JP2984126B2 - メモリカードの接触不良検出装置 - Google Patents
メモリカードの接触不良検出装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はメモリカードの接触不良
検出装置に関する。
検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】メモリカードを利用する装置としては、 １．電子手帳、ハンディターミナル、パーソナルコンピ
ュータ等の情報機器 ２．メモリカード中のデータで、オフラインに情報伝達
およびデータ処理等を目的とする装置 ３．バス料金管理、商品流通管理、電話情報管理等、第
２項記載を目的とするシステム 等が知られている。
ュータ等の情報機器 ２．メモリカード中のデータで、オフラインに情報伝達
およびデータ処理等を目的とする装置 ３．バス料金管理、商品流通管理、電話情報管理等、第
２項記載を目的とするシステム 等が知られている。
【０００３】このようなメモリカードを利用する装置に
おいては、メモリカードを挿入して内部の回路と接続す
るための接触装着部を有しており、さらにこの接触装着
部に挿入されたメモリカードが確実に接触装着部に接触
したか否かを検出するための接触不良検出装置を有する
ものが知られている。この接触不良検出装置において
は、次のような検出法がある。
おいては、メモリカードを挿入して内部の回路と接続す
るための接触装着部を有しており、さらにこの接触装着
部に挿入されたメモリカードが確実に接触装着部に接触
したか否かを検出するための接触不良検出装置を有する
ものが知られている。この接触不良検出装置において
は、次のような検出法がある。
【０００４】メモリカードの特定領域に、特定のデー
タが記録されており、その特定領域を読み出し、そのデ
ータがメモリカードに書かれているはずのデータと等し
くなければ、接触不良であると判断する。
タが記録されており、その特定領域を読み出し、そのデ
ータがメモリカードに書かれているはずのデータと等し
くなければ、接触不良であると判断する。
【０００５】特殊なハードウェアを有し、特殊な操作
によりデータを読み出し、そのデータが、本体で保有す
るデータと等しくなければ、接触不良であると判断す
る。
によりデータを読み出し、そのデータが、本体で保有す
るデータと等しくなければ、接触不良であると判断す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
メモリカードの接触不良検出装置では、以下の問題があ
った。
メモリカードの接触不良検出装置では、以下の問題があ
った。
【０００７】１）前記の場合、接触不良が発生してい
ても、特定領域のデータを読み出すと正常なデータを読
み出してしまうことがある。
ても、特定領域のデータを読み出すと正常なデータを読
み出してしまうことがある。
【０００８】２）前記の場合、すでに市場にでている
装置で、接触不良検出のハードウェアが装備されていな
い場合は適用できない。
装置で、接触不良検出のハードウェアが装備されていな
い場合は適用できない。
【０００９】３）前記の場合、メモリカードは装置コ
ストが高くなってしまう。
ストが高くなってしまう。
【００１０】本発明の目的は以上のような問題を解消し
たメモリカードの接触不良検出装置を提供することにあ
る。
たメモリカードの接触不良検出装置を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】アドレスラインに接触不
良が発生している場合、接触不良をしているアドレスラ
インは、他の接触不良をしていないアドレスの状態に影
響される確率が高い。よって、いずれか１本を除いた他
の全てのアドレスラインを０または１の状態にして、前
記除いた１本だけを逆の状態にすることで、もしその１
本のアドレスラインが接触不良している場合には、他の
アドレスラインの状態と同じになってしまい、指定した
アドレスと食い違う可能性が高い。また、多数のピン
が、接触不良しているとＦＦＨを読み出す確率が高い。
よって、０シフト番地および１シフト番地のデータが、
全て正しいかを判別する計算結果と同じ値をメモリカー
ドにあらかじめ書き込んでおくことにより、接触不良
時、計算値とあらかじめ書き込んでおいた値とが食い違
う可能性が高い。このことを利用して本発明はなされた
ものであって、本発明は本体の接触装着部に挿入された
メモリカードと当該接触装着部との接触不良を検出する
装置であって、前記メモリカードの所定番地から読み出
したチェック用データおよび前記所定番地以外であっ
