JP2988286B2 - Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＢＧＡ型半導体装置及び
その製造方法に関するものである。
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＢＧＡ（Ball Grid Array ）型半
導体装置の断面構造を図７により説明する。ＬＳＩチッ
プ５は、絶縁フィルム１を有するＴＡＢテープ１８のイ
ンナーリード７の先端にバンプ８を介して接続される。
接続部及びＬＳＩチップ５の表面はポッティング封止レ
ジン６により封止され保護される。引出端子である金属
ボール３（通常ハンダで構成される）は配線パターン２
側に形成される。
導体装置の断面構造を図７により説明する。ＬＳＩチッ
プ５は、絶縁フィルム１を有するＴＡＢテープ１８のイ
ンナーリード７の先端にバンプ８を介して接続される。
接続部及びＬＳＩチップ５の表面はポッティング封止レ
ジン６により封止され保護される。引出端子である金属
ボール３（通常ハンダで構成される）は配線パターン２
側に形成される。
【０００３】その金属ボール３の形成部の表面を図１０
に示す。金属ボールが形成されるボール形成ランド１１
を除き、全面にソルダーレジスト１０を塗布する。塗布
の目的は配線パターン２の保護と円形のボール形成ラン
ド１１とを作り、ボール形成ランド１１上に確実に独立
した金属ボールを形成するためである。
に示す。金属ボールが形成されるボール形成ランド１１
を除き、全面にソルダーレジスト１０を塗布する。塗布
の目的は配線パターン２の保護と円形のボール形成ラン
ド１１とを作り、ボール形成ランド１１上に確実に独立
した金属ボールを形成するためである。
【０００４】上記の様に金属ボールを配線パターン２側
に作るのではなく、それと反対側、即ち絶縁フィルム１
側に金属ボールを作る場合がある。この場合のボール形
成部の断面拡大図を図９に示した。この場合には絶縁フ
ィルム１にバイアホール４をパンチングまたはドリル等
により開口させ、その後バイアホール４の一方の開口を
塞ぐテンティングパッド２０を作る配線パターン２を形
成させる。
に作るのではなく、それと反対側、即ち絶縁フィルム１
側に金属ボールを作る場合がある。この場合のボール形
成部の断面拡大図を図９に示した。この場合には絶縁フ
ィルム１にバイアホール４をパンチングまたはドリル等
により開口させ、その後バイアホール４の一方の開口を
塞ぐテンティングパッド２０を作る配線パターン２を形
成させる。
【０００５】即ちバイアホール４などの穴開け後に、銅
箔を貼り付け（接着剤付きの絶縁フィルムを用いるので
接着剤にも穴は開いている）ホトケミカルエッチング法
にて配線パターン２を形成させるものである。
箔を貼り付け（接着剤付きの絶縁フィルムを用いるので
接着剤にも穴は開いている）ホトケミカルエッチング法
にて配線パターン２を形成させるものである。
【０００６】配線パターン形成後、絶縁フィルム１の表
面に導体を引き出すために銅めっきを行い、そのめっき
層９（黒く塗りつぶした部分）をバイアホール４内全
面、及び絶縁フィルム１表面の一部に形成する。めっき
層９のうち、ボールを形成する部分を除き、全面にソル
ダレジスト１０を塗布し、塗布後、ボール形成部上に金
属ボール３を作る。このときの表面を図１０に示す。バ
イアホール４の周囲には、バイアホールめっきランド１
２を作り、そこから配線パターン２２をこれもめっき層
で作り、ボール形成ランド１１に導く。
面に導体を引き出すために銅めっきを行い、そのめっき
層９（黒く塗りつぶした部分）をバイアホール４内全
面、及び絶縁フィルム１表面の一部に形成する。めっき
層９のうち、ボールを形成する部分を除き、全面にソル
ダレジスト１０を塗布し、塗布後、ボール形成部上に金
属ボール３を作る。このときの表面を図１０に示す。バ
イアホール４の周囲には、バイアホールめっきランド１
２を作り、そこから配線パターン２２をこれもめっき層
で作り、ボール形成ランド１１に導く。
【０００７】このため、絶縁フィルム側に金属ボールを
形成する方法は、配線パターン側に金属ボールを形成す
る方法と比較して、無電解銅めっき及び絶縁フィルム側
のバイアホールめっきランド１２、配線パターン２２、
及びボール形成ランド１１の形成のためのケミカルエッ
チングが必要となる。
形成する方法は、配線パターン側に金属ボールを形成す
る方法と比較して、無電解銅めっき及び絶縁フィルム側
