
ける適用例の大部分にとっては不十分である。
抗率を上げる他、きわめて小さなピッチかつきわめて小
さな線径で導線を撚ることが知られている。しかしなが
ら、これによって得られるデカップリングは、交流にお
ける適用例の大部分にとっては不十分である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的のうちの
一つは、線のデカップリングが大幅に改善される多重線
ストランドを提供することである。
一つは、線のデカップリングが大幅に改善される多重線
ストランドを提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的のため、本発明
は、単線段階で、熱処理後、ＨＴｃ超電導材料に変化す
ることが可能な粉末状試薬で、銀を主成分とする第一ジ
ャケットを充填し、得られたビレットを、正方形または
長方形の横断断面を有する単線ストランドに線引し、第
一多重線段階で、前記単線ストランドを断片に切断し、
正方形または長方形の断面の、銀を主成分とする第二ジ
ャケットを、得られた断片（troncon）で充填して、多
重線ビレットを作製し、今度は多重線ビレットを、正方
形または長方形の断面の多重線ストランドに線引し、少
なくとも一回実施される第二多重線段階で、前記多重線
ストランドを断片に切断し、正方形または長方形の断面
の、銀を主成分とする新規ジャケットを、得られた断片
で充填して、新規多重線ビレットを作製し、新規多重線
ビレットを、新規正方形または長方形の断面の多重線ス
トランドに線引し、新規多重線ストランドの成形を行
い、成形したストランドの熱処理を行う、銀を主成分と
するマトリックスのＨＴｃ超電導多重線ストランドのパ
ウダー・イン・チューブ型製造方法に関する。
は、単線段階で、熱処理後、ＨＴｃ超電導材料に変化す
ることが可能な粉末状試薬で、銀を主成分とする第一ジ
ャケットを充填し、得られたビレットを、正方形または
長方形の横断断面を有する単線ストランドに線引し、第
一多重線段階で、前記単線ストランドを断片に切断し、
正方形または長方形の断面の、銀を主成分とする第二ジ
ャケットを、得られた断片（troncon）で充填して、多
重線ビレットを作製し、今度は多重線ビレットを、正方
形または長方形の断面の多重線ストランドに線引し、少
なくとも一回実施される第二多重線段階で、前記多重線
ストランドを断片に切断し、正方形または長方形の断面
の、銀を主成分とする新規ジャケットを、得られた断片
で充填して、新規多重線ビレットを作製し、新規多重線
ビレットを、新規正方形または長方形の断面の多重線ス
トランドに線引し、新規多重線ストランドの成形を行
い、成形したストランドの熱処理を行う、銀を主成分と
するマトリックスのＨＴｃ超電導多重線ストランドのパ
ウダー・イン・チューブ型製造方法に関する。
【００１３】本発明によれば、単線ストランドの各断片
の少なくとも一つの面を電気的に絶縁し、第一多重線段
階の間、正方形または長方形の断面の、銀を主成分とす
る第二ジャケットを、得られた断片で充填して、多重線
ビレットを作製する。
の少なくとも一つの面を電気的に絶縁し、第一多重線段
階の間、正方形または長方形の断面の、銀を主成分とす
る第二ジャケットを、得られた断片で充填して、多重線
ビレットを作製する。
【００１４】一製造形態では、電気的絶縁材料の層を、
単線ストランドの断片を絶縁すべき面に付着させる。
単線ストランドの断片を絶縁すべき面に付着させる。
【００１５】別の製造形態では、第一多重線段階の多重
線ビレットの作製時、ジャケット内に配置された単線ス
トランドの断片を絶縁すべき面の間に、電気的絶縁材料
を挿入する。
線ビレットの作製時、ジャケット内に配置された単線ス
トランドの断片を絶縁すべき面の間に、電気的絶縁材料
を挿入する。
【００１６】本発明による方法の別の特徴によれば、第
二多重線段階において、多重線ストランドの断片の面の
うちの少なくとも一つを絶縁し、正方形または長方形の
断面の、銀を主成分とする第二ジャケットを得られた断
片で充填して、新規多重線ビレットを作製する。
二多重線段階において、多重線ストランドの断片の面の
うちの少なくとも一つを絶縁し、正方形または長方形の
断面の、銀を主成分とする第二ジャケットを得られた断
片で充填して、新規多重線ビレットを作製する。
【００１７】別の実施形態では、電気的絶縁材料の層
を、多重線ストランドの断片を絶縁すべき面に付着させ
る。
を、多重線ストランドの断片を絶縁すべき面に付着させ
る。
【００１８】別の実施形態では、第二多重線段階の多重
線ビレットの作製時、ジャケット内に配置された多重線
ストランドの断片を絶縁すべき面の間に、電気的絶縁材
料を挿入する。
線ビレットの作製時、ジャケット内に配置された多重線
ストランドの断片を絶縁すべき面の間に、電気的絶縁材
料を挿入する。
【００１９】本発明は、全般的に正方形または長方形の
横断断面を有し、複数の超電導線を備え、各超電導線が
全般的に正方形または長方形の横断断面を有し、ＨＴｃ
超電導セラミック製のコアを備え、前記ＨＴｃ超電導セ
ラミック製のコアがＡｇ外装で取り囲まれる、ＨＴｃ超
電導多重線ストランドに関する。
横断断面を有し、複数の超電導線を備え、各超電導線が