て、前記メモリカードの全アドレスラインのうちの１つ
のみが他のアドレスラインの値と異なる所望数の番地か
ら読み出した各データを加算する加算手段と、該加算手
段による加算値が、前記メモリカードにあらかじめ書き
込まれているデータを読み出した値と等しくないときに
接触不良とする検出手段とを具えたことを特徴とする。
良が発生している場合、接触不良をしているアドレスラ
インは、他の接触不良をしていないアドレスの状態に影
響される確率が高い。よって、いずれか１本を除いた他
の全てのアドレスラインを０または１の状態にして、前
記除いた１本だけを逆の状態にすることで、もしその１
本のアドレスラインが接触不良している場合には、他の
アドレスラインの状態と同じになってしまい、指定した
アドレスと食い違う可能性が高い。また、多数のピン
が、接触不良しているとＦＦＨを読み出す確率が高い。
よって、０シフト番地および１シフト番地のデータが、
全て正しいかを判別する計算結果と同じ値をメモリカー
ドにあらかじめ書き込んでおくことにより、接触不良
時、計算値とあらかじめ書き込んでおいた値とが食い違
う可能性が高い。このことを利用して本発明はなされた
ものであって、本発明は本体の接触装着部に挿入された
メモリカードと当該接触装着部との接触不良を検出する
装置であって、前記メモリカードの所定番地から読み出
したチェック用データおよび前記所定番地以外であっ
て、前記メモリカードの全アドレスラインのうちの１つ
のみが他のアドレスラインの値と異なる所望数の番地か
ら読み出した各データを加算する加算手段と、該加算手
段による加算値が、前記メモリカードにあらかじめ書き
込まれているデータを読み出した値と等しくないときに
接触不良とする検出手段とを具えたことを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明によれば、全てのアドレスラインについ
て接触不良かどうかが検出され、高精度で接触不良が検
出される。
て接触不良かどうかが検出され、高精度で接触不良が検
出される。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１４】図１は本発明にかかるメモリカードを利用
する装置（例：電子手帳）の本発明に関連する主要部の
ブロック図であり、１１は装置本体であって、２〜１０
で示す各構成を有する。１はメモリカードであって、本
体１１のメモリカード用コネクタ２に挿入される。３は
メモリカードインターフェースコントローラ、５は外部
機器からの信号ケーブルを接続する外部インターフェー
スコネクタ、４は外部インターフェースコントローラ、
７は表示画面、６は表示コントローラである。８は作業
領域等を有するＲＡＭ、９は後述の如き接触不良検出作
業のためのＣＰＵ１０の制御手順等を格納したＲＯＭで
ある。ＣＰＵ１０は本装置全体を制御する。
する装置（例：電子手帳）の本発明に関連する主要部の
ブロック図であり、１１は装置本体であって、２〜１０
で示す各構成を有する。１はメモリカードであって、本
体１１のメモリカード用コネクタ２に挿入される。３は
メモリカードインターフェースコントローラ、５は外部
機器からの信号ケーブルを接続する外部インターフェー
スコネクタ、４は外部インターフェースコントローラ、
７は表示画面、６は表示コントローラである。８は作業
領域等を有するＲＡＭ、９は後述の如き接触不良検出作
業のためのＣＰＵ１０の制御手順等を格納したＲＯＭで
ある。ＣＰＵ１０は本装置全体を制御する。
【００１５】図２に３５で示すようにメモリカード１の
先頭番地、あるいは２９で示す最終番地を前部あるいは
後部チェックデータとし、ここには、あらかじめ、図３
および図４で示す番地に属さないデータをあらかじめ書
き込んでおく。
先頭番地、あるいは２９で示す最終番地を前部あるいは
後部チェックデータとし、ここには、あらかじめ、図３
および図４で示す番地に属さないデータをあらかじめ書
き込んでおく。
【００１６】また、データラインの接触が正常かどうか
を判断するためのデータをあらかじめ３０，３４で示す
番地に書き込んでおく。さらに、図３および図４で示す
番地のデータの加算値と先頭番地および最終番地のデー
タを加算した結果を３１および３３で示すようにチェッ
クサムデータとしてあらかじめ書き込んでおく。
を判断するためのデータをあらかじめ３０，３４で示す
番地に書き込んでおく。さらに、図３および図４で示す
番地のデータの加算値と先頭番地および最終番地のデー
タを加算した結果を３１および３３で示すようにチェッ
クサムデータとしてあらかじめ書き込んでおく。
【００１７】詳しくは後述するが、前部チェックデータ