のバイアホールめっきランド１２、配線パターン２２、
及びボール形成ランド１１の形成のためのケミカルエッ
チングが必要となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、引出
端子である金属ボールをＴＡＢテープに形成する場合、
従来、配線パターン側に形成する場合と、絶縁フィルム
側に形成する場合との２通りがある。これらは共に枚葉
式であって連続製造ができない。また、それぞれ次に述
べるような欠点があった。
端子である金属ボールをＴＡＢテープに形成する場合、
従来、配線パターン側に形成する場合と、絶縁フィルム
側に形成する場合との２通りがある。これらは共に枚葉
式であって連続製造ができない。また、それぞれ次に述
べるような欠点があった。
【０００９】 （１）配線パターン側にボールを形成する場合 ソルダーレジストの塗布が必要である ソルダーレジストに欠陥がある場合（実はこれが非常
に多い）、ハンダボールの金属が飛散し、配線パターン
間の短絡の原因となる 図８の様にボール形成ランドに配線パターンを引き回
すことになるため、ボールピッチを狭くすると、ボール
形成ランドと配線パターンが短絡するため、ボールピッ
チを狭くできない （２）絶縁フィルム側にボールを形成する場合銅めっ
きが必要である 絶縁フィルム側にも配線パターンの形成が必要である ソルダレジストの塗布も必要など、工程が非常に複雑
で歩留りが悪く、高価である バイアホールめっき層を作るため、温度サイクル応力
がめっき層に集中して、バイアホールクラックが生じや
すくなり、信頼性が低下する 本発明の目的は、絶縁フィルム側にボールを形成する方
法を採用しながら、上述した従来技術の欠点を解消し
て、構造が簡単かつ安価で、歩留り及び信頼性の高いＢ
ＧＡ型半導体装置及びその製造方法を提供することにあ
る。
に多い）、ハンダボールの金属が飛散し、配線パターン
間の短絡の原因となる 図８の様にボール形成ランドに配線パターンを引き回
すことになるため、ボールピッチを狭くすると、ボール
形成ランドと配線パターンが短絡するため、ボールピッ
チを狭くできない （２）絶縁フィルム側にボールを形成する場合銅めっ
きが必要である 絶縁フィルム側にも配線パターンの形成が必要である ソルダレジストの塗布も必要など、工程が非常に複雑
で歩留りが悪く、高価である バイアホールめっき層を作るため、温度サイクル応力
がめっき層に集中して、バイアホールクラックが生じや
すくなり、信頼性が低下する 本発明の目的は、絶縁フィルム側にボールを形成する方
法を採用しながら、上述した従来技術の欠点を解消し
て、構造が簡単かつ安価で、歩留り及び信頼性の高いＢ
ＧＡ型半導体装置及びその製造方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、ホールを
形成した絶縁フィルムの片面に、上記ホールを覆う配線
パターンが形成され、該配線パターンのインナリードに
半導体チップを接続したＴＢＡテープにおいて、上記配
線パターン側と反対側からホール内にハンダペーストま
たは導電性ペーストを埋め込むことによって上記配線パ
ターンと接続される導電体を形成すると共に、該導電体
の直上の絶縁フィルム側に金属ボールを設けたものであ
る。
形成した絶縁フィルムの片面に、上記ホールを覆う配線
パターンが形成され、該配線パターンのインナリードに
半導体チップを接続したＴＢＡテープにおいて、上記配
線パターン側と反対側からホール内にハンダペーストま
たは導電性ペーストを埋め込むことによって上記配線パ
ターンと接続される導電体を形成すると共に、該導電体
の直上の絶縁フィルム側に金属ボールを設けたものであ
る。
【００１１】第２の発明は、第１の発明において、金属
ボールが６３ｗｔ％Ｓｎ−３７ｗｔ％Ｐｂ、または９０
ｗｔ％Ｐｂ−１０ｗｔ％Ｓｎのハンダペーストで構成さ
れるものである。
ボールが６３ｗｔ％Ｓｎ−３７ｗｔ％Ｐｂ、または９０
ｗｔ％Ｐｂ−１０ｗｔ％Ｓｎのハンダペーストで構成さ
れるものである。
【００１２】第３の発明は、ホールを形成した絶縁フィ
ルムの片面に、上記ホールを覆う配線パターンが形成さ
れ、該配線パターンのインナリードに半導体チップを接
続したＴＡＢテープを備え、上記配線パターン側と反対
側からホール内にハンダペーストを埋め込むと共に、ホ
ールの開口部周辺にハンダペーストを印刷して、該ハン
ダペーストを上記配線パターンに接続させ、印刷後、リ
