JP2985461B2 - トリアルコキシシランの製造方法 - Google Patents
トリアルコキシシランの製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 64
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 34
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000000047 product Substances 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 5
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L Copper hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Cu+2] JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005750 Copper hydroxide Substances 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910021594 Copper(II) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRNSPWKFRJGQEC-UHFFFAOYSA-N [Cu]C Chemical compound [Cu]C HRNSPWKFRJGQEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- ODWXUNBKCRECNW-UHFFFAOYSA-M bromocopper(1+) Chemical compound Br[Cu+] ODWXUNBKCRECNW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000011437 continuous method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 229940116318 copper carbonate Drugs 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001956 copper hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- GDVQAJIJTGEYHX-UHFFFAOYSA-N copper(1+);ethane Chemical compound [Cu+].[CH2-]C GDVQAJIJTGEYHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GWFAVIIMQDUCRA-UHFFFAOYSA-L copper(ii) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Cu+2] GWFAVIIMQDUCRA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L copper;carbonate Chemical compound [Cu+2].[O-]C([O-])=O GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BQVVSSAWECGTRN-UHFFFAOYSA-L copper;dithiocyanate Chemical compound [Cu+2].[S-]C#N.[S-]C#N BQVVSSAWECGTRN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QYCVHILLJSYYBD-UHFFFAOYSA-L copper;oxalate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C([O-])=O QYCVHILLJSYYBD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 239000012024 dehydrating agents Substances 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- HCOKJWUULRTBRS-UHFFFAOYSA-N propan-2-yloxysilane Chemical compound CC(C)O[SiH3] HCOKJWUULRTBRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- COKLPZSYWJNYBJ-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)silane Chemical compound CCC(C)O[SiH](OC(C)CC)OC(C)CC COKLPZSYWJNYBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N tributoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH](OCCCC)OCCCC UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 triisobutoxysilane Chemical compound 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N tripropoxysilane Chemical compound CCCO[SiH](OCCC)OCCC OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCKKBOHAYRLMQP-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[SiH](OC(C)(C)C)OC(C)(C)C QCKKBOHAYRLMQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Description
効率的な製造方法に関するものである。
リング剤や、絶縁薄膜の原材料等として有用であり、特
にトリアルコキシシランは分子内にSiH結合を有し、
しかもモノアルコキシシラン、ジアルコキシシランに比
べて化学的に安定であるとことから、その需要性は高
く、安価で効率の良い製造法が求められている。
ては、クロロシラン類と低級アルキルアルコールを原料
とする方法が知られているが、クロロシラン類がコスト
高である上、目的とするアルコキシシランの他に塩酸が