全般的に正方形または長方形の横断断面を有し、ＨＴｃ
超電導セラミック製のコアを備え、前記ＨＴｃ超電導セ
ラミック製のコアがＡｇ外装で取り囲まれる、ＨＴｃ超
電導多重線ストランドに関する。
【００２０】本発明によれば、各超電導線は、Ａｇ外装
の面のうちの少なくとも一つに、電気絶縁層を備える。
の面のうちの少なくとも一つに、電気絶縁層を備える。
【００２１】本発明の第一の長所は、各線の少なくとも
一つの面上に絶縁層が存在することにより線のより良い
デカップリング特性が得られることである。
一つの面上に絶縁層が存在することにより線のより良い
デカップリング特性が得られることである。
【００２２】本発明の別の長所は、本発明によりストラ
ンドの製造コストが低減されることである。
ンドの製造コストが低減されることである。
【００２３】本発明の別の長所は、本発明により提供さ
れる方法を、既存の製造装置上で利用することができる
ことである。
れる方法を、既存の製造装置上で利用することができる
ことである。
【００２４】本発明の他の長所および特徴は、添付の図
面を参照して行う以下の説明から明らかになろう。
面を参照して行う以下の説明から明らかになろう。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下の説明では、本来電気的絶縁
材料、または本発明による方法において多重線ストラン
ドが受ける機械的処理および／または熱処理の後に絶縁
材料となる材料を、電気的絶縁材料と呼ぶことにする。
材料、または本発明による方法において多重線ストラン
ドが受ける機械的処理および／または熱処理の後に絶縁
材料となる材料を、電気的絶縁材料と呼ぶことにする。
【００２６】本発明による銀を主成分とするマトリック
スのＨＴｃ超電導多重線ストランドのパウダー・イン・
チューブ型製造方法は以下の段階を有する。
スのＨＴｃ超電導多重線ストランドのパウダー・イン・
チューブ型製造方法は以下の段階を有する。
【００２７】単線段階では、熱処理後、ＨＴｃ超電導材
料に変化することが可能な粉末状試薬２で、銀を主成分
とするジャケット１を充填し、得られたビレット３を、
正方形または長方形の横断断面を有する単線ストランド
４に線引９０し、第一多重線段階９１、９２では、前記
単線ストランドを断片に切断し、正方形または長方形の
断面の、銀を主成分とする第二ジャケット７を得られた
断片８、８’で充填９１して、多重線ビレット６を作製
し、今度は多重線ビレット６を、正方形または長方形の
断面の多重線ストランド９に線引９２し、少なくとも一
回実施される第二多重線段階９３、９９では、前記多重
線ストランド９を断片に切断し、正方形または長方形の
断面の、銀を主成分とする新規ジャケット１１を得られ
た断片１２、１２’で充填９３して、新規多重線ビレッ
ト１０を作製し、今度は新規多重線ビレット１０を、新
規正方形または長方形の断面の多重線ストランドに線引
９９し、新規多重線ストランドの成形１００を行い、成
形したストランドの熱処理１０１を行う。
料に変化することが可能な粉末状試薬２で、銀を主成分
とするジャケット１を充填し、得られたビレット３を、
正方形または長方形の横断断面を有する単線ストランド
４に線引９０し、第一多重線段階９１、９２では、前記
単線ストランドを断片に切断し、正方形または長方形の
断面の、銀を主成分とする第二ジャケット７を得られた
断片８、８’で充填９１して、多重線ビレット６を作製
し、今度は多重線ビレット６を、正方形または長方形の
断面の多重線ストランド９に線引９２し、少なくとも一
回実施される第二多重線段階９３、９９では、前記多重
線ストランド９を断片に切断し、正方形または長方形の
断面の、銀を主成分とする新規ジャケット１１を得られ
た断片１２、１２’で充填９３して、新規多重線ビレッ
ト１０を作製し、今度は新規多重線ビレット１０を、新
規正方形または長方形の断面の多重線ストランドに線引
９９し、新規多重線ストランドの成形１００を行い、成
形したストランドの熱処理１０１を行う。
【００２８】成形段階１００は、たとえば、導線を所望
の寸法にまで細くし、次に撚る段階である。熱処理段階
１０１は、たとえば、粉末の前駆体をＨＴｃ超電導セラ
ミックに変化させ、導線が受けた種々の機械的処理によ
る応力を解放することを目的とする。
の寸法にまで細くし、次に撚る段階である。熱処理段階
１０１は、たとえば、粉末の前駆体をＨＴｃ超電導セラ
ミックに変化させ、導線が受けた種々の機械的処理によ
る応力を解放することを目的とする。
【００２９】本発明による方法は、単線ストランド４の
各断片８、８’の少なくとも一つの面１５を電気的に絶
縁する追加の段階９５、９１’を導入し、第一多重線段
階９１の間、正方形または長方形の断面の、銀を主成分
とする第二ジャケット７を得られた断片８、８’で充填
して、相互に部分的に絶縁された単線断片８、８’を有
する多重線ビレット６を作製する。
各断片８、８’の少なくとも一つの面１５を電気的に絶
縁する追加の段階９５、９１’を導入し、第一多重線段
階９１の間、正方形または長方形の断面の、銀を主成分
とする第二ジャケット７を得られた断片８、８’で充填
して、相互に部分的に絶縁された単線断片８、８’を有