フローして上記ホールの開口部直上の絶縁フィルム側に
ハンダによる金属ボールを形成したものである。
ルムの片面に、上記ホールを覆う配線パターンが形成さ
れ、該配線パターンのインナリードに半導体チップを接
続したＴＡＢテープを備え、上記配線パターン側と反対
側からホール内にハンダペーストを埋め込むと共に、ホ
ールの開口部周辺にハンダペーストを印刷して、該ハン
ダペーストを上記配線パターンに接続させ、印刷後、リ
フローして上記ホールの開口部直上の絶縁フィルム側に
ハンダによる金属ボールを形成したものである。
【００１３】第４の発明は、ホールを形成した絶縁フィ
ルムの片面に、上記ホールを覆う配線パターンが形成さ
れ、該配線パターンのインナリードに半導体チップを接
続したＴＡＢテープを備え、上記配線パターン側と反対
側からホール内に樹脂金属粉混合の導電性ペーストを埋
め込んで、該導電性ペーストを上記配線パターンに接続
させ、さらにホールの開口部周辺にハンダペーストを印
刷し、印刷後、リフローして上記ホールの開口部直上の
絶縁フィルム側にハンダによる金属ボールを形成したの
である。
ルムの片面に、上記ホールを覆う配線パターンが形成さ
れ、該配線パターンのインナリードに半導体チップを接
続したＴＡＢテープを備え、上記配線パターン側と反対
側からホール内に樹脂金属粉混合の導電性ペーストを埋
め込んで、該導電性ペーストを上記配線パターンに接続
させ、さらにホールの開口部周辺にハンダペーストを印
刷し、印刷後、リフローして上記ホールの開口部直上の
絶縁フィルム側にハンダによる金属ボールを形成したの
である。
【００１４】第５の発明は、ホールを形成した絶縁フィ
ルムの片面に、ホールを覆う配線パターンが形成され、
該配線パターンのインナリードに半導体チップを接続し
たＴＡＢテープを形成して、これを第１リールに巻き取
り、上記第１リールに巻き取ったＴＡＢテープを繰り出
しながら、上記配線パターン側と反対側からホール内及
びその開口部周辺にハンダペーストを印刷して、該ハン
ダペーストを上記配線パターンと接続させ、印刷後、リ
フローして上記ホールの開口部直上の絶縁フィルム側に
ハンダによる金属ボールを形成し、この金属ボール付き
テープを第２リールに巻き取るようにしたものである。
ルムの片面に、ホールを覆う配線パターンが形成され、
該配線パターンのインナリードに半導体チップを接続し
たＴＡＢテープを形成して、これを第１リールに巻き取
り、上記第１リールに巻き取ったＴＡＢテープを繰り出
しながら、上記配線パターン側と反対側からホール内及
びその開口部周辺にハンダペーストを印刷して、該ハン
ダペーストを上記配線パターンと接続させ、印刷後、リ
フローして上記ホールの開口部直上の絶縁フィルム側に
ハンダによる金属ボールを形成し、この金属ボール付き
テープを第２リールに巻き取るようにしたものである。
【００１５】第６の発明は、ホールを形成した絶縁フィ
ルムの片面に、ホールを覆う配線パターンが形成され、
該配線パターンのインナリードに半導体チップを接続し
たＴＡＢテープを形成して、これを第１リールに巻き取
り、上記第１リールに巻き取ったＴＡＢテープを繰り出
しながら、上記配線パターン側と反対側からホール内に
樹脂金属粉混合の導電性ペーストを埋め込んで、該導電
性ペーストを上記配線パターンに接続させ、さらにホー
ルの開口部周辺にハンダペーストを印刷し、印刷後、リ
フローして上記ホールの開口部直上の絶縁フィルム側に
ハンダによる金属ボールを形成し、この金属ボール付き
テープを第２リールに巻き取るようにしたものである。
ルムの片面に、ホールを覆う配線パターンが形成され、
該配線パターンのインナリードに半導体チップを接続し
たＴＡＢテープを形成して、これを第１リールに巻き取
り、上記第１リールに巻き取ったＴＡＢテープを繰り出
しながら、上記配線パターン側と反対側からホール内に
樹脂金属粉混合の導電性ペーストを埋め込んで、該導電
性ペーストを上記配線パターンに接続させ、さらにホー
ルの開口部周辺にハンダペーストを印刷し、印刷後、リ
フローして上記ホールの開口部直上の絶縁フィルム側に
ハンダによる金属ボールを形成し、この金属ボール付き
テープを第２リールに巻き取るようにしたものである。
【００１６】第７の発明は、第３ないし第６の発明にお
いて、金属ボールが６３ｗｔ％Ｓｎ−３７ｗｔ％Ｐｂ、
または９０ｗｔ％Ｐｂ−１０ｗｔ％Ｓｎのハンダペース
トで構成されるものである。