を利用して接触不良を検出する手順を簡単に説明する。
図３に示すように、１シフト番地とは、メモリカードの
全アドレスライン中の１本だけ、“１”をたて、残りの
アドレスラインに“０”をたてた番地（複数ある。すな
わち、その数はアドレスラインの数だけある）を示す。
前部チェックデータを格納した先頭番地は、全アドレス
ラインが“０”である。
を利用して接触不良を検出する手順を簡単に説明する。
図３に示すように、１シフト番地とは、メモリカードの
全アドレスライン中の１本だけ、“１”をたて、残りの
アドレスラインに“０”をたてた番地（複数ある。すな
わち、その数はアドレスラインの数だけある）を示す。
前部チェックデータを格納した先頭番地は、全アドレス
ラインが“０”である。
【００１８】また、３４で示すようにデータラインチェ
ックデータは、アドレスラインの１シフト番地にあらか
じめ書かれていなければならないが、それ以外の番地に
書かれている場合は、後述する接触不良検出手順の前に
データラインチェックデータを読み出し、これをＲＡＭ
８またはＲＯＭ９に格納されている確認用データと比較
し、両者が等しければ後述の接触不良検出手順を実行
し、等しくなければ接触不良と判断し、処理を中止す
る。
ックデータは、アドレスラインの１シフト番地にあらか
じめ書かれていなければならないが、それ以外の番地に
書かれている場合は、後述する接触不良検出手順の前に
データラインチェックデータを読み出し、これをＲＡＭ
８またはＲＯＭ９に格納されている確認用データと比較
し、両者が等しければ後述の接触不良検出手順を実行
し、等しくなければ接触不良と判断し、処理を中止す
る。
【００１９】また、前部チェックデータは、１シフト番
地のデータに含まれないデータがあらかじめ書かれてい
なければならない。さらに、全ての１シフト番地のデー
タと前部チェックデータが、あらかじめ書き込まれたデ
ータと等しいか判別できるデータを３３で示すチェック
サムデータとしてあらかじめ書き込んでおかなければな
らない。
地のデータに含まれないデータがあらかじめ書かれてい
なければならない。さらに、全ての１シフト番地のデー
タと前部チェックデータが、あらかじめ書き込まれたデ
ータと等しいか判別できるデータを３３で示すチェック
サムデータとしてあらかじめ書き込んでおかなければな
らない。
【００２０】よって、３５，３４および３３で示す前部
チェックデータ、データラインチェックデータおよびチ
ェックサムデータは、接触不良検出処理以外では、書き
換えてはならない領域とし、３２で示す任意のデータを
書き換えた場合には、前部チェックデータと１シフト番
地のデータが等しくなる場合がないか検索し、もし等し
いデータがある場合は、１シフト番地のいずれのデータ
にも属さないデータに前部チェックデータを書き換え、
変更後の全ての１シフト番地のデータと前部チェックデ
ータが、判別できるデータへ３３で示すチェックサムデ
ータを書き換えることが必要となる。
チェックデータ、データラインチェックデータおよびチ
ェックサムデータは、接触不良検出処理以外では、書き
換えてはならない領域とし、３２で示す任意のデータを
書き換えた場合には、前部チェックデータと１シフト番
地のデータが等しくなる場合がないか検索し、もし等し
いデータがある場合は、１シフト番地のいずれのデータ
にも属さないデータに前部チェックデータを書き換え、
変更後の全ての１シフト番地のデータと前部チェックデ
ータが、判別できるデータへ３３で示すチェックサムデ
ータを書き換えることが必要となる。
【００２１】ここでは、例として全ての１シフト番地の
データの加算値と前部チェックデータを加算し、結果を
図２の３３で示すチェックサムデータとして利用する方
法で説明する。
データの加算値と前部チェックデータを加算し、結果を
図２の３３で示すチェックサムデータとして利用する方
法で説明する。
【００２２】接触不良の判断に際しては、まず図５のＳ
１で示すように前部チェックデータを読み出し、Ｓ２で
示すように加算値とし、Ｓ３〜Ｓ８で示すように全ての
１シフト番地のデータを順次読み出して、加算値に読み
出したデータを加算し、Ｓ９で示すようにすでに書き込
まれているチェックサムデータを読み出して、加算結果
と比較する。Ｓ１０で示すように加算結果とチェックサ
ムデータが等しくなければ接触不良と判断し、等しけれ
ば、データの読み出し動作については、正常と判断す
る。なお、図７に示すように、Ｓ５の後に、Ｓ５Ａで、
順次読み出したデータが前部チェックデータと等しいか
を判断し、等しくなければＳ６へ、等しければ接触不良
が発生していると判断して処理を中止することもでき