副生するため、生成物の精製が困難で、かつ反応装置が
腐食する等の欠点があった。
直接反応させる方法も知られており、この方法は例えば
銅触媒の存在下に気相または液相で行われているが、気
相で行う場合、トリアルコキシシランよりも高次のテト
ラアルコキシシランの生成が優先して、トリアルコキシ
シランの選択率が低くなるので、近年の工業的な技術開
発は専ら液相で行われてきた。
量当りの反応速度が低い上、高沸点の反応溶媒を用いる
のでコスト高となり、また反応残査は高沸点生成物等を
含むためヘドロ状になり反応残査の処理が困難であった
り、生成物に反応溶媒が混入して来るため反応生成物の
精製が煩雑である等の問題があった。
効率良く製造する方法が望まれているが、従来の気相法
には、前記した問題点の他に次のような問題点があっ
た。銅触媒の存在下、金属珪素とアルキルアルコールを
反応させる場合、例えばテトラエトキシシラン等のテト
ラアルコキシシランや、シリコンの二量体、三量体等の
高沸点生成物が生成するが、気相系の場合、これらの高
沸点生成物によって粉体が湿った状態になるため、固定
床方式ではガスの流れにムラが生じたり、流動床方式で
は流動化が妨げられるなどの問題があり、長時間円滑に
反応を進めることが難しかった。この問題を解決する為
に、例えば反応器容積に対して大量の不活性ガスを流す
ことにより、円滑に反応を進める方法が提案されている
が、この方法では、不活性ガスのコストやプロセス上の
コストが嵩む上、原料である低級アルキルアルコールの
分圧が下がり、反応速度が遅く、工業的に適切な方法と
は言い難かった。
ルキルアルコールを、触媒の存在下、気相系で反応させ
てトリアルコキシシランを製造する方法において、トリ
アルコキシシランの選択率が高く、反応が長時間安定で
あり、トリアルコキシシランの分離取得が容易な製造方
法を提供するために鋭意研究した結果、本発明を完成し
た。
素数1〜4のアルキルアルコール(以下低級アルキルア
ルコールと称する)とを、触媒の存在下に気相で反応さ
せてトリアルコキシシランを製造するに際し、該反応を
減圧下で行うことを特徴とするトリアルコキシシランの
製造方法である。
される金属珪素は、純度80wt%以上のものが適してお
り、形状は粒状が好適であり、粒径は特に限定されるも
のではないが、通常、平均粒径2mm以下が好ましく、更
に好ましくは平均粒径25〜500μm、特に好ましく
は平均粒径50〜300μmである。
ールとしては、直鎖状あるいは分岐状のいずれでもよ
く、具体的にはメタノール、エタノール、n−プロパノ
ール、iso −プロパノ−ル、n−ブタノ−ル、sec −ブ
タノ−ル、iso −ブタノール、tert−ブタノールがあ
り、これらの内でも、後記実施例2と比較例2を対比す
れば明らかなように、本発明の減圧法によるトリアルコ
キシシランの選択率および珪素転化率の改善効果は、エ
タノールを原料とするトリエトキシシランの製法におい
て特に顕著である。
上が好ましく、脱水剤を浸漬することにより水分の含有
量を2000ppm 以下、更に好ましくは500ppm 以下
としたものが好ましい。
速度は、金属珪素1モルに対し、低級アルキルアルコー
ル10〜1,000ミリモル/hrが好ましく、更に好ま
しくは50〜500ミリモル/hrである。1,000ミ
リモル/hrを超えると未反応の低級アルキルアルコール
が増加し経済的とは言えず、あまり少ないとトリアルコ
キシシランの収率が低下する恐れがある。
は、原料として使用するアルキルアルコールに対応した
アルコキシ基を有しており、具体的にはトリメトキシシ
ラン、トリエトキシシラン、トリ−n−プロポキシシラ
ン、トリイソプロポキシシラン、トリ−n−ブトキシシ
ラン、トリ−sec −ブトキシシラン、トリイソブトキシ
シラン、トリ−tert−ブトキシシランがある。
鉛触媒、ニッケル触媒のいずれもが使用でき、特に限定
するものではないが、銅触媒が特に好ましい。具体例と
しては塩化第一銅、塩化第二銅、臭化銅、沃化銅、弗化
銅、炭酸銅、硫酸銅、酢酸銅、蓚酸銅、チオシアン酸銅
等の銅塩、あるいは水酸化銅、シアン化銅、硫化銅、酸
化銅等の銅含有無機化合物、メチル銅、エチル銅などの
有機銅化合物、または金属銅が挙げられる。触媒は、粉
末状のものを金属硅素と混合したり、金属珪素に担持さ
せた後、反応系に供給すればよく、必要であれば加熱処
理等の活性化処理を行ってもよい。
gを基準として0.5〜20wt%が好ましく、更に好ま
しくは1〜10wt%である。あまり多いとコスト高につ
ながり、0.5wt%未満では珪素の転化率が低下する恐
れがある。
および触媒に気体状の低級アルキルアルコールを接触さ
せて反応させる。反応方式は、金属珪素および触媒を最
初に全量を仕込むバッチ方式でも、また反応中に連続的
に仕込む連続式のどちらでもよく、また金属珪素および
触媒を振動させて反応を行う振動方式や、反応気体によ
り流動化させて反応を行う流動床方式、振動や物理的な
力により金属珪素および触媒を移動させながら反応を行
う移動床方式、あるいは金属珪素および触媒を固定して
反応を行う固定床方式のいずれを採用してもよい。これ
らのいずれの方式においても、低級アルコールは気体と
して反応系に供給され、その供給は連続して行うのが一
般的であるが、断続的に行うことも出来る。
好ましく、特に好ましくは100℃〜300℃である。
100℃未満では反応率の低下につながり、また450
℃を越えると低級アルキルアルコールが金属珪素や触媒
との接触により分解し、触媒の失活につながる恐れがあ
る。
は、テトラアルコキシシラン、その他の高沸点生成物が
反応温度において気化し得る圧力であり、具体的には7
10mmHg〜60mmHg、更に好ましくは660〜460mm
Hgである。710mmHgを超えると高沸点生成物の反応系
外への留出が円滑に行われず、トリアルコキシシランの
選択率が低下する恐れがあり、60mmHg未満では低級ア
ルキルアルコールが希薄となり、反応量が低下して、ト
リアルコキシシランの収量の低下につながる恐れがあ
る。
管、金属管等を使用することができ、特に限定されるも
のではないが、反応器の構造は低級アルキルアルコール
の導入口、加熱冷却装置、生成物の出口を具えており、
気密構造になっているものが適切である。
濃度のトリアルコキシシランを含有し、その他にテトラ
アルコキシシランその他の副反応生成物を含んでいる。
目的物であるトリアルコキシシランはこの反応生成液か
ら蒸留その他の常法によって容易に分離取得することが
でき、この分離取得は、副反応生成物の生成量が抑制さ
れている本発明においては、従来の常圧以上で行われる
気相反応方式に比較して一層容易である。
沸点生成物が系外に円滑に留出し、反応器内の金属珪素
および触媒は終始乾燥状態に保たれ、反応が均一に進行
する。常圧反応に比べて反応系内における低級アルキル
アルコ−ルが希薄になるので気体状アルコールと固体状
の金属珪素の表面との接触量が減る結果、反応量が低下
すると予想されたにもかかわらず、そのような低下は長
時間にわたって起こることがなく、珪素の転化率は高
く、目的物であるトリアルコキシシランが高収率で得ら
れる。
るものと思われる。従来技術のように常圧以上の圧力で
気相反応を行なった場合は、本発明者らが得た知見によ
れば、前掲した問題に加えて、副反応によって生成した
テトラアルコキシシランや二量体、三量体のシラン化合
物等の高沸点生成物が金属珪素表面に付着して離れず、
副反応が更に進行して高沸点生成物の高分子量化が起こ
り、金属珪素が高沸点生成物に覆われた状態になってい
くため、反応速度は次第に低下し、ついには反応が失活
してしまい、珪素の転化率の低下につながっていた。ま
た高沸点生成物は、目的物であるトリアルコキシシラン
を溶解し、高沸点生成物が反応系内に残留すると、生成
したトリアルコキシシランが金属珪素の表面の高沸点生
成物に溶け込み、更にアルコキシ化反応が進行し、結果
的にトリアルコキシシランの選択率を低下させる原因に
なっていた。
副反応によって生成した高沸点生成物は、減圧条件下で
あるために、それが高分子量化する前に速やかに取り除
かれ、金属珪素の表面は常に新鮮なまま保たれた状態で
反応が行われるので、反応量は低下せず、珪素の転化率
が高く、しかも目的物であるトリアルコキシシランの選
択率が向上し、長時間安定に製造することが可能であ
る。
説明する。 実施例1 化学的純度98wt%、平均粒径約100μmの金属珪素
3 00g(10.68モル)と、塩化第一銅15gと
を、磁製ポットミルに入れ8時間粉砕混合したものを内
径30mm長さ600mmの石英管に詰めた。この石英管の
入口は、気化器を通して気化した低級アルキルアルコー
ルなどを吹き込むための導入管を具えており、出口には
冷却器と受器をセットして生成液を受けるようになって
おり、排気は減圧度調整弁を介してアスピレーターにつ
なぐことにより、反応系内を任意の減圧度に調節できる
ようになっている。前記反応器内に30ml/min の流量
で窒素ガスを流しながら、反応器を350℃で5時間加
熱して触媒の活性化処理を行った。次いで、窒素ガスを
止めて反応器の温度を180℃に保持し、アスピレータ
によって反応器の圧力を660mmHgに保ち、反応器入口
の導入管から気化したメタノールを50g/hr (1.5
6モル/ hr )の割合で導入して反応させた。反応開始
後1〜2分して冷却器から生成液が溜出し始めた。溜出
して来る生成液の組成の経時的変化をガスクロマトグラ
フィ−により分析し、その組成がアルコール100wt%
となった時点を反応終了時とした。反応を開始してから
19時間後に反応は終了し、目的物であるトリメトキシ
シランを含有する反応生成液を取得した。取得した全生
成液の組成の分析結果およびこれに基づくトリアルコキ
シシランの選択率と、珪素転化率を表1に示す。なお、
トリアルコキシシランの選択率および珪素転化率は下記
の式で計算した。
った以外は実施例1と同様にして反応を行なった。反応
開始後、16時間後に反応が終了した。取得した全生成
液の組成の分析結果およびおよびこれに基づくトリメト
キシシランの選択率と、珪素転化率を表1に示す。
(1.09モル)の割合で導入した以外は実施例1と同
様にして反応を行った。反応開始後、31時間後に反応
が終了し、目的物であるトリエトキシシランを含有する
反応生成液を取得した。取得した全生成液の組成の分析
結果およびこれに基づくトリエトキシシランの選択率
と、珪素転化率を表1に示す。
った以外は実施例2と同様にして反応を行った。反応開
始後、16時間後に反応が終了した。取得した全生成液
の組成の分析結果およびおよびこれに基づくトリエトキ
シシランの選択率と、珪素転化率を表1に示す。
キルアルコールを、触媒の存在下に気相系で反応させて
トリアルコキシシランを製造する方法において、該反応
を減圧下で行うことにより、トリアルコキシシランの選
択率が高く、珪素の転化率が高く、反応が長時間安定で
あり、さらにトリアルコキシシランを容易に分離取得で
きる製造方法である。
Claims (1)
- 【請求項1】 金属珪素と炭素数1〜4のアルキルアル
コールとを、触媒の存在下に気相で反応させてトリアル
コキシシランを製造するに際し、該反応を減圧下で行う
ことを特徴とするトリアルコキシシランの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3357987A JP2985461B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | トリアルコキシシランの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3357987A JP2985461B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | トリアルコキシシランの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05178864A JPH05178864A (ja) | 1993-07-20 |
| JP2985461B2 true JP2985461B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=18456969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3357987A Expired - Fee Related JP2985461B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | トリアルコキシシランの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985461B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101422080B1 (ko) | 2011-09-06 | 2014-07-22 | 인스티튜트 오브 아이온-플라즈마엔드 레이저 테크놀러지스 | 트리알콕시실란의 제조방법 |
| GB201519598D0 (en) * | 2015-11-06 | 2015-12-23 | Nelson Mandela Metropolitan University | Method for the selective synthesis of trialkoxysilanes |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP3357987A patent/JP2985461B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05178864A (ja) | 1993-07-20 |
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