いて、金属ボールが６３ｗｔ％Ｓｎ−３７ｗｔ％Ｐｂ、
または９０ｗｔ％Ｐｂ−１０ｗｔ％Ｓｎのハンダペース
トで構成されるものである。
【００１７】
【作用】第１の発明は、予め絶縁フィルムの所定箇所に
半導体装置のピン数分のホールを形成しておく。その絶
縁フィルムの片面に配線パターンを形成し、配線パター
ンでピン数分の各ホールの一方の開口をそれぞれ閉塞す
る。そして、上記配線パターンのインナリードに半導体
チップを接続してＴＡＢテープを構成する。
半導体装置のピン数分のホールを形成しておく。その絶
縁フィルムの片面に配線パターンを形成し、配線パター
ンでピン数分の各ホールの一方の開口をそれぞれ閉塞す
る。そして、上記配線パターンのインナリードに半導体
チップを接続してＴＡＢテープを構成する。
【００１８】上記ホールの閉塞されていない他方の開口
からホール内にハンダペーストまたは導電性ペーストな
どの導電体を埋め込み、配線パターンと接続させる。こ
の埋め込みは、通常、ハンダペーストの場合は印刷によ
って、また導電性ペーストの場合はディスペンサによっ
て行う。
からホール内にハンダペーストまたは導電性ペーストな
どの導電体を埋め込み、配線パターンと接続させる。こ
の埋め込みは、通常、ハンダペーストの場合は印刷によ
って、また導電性ペーストの場合はディスペンサによっ
て行う。
【００１９】ペーストを埋め込んだホールの直上にハン
ダペーストによる金属ボールを形成する。この金属ボー
ルはリフローすることによってハンダペーストから形成
する。このようにして、絶縁フィルム側にめっき層や配
線パターンなしに金属ボールが形成される。
ダペーストによる金属ボールを形成する。この金属ボー
ルはリフローすることによってハンダペーストから形成
する。このようにして、絶縁フィルム側にめっき層や配
線パターンなしに金属ボールが形成される。
【００２０】また、第３の発明は、ホール内及びホール
の開口部周辺に同一のハンダペーストを印刷するように
したので、ホール内の穴埋めとバンプの形成が１回で済
む。また、ハンダペーストを埋め込んだホールの直上に
リフローによりバンプを作るので、スルーホール内のめ
っきやスルーホールから引き出す配線を省略することが
できる。
の開口部周辺に同一のハンダペーストを印刷するように
したので、ホール内の穴埋めとバンプの形成が１回で済
む。また、ハンダペーストを埋め込んだホールの直上に
リフローによりバンプを作るので、スルーホール内のめ
っきやスルーホールから引き出す配線を省略することが
できる。
【００２１】また、第４の発明は、ホール内に導電性ペ
ーストを埋め込むようにしたので、絶縁フィルムとの密
着性が良好となる。
ーストを埋め込むようにしたので、絶縁フィルムとの密
着性が良好となる。
【００２２】また、第５の発明及び第６の発明は、各工
程をリール・ツー・リールで実現するので、ＢＧＡ型半
導体装置の連続製造が可能となる。
程をリール・ツー・リールで実現するので、ＢＧＡ型半
導体装置の連続製造が可能となる。
【００２３】また、第７の発明は、金属ボールを６３ｗ
ｔ％Ｓｎ−３７ｗｔ％Ｐｂ、または９０ｗｔ％Ｐｂ−１
０ｗｔ％Ｓｎのハンダペーストで構成するようにしたの
で、基板実装時の熱疲労破断に対する接続強度を上げる
ことができる。
ｔ％Ｓｎ−３７ｗｔ％Ｐｂ、または９０ｗｔ％Ｐｂ−１
０ｗｔ％Ｓｎのハンダペーストで構成するようにしたの
で、基板実装時の熱疲労破断に対する接続強度を上げる
ことができる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図６を用いて
説明する。
説明する。
【００２５】（実施例１） まず、図２に示す３５mm幅のＴＡＢテープ２８を製作し
た。ベースフィルムは１２５μm 厚さのポリイミドに１
９μm 厚さのエポキシ系の接着剤を貼り合わせたものを
用い、始めに穴加工を施す。穴加工は、送り穴２３やデ
バイスホール２４と共にバイアホール１９を開口させ
る。バイアホール１９の直径は０．３mmφであり、送り
穴２３、及びデバイスホール２４と一緒にパンチング金
型により開口する。その後、全面に銅箔を貼り合わせた
後に、ホトケミカルエッチング法によって配線パターン
２を作る。配線パターン２にはテンティングパッド２０
やインナーリード７等が含まれる。テンティングパッド
２０は、ＴＡＢテープ２８に設けられたバイアホール１
９の一方の開口を塞ぎ、バイアホール１９内に埋め込ま
れたハンダペースト等の導電体と接続される部分とな