る。
１で示すように前部チェックデータを読み出し、Ｓ２で
示すように加算値とし、Ｓ３〜Ｓ８で示すように全ての
１シフト番地のデータを順次読み出して、加算値に読み
出したデータを加算し、Ｓ９で示すようにすでに書き込
まれているチェックサムデータを読み出して、加算結果
と比較する。Ｓ１０で示すように加算結果とチェックサ
ムデータが等しくなければ接触不良と判断し、等しけれ
ば、データの読み出し動作については、正常と判断す
る。なお、図７に示すように、Ｓ５の後に、Ｓ５Ａで、
順次読み出したデータが前部チェックデータと等しいか
を判断し、等しくなければＳ６へ、等しければ接触不良
が発生していると判断して処理を中止することもでき
る。
【００２３】書き込み動作については、読み出し動作
が、正常と判断した後、３２で示す任意のデータの領域
に特定データを書き込み、再度読み出して等しければ、
書き込み動作についても正常と判断する。
が、正常と判断した後、３２で示す任意のデータの領域
に特定データを書き込み、再度読み出して等しければ、
書き込み動作についても正常と判断する。
【００２４】詳しくは後述するが、後部チェックデータ
を利用して接触不良を検出する手順を簡単に説明する。
図４に示すように、０シフト番地とは、メモリカードの
全アドレスライン中の１本だけ“０”をたて、残りのア
ドレスラインに“１”をたてた番地（複数ある。すなわ
ち、その数はアドレスラインの数だけある。）を示す。
後部チェックデータを格納した最終番地は、全アドレス
ラインが“１”である。
を利用して接触不良を検出する手順を簡単に説明する。
図４に示すように、０シフト番地とは、メモリカードの
全アドレスライン中の１本だけ“０”をたて、残りのア
ドレスラインに“１”をたてた番地（複数ある。すなわ
ち、その数はアドレスラインの数だけある。）を示す。
後部チェックデータを格納した最終番地は、全アドレス
ラインが“１”である。
【００２５】また、３０で示すデータラインチェックデ
ータは、アドレスラインの０シフト番地にあらかじめ書
かれていなければならないが、それ以外の番地に書かれ
ている場合は、後述する接触不良検出手順の前にデータ
ラインチェックデータを読み出し、これをＲＡＭ８（Ｒ
ＯＭ９）に格納されている確認用データと比較し、両者
が等しければ後述の接触不良検出手順を実行し、等しく
なければ接触不良と判断し、処理を中止する。
ータは、アドレスラインの０シフト番地にあらかじめ書
かれていなければならないが、それ以外の番地に書かれ
ている場合は、後述する接触不良検出手順の前にデータ
ラインチェックデータを読み出し、これをＲＡＭ８（Ｒ
ＯＭ９）に格納されている確認用データと比較し、両者
が等しければ後述の接触不良検出手順を実行し、等しく
なければ接触不良と判断し、処理を中止する。
【００２６】また、後部チェックデータは、０シフト番
地のデータに含まれないデータがあらかじめ書かれてい
なければならない。さらに、全ての０シフト番地のデー
タと後部チェックデータが、あらかじめ書き込まれたデ
ータと等しいか判別できるデータを３１で示すチェック
サムデータとしてあらかじめ書き込んでおかなければな
らない。
地のデータに含まれないデータがあらかじめ書かれてい
なければならない。さらに、全ての０シフト番地のデー
タと後部チェックデータが、あらかじめ書き込まれたデ
ータと等しいか判別できるデータを３１で示すチェック
サムデータとしてあらかじめ書き込んでおかなければな
らない。
【００２７】よって、２９，３０および３１で示す後部
チェックデータ、データラインチェックデータおよびチ
ェックサムデータは、接触不良検出処理以外では、書き
換えてはならない領域とし、３２で示す任意のデータを
書き換えた場合には、後部チェックデータと０シフト番
地のデータが等しくなる場合がないか検索し、もし等し
いデータがある場合は、０シフト番地のいずれのデータ
にも属さないデータに後部チェックデータを書き換え、
変更後の全ての０シフト番地のデータと後部チェックデ
ータが、判別できるデータへ３１で示すチェックサムデ
ータを書き換えることが必要となる。
チェックデータ、データラインチェックデータおよびチ
ェックサムデータは、接触不良検出処理以外では、書き
換えてはならない領域とし、３２で示す任意のデータを
書き換えた場合には、後部チェックデータと０シフト番
地のデータが等しくなる場合がないか検索し、もし等し
いデータがある場合は、０シフト番地のいずれのデータ
にも属さないデータに後部チェックデータを書き換え、
変更後の全ての０シフト番地のデータと後部チェックデ
ータが、判別できるデータへ３１で示すチェックサムデ