する多重線ビレット６を作製する。
【００３０】従って、得られた多重線ストランド９は、
電気的絶縁材料１３、１４を具備する少なくとも一つの
面１５を各々がもつ複数の単線ストランドの断片８、
８’を有する。図に示す実施形態では、単線ストランド
４の一面１５のみが絶縁されている。二つの断片８、
８’は、二つの断片８、８’の二つの隣接層が相互に絶
縁されるように配置される。
電気的絶縁材料１３、１４を具備する少なくとも一つの
面１５を各々がもつ複数の単線ストランドの断片８、
８’を有する。図に示す実施形態では、単線ストランド
４の一面１５のみが絶縁されている。二つの断片８、
８’は、二つの断片８、８’の二つの隣接層が相互に絶
縁されるように配置される。
【００３１】図１に示す実施例では、電気的絶縁材料１
３の層を、単線ストランド４の絶縁すべき面１５に付着
９５させる。任意の適切な薄膜付着方法を使用すること
ができる。
３の層を、単線ストランド４の絶縁すべき面１５に付着
９５させる。任意の適切な薄膜付着方法を使用すること
ができる。
【００３２】図２に示す実施例では、第一多重線段階の
多重線ビレット６の作製９１時、ジャケット７内に配置
された単線ストランドの断片を絶縁すべき面１５の間
に、電気的絶縁材料１４を挿入９１’する。絶縁材料
は、各単線層間に挿入されるプレートの形態とすること
ができる。
多重線ビレット６の作製９１時、ジャケット７内に配置
された単線ストランドの断片を絶縁すべき面１５の間
に、電気的絶縁材料１４を挿入９１’する。絶縁材料
は、各単線層間に挿入されるプレートの形態とすること
ができる。
【００３３】本方法の別の特徴は、第二多重線段階９
３、９９において、多重線ストランド９の断片１２、１
２’の面１６のうちの少なくとも一つを絶縁９３’、９
４し、次に、正方形または長方形の断面の、銀を主成分
とする二次ジャケット１１を得られた断片１２、１２’
で充填して、新規多重線ビレット１０を作製することに
より得られる。
３、９９において、多重線ストランド９の断片１２、１
２’の面１６のうちの少なくとも一つを絶縁９３’、９
４し、次に、正方形または長方形の断面の、銀を主成分
とする二次ジャケット１１を得られた断片１２、１２’
で充填して、新規多重線ビレット１０を作製することに
より得られる。
【００３４】従って、新規多重線ストランドは、電気的
絶縁材料１７、１８を具備する少なくとも一つの面１６
を各々がもつ複数の多重線ストランドの断片１２、１
２’を有する。
絶縁材料１７、１８を具備する少なくとも一つの面１６
を各々がもつ複数の多重線ストランドの断片１２、１
２’を有する。
【００３５】諸図に示す実施形態では、多重線ストラン
ド９の二つの隣接面１６が絶縁される。従って断片１
２、１２’は、各多重線断片がそれを取り囲む多重線断
片から絶縁されるように配置される。
ド９の二つの隣接面１６が絶縁される。従って断片１
２、１２’は、各多重線断片がそれを取り囲む多重線断
片から絶縁されるように配置される。
【００３６】図１に示す実施例では、電気的絶縁材料１
７の層を、多重線ストランド９の断片１２’を絶縁すべ
き面１６面に付着９４させる。
７の層を、多重線ストランド９の断片１２’を絶縁すべ
き面１６面に付着９４させる。
【００３７】図２に示す実施例では、第二多重線段階の
多重線ビレット１０の作製９３時、ジャケット１１内に
配置された多重線ストランド９の断片１２を絶縁すべき
面１６の間に、電気的絶縁材料１８を挿入９３’する。
挿入される電気絶縁材料１８の形態は、「Ｌ」字形以外
の形とすることができる。たとえば、挿入される電気絶
縁材料１８は十字形を有することができ、共通の隅を有
する四つの多重線断片の絶縁を行うことができる。
多重線ビレット１０の作製９３時、ジャケット１１内に
配置された多重線ストランド９の断片１２を絶縁すべき
面１６の間に、電気的絶縁材料１８を挿入９３’する。
挿入される電気絶縁材料１８の形態は、「Ｌ」字形以外
の形とすることができる。たとえば、挿入される電気絶
縁材料１８は十字形を有することができ、共通の隅を有
する四つの多重線断片の絶縁を行うことができる。
【００３８】前駆体を超電導相に変えるには酸素が存在
することが必要である。線のデカップリングと、ＨＴｃ
超電導相への変化のための酸素透過性との間の最適な妥
協点を有するＨＴｃ超電導多重線ストランドを提供する
ことも、本発明の目的である。
することが必要である。線のデカップリングと、ＨＴｃ
超電導相への変化のための酸素透過性との間の最適な妥
協点を有するＨＴｃ超電導多重線ストランドを提供する
ことも、本発明の目的である。
【００３９】この目的のため、本発明は、多重線ストラ
ンド９の四つの断片２００のみを有する本発明による方
法を、単一の第二多重線段階に適用することを提案す
る。こうすることにより、断片２００は、Ａｇ製のジャ
ケットと接触する絶縁障壁のない表面を有しながら、相
互によく絶縁される。このジャケット１１を通過して、
四つの多重線断片２００への酸素の移動が行われる。ま
た、各線の一つの面にだけ絶縁障壁が配置されることか
ら、酸素は、絶縁障壁を具備しないＡｇ製隔壁を通過し
て、各線の中心の前駆体に簡単に到達することができる