る。配線パターン形成工程によりＴＡＢテープキャリア
の製造は終わる。
た。ベースフィルムは１２５μm 厚さのポリイミドに１
９μm 厚さのエポキシ系の接着剤を貼り合わせたものを
用い、始めに穴加工を施す。穴加工は、送り穴２３やデ
バイスホール２４と共にバイアホール１９を開口させ
る。バイアホール１９の直径は０．３mmφであり、送り
穴２３、及びデバイスホール２４と一緒にパンチング金
型により開口する。その後、全面に銅箔を貼り合わせた
後に、ホトケミカルエッチング法によって配線パターン
２を作る。配線パターン２にはテンティングパッド２０
やインナーリード７等が含まれる。テンティングパッド
２０は、ＴＡＢテープ２８に設けられたバイアホール１
９の一方の開口を塞ぎ、バイアホール１９内に埋め込ま
れたハンダペースト等の導電体と接続される部分とな
る。配線パターン形成工程によりＴＡＢテープキャリア
の製造は終わる。
【００２６】次に、図１に示すようにＬＳＩチップ５を
接続した。即ち、バンプ８を介してインナーリード７に
ＬＳＩチップ５をギャングボンディング法により接続
後、ポッティング封止レジン６によりＬＳＩチップ５の
表面及び接続部を封止した。バンプ８は２０μm 厚さの
金めっきが、またインナーリード７には０．５mm厚さの
金めっきが施されており、５５０℃のギャングボンディ
ングツールを当接させることにより、２２５ピンの接続
を５秒間で行った。
接続した。即ち、バンプ８を介してインナーリード７に
ＬＳＩチップ５をギャングボンディング法により接続
後、ポッティング封止レジン６によりＬＳＩチップ５の
表面及び接続部を封止した。バンプ８は２０μm 厚さの
金めっきが、またインナーリード７には０．５mm厚さの
金めっきが施されており、５５０℃のギャングボンディ
ングツールを当接させることにより、２２５ピンの接続
を５秒間で行った。
【００２７】その後、配線パターン２側と反対側から、
印刷によりバイアホール４の穴の中にハンダペーストを
埋め込んだ。印刷後の断面を図３に示す。ハンダペース
ト１３はバイアホール４の中、及び開口部周辺の絶縁フ
ィルム１の上部にリング状に施した。即ち、バイアホー
ル径０．３mmφに対して、ハンダペースト１３の印刷径
は０．８mmφ、絶縁フィルム１上の印刷厚さは０．５mm
である。
印刷によりバイアホール４の穴の中にハンダペーストを
埋め込んだ。印刷後の断面を図３に示す。ハンダペース
ト１３はバイアホール４の中、及び開口部周辺の絶縁フ
ィルム１の上部にリング状に施した。即ち、バイアホー
ル径０．３mmφに対して、ハンダペースト１３の印刷径
は０．８mmφ、絶縁フィルム１上の印刷厚さは０．５mm
である。
【００２８】印刷後、２３０℃のリフロー炉により、図
４に示すようにハンダによる金属ボール３を形成させ
た。即ち１５０℃の温度で２分間予熱後、２３０℃で１
５秒間加熱してハンダペースト１３を溶融させて、か
つ、フラックスと溶剤成分を揮発、及び外側に排出させ
ながらハンダの表面張力を応用し金属ボール３を形成さ
せた。図４のボール径は０．７mmφ、ボール高さは０．
６mmφが得られた。なおハンダペーストには６３ｗｔ％
Ｓｎ−３７ｗｔ％Ｐｂの組成の微細粒子を高級アルコー
ル溶剤、ロジンフラックスと混合したものを使用した。
完成品のＢＧＡ型半導体素子の断面図を図１に示す。
４に示すようにハンダによる金属ボール３を形成させ
た。即ち１５０℃の温度で２分間予熱後、２３０℃で１
５秒間加熱してハンダペースト１３を溶融させて、か
つ、フラックスと溶剤成分を揮発、及び外側に排出させ
ながらハンダの表面張力を応用し金属ボール３を形成さ
せた。図４のボール径は０．７mmφ、ボール高さは０．
６mmφが得られた。なおハンダペーストには６３ｗｔ％
Ｓｎ−３７ｗｔ％Ｐｂの組成の微細粒子を高級アルコー
ル溶剤、ロジンフラックスと混合したものを使用した。
完成品のＢＧＡ型半導体素子の断面図を図１に示す。
【００２９】上述した印刷も、リフローも全てリール・
ツー・リールの連続送り出し、巻取方式により行われ
る。そのための印刷・リフローマシンを図５に示す。Ｌ
ＳＩ付きのＴＡＢテープキャリア２９を送出しリール１
６から、まず印刷装置１４に送りメタルマスク法を使っ
て間欠的に印刷する。次いでリフロー炉１５に導き、こ
こで連続してリフローして、巻き取りリール１７で巻き
取る。ＴＡＢテープキャリア２９は、通常２０〜５０m
の長さで１巻きとして製造されるが、本実施例では５０