ータを書き換えることが必要となる。
【００２８】ここでは、例として全ての０シフト番地の
データの加算値と後部チェックデータを加算し、結果を
図２の３１で示すチェックサムデータとして利用する方
法で説明する。
データの加算値と後部チェックデータを加算し、結果を
図２の３１で示すチェックサムデータとして利用する方
法で説明する。
【００２９】接触不良の判断に際しては、まず図６のＳ
１１で示すように後部チェックデータを読み出し、Ｓ１
２で示すように加算値とし、Ｓ１３〜Ｓ１８で示すよう
に全ての０シフト番地のデータを順次読み出して、加算
値に読み出したデータを加算し、Ｓ１９で示すようにす
でに書き込まれているチェックサムデータを読み出し
て、加算結果と比較する。Ｓ２０で示すように加算結果
とチェックサムデータが等しくなければ接触不良と判断
し、等しければ、データの読み出し動作については、正
常と判断する。なお、図８に示すように、Ｓ１５の後
に、Ｓ１５Ａで、順次読み出したデータが前部チェック
データと等しいかを判断し、等しくなければＳ１６へ、
等しければ接触不良が発生していると判断して処理を中
止することもできる。
１１で示すように後部チェックデータを読み出し、Ｓ１
２で示すように加算値とし、Ｓ１３〜Ｓ１８で示すよう
に全ての０シフト番地のデータを順次読み出して、加算
値に読み出したデータを加算し、Ｓ１９で示すようにす
でに書き込まれているチェックサムデータを読み出し
て、加算結果と比較する。Ｓ２０で示すように加算結果
とチェックサムデータが等しくなければ接触不良と判断
し、等しければ、データの読み出し動作については、正
常と判断する。なお、図８に示すように、Ｓ１５の後
に、Ｓ１５Ａで、順次読み出したデータが前部チェック
データと等しいかを判断し、等しくなければＳ１６へ、
等しければ接触不良が発生していると判断して処理を中
止することもできる。
【００３０】書き込み動作については、読み出し動作
が、正常と判断した後、３２で示す任意のデータの領域
に特定データを書き込み、再度読み出して等しければ、
書き込み動作についても正常と判断する。
が、正常と判断した後、３２で示す任意のデータの領域
に特定データを書き込み、再度読み出して等しければ、
書き込み動作についても正常と判断する。
【００３１】なお、上記のそれぞれの（前部または後部
チェックデータを利用する）検出手順単独で、接触不良
を判断可能であるが、実行手順はどちらの処理を先行さ
せてもよいが、２通りの手順を続けて実行させることに
より接触不良検出の信頼性は向上する。またメモリカー
ドの先頭番地および最終番地をすでに、使用している場
合は、信頼性は少なくなるが、図９に示すように移動さ
せて使用することが可能である。前部チェックデータを
移動させなければならない時は、４３に示すように、
“先頭番地＋２n ”のアドレス、つまり“１シフト番
地”に移動させることができる。アドレスラインの接触
不良検出は、１シフト番地を、前部チェックデータの格
納番地と１シフト番地の論理和を計算したアドレスから
前部チェックデータのアドレスを除いたものを使用する
ことにより実施可能である。ただし、前部チェックデー
タと計算した１シフト番地中のデータは、同様に等しい
データが書かれていてはならない。
チェックデータを利用する）検出手順単独で、接触不良
を判断可能であるが、実行手順はどちらの処理を先行さ
せてもよいが、２通りの手順を続けて実行させることに
より接触不良検出の信頼性は向上する。またメモリカー
ドの先頭番地および最終番地をすでに、使用している場
合は、信頼性は少なくなるが、図９に示すように移動さ
せて使用することが可能である。前部チェックデータを
移動させなければならない時は、４３に示すように、
“先頭番地＋２n ”のアドレス、つまり“１シフト番
地”に移動させることができる。アドレスラインの接触
不良検出は、１シフト番地を、前部チェックデータの格
納番地と１シフト番地の論理和を計算したアドレスから
前部チェックデータのアドレスを除いたものを使用する
ことにより実施可能である。ただし、前部チェックデー
タと計算した１シフト番地中のデータは、同様に等しい
データが書かれていてはならない。
【００３２】後部チェックデータを移動させなければな
らない時は、３７に示すように、“先頭番地−２n ”の
アドレス、つまり“０シフト番地”に移動させることが
できる。アドレスラインの接触不良検出は、０シフト番
地を、後部チェックデータの格納番地と０シフト番地の
論理積を計算したアドレスから後部チェックデータのア
ドレスを除いたものを使用することにより実施可能であ
る。ただし、後部チェックデータと計算した０シフト番