（図３を参照のこと）。
ンド９の四つの断片２００のみを有する本発明による方
法を、単一の第二多重線段階に適用することを提案す
る。こうすることにより、断片２００は、Ａｇ製のジャ
ケットと接触する絶縁障壁のない表面を有しながら、相
互によく絶縁される。このジャケット１１を通過して、
四つの多重線断片２００への酸素の移動が行われる。ま
た、各線の一つの面にだけ絶縁障壁が配置されることか
ら、酸素は、絶縁障壁を具備しないＡｇ製隔壁を通過し
て、各線の中心の前駆体に簡単に到達することができる
（図３を参照のこと）。
【００４０】本発明は、全般的に正方形または長方形の
横断断面を有し、複数の超電導線を備え、各超電導線が
全般的に正方形または長方形の横断断面を有し、ＨＴｃ
超電導セラミック製のコアを備え、前記ＨＴｃ超電導セ
ラミック製のコアがＡｇ外装で取り囲まれる、ＨＴｃ超
電導多重線ストランドにも関する。
横断断面を有し、複数の超電導線を備え、各超電導線が
全般的に正方形または長方形の横断断面を有し、ＨＴｃ
超電導セラミック製のコアを備え、前記ＨＴｃ超電導セ
ラミック製のコアがＡｇ外装で取り囲まれる、ＨＴｃ超
電導多重線ストランドにも関する。
【００４１】本発明によれば、各超電導線は、Ａｇ外装
の面のうちの少なくとも一つに、電気絶縁層を備える。
の面のうちの少なくとも一つに、電気絶縁層を備える。
【図１】本発明による方法の実施例の流れ図である。
【図２】本発明による方法の別の実施例の流れ図であ
る。
る。
【図３】本発明による方法の別の実施例の流れ図であ
る。
る。
１ ジャケット ２ 粉末状試薬 ３ ビレット ４ 単線ストランド ６ 多重線ビレット ７ 第二ジャケット ８、８’、１２、１２’、２００ 断片 ９ 多重線ストランド １０ 新規多重線ビレット １１ 新規ジャケット １３、１４ 電気的絶縁材料 １５、１６ 面 １７、１８ 電気的絶縁材料 ５０ 新規多重線ストランド ９０ 線引 ９１、９２ 第一多重線段階 ９１’ ９５ 絶縁する段階 ９３、９９ 第二多重線段階 ９３’ 挿入 ９４ 付着 １００ 成形段階 １０１ 熱処理段階
フロントページの続き (72)発明者 ドウニ・レガ フランス国、91090・リス、スクエア・ ドウ・ラ・ボース・４ (72)発明者 ペーター・フリードリツヒ・ヘルマン フランス国、91410・コルブース、アン パス・デ・フレール・１ (56)参考文献 特開 平８−335414（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−130231（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01B 13/00 H01B 12/10
Claims (6)
- 【請求項１】 銀を主成分とするマトリックスのＨＴｃ
超電導多重線ストランドのパウダー・イン・チューブ型
製造方法であって、 単線段階で、熱処理後、ＨＴｃ超電導材料に変化するこ
とが可能な粉末状試薬（２）で、銀を主成分とする第一
ジャケット（１）を充填し、 得られたビレット（３）を、正方形または長方形の横断
断面を有する単線ストランド（４）に線引（９０）し、 第一多重線段階（９１、９２）で、前記単線ストランド
（４）を断片に切断し、正方形または長方形の断面の、
銀を主成分とする第二ジャケット（７）を、得られた断
片（８、８’）で充填して、多重線ビレット（６）を作
製し、今度は多重線ビレット（６）を、正方形または長
方形の断面の多重線ストランド（９）に線引（９２）
し、 少なくとも一回実施される第二多重線段階（９３、９
９）で、前記多重線ストランド（９）を断片に切断し、
正方形または長方形の断面の、銀を主成分とする新規ジ
ャケット（１１）を、得られた断片（１２、１２’）で
充填（９３）して、新規多重線ビレット（１０）を作製
し、新規多重線ビレットを、新規正方形または長方形の
断面の多重線ストランド（５０）に線引（９９）し、 新規多重線ストランド（５０）の成形（１００）を行
い、 成形したストランドの熱処理（１０１）を行う方法であ
って、 単線ストランド（４）の少なくとも一つの面（１５）を
電気的に絶縁（９１’、９５）し、 第一多重線段階（９１、９２）の間、正方形または長方
形の断面の、銀を主成分とする第二ジャケット（７）を
得られた断片（８、８’）で充填して、多重線ビレット
（６）を作製することを特徴とする製造方法。 - 【請求項２】 電気的絶縁材料（１３）の層を、単線ス
トランド（４）の断片（８）を絶縁すべき面（１５）に
付着（９５）させることを特徴とする請求項１に記載の
製造方法。 - 【請求項３】 第一多重線段階の多重線ビレット（６）
の作製（９１）時、ジャケット（７）内に配置された単
線ストランド（４）の断片（８）を絶縁すべき面（１
５）の間に、電気的絶縁材料（１４）を挿入（９１’）
することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項４】 第二多重線段階（９３、９９）におい
て、多重線ストランド（９）の面のうちの少なくとも一
つ（１６）を絶縁（９３’、９４）し、 正方形または長方形の断面の、銀を主成分とする新規ジ
ャケット（１１）を得られた断片（１２、１２’）で充
填（９３）して、新規多重線ビレット（１０）を作製す
ることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記
載の製造方法。 - 【請求項５】 電気的絶縁材料（１７）の層を、多重線
ストランド（９）の断片（１２’）を絶縁すべき面（１
６）に付着（９４）させることを特徴とする請求項４に
記載の製造方法。 - 【請求項６】 第二多重線段階の多重線ビレット（１
０）の作製（９３）時、ジャケット（１１）内に配置さ
れた多重線ストランド（９）の断片（１２）を絶縁すべ
き面（１６）の間に、電気的絶縁材料（１８）を挿入
（９３’）することを特徴とする請求項４または５に記
載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9703416A FR2761192B1 (fr) | 1997-03-20 | 1997-03-20 | Procede de decouplage d'un brin multifilamentaire supraconducteur htc a matrice a base d'argent, et brin multifilamentaire ainsi realise |
| FR9703416 | 1997-03-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10302559A JPH10302559A (ja) | 1998-11-13 |
| JP2992501B2 true JP2992501B2 (ja) | 1999-12-20 |
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ID=9505015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10070588A Expired - Fee Related JP2992501B2 (ja) | 1997-03-20 | 1998-03-19 | 銀を主成分とするマトリックスのＨＴｃ超電導多重線ストランドのパウダー・イン・チューブ型製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0866507B1 (ja) |
| JP (1) | JP2992501B2 (ja) |
| AU (1) | AU731749B2 (ja) |
| DE (1) | DE69808536T2 (ja) |
| DK (1) | DK0866507T3 (ja) |
| FR (1) | FR2761192B1 (ja) |
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| GB9805646D0 (en) * | 1998-03-18 | 1998-05-13 | Bicc Plc | Superconducting tapes |
| GB9805641D0 (en) * | 1998-03-18 | 1998-05-13 | Metal Manufactures Ltd | Superconducting tapes |
| GB9805639D0 (en) * | 1998-03-18 | 1998-05-13 | Metal Manufactures Ltd | Superconducting tapes for alternating current and cables and other conductors in which they are used |
| FR2793344B1 (fr) * | 1999-05-06 | 2001-07-06 | Cit Alcatel | BRIN SUPRACONDUCTEUR A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE (HTc), METHODE DE FABRICATION D'UN TEL BRIN |
| US6451742B1 (en) * | 1999-06-09 | 2002-09-17 | The Regents Of The University Of California | High temperature superconducting composite conductor and method for manufacturing the same |
| US20150045230A1 (en) * | 2012-04-10 | 2015-02-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Reinforcing-member-equipped oxide superconducting wire |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2543741B1 (fr) * | 1983-03-16 | 1985-06-14 | Comp Generale Electricite | Procede de fabrication de supraconducteurs |
| KR900701019A (ko) * | 1988-02-26 | 1990-08-17 | 나가노 다께시 | 고전류 밀도를 보유하는 고강도 초전도 와이어 및 케이블과 그 제조방법 |
| US5296456A (en) * | 1989-08-09 | 1994-03-22 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Ceramic superconductor wire and method of manufacturing the same |
| DE4108445A1 (de) * | 1991-03-15 | 1992-09-17 | Abb Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung von draehten |
| DE69408906T2 (de) * | 1993-05-10 | 1998-10-22 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren zum Herstellen eines hochtemperatursupraleitenden Drahtes |
| JP3356852B2 (ja) * | 1993-08-02 | 2002-12-16 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導線材の製造方法 |
| JP3567003B2 (ja) * | 1994-12-19 | 2004-09-15 | 株式会社日立製作所 | タリウム系超電導線 |
| EP0815599B1 (de) * | 1995-03-15 | 1999-09-22 | Université de Genève, représentée par son Département de physique de la matière condensée | Elektrischer leiter mit supraleitenden kernen und verfahren zur herstellung eines solchen leiters |
| US5885938A (en) * | 1995-11-07 | 1999-03-23 | American Superconductor Corporation | Low-aspect ratio superconductor wire |
| US5908812A (en) * | 1996-02-05 | 1999-06-01 | The Regents Of The University Of California | Structure for hts composite conductors and the manufacture of same |
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| FR2761516B1 (fr) * | 1997-03-27 | 1999-05-07 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de decouplage d'un brin multifilamentaire supraconducteur htc a matrice a base d'argent, et brin multifilamentaire ainsi realise |
-
1997
- 1997-03-20 FR FR9703416A patent/FR2761192B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-16 EP EP98400609A patent/EP0866507B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-16 DE DE69808536T patent/DE69808536T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-16 DK DK98400609T patent/DK0866507T3/da active
- 1998-03-17 AU AU59348/98A patent/AU731749B2/en not_active Ceased
- 1998-03-19 US US09/044,056 patent/US6272731B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-19 JP JP10070588A patent/JP2992501B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2001
- 2001-04-24 US US09/840,271 patent/US6542760B2/en not_active Expired - Fee Related
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