m 長さのリール１６、１７を用いた。
ツー・リールの連続送り出し、巻取方式により行われ
る。そのための印刷・リフローマシンを図５に示す。Ｌ
ＳＩ付きのＴＡＢテープキャリア２９を送出しリール１
６から、まず印刷装置１４に送りメタルマスク法を使っ
て間欠的に印刷する。次いでリフロー炉１５に導き、こ
こで連続してリフローして、巻き取りリール１７で巻き
取る。ＴＡＢテープキャリア２９は、通常２０〜５０m
の長さで１巻きとして製造されるが、本実施例では５０
m 長さのリール１６、１７を用いた。
【００３０】金属ボール形成後、はじめてＢＧＡ型半導
体装置はリールから抜き加工で１個単位になり、図１の
断面形状になる。金属ボールの数はインナーリードの数
２２５と同数あって、１５列×１５行でボールピッチ
１．５mmで配列されている。
体装置はリールから抜き加工で１個単位になり、図１の
断面形状になる。金属ボールの数はインナーリードの数
２２５と同数あって、１５列×１５行でボールピッチ
１．５mmで配列されている。
【００３１】（実施例２） 図６に示すように、実施例１において、バイアホール４
内にハンダペーストを埋め込む代りに、樹脂金属粉混合
の導電性ペースト２１を埋めてから、その上及びバイア
ホール４の周辺部にボール形成用のハンダペースト２６
を所定厚さ印刷する。印刷後、リフローして、導電性ペ
ースト２１をバイアホール４内に埋め込むとともに、埋
め込んだ導電性ペースト２１の直上にハンダによる金属
ボール３を形成させる（図４参照）。この方法は、穴埋
め工程が一回増えるが、導電性ペースト２１はエポキシ
系のレジンを含むために絶縁フィルム１との密着性がハ
ンダより優れる特長がある。
内にハンダペーストを埋め込む代りに、樹脂金属粉混合
の導電性ペースト２１を埋めてから、その上及びバイア
ホール４の周辺部にボール形成用のハンダペースト２６
を所定厚さ印刷する。印刷後、リフローして、導電性ペ
ースト２１をバイアホール４内に埋め込むとともに、埋
め込んだ導電性ペースト２１の直上にハンダによる金属
ボール３を形成させる（図４参照）。この方法は、穴埋
め工程が一回増えるが、導電性ペースト２１はエポキシ
系のレジンを含むために絶縁フィルム１との密着性がハ
ンダより優れる特長がある。
【００３２】（実施例３） ハンダペーストに９０ｗｔ％Ｐｂ−１０ｗｔ％Ｓｎの組
成のハンダペーストを用いた点を除き実施例１と同じで
ある。この組成はＢＧＡ型半導体装置を基板に実装する
時に、実施例１よりも熱疲労破断に対してより強い特長
がある。
成のハンダペーストを用いた点を除き実施例１と同じで
ある。この組成はＢＧＡ型半導体装置を基板に実装する
時に、実施例１よりも熱疲労破断に対してより強い特長
がある。
【００３３】
【発明の効果】（１）請求項１及び２に記載の発明によ
れば、ホール内にハンダペーストまたは導電性ペースト
からなる導電体を埋め込んで、導電体の直上に金属ボー
ルを設けるようにしたので、ホール内にめっきを施した
り、絶縁フィルム側に配線パターンを形成する必要がな
く、構造が非常に簡単である。
れば、ホール内にハンダペーストまたは導電性ペースト
からなる導電体を埋め込んで、導電体の直上に金属ボー
ルを設けるようにしたので、ホール内にめっきを施した
り、絶縁フィルム側に配線パターンを形成する必要がな
く、構造が非常に簡単である。
【００３４】（２）請求項３に記載の発明によれば、ホ
ール内及びホールの開口部周辺に同一のハンダペースト
を印刷するようにしたので、ホール内の穴埋めとバンプ
の形成が１回で済むので、工程が非常に簡単で歩留りが
高く、安価に製造できる。またホールにめっき層を設け
ないので、信頼性が向上する。
ール内及びホールの開口部周辺に同一のハンダペースト
を印刷するようにしたので、ホール内の穴埋めとバンプ
の形成が１回で済むので、工程が非常に簡単で歩留りが
高く、安価に製造できる。またホールにめっき層を設け
ないので、信頼性が向上する。
【００３５】（３）請求項４に記載の発明によれば、ホ
ール内に導電性ペーストを埋め込むようにしたので、絶
縁フィルムとの密着性を向上できる。
ール内に導電性ペーストを埋め込むようにしたので、絶
縁フィルムとの密着性を向上できる。
【００３６】（４）請求項５または６に記載の発明によ
れば、製造工程をリール・ツー・リールで実現している
ため、従来の枚葉式から連続式に改良でき、ＢＧＡ半導
体装置をより工業的、かつ安価に製造できる。
れば、製造工程をリール・ツー・リールで実現している
ため、従来の枚葉式から連続式に改良でき、ＢＧＡ半導
体装置をより工業的、かつ安価に製造できる。
【００３７】（５）請求項７に記載の発明によれば、６
３ｗｔ％Ｓｎ−３７ｗｔ％Ｐｂまたは、９０ｗｔ％Ｐｂ
−１０ｗｔ％Ｓｎのハンダペーストで構成したので、基
板実装時の熱疲労破断に対する接続強度を上げることが
できる。
３ｗｔ％Ｓｎ−３７ｗｔ％Ｐｂまたは、９０ｗｔ％Ｐｂ
−１０ｗｔ％Ｓｎのハンダペーストで構成したので、基
板実装時の熱疲労破断に対する接続強度を上げることが
できる。
【図１】本発明のＢＧＡ型半導体装置の実施例を説明す
るための断面図。
るための断面図。
【図２】ＴＡＢテープキャリアの平面図
【図３】本実施例による金属ボール形成のためにバイア
ホール内にハンダペーストを印刷した断面図。
ホール内にハンダペーストを印刷した断面図。
【図４】本実施例によるボール形成部の断面図。
【図５】本実施例によるハンダペースト印刷装置及びリ
フロー装置を組み込んだリール・ツー・リールの構成
図。
フロー装置を組み込んだリール・ツー・リールの構成
図。
【図６】本実施例によるバイアホール内に導電性ペース
トを埋め込み、その直上に金属ボール形成のためのハン
ダペーストを印刷した断面図。
トを埋め込み、その直上に金属ボール形成のためのハン
ダペーストを印刷した断面図。
【図７】従来のＢＧＡ型半導体装置を説明するための断
面図。
面図。
【図８】従来の銅箔パターン側に金属ボールを形成した
場合のパターン説明図。
場合のパターン説明図。
【図９】従来の絶縁フィルム側に金属ボールを形成した
場合の断面図。
場合の断面図。
【図１０】従来の絶縁フィルム側に金属ボールを形成し
た場合の配線パッドの平面図。
た場合の配線パッドの平面図。
１ 絶縁フィルム ２ 配線パターン ３ 金属ボール ４ バイアホール ５ ＬＳＩチップ ６ ポッティング封止レジン ７ インナーリード ８ バンプ
Claims (7)
- 【請求項１】ホールを形成した絶縁フィルムの片面に、
上記ホールを覆う配線パターンが形成され、該配線パタ
ーンのインナリードに半導体チップを接続したＴＢＡテ
ープにおいて、上記配線パターン側と反対側からホール
内にハンダペーストまたは導電性ペーストを埋め込むこ
とによって上記配線パターンと接続される導電体を埋め
込んで、該導電体の直上の絶縁フィルム側に金属ボール
を設けたことを特徴とするＢＧＡ型半導体装置。 - 【請求項２】上記金属ボールは６３ｗｔ％Ｓｎ−３７ｗ
ｔ％Ｐｂ、または９０ｗｔ％Ｐｂ−１０ｗｔ％Ｓｎのハ
ンダペーストで構成されることを特徴とする請求項１に
記載のＢＧＡ型半導体装置。 - 【請求項３】ホールを形成した絶縁フィルムの片面に、
上記ホールを覆う配線パターンが形成され、該配線パタ
ーンのインナリードに半導体チップを接続したＴＡＢテ
ープを備え、上記配線パターン側と反対側からホール内
にハンダペーストを埋め込むと共に、ホールの開口部周
辺にハンダペーストを印刷して、該ハンダペーストを上
記配線パターンに接続させ、印刷後、リフローして上記
ホールの開口部直上の絶縁フィルム側にハンダによる金
属ボールを形成したことを特徴とするＢＧＡ型半導体装
置の製造方法。 - 【請求項４】ホールを形成した絶縁フィルムの片面に、
上記ホールを覆う配線パターンが形成され、該配線パタ
ーンのインナリードに半導体チップを接続したＴＡＢテ
ープを備え、上記配線パターン側と反対側からホール内
に樹脂金属粉混合の導電性ペーストを埋め込んで、該導
電性ペーストを上記配線パターンに接続させ、さらにホ
ールの開口部周辺にハンダペーストを印刷し、印刷後、
リフローして上記ホールの開口部直上の絶縁フィルム側
にハンダによる金属ボールを形成したことを特徴とする
ＢＧＡ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】ホールを形成した絶縁フィルムの片面に、
ホールを覆う配線パターンが形成され、該配線パターン
のインナリードに半導体チップを接続したＴＡＢテープ
を形成して、これを第１リールに巻き取り、上記第１リ
ールに巻き取ったＴＡＢテープを繰り出しながら、上記
配線パターン側と反対側からホール内及びその開口部周
辺にハンダペーストを印刷して、該ハンダペーストを上
記配線パターンと接続させ、印刷後、リフローして上記
ホールの開口部直上の絶縁フィルム側にハンダによる金
属ボールを形成し、この金属ボール付きテープを第２リ
ールに巻き取ることを特徴とするＢＧＡ型半導体装置の
製造方法。 - 【請求項６】ホールを形成した絶縁フィルムの片面に、
ホールを覆う配線パターンが形成され、該配線パターン
のインナリードに半導体チップを接続したＴＡＢテープ
を形成して、これを第１リールに巻き取り、上記第１リ
ールに巻き取ったＴＡＢテープを繰り出しながら、上記
配線パターン側と反対側からホール内に樹脂金属粉混合
の導電性ペーストを埋め込んで、該導電性ペーストを上
記配線パターンに接続させ、さらにホールの開口部周辺
にハンダペーストを印刷し、印刷後、リフローして上記
ホールの開口部直上の絶縁フィルム側にハンダによる金
属ボールを形成し、この金属ボール付きテープを第２リ
ールに巻き取ることを特徴とするＢＧＡ型半導体装置の
製造方法。 - 【請求項７】上記金属ボールは６３ｗｔ％Ｓｎ−３７ｗ
ｔ％Ｐｂ、または９０ｗｔ％Ｐｂ−１０ｗｔ％Ｓｎのハ
ンダペーストで構成されることを特徴とする請求項３な
いし６のいずれかに記載のＢＧＡ型半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28806494A JP2988286B2 (ja) | 1994-07-21 | 1994-11-22 | Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-169562 | 1994-07-21 | ||
| JP16956294 | 1994-07-21 | ||
| JP28806494A JP2988286B2 (ja) | 1994-07-21 | 1994-11-22 | Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888243A JPH0888243A (ja) | 1996-04-02 |
| JP2988286B2 true JP2988286B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=26492835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28806494A Expired - Fee Related JP2988286B2 (ja) | 1994-07-21 | 1994-11-22 | Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2988286B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1443555A3 (en) | 1997-01-23 | 2005-02-23 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| KR100309470B1 (ko) * | 1999-10-07 | 2001-11-02 | 김영환 | 마이크로 비지에이 패키지 및 제조방법 |
| US6645794B2 (en) | 2000-10-18 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device by monolithically forming a sealing resin for sealing a chip and a reinforcing frame by transfer molding |
| DE10111458B4 (de) * | 2001-03-09 | 2008-09-11 | Siemens Ag | Analyseeinrichtung |
| KR100781146B1 (ko) * | 2001-08-09 | 2007-11-30 | 삼성테크윈 주식회사 | 탭 본딩을 이용한 비지에이 패키지 및 그 제조방법 |
-
1994
- 1994-11-22 JP JP28806494A patent/JP2988286B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0888243A (ja) | 1996-04-02 |
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|---|---|---|---|
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