地中のデータは、同様に等しいデータが書かれていては
ならない。
らない時は、３７に示すように、“先頭番地−２n ”の
アドレス、つまり“０シフト番地”に移動させることが
できる。アドレスラインの接触不良検出は、０シフト番
地を、後部チェックデータの格納番地と０シフト番地の
論理積を計算したアドレスから後部チェックデータのア
ドレスを除いたものを使用することにより実施可能であ
る。ただし、後部チェックデータと計算した０シフト番
地中のデータは、同様に等しいデータが書かれていては
ならない。
【００３３】（具体例１）ついで具体例について説明す
る。
る。
【００３４】（条件）１．図１０に示すようにメモリカ
ードの先頭番地から８バイト（６１〜５４）、最終番地
から８バイト（５２〜４５）を接触不良検出データ領域
として使用し、接触不良検出処理以外では、書き換えな
いこととする。
ードの先頭番地から８バイト（６１〜５４）、最終番地
から８バイト（５２〜４５）を接触不良検出データ領域
として使用し、接触不良検出処理以外では、書き換えな
いこととする。
【００３５】図１０の４５，６１で示す番地に後部チ
ェックデータおよび前部チェックデータが格納されてい
る。４５には、全てのアドレスラインの０シフト番地に
存在しないデータが書かれている。６１には、全てのア
ドレスラインの１シフト番地に存在しないデータが書か
れている。
ェックデータおよび前部チェックデータが格納されてい
る。４５には、全てのアドレスラインの０シフト番地に
存在しないデータが書かれている。６１には、全てのア
ドレスラインの１シフト番地に存在しないデータが書か
れている。
【００３６】図１０の４６，４７および５９，６０で
示す番地にデータラインチェックデータとして、５５
Ｈ，ＡＡＨが格納されている。
示す番地にデータラインチェックデータとして、５５
Ｈ，ＡＡＨが格納されている。
【００３７】図１０の４８，５０および５６，５８で
示す番地は、書き込みテストを実施する領域とする。
示す番地は、書き込みテストを実施する領域とする。
【００３８】図１０の４９，５７で示す番地は、固定
データとして、０〜ＦＦＨまでのいずれかのデータが格
納されている。
データとして、０〜ＦＦＨまでのいずれかのデータが格
納されている。
【００３９】図１０の５１，５２および５４，５５で
示す番地は、後部チェックデータと全ての０シフト番地
のデータの加算値および前部チェックデータと全ての１
シフト番地のデータの加算値が２バイトデータとして格
納されている。
示す番地は、後部チェックデータと全ての０シフト番地
のデータの加算値および前部チェックデータと全ての１
シフト番地のデータの加算値が２バイトデータとして格
納されている。
【００４０】（実施） １．メモリカードが装置に装着されたことを確認する。
【００４１】２．メモリカードに電源を供給する。
【００４２】３．図６で示す１シフト番地の接触不良検
出手順を実施する。すなわち、 先頭番地の前部チェックデータを読み出す（Ｓ１）。
出手順を実施する。すなわち、 先頭番地の前部チェックデータを読み出す（Ｓ１）。
【００４３】加算値に読み出したデータをセットする
（Ｓ２）。
（Ｓ２）。
【００４４】カウントデータに“０（ｉ＝０）”をセ
ットし、“先頭番地＋２i ” を計算する（Ｓ３）。
ットし、“先頭番地＋２i ” を計算する（Ｓ３）。
【００４５】１シフトの番地の計算値をアドレスにセ
ットし（Ｓ４）、データを読み出す（Ｓ５）。
ットし（Ｓ４）、データを読み出す（Ｓ５）。
【００４６】加算値に読み出したデータを加算する
（Ｓ６）。
（Ｓ６）。
【００４７】カウントデータに“＋１（ｉ＝ｉ＋
１）” をセットし“先頭番地＋２i”を計算する（Ｓ
７）。
１）” をセットし“先頭番地＋２i”を計算する（Ｓ
７）。
【００４８】Ｓ７で計算した値が最終番地より大きけ
れば正常終了とし、Ｓ９へ移り、小さければＳ４へ戻り
順次実行する（Ｓ８）。
れば正常終了とし、Ｓ９へ移り、小さければＳ４へ戻り
順次実行する（Ｓ８）。
【００４９】図１０の５４，５５で示す２バイトのチ
ェックサムデータを読み出す（Ｓ９）。
ェックサムデータを読み出す（Ｓ９）。
【００５０】Ｓ６で最終的に得た結果とＳ９で読み出
したデータとを比較し、両者が等しければ次の手順（実
施の６）へ移り、等しくなければ接触不良が発生してい
ると判断し、処理を中止する。
したデータとを比較し、両者が等しければ次の手順（実
施の６）へ移り、等しくなければ接触不良が発生してい
ると判断し、処理を中止する。
【００５１】６．図６で示す０シフト番地の接触不良検
出手順を実施する。すなわち、 最終番地の後部チェックデータを読み出す（Ｓ１
１）。
出手順を実施する。すなわち、 最終番地の後部チェックデータを読み出す（Ｓ１
１）。
【００５２】加算値に読み出したデータをセットする
（Ｓ１２）。
（Ｓ１２）。
【００５３】カウントデータに“０（ｉ＝０）”をセ
ットし、“最終番地−２i ”を計算する（Ｓ１３）。
ットし、“最終番地−２i ”を計算する（Ｓ１３）。
【００５４】０シフトの番地の計算値をアドレスにセ
ットし（Ｓ１４）、データを読み出す（Ｓ１５）。
ットし（Ｓ１４）、データを読み出す（Ｓ１５）。
【００５５】加算値に読み出したデータを加算する
（Ｓ１６）。
（Ｓ１６）。
【００５６】カウントデータに“＋１（ｉ＝ｉ＋
１）” をセットし“最終番地−２i”を計算する（Ｓ
１７）。
１）” をセットし“最終番地−２i”を計算する（Ｓ
１７）。
【００５７】Ｓ１７で計算した値が先頭番地より小さ
ければ正常終了とし、Ｓ１９へ移り、大きければＳ１４
へ戻り順次実行する（Ｓ１８）。
ければ正常終了とし、Ｓ１９へ移り、大きければＳ１４
へ戻り順次実行する（Ｓ１８）。
【００５８】図１０の５１，５２で示す２バイトのチ
ェックサムデータを読み出す（Ｓ１９）。
ェックサムデータを読み出す（Ｓ１９）。
【００５９】Ｓ１６で最終的に得た結果とＳ１９で読
み出したデータとを比較し、両者が等しければ正常終了
として、次の手順（実施の７）へ移り、等しくなければ
接触不良が発生していると判断し、処理を中止する。
み出したデータとを比較し、両者が等しければ正常終了
として、次の手順（実施の７）へ移り、等しくなければ
接触不良が発生していると判断し、処理を中止する。
【００６０】７．読み出し動作のみ必要な場合には、６
項までの動作により接触不良は発生していないと判断
し、書き込みを必要とする場合には、８項へ移る。
項までの動作により接触不良は発生していないと判断
し、書き込みを必要とする場合には、８項へ移る。
【００６１】８．条件の１−項で示した書き込みテス
ト用の特定番地のデータを読み出し、読み出したデータ
とＦＦＨとの排他的論理を計算し、計算値を書き込みテ
スト用の特定番地に書き込み、再度読み出して、計算値
と比較し、等しくなければ接触不良と判断し、等しけれ
ば接触不良は、発生していないと判断する。
ト用の特定番地のデータを読み出し、読み出したデータ
とＦＦＨとの排他的論理を計算し、計算値を書き込みテ
スト用の特定番地に書き込み、再度読み出して、計算値
と比較し、等しくなければ接触不良と判断し、等しけれ
ば接触不良は、発生していないと判断する。
【００６２】（具体例２）第２の具体例では、図７に示
すように第１の具体例の実施例１のとの間にＳ５Ａ
として、Ｓ５で、読み出したデータが前記チェックデー
タと等しいかを判断し、等しければ接触不良が発生して
いるとして判断して処理を中止し、等しくなければ次の
手順（Ｓ６）に進む処理を加入し、また、図８に示すよ
うに、第１の具体例の実施の６のとの間に前記前部
チェックデータに関する判断（Ｓ５Ａ）と同様な後部チ
ェックデータに関する判断（Ｓ１５Ａ）を加入する。こ
れ以外は第１の具体例と同じである。
すように第１の具体例の実施例１のとの間にＳ５Ａ
として、Ｓ５で、読み出したデータが前記チェックデー
タと等しいかを判断し、等しければ接触不良が発生して
いるとして判断して処理を中止し、等しくなければ次の
手順（Ｓ６）に進む処理を加入し、また、図８に示すよ
うに、第１の具体例の実施の６のとの間に前記前部
チェックデータに関する判断（Ｓ５Ａ）と同様な後部チ
ェックデータに関する判断（Ｓ１５Ａ）を加入する。こ
れ以外は第１の具体例と同じである。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によればメモ
リカードの接触不良が高精度に検出できる。
リカードの接触不良が高精度に検出できる。
【図１】本発明実施例のブロック図である。
【図２】アドレスラインの接触不良検出時のメモリカー
ド中のデータの領域の説明図である。
ド中のデータの領域の説明図である。
【図３】アドレスラインの１シフト番地の説明図であ
る。
る。
【図４】アドレスラインの０シフト番地の説明図であ
る。
る。
【図５】アドレスラインの１シフト番地を利用したアド
レスラインの接触不良検出手順の説明図である。
レスラインの接触不良検出手順の説明図である。
【図６】アドレスラインの０シフト番地を利用したアド
レスラインの接触不良検出手順の説明図である。
レスラインの接触不良検出手順の説明図である。
【図７】アドレスラインの１シフト番地を利用したアド
レスラインの他の接触不良検出手順の説明図である。
レスラインの他の接触不良検出手順の説明図である。
【図８】アドレスラインの０シフト番地を利用したアド
レスラインの他の接触不良検出手順の説明図である。
レスラインの他の接触不良検出手順の説明図である。
【図９】先頭番地および最終番地をすでに使用している
場合のアドレスラインの接触不良検出時のメモリカード
中のデータの領域の説明図である。
場合のアドレスラインの接触不良検出時のメモリカード
中のデータの領域の説明図である。
【図１０】接触不良検出時のメモリカード中のデータの
領域の実施例を示す図である。
領域の実施例を示す図である。
１ メモリカード ２ メモリカード用コネクタ ８ ＲＡＭ ９ ＲＯＭ １０ ＣＰＵ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11C 5/00 G11C 29/00 G06F 11/00 - 12/00 G06K 17/00 - 19/00 B42D 15/10
Claims (2)
- 【請求項１】 本体の接触装着部に挿入されたメモリカ
ードと当該接触装着部との接触不良を検出する装置であ
って、前記メモリカードの所定番地から読み出したチェ
ック用データおよび前記所定番地以外であって、前記メ
モリカードの全アドレスラインのうちの１つのみが他の
アドレスラインの値と異なる所望数の番地から読み出し
た各データを加算する加算手段と、該加算手段による加
算値が、前記メモリカードにあらかじめ書き込まれてい
るデータを読み出した値と等しくないときに接触不良と
する検出手段とを具えたことを特徴とするメモリカード
の接触不良検出装置。 - 【請求項２】 本体の接触装着部に挿入されたメモリカ
ードと当該接触装着部との接触不良を検出する装置であ
って、前記メモリカードの所定番地から読み出したチェ
ック用データが、前記所定番地以外であって、前記メモ
リカードの全アドレスラインのうちの１つのみが他のア
ドレスラインの値と異なる所望数の番地から順次読み出
したデータの少なくとも１つと一致したときに接触不良
とする第１検出手段と、前記チェック用データおよび前
記所定番地以外であって、前記メモリカードの全アドレ
スラインのうちの１つのみが他のアドレスラインの値と
異なる所望数の番地から読み出した各データを加算する
加算手段と、前記第１検出手段によって接触不良が検出
されないときに前記加算手段による加算値が、前記メモ
リカードにあらかじめ書き込まれているデータを読み出
した値と等しくないときに接触不良とする第２検出手段
とを具えたことを特徴とするメモリカードの接触不良検
出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3343566A JP2984126B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | メモリカードの接触不良検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3343566A JP2984126B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | メモリカードの接触不良検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05174566A JPH05174566A (ja) | 1993-07-13 |
| JP2984126B2 true JP2984126B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=18362519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3343566A Expired - Fee Related JP2984126B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | メモリカードの接触不良検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984126B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP3343566A patent/JP2984126B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05174566A (ja) | 1993-07-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |