JP2982854B2 - 寸法安定性を有する基材フィルム及びそれを用いた感光性写真材料 - Google Patents
寸法安定性を有する基材フィルム及びそれを用いた感光性写真材料Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は写真フィルム製版用基材
フィルム、プリント配線基板用原画フィルム等の支持体
として好適に用いられる高寸法安定性を有する基材フィ
ルム、更に近紫外域での光線透過性が優れる基材フィル
ムに関する。本発明は更に、その基材フィルムを用いた
感光性写真材料に関する。
フィルム、プリント配線基板用原画フィルム等の支持体
として好適に用いられる高寸法安定性を有する基材フィ
ルム、更に近紫外域での光線透過性が優れる基材フィル
ムに関する。本発明は更に、その基材フィルムを用いた
感光性写真材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】写真フィルム製版用基材フィルム，プリ
ント配線基板（ＰＣＢ）用原画フィルム等の支持体とし
て使用される基材フイルム（以下、単に支持体と称する
ことがある）には、相対湿度（以下、湿度と略すことが
ある）や温度の変化に対して比較的良い寸法安定性を有
するポリエチレンテレフタレートフィルムが使用されて
いる。これは写真フィルム製版用基材フィルムの場合は
湿度，温度変化により重ね合わせたフィルムに露光のず
れが生じると、シアン，マゼンタ，イエロー，墨の４色
を重ね合わせたときに画像ズレが生じるためである。ま
たプリント配線基板用原画フィルムの場合は、このフィ
ルムを露光して得られるプリント配線基板を積層する際
に湿度，温度変化により画像ずれが生じるとドリルでス
ルーホールをあける時に回路を削ってしまう等の理由の
ためである。ポリエチレンテレフタレートフィルムは高
分子フィルムの中では湿度や温度に対して比較的寸法変
化の少ないフィルムであるが、やはりある程度の寸法変
化は避けられない。そこで、写真フィルム製版用フィル
ム，プリント配線基板用原画フィルム等は、年間を通し
て湿度を約５５〜６０％ＲＨ，温度を２０〜２７℃にか
なり細かくコントロールされた部屋で使用し、さらに使
用前にフィルムを長時間その使用環境にさらしフィルム
自体を調湿，調温することが必要である。このため作業
性がかなり悪かった。
ント配線基板（ＰＣＢ）用原画フィルム等の支持体とし
て使用される基材フイルム（以下、単に支持体と称する
ことがある）には、相対湿度（以下、湿度と略すことが
ある）や温度の変化に対して比較的良い寸法安定性を有
するポリエチレンテレフタレートフィルムが使用されて
いる。これは写真フィルム製版用基材フィルムの場合は
湿度，温度変化により重ね合わせたフィルムに露光のず
れが生じると、シアン，マゼンタ，イエロー，墨の４色
を重ね合わせたときに画像ズレが生じるためである。ま
たプリント配線基板用原画フィルムの場合は、このフィ
ルムを露光して得られるプリント配線基板を積層する際
に湿度，温度変化により画像ずれが生じるとドリルでス
ルーホールをあける時に回路を削ってしまう等の理由の
ためである。ポリエチレンテレフタレートフィルムは高
分子フィルムの中では湿度や温度に対して比較的寸法変
化の少ないフィルムであるが、やはりある程度の寸法変
化は避けられない。そこで、写真フィルム製版用フィル
ム，プリント配線基板用原画フィルム等は、年間を通し
て湿度を約５５〜６０％ＲＨ，温度を２０〜２７℃にか
なり細かくコントロールされた部屋で使用し、さらに使
用前にフィルムを長時間その使用環境にさらしフィルム
自体を調湿，調温することが必要である。このため作業
性がかなり悪かった。
【０００３】特開平５−２８９２３６号公報において、
疎水性ポリエステルフィルム上にＳｉＯｘ（ｘは１．２
〜１．８の範囲を表わす）からなるバリヤー層を設けた
支持体上に少なくとも一つの親水性像プリカーラー層を
含む写真材料が提案されている。この写真材料は、支持
体がＳｉＯｘからなるバリヤー層を有するため、単なる
疎水性ポリエステルフィルムを支持体として用いるもの
に比べて、湿度に対する寸度変化は小さくなる。しか
し、特にＰＣＢ分野でこの写真材料を使用する場合、作
業時間が長くなれば長くなるほど、又は露光により画像
を形成させた時の使用環境（特に湿度）とその後の使用
環境に隔たりが有れば有るほど、ここで得られた湿度寸
法安定性では不十分である。（特開平５−２８９２３６
号公報に記載されている実施例の寸法変化量では現実に
使用するには大きすぎる。）このことの主因としては、
ＳｉＯｘ（ｘは１．２〜１．８の範囲を表わす）単独の
バリヤー層では高度な水蒸気バリヤー性が得られない事
が挙げられる。また疎水性ポリエステルフィルム上にバ
リヤー層としてＳｉＯｘを積層した場合、積層されたＳ
ｉＯｘ自体がかなり褐色を呈しているため、この基材フ
ィルムは近紫外域での透過率が低くなっている。特にＳ
ｉＯｘのｘが小さい値の場合、この褐色はより濃くな
る。そのためこの褐色を呈した基材フィルムを支持体と
して用いた感光性写真材料を目的のパターンに露光・現
像したフィルムを用いた場合、レジスト等の感光性樹脂
が積層された基板に近紫外光（例えば３５０ｎｍ）で露
光する工程では、透過する光線量が少なく、結果として
光源を高出力にする必要性が生じたり、又露光スピード
が遅いためプリント配線基板等の生産性に問題を生じて
いた。
疎水性ポリエステルフィルム上にＳｉＯｘ（ｘは１．２
〜１．８の範囲を表わす）からなるバリヤー層を設けた
支持体上に少なくとも一つの親水性像プリカーラー層を
含む写真材料が提案されている。この写真材料は、支持
体がＳｉＯｘからなるバリヤー層を有するため、単なる
疎水性ポリエステルフィルムを支持体として用いるもの
に比べて、湿度に対する寸度変化は小さくなる。しか
し、特にＰＣＢ分野でこの写真材料を使用する場合、作
業時間が長くなれば長くなるほど、又は露光により画像
を形成させた時の使用環境（特に湿度）とその後の使用
環境に隔たりが有れば有るほど、ここで得られた湿度寸
法安定性では不十分である。（特開平５−２８９２３６
号公報に記載されている実施例の寸法変化量では現実に
使用するには大きすぎる。）このことの主因としては、
ＳｉＯｘ（ｘは１．２〜１．８の範囲を表わす）単独の
バリヤー層では高度な水蒸気バリヤー性が得られない事
が挙げられる。また疎水性ポリエステルフィルム上にバ
リヤー層としてＳｉＯｘを積層した場合、積層されたＳ
ｉＯｘ自体がかなり褐色を呈しているため、この基材フ
ィルムは近紫外域での透過率が低くなっている。特にＳ
ｉＯｘのｘが小さい値の場合、この褐色はより濃くな
る。そのためこの褐色を呈した基材フィルムを支持体と
して用いた感光性写真材料を目的のパターンに露光・現
像したフィルムを用いた場合、レジスト等の感光性樹脂
が積層された基板に近紫外光（例えば３５０ｎｍ）で露
光する工程では、透過する光線量が少なく、結果として
光源を高出力にする必要性が生じたり、又露光スピード
が遅いためプリント配線基板等の生産性に問題を生じて
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、写真
フィルム製版用基材フィルム、プリント配線基板用原画
フィルム等の分野において、特に基材フィルムとして温
湿度変化（特に湿度変化）に対して高寸法安定性を有
し、更にその基材フィルム自体の近紫外域である３５０
ｎｍ付近の光線透過性が優れる基材フィルムを提供する
ことにある。本発明の別の目的は、上記の基材フィルム
を用いた感光性写真材料を提供することにある。
フィルム製版用基材フィルム、プリント配線基板用原画
フィルム等の分野において、特に基材フィルムとして温
湿度変化（特に湿度変化）に対して高寸法安定性を有
し、更にその基材フィルム自体の近紫外域である３５０
ｎｍ付近の光線透過性が優れる基材フィルムを提供する
ことにある。本発明の別の目的は、上記の基材フィルム
を用いた感光性写真材料を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、プラス
チックフィルム（Ａ）の片面または両面に、真空薄膜形
成技術によって、けい素酸化物，アルカリ土類金属のフ
ッ化物、及びマグネシウム酸化物からなる薄膜層（Ｂ）
を形成してなる寸法安定性を有する基材フィルムによっ
て達成することができる。本発明の目的は更に、プラス
チックフィルム（Ａ）の片面または両面に、シロキサン
単位および該シロキサン単位に化合したアルカリ土類金
属のフッ化物及びマグネシウム酸化物からなる真空薄膜
形成技術を使った薄膜層（Ｂ）を形成してなる寸法安定
性を有する基材フィルムによって達成することができ
る。本発明の目的は更に、上記の基材フィルムの片側ま
たは両側に感光層（Ｃ）を積層してなる感光性写真材料
によって達成することができる。
チックフィルム（Ａ）の片面または両面に、真空薄膜形
成技術によって、けい素酸化物，アルカリ土類金属のフ
ッ化物、及びマグネシウム酸化物からなる薄膜層（Ｂ）
を形成してなる寸法安定性を有する基材フィルムによっ
て達成することができる。本発明の目的は更に、プラス
チックフィルム（Ａ）の片面または両面に、シロキサン
単位および該シロキサン単位に化合したアルカリ土類金
属のフッ化物及びマグネシウム酸化物からなる真空薄膜
形成技術を使った薄膜層（Ｂ）を形成してなる寸法安定
性を有する基材フィルムによって達成することができ
る。本発明の目的は更に、上記の基材フィルムの片側ま
たは両側に感光層（Ｃ）を積層してなる感光性写真材料
によって達成することができる。
【０００６】本発明において、プラスチックフイルム
（Ａ）としては、高分子フィルムの中では比較的寸法安
定性の高いポリエチレンテレフタレートフイルムが望ま
しいが、プラスチックフィルムにけい素酸化物，アルカ
リ土類金属のフッ化物、及びマグネシウム酸化物からな
る薄膜層（Ｂ）を積層する事により、高度な寸法安定性
が得られる事から、そのままではポリエチレンテレフタ
レートフィルムに比べて若干寸法安定性に劣るフイルム
であっても使用可能となる。たとえばポリエチレン−
２，６−ナフタレートやセルロースアセテート、ポリカ
ーボネート等のフイルムでも適用できる。更にこれらの
プラスチックフィルム（Ａ）は熱固定されたフィルムが
望ましく、二軸延伸フィルム等は特に好ましい。このプ
ラスチックフィルム（Ａ）の表面には何も付与されてい
ない方が望ましいが、あらかじめ界面活性剤系や高分子
電解質系等の有機系や導電性金属酸化物系等の無機系の
導電剤及び易接着剤が塗工されているものでも構わな
い。またポリ塩化ビニリデン等の有機バリヤー層が片面
または両面に付与されている物でも構わない。プラスチ
ックフィルム（Ａ）の厚さは特に制限されず、用途によ
り種々であるが、５０〜５００μが適当である。写真フ
ィルム製版用基材フィルム、プリント配線基板用原画フ
ィルム等の支持体として使用する場合には７５〜２５０
μが適当であり、特に１００〜１７５μが適当である。
（Ａ）としては、高分子フィルムの中では比較的寸法安
定性の高いポリエチレンテレフタレートフイルムが望ま
しいが、プラスチックフィルムにけい素酸化物，アルカ
リ土類金属のフッ化物、及びマグネシウム酸化物からな
る薄膜層（Ｂ）を積層する事により、高度な寸法安定性
が得られる事から、そのままではポリエチレンテレフタ
レートフィルムに比べて若干寸法安定性に劣るフイルム
であっても使用可能となる。たとえばポリエチレン−
２，６−ナフタレートやセルロースアセテート、ポリカ
ーボネート等のフイルムでも適用できる。更にこれらの
プラスチックフィルム（Ａ）は熱固定されたフィルムが
望ましく、二軸延伸フィルム等は特に好ましい。このプ
ラスチックフィルム（Ａ）の表面には何も付与されてい
ない方が望ましいが、あらかじめ界面活性剤系や高分子
電解質系等の有機系や導電性金属酸化物系等の無機系の
導電剤及び易接着剤が塗工されているものでも構わな
い。またポリ塩化ビニリデン等の有機バリヤー層が片面
または両面に付与されている物でも構わない。プラスチ
ックフィルム（Ａ）の厚さは特に制限されず、用途によ
り種々であるが、５０〜５００μが適当である。写真フ
ィルム製版用基材フィルム、プリント配線基板用原画フ
ィルム等の支持体として使用する場合には７５〜２５０
μが適当であり、特に１００〜１７５μが適当である。
【０００７】薄膜層（Ｂ）は、感光層を露光する際に使
う可視光から近紫外線の透過性がよく、プラスチックフ
ィルムに対して特に高い水蒸気バリヤー性（すなわち低
い水蒸気透過率）を有し、温湿度に対し膨張の少なく、
かつプラスチックフィルム（Ａ）と強固に密着していな
ければならない。この薄膜層（Ｂ）が特開平５−２８９
２３６号公報に記載されているようなＳｉＯｘ（ｘは
１．２〜１．８の範囲を表わす）の場合、水蒸気バリヤ
ー性が高度に良好では無く、更に近紫外域での光線透過
性は低い。本発明においては、プラスチックフィルムに
対し高い密着性を有するが水蒸気バリヤー性があまり良
好ではなく近紫外域である３５０ｎｍ付近の光線透過性
が低いけい素酸化物（例えばＳｉＯｘ）に、アルカリ土
類金属のフッ化物及びマグネシウム酸化物の両方を添加
する事により、近紫外域から可視域での光線透過性と高
度な水蒸気バリヤー性を改善したものである。以下本発
明の薄膜層（Ｂ）について更に詳細に説明する。薄膜層
（Ｂ）を形成するアルカリ土類金属のフッ化物の例とし
てはフッ化マグネシウム，フッ化カルシウム，フッ化ス
トロンチウム，フッ化バリウム等が挙げられる。特に、
アルカリ土類金属のフッ化物としてはフッ化マグネシウ
ム，フッ化カルシウムが優れている。マグネシウム酸化
物の例としては酸化マグネシウム及びフォルステライト
やステアタイトと呼称される酸化マグネシウムと二酸化
けい素との共酸化物，酸化マグネシウムとアルカリ土類
金属のフッ化物との複合化合物が挙げられる。薄膜層
（Ｂ）においては、けい素酸化物にアルカリ土類金属の
フッ化物とマグネシウム酸化物が化合している。つまり
薄膜層（Ｂ）はけい素酸化物−アルカリ土類金属のフッ
化物−マグネシウム酸化物の化合物からなる。なお、本
発明の薄膜層（Ｂ）においては、けい素酸化物とアルカ
リ土類金属のフッ化物とマグネシウム酸化物とがほとん
ど化合していると思われるが、一部化合していないもの
が含まれている可能性もある。
う可視光から近紫外線の透過性がよく、プラスチックフ
ィルムに対して特に高い水蒸気バリヤー性（すなわち低
い水蒸気透過率）を有し、温湿度に対し膨張の少なく、
かつプラスチックフィルム（Ａ）と強固に密着していな
ければならない。この薄膜層（Ｂ）が特開平５−２８９
２３６号公報に記載されているようなＳｉＯｘ（ｘは
１．２〜１．８の範囲を表わす）の場合、水蒸気バリヤ
ー性が高度に良好では無く、更に近紫外域での光線透過
性は低い。本発明においては、プラスチックフィルムに
対し高い密着性を有するが水蒸気バリヤー性があまり良
好ではなく近紫外域である３５０ｎｍ付近の光線透過性
が低いけい素酸化物（例えばＳｉＯｘ）に、アルカリ土
類金属のフッ化物及びマグネシウム酸化物の両方を添加
する事により、近紫外域から可視域での光線透過性と高
度な水蒸気バリヤー性を改善したものである。以下本発
明の薄膜層（Ｂ）について更に詳細に説明する。薄膜層
（Ｂ）を形成するアルカリ土類金属のフッ化物の例とし
てはフッ化マグネシウム，フッ化カルシウム，フッ化ス
トロンチウム，フッ化バリウム等が挙げられる。特に、
アルカリ土類金属のフッ化物としてはフッ化マグネシウ
ム，フッ化カルシウムが優れている。マグネシウム酸化
物の例としては酸化マグネシウム及びフォルステライト
やステアタイトと呼称される酸化マグネシウムと二酸化
けい素との共酸化物，酸化マグネシウムとアルカリ土類
金属のフッ化物との複合化合物が挙げられる。薄膜層
（Ｂ）においては、けい素酸化物にアルカリ土類金属の
フッ化物とマグネシウム酸化物が化合している。つまり
薄膜層（Ｂ）はけい素酸化物−アルカリ土類金属のフッ
化物−マグネシウム酸化物の化合物からなる。なお、本
発明の薄膜層（Ｂ）においては、けい素酸化物とアルカ
リ土類金属のフッ化物とマグネシウム酸化物とがほとん
ど化合していると思われるが、一部化合していないもの
が含まれている可能性もある。
【０００８】けい素酸化物−アルカリ土類金属のフッ化
物−酸化マグネシウム化合物の薄膜層は寸法安定性，光
線透過性共に優れているが特に寸法安定性に優れてい
る。薄膜層（Ｂ）を構成するけい素酸化物、アルカリ土
類金属のフッ化物、及びマグネシウム酸化物の組成比
は、それぞれ９８〜８０モル％、２〜２０モル％、及び
０．５〜５０モル％の範囲が望ましく、特にそれぞれ９
５〜９０モル％、５〜１０モル％、及び０．６〜１０モ
ル％の範囲が望ましい。プラスチックフィルム上に積層
される薄膜層（Ｂ）は結果的に積層された時に、けい素
酸化物とアルカリ土類金属のフッ化物及びマグネシウム
酸化物が化合していれば良く、積層される薄膜層（Ｂ）
の原料は金属酸化物，アルカリ土類金属のフッ化物，金
属，有機金属化合物等の無機化合物，有機化合物の単独
または混合物の何れでも構わない。特に、けい素酸化
物，アルカリ土類金属のフッ化物及び二酸化けい素と酸
化マグネシウムの共酸化物の混合物を原料とし、真空蒸
着等により直接プラスチックフィルム上に薄膜層（Ｂ）
を形成する方法が望ましい。その原料の組成比は、けい
素酸化物：アルカリ土類金属のフッ化物：二酸化けい素
と酸化マグネシウムの共酸化物＝９８〜７０モル％：２
〜３０モル％：０．５〜５０モル％の範囲が望ましく、
より好ましくは９５〜８５モル％：５〜１０モル％：
０．６〜１０モル％の範囲である。
物−酸化マグネシウム化合物の薄膜層は寸法安定性，光
線透過性共に優れているが特に寸法安定性に優れてい
る。薄膜層（Ｂ）を構成するけい素酸化物、アルカリ土
類金属のフッ化物、及びマグネシウム酸化物の組成比
は、それぞれ９８〜８０モル％、２〜２０モル％、及び
０．５〜５０モル％の範囲が望ましく、特にそれぞれ９
５〜９０モル％、５〜１０モル％、及び０．６〜１０モ
ル％の範囲が望ましい。プラスチックフィルム上に積層
される薄膜層（Ｂ）は結果的に積層された時に、けい素
酸化物とアルカリ土類金属のフッ化物及びマグネシウム
酸化物が化合していれば良く、積層される薄膜層（Ｂ）
の原料は金属酸化物，アルカリ土類金属のフッ化物，金
属，有機金属化合物等の無機化合物，有機化合物の単独
または混合物の何れでも構わない。特に、けい素酸化
物，アルカリ土類金属のフッ化物及び二酸化けい素と酸
化マグネシウムの共酸化物の混合物を原料とし、真空蒸
着等により直接プラスチックフィルム上に薄膜層（Ｂ）
を形成する方法が望ましい。その原料の組成比は、けい
素酸化物：アルカリ土類金属のフッ化物：二酸化けい素
と酸化マグネシウムの共酸化物＝９８〜７０モル％：２
〜３０モル％：０．５〜５０モル％の範囲が望ましく、
より好ましくは９５〜８５モル％：５〜１０モル％：
０．６〜１０モル％の範囲である。
【０００９】原料として用いるけい素酸化物の例として
は、けい素と二酸化けい素の混合物，一酸化けい素単
体、及びけい素と二酸化けい素と一酸化けい素の混合物
が挙げられる。けい素酸化物をけい素（Ｓｉ）と二酸化
けい素（ＳｉＯ2 ）の混合物として用いる場合、その時
の組成比はＳｉ：ＳｉＯ2 ＝４０〜６０モル％：６０〜
４０モル％が望ましい。基本的には等モルが好ましい
が、Ｓｉ：ＳｉＯ2 ＝４０〜６０モル％：６０〜４０モ
ル％の範囲ならよい。また、原料として用いるけい素酸
化物が、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 の混合物である場合
は、Ｓｉ：ＳｉＯ2 をほぼ等モルにすれば良く、（Ｓ
ｉ：ＳｉＯ2 ）：ＳｉＯの比率は特に限定されない。
は、けい素と二酸化けい素の混合物，一酸化けい素単
体、及びけい素と二酸化けい素と一酸化けい素の混合物
が挙げられる。けい素酸化物をけい素（Ｓｉ）と二酸化
けい素（ＳｉＯ2 ）の混合物として用いる場合、その時
の組成比はＳｉ：ＳｉＯ2 ＝４０〜６０モル％：６０〜
４０モル％が望ましい。基本的には等モルが好ましい
が、Ｓｉ：ＳｉＯ2 ＝４０〜６０モル％：６０〜４０モ
ル％の範囲ならよい。また、原料として用いるけい素酸
化物が、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 の混合物である場合
は、Ｓｉ：ＳｉＯ2 をほぼ等モルにすれば良く、（Ｓ
ｉ：ＳｉＯ2 ）：ＳｉＯの比率は特に限定されない。
【００１０】プラスチックフィルム（Ａ）に薄膜層
（Ｂ）を形成する真空薄膜形成技術の方式としては巻き
取り連続方式，枚葉方式どちらでもよく、また形成する
方法としては、特に制限はなく、真空蒸着，イオンプレ
ーティング，スパッタリング，プラズマＣＶＤ，マイク
ロウエーブＣＶＤなどを用いる事ができる。さらに真空
蒸着の加熱方法としては、その蒸着中にスプラッシュと
呼称される蒸着飛沫が発生しなければ又支障なく取り除
ける程度少なければ特に制限はなく、高周波誘導加熱、
抵抗加熱、電子線加熱などの従来公知の加熱方法を用い
ることができる。この蒸着飛沫が多量に発生すると、飛
沫が蒸着フィルム上に異物として残り、後工程である乳
剤塗工工程や露光工程，現像工程等で問題が多く発生す
る。真空蒸着の蒸発源としては一般的なルツボ方式でも
かまわないが、異なる昇華点，融点の物質が常時均一に
真空蒸着できる米国特許５１０７７９１及び同５２３０
９２３に示される蒸発原料を連続的に供給排出する方式
が望ましい。
（Ｂ）を形成する真空薄膜形成技術の方式としては巻き
取り連続方式，枚葉方式どちらでもよく、また形成する
方法としては、特に制限はなく、真空蒸着，イオンプレ
ーティング，スパッタリング，プラズマＣＶＤ，マイク
ロウエーブＣＶＤなどを用いる事ができる。さらに真空
蒸着の加熱方法としては、その蒸着中にスプラッシュと
呼称される蒸着飛沫が発生しなければ又支障なく取り除
ける程度少なければ特に制限はなく、高周波誘導加熱、
抵抗加熱、電子線加熱などの従来公知の加熱方法を用い
ることができる。この蒸着飛沫が多量に発生すると、飛
沫が蒸着フィルム上に異物として残り、後工程である乳
剤塗工工程や露光工程，現像工程等で問題が多く発生す
る。真空蒸着の蒸発源としては一般的なルツボ方式でも
かまわないが、異なる昇華点，融点の物質が常時均一に
真空蒸着できる米国特許５１０７７９１及び同５２３０
９２３に示される蒸発原料を連続的に供給排出する方式
が望ましい。
【００１１】このけい素酸化物，アルカリ土類金属のフ
ッ化物及び二酸化けい素と酸化マグネシウムの共酸化物
の混合物を真空蒸着する時の真空度は、１×１０−４ｔ
ｏｒｒから５×１０−３ｔｏｒｒの範囲内が望ましい。
高真空度の場合、原料の組成がそのまま薄膜層（Ｂ）の
組成に反映させることができるが、反対に低真空度の場
合は、原料の組成に比べ、薄膜層（Ｂ）の組成は酸素原
子過多（高酸化度）になる。これは蒸着中の蒸着粒子と
酸素分子の反応と考えられる。また、膜構造的には高真
空度の場合は高密度な薄膜層が得られ、反対に低真空度
の場合は低密度な膜になると推定されている。上記の範
囲内の真空度を用い、上記組成の原料を用いる事によ
り、薄膜層（Ｂ）として望ましい組成比を得ることがで
きる。また上記以外の薄膜層（Ｂ）の積層方法としては
金属または有機金属酸化物のような金属を含む化合物を
酸化またはフッ化させながら真空蒸着する方法、またア
ルカリ土類金属のフッ化物をプラスチックフィルム上に
蒸着層として形成させ後工程でその蒸着層を酸化処理す
る方法があげられる。酸化処理の方法としてはプラスチ
ックフィルムの使用可能温度範囲内で処理を行う方法な
ら特に限定されず、蒸着中の酸素ガス導入法、放電処理
法、酸素プラズマ法、熱酸化法等があげられる。薄膜層
（Ｂ）はプラスチックフィルム（Ａ）の片面に積層して
も構わないが、両面に積層する事が特に望ましい。
ッ化物及び二酸化けい素と酸化マグネシウムの共酸化物
の混合物を真空蒸着する時の真空度は、１×１０−４ｔ
ｏｒｒから５×１０−３ｔｏｒｒの範囲内が望ましい。
高真空度の場合、原料の組成がそのまま薄膜層（Ｂ）の
組成に反映させることができるが、反対に低真空度の場
合は、原料の組成に比べ、薄膜層（Ｂ）の組成は酸素原
子過多（高酸化度）になる。これは蒸着中の蒸着粒子と
酸素分子の反応と考えられる。また、膜構造的には高真
空度の場合は高密度な薄膜層が得られ、反対に低真空度
の場合は低密度な膜になると推定されている。上記の範
囲内の真空度を用い、上記組成の原料を用いる事によ
り、薄膜層（Ｂ）として望ましい組成比を得ることがで
きる。また上記以外の薄膜層（Ｂ）の積層方法としては
金属または有機金属酸化物のような金属を含む化合物を
酸化またはフッ化させながら真空蒸着する方法、またア
ルカリ土類金属のフッ化物をプラスチックフィルム上に
蒸着層として形成させ後工程でその蒸着層を酸化処理す
る方法があげられる。酸化処理の方法としてはプラスチ
ックフィルムの使用可能温度範囲内で処理を行う方法な
ら特に限定されず、蒸着中の酸素ガス導入法、放電処理
法、酸素プラズマ法、熱酸化法等があげられる。薄膜層
（Ｂ）はプラスチックフィルム（Ａ）の片面に積層して
も構わないが、両面に積層する事が特に望ましい。
【００１２】本発明において得られる薄膜層（Ｂ）は、
シロキサン単位及び該シロキサン単位に化合したアルカ
リ土類金属のフッ化物及びマグネシウム酸化物からなる
ものである。薄膜層（Ｂ）を形成するシロキサン単位と
は薄膜層が−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−の様に連続的にシリコン原
子と酸素原子が結合している単位を示し、該シロキサン
単位に化合したアルカリ土類金属のフッ化物及びマグネ
シウム酸化物とは、−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−アルカリ土類金属
−Ｆの様に連続的にシリコン分子と酸素分子が結合して
いる単位にアルカリ土類金属のフッ化物が結合している
状態と、−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−Ｍｇ−Ｏ−の様に連続的にシ
リコン分子と酸素分子が結合している単位にマグネシウ
ム酸化物が結合している状態がシロキサン単位を介在し
結合状態で混在している状態を示す。薄膜層（Ｂ）の厚
さは使用するプラスチックフィルム（Ａ）に合わせて選
定されるが、本発明においては片面あたり５０〜１００
０オングストロームが望ましい。特に３００〜６００オ
ングストロームが望ましい。また、積層される薄膜層
（Ｂ）は、最終的に得られる層の必要機能が得られてい
れば、２重積層や多重積層でも構わない。すなわち、積
層を２回以上に分けて行ってもよく、その時異種類のア
ルカリ土類金属のフッ化物を積層しても構わない。
シロキサン単位及び該シロキサン単位に化合したアルカ
リ土類金属のフッ化物及びマグネシウム酸化物からなる
ものである。薄膜層（Ｂ）を形成するシロキサン単位と
は薄膜層が−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−の様に連続的にシリコン原
子と酸素原子が結合している単位を示し、該シロキサン
単位に化合したアルカリ土類金属のフッ化物及びマグネ
シウム酸化物とは、−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−アルカリ土類金属
−Ｆの様に連続的にシリコン分子と酸素分子が結合して
いる単位にアルカリ土類金属のフッ化物が結合している
状態と、−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−Ｍｇ−Ｏ−の様に連続的にシ
リコン分子と酸素分子が結合している単位にマグネシウ
ム酸化物が結合している状態がシロキサン単位を介在し
結合状態で混在している状態を示す。薄膜層（Ｂ）の厚
さは使用するプラスチックフィルム（Ａ）に合わせて選
定されるが、本発明においては片面あたり５０〜１００
０オングストロームが望ましい。特に３００〜６００オ
ングストロームが望ましい。また、積層される薄膜層
（Ｂ）は、最終的に得られる層の必要機能が得られてい
れば、２重積層や多重積層でも構わない。すなわち、積
層を２回以上に分けて行ってもよく、その時異種類のア
ルカリ土類金属のフッ化物を積層しても構わない。
【００１３】薄膜層（Ｂ）から得られる寸法安定性の要
因は大きく分けると２つあると考えられる。一つは水蒸
気バリヤー性を使った防湿層としての効果である。これ
は特開平５−２８９２３６号公報に記載されている。基
材のポリエステルフィルムの片面または両面にこの薄膜
層（Ｂ）を積層する事により、寸法変化の主要因である
水または水蒸気のポリエステルフィルムへの吸収を遅ら
す事ができる。もう一つはポリエステルフィルムの片面
または両側に膨張係数の低い薄膜〔薄膜層（Ｂ）〕を積
層する事により物理的に寸法変化を抑制する効果であ
る。これは水を吸収した事により寸法変化しようとする
ポリエステルフィルムを、温湿度に対し寸法変化し難い
薄膜により物理的な力で寸法変化を抑制する効果であ
る。もし湿度変化に対するポリエステルフィルムの寸法
安定性の要因が薄膜の水蒸気バリヤー性だけだとした
ら、本発明の薄膜層（Ｂ）を有するポリエステルフィル
ムは、ポリエステルフィルムに入り込む水蒸気を完全に
遮断しない限り、徐々に水分は薄膜を透しポリエステル
フィルムに入り込み、いつかは薄膜を有しないポリエス
テルフィルムと同じ量だけ寸法変化してしまう。現実
に、本発明の薄膜層（Ｂ）の水蒸気バリヤー性は約０．
５ｇ／ｍ2 ・２４ｈｒ・４０℃９０％ＲＨであり、完全
に水分を遮断はできていない。つまり薄膜層による水蒸
気バリヤー性の効果は寸法変化のスピードを単に遅くす
るだけであり、長時間経過した後の平衡状態での寸法変
化量は薄膜を有しないポリエステルフィルムと同じであ
ると考えられる。しかしながら、本発明の薄膜層（Ｂ）
を有するポリエステルフィルムの平衡状態での寸法変化
量は薄膜を有しないポリエステルフィルムの平衡状態の
寸法変化量と一致せず、薄膜を有しないポリエステルフ
ィルムの平衡状態の寸法変化量の７５％程度で平衡に達
する。つまり残り２５％は薄膜の物理的な力で寸法変化
を抑制していると考えられる。
因は大きく分けると２つあると考えられる。一つは水蒸
気バリヤー性を使った防湿層としての効果である。これ
は特開平５−２８９２３６号公報に記載されている。基
材のポリエステルフィルムの片面または両面にこの薄膜
層（Ｂ）を積層する事により、寸法変化の主要因である
水または水蒸気のポリエステルフィルムへの吸収を遅ら
す事ができる。もう一つはポリエステルフィルムの片面
または両側に膨張係数の低い薄膜〔薄膜層（Ｂ）〕を積
層する事により物理的に寸法変化を抑制する効果であ
る。これは水を吸収した事により寸法変化しようとする
ポリエステルフィルムを、温湿度に対し寸法変化し難い
薄膜により物理的な力で寸法変化を抑制する効果であ
る。もし湿度変化に対するポリエステルフィルムの寸法
安定性の要因が薄膜の水蒸気バリヤー性だけだとした
ら、本発明の薄膜層（Ｂ）を有するポリエステルフィル
ムは、ポリエステルフィルムに入り込む水蒸気を完全に
遮断しない限り、徐々に水分は薄膜を透しポリエステル
フィルムに入り込み、いつかは薄膜を有しないポリエス
テルフィルムと同じ量だけ寸法変化してしまう。現実
に、本発明の薄膜層（Ｂ）の水蒸気バリヤー性は約０．
５ｇ／ｍ2 ・２４ｈｒ・４０℃９０％ＲＨであり、完全
に水分を遮断はできていない。つまり薄膜層による水蒸
気バリヤー性の効果は寸法変化のスピードを単に遅くす
るだけであり、長時間経過した後の平衡状態での寸法変
化量は薄膜を有しないポリエステルフィルムと同じであ
ると考えられる。しかしながら、本発明の薄膜層（Ｂ）
を有するポリエステルフィルムの平衡状態での寸法変化
量は薄膜を有しないポリエステルフィルムの平衡状態の
寸法変化量と一致せず、薄膜を有しないポリエステルフ
ィルムの平衡状態の寸法変化量の７５％程度で平衡に達
する。つまり残り２５％は薄膜の物理的な力で寸法変化
を抑制していると考えられる。
【００１４】更に薄膜の物理的な力で寸法変化を抑制し
ている事は、薄膜全体が一つの連続した結合した分子で
あると言える。なぜならば薄膜が結合していない分子の
集合体であるなら、その分子同士の結合力から推定し
て、薄膜の物理的な力による寸法変化の抑制効果が出現
する事は非常に考えにくいからである。具体的には、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム１００μにけい素酸
化物−フッ化マグネシウムを原料とし、両面に真空蒸着
したフィルムの水蒸気バリヤー性は約０．５ｇ／ｍ2 ・
２４ｈｒ・４０℃９０％ＲＨである。またけい素酸化物
の膨張係数としては、９×１０-7／Ｋ（代表的なけい素
酸化物であるＳｉＯ2 の熱膨張係数）である。これに対
しポリエチレンテレフタレートフィルムの熱膨張係数は
１０-5／Ｋ程度である。更にこの熱膨張係数について
は、けい素酸化物単独（例えばＳｉＯｘ）に比べ、けい
素酸化物にアルカリ土類金属のフッ化物又はけい素酸化
物にアルカリ土類金属のフッ化物と酸化マグネシウムを
化合した化合物の方が熱膨張係数の低い。たとえばコー
ジライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）の熱
膨張係数は５×１０-7／Ｋであるが、この熱膨張係数は
ＭｇＯ（１４×１０-6／Ｋ），Ａｌ2 Ｏ3 （７×１０-6
／Ｋ），ＳｉＯ2 （９×１０-7／Ｋ）のどれよりも小さ
い。つまりそれぞれが適当に複合化する事によってこの
熱膨張係数が小さくなったと考えられる。このような複
合化による熱膨張係数の低下は周知の事実である。
ている事は、薄膜全体が一つの連続した結合した分子で
あると言える。なぜならば薄膜が結合していない分子の
集合体であるなら、その分子同士の結合力から推定し
て、薄膜の物理的な力による寸法変化の抑制効果が出現
する事は非常に考えにくいからである。具体的には、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム１００μにけい素酸
化物−フッ化マグネシウムを原料とし、両面に真空蒸着
したフィルムの水蒸気バリヤー性は約０．５ｇ／ｍ2 ・
２４ｈｒ・４０℃９０％ＲＨである。またけい素酸化物
の膨張係数としては、９×１０-7／Ｋ（代表的なけい素
酸化物であるＳｉＯ2 の熱膨張係数）である。これに対
しポリエチレンテレフタレートフィルムの熱膨張係数は
１０-5／Ｋ程度である。更にこの熱膨張係数について
は、けい素酸化物単独（例えばＳｉＯｘ）に比べ、けい
素酸化物にアルカリ土類金属のフッ化物又はけい素酸化
物にアルカリ土類金属のフッ化物と酸化マグネシウムを
化合した化合物の方が熱膨張係数の低い。たとえばコー
ジライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）の熱
膨張係数は５×１０-7／Ｋであるが、この熱膨張係数は
ＭｇＯ（１４×１０-6／Ｋ），Ａｌ2 Ｏ3 （７×１０-6
／Ｋ），ＳｉＯ2 （９×１０-7／Ｋ）のどれよりも小さ
い。つまりそれぞれが適当に複合化する事によってこの
熱膨張係数が小さくなったと考えられる。このような複
合化による熱膨張係数の低下は周知の事実である。
【００１５】本発明により得られる薄膜の代表例として
けい素酸化物とフッ化マグネシウムを原料とした薄膜を
ＥＳＣＡ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐ
ｙｆｏｒ ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｎａｌｙｓｉｓ）を用
いて表面解析をしてみると、Ｍｇの２ｐ軌道の結合エネ
ルギーが４８．０ｅｖと４７．１ｅｖに得られる。この
うちの４８．０ｅｖはＭｇ−Ｆのピークであり、また４
７．１ｅｖはＳｉ−Ｏ−Ｍｇ結合のうちのＭｇ−Ｏ結合
のピークである（この４７．１ｅｖはフォルステライト
（ＳｉＯ2 ・２ＭｇＯ）のピークと一致する。）。また
Ｍｇ−ＦとＳｉ−Ｏ−Ｍｇの結合量を示すピーク強度は
同程度であり、この事からＭｇ−ＦとＳｉ−Ｏ−Ｍｇは
結合され、Ｓｉ−Ｏ−Ｍｇ−Ｆ結合となっていると推定
される。このことから本発明から得られる薄膜の組成は
Ｓｉ−Ｏ結合単独でなく、Ｓｉ−Ｏの３次元網目構造の
一部がＳｉ−Ｏ−Ｍｇ−Ｆとなっているけい素酸化物と
フッ化マグネシウムの複合化合物である事が判る。ま
た、けい素酸化物とフッ化マグネシウムが化合していな
い場合、この４７．１ｅｖのピークは検出されない。
けい素酸化物とフッ化マグネシウムを原料とした薄膜を
ＥＳＣＡ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐ
ｙｆｏｒ ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｎａｌｙｓｉｓ）を用
いて表面解析をしてみると、Ｍｇの２ｐ軌道の結合エネ
ルギーが４８．０ｅｖと４７．１ｅｖに得られる。この
うちの４８．０ｅｖはＭｇ−Ｆのピークであり、また４
７．１ｅｖはＳｉ−Ｏ−Ｍｇ結合のうちのＭｇ−Ｏ結合
のピークである（この４７．１ｅｖはフォルステライト
（ＳｉＯ2 ・２ＭｇＯ）のピークと一致する。）。また
Ｍｇ−ＦとＳｉ−Ｏ−Ｍｇの結合量を示すピーク強度は
同程度であり、この事からＭｇ−ＦとＳｉ−Ｏ−Ｍｇは
結合され、Ｓｉ−Ｏ−Ｍｇ−Ｆ結合となっていると推定
される。このことから本発明から得られる薄膜の組成は
Ｓｉ−Ｏ結合単独でなく、Ｓｉ−Ｏの３次元網目構造の
一部がＳｉ−Ｏ−Ｍｇ−Ｆとなっているけい素酸化物と
フッ化マグネシウムの複合化合物である事が判る。ま
た、けい素酸化物とフッ化マグネシウムが化合していな
い場合、この４７．１ｅｖのピークは検出されない。
【００１６】けい素酸化物にアルカリ土類金属のフッ化
物を、又はけい素酸化物にアルカリ土類金属のフッ化物
とマグネシウム酸化物を化合することにより、けい素酸
化物単独に比べ高度な水蒸気バリヤー性を改善した理由
は次のように考えられる。すなわち、実際のけい素酸化
物単独の膜はＳｉＯｘ（ｘは１．２〜１．８）であり、
完全な酸化状態（ＳｉＯ2 ）になっていない。つまりシ
リコン原子に対し酸素原子が不足しているため、シリコ
ン原子の不対電子を用いて、水（Ｈ2 Ｏ）が透過すると
推定される。例えばシリコン原子の不対電子に−Ｍｇ−
Ｆを結合させる事により、このシリコン原子の不対電子
を少なくし、結果水蒸気バリヤー性を向上できると考え
られる。けい素酸化物にアルカリ土類金属のフッ化物を
化合することにより、けい素酸化物単独に比べ近紫外域
での光線透過性が改善される理由は次のように考えられ
る。けい素酸化物やアルカリ土類金属のフッ化物には光
線波長によりそれぞれ透明領域があり、ＳｉＯの場合
は、５００ｎｍ〜８μｍである。つまり３５０ｎｍは不
透明領域である。またアルカリ土類金属のフッ化物の場
合はその透明領域は広がり、フッ化マグネシウムの場合
は２１０ｎｍ〜１０μｍである。つまりけい素酸化物に
アルカリ土類金属のフッ化物を化合した膜を薄膜層
（Ｂ）にする事により、近紫外域での光線透過性が改善
されると推定される。本発明の感光性写真材料は、上記
の本発明の基材フィルムを支持体として、その片面また
は両面に感光層（Ｃ）を積層してなるものである。
物を、又はけい素酸化物にアルカリ土類金属のフッ化物
とマグネシウム酸化物を化合することにより、けい素酸
化物単独に比べ高度な水蒸気バリヤー性を改善した理由
は次のように考えられる。すなわち、実際のけい素酸化
物単独の膜はＳｉＯｘ（ｘは１．２〜１．８）であり、
完全な酸化状態（ＳｉＯ2 ）になっていない。つまりシ
リコン原子に対し酸素原子が不足しているため、シリコ
ン原子の不対電子を用いて、水（Ｈ2 Ｏ）が透過すると
推定される。例えばシリコン原子の不対電子に−Ｍｇ−
Ｆを結合させる事により、このシリコン原子の不対電子
を少なくし、結果水蒸気バリヤー性を向上できると考え
られる。けい素酸化物にアルカリ土類金属のフッ化物を
化合することにより、けい素酸化物単独に比べ近紫外域
での光線透過性が改善される理由は次のように考えられ
る。けい素酸化物やアルカリ土類金属のフッ化物には光
線波長によりそれぞれ透明領域があり、ＳｉＯの場合
は、５００ｎｍ〜８μｍである。つまり３５０ｎｍは不
透明領域である。またアルカリ土類金属のフッ化物の場
合はその透明領域は広がり、フッ化マグネシウムの場合
は２１０ｎｍ〜１０μｍである。つまりけい素酸化物に
アルカリ土類金属のフッ化物を化合した膜を薄膜層
（Ｂ）にする事により、近紫外域での光線透過性が改善
されると推定される。本発明の感光性写真材料は、上記
の本発明の基材フィルムを支持体として、その片面また
は両面に感光層（Ｃ）を積層してなるものである。
【００１７】感光層（Ｃ）としては、特に制限はない
が、通常はゼラチン含有ハロゲン化銀乳剤を主体とする
感光層が使用される。ハロゲン化銀の例としては、塩化
銀，塩臭化銀，ヨウ臭化銀，塩ヨウ臭化銀，等が挙げら
れる。写真乳剤に用いられる各種添加剤、例えば化学増
感剤、カブリ防止剤、界面活性剤、保護コロイド、硬膜
剤、ポリマーラテックス、カラーカプラー、マット剤、
増感色素、等については特に制限は無く、例えばリサー
チ・クロージャー誌１７６巻２２〜２８頁（１９７８年
１２月）に記載されたものを使用することができる。特
に特開平５−２８９２３６号公報の請求項６に記載され
ているシラン化合物を含むものが好ましい。写真乳剤の
製造方法、プラスチックフィルム上のドライプレーティ
ング層に塗布する方法についても特に制限はなく、上記
リサーチ・クロージャー誌に記載のものを使用すること
ができる。薄膜層（Ｂ）への感光層（Ｃ）の付与方法
は、従来公知の方法を適用することが出来る。又この時
薄膜層（Ｂ）と感光層（Ｃ）の間に接着性などを改善す
る下引き層を設けても構わない。本発明の感光性写真材
料においては、基材フィルムの片側または両側に設けら
れた感光層（Ｃ）に加えて、さらに片側に導電層（Ｄ）
を設けてもよい。感光層（Ｃ）を基材フィルムの片側に
設けた場合、導電層（Ｄ）は通常基材フィルム（Ａ）の
感光層（Ｃ）を設けた側の反対面に設けられる。導電層
（Ｄ）の例としては、導電性金属酸化物単独，導電性金
属酸化物と絶縁性金属酸化物の混合物または金属単独の
ような無機化合物や、界面活性剤系及び高分子電解質系
のような有機化合物が使用できるが、特に制限はない。
但し、金属単独を導電層（Ｄ）とする場合、導電層自体
の可視光から近赤外線の透過性が低いため、所定の導電
性が得られる範囲内で支持体になるべく薄く金属を付与
し、感光層を露光する際に使う可視光から近紫外線での
透過性を向上させなければならない。
が、通常はゼラチン含有ハロゲン化銀乳剤を主体とする
感光層が使用される。ハロゲン化銀の例としては、塩化
銀，塩臭化銀，ヨウ臭化銀，塩ヨウ臭化銀，等が挙げら
れる。写真乳剤に用いられる各種添加剤、例えば化学増
感剤、カブリ防止剤、界面活性剤、保護コロイド、硬膜
剤、ポリマーラテックス、カラーカプラー、マット剤、
増感色素、等については特に制限は無く、例えばリサー
チ・クロージャー誌１７６巻２２〜２８頁（１９７８年
１２月）に記載されたものを使用することができる。特
に特開平５−２８９２３６号公報の請求項６に記載され
ているシラン化合物を含むものが好ましい。写真乳剤の
製造方法、プラスチックフィルム上のドライプレーティ
ング層に塗布する方法についても特に制限はなく、上記
リサーチ・クロージャー誌に記載のものを使用すること
ができる。薄膜層（Ｂ）への感光層（Ｃ）の付与方法
は、従来公知の方法を適用することが出来る。又この時
薄膜層（Ｂ）と感光層（Ｃ）の間に接着性などを改善す
る下引き層を設けても構わない。本発明の感光性写真材
料においては、基材フィルムの片側または両側に設けら
れた感光層（Ｃ）に加えて、さらに片側に導電層（Ｄ）
を設けてもよい。感光層（Ｃ）を基材フィルムの片側に
設けた場合、導電層（Ｄ）は通常基材フィルム（Ａ）の
感光層（Ｃ）を設けた側の反対面に設けられる。導電層
（Ｄ）の例としては、導電性金属酸化物単独，導電性金
属酸化物と絶縁性金属酸化物の混合物または金属単独の
ような無機化合物や、界面活性剤系及び高分子電解質系
のような有機化合物が使用できるが、特に制限はない。
但し、金属単独を導電層（Ｄ）とする場合、導電層自体
の可視光から近赤外線の透過性が低いため、所定の導電
性が得られる範囲内で支持体になるべく薄く金属を付与
し、感光層を露光する際に使う可視光から近紫外線での
透過性を向上させなければならない。
【００１８】導電性金属酸化物単独，導電性金属酸化物
と絶縁性金属酸化物の混合物または導電性金属単独をプ
ラスチックフィルム（Ａ）に積層する方法としては、前
記の薄膜層（Ｂ）をプラスチックフィルム（Ａ）に積層
する方法が適用できる。導電性金属酸化物としては、Ｉ
ＴＯ（インジウム・錫・酸化物），インジウム酸化物，
錫酸化物等があげられ、絶縁性金属酸化物としてはけい
素酸化物，アルミニウム酸化物等があげられ、導電性金
属としては、アルミニウム，ニッケル等の一般的な金属
があげられる。又界面活性剤及び高分子電解質としては
特に限定されず、従来公知のものがあげられる。それぞ
れの支持体への積層方法も従来公知の方法が適用でき
る。プラスチックフィルム（Ａ）上に積層される、薄膜
層（Ｂ）と導電層（Ｄ）の付与は別々に行う事もできる
が、連続巻取り方式の場合一度に両面にそれぞれの層を
設けることも可能である。本発明では、プラスチックフ
ィルム（Ａ），薄膜層（Ｂ），感光層（Ｃ），導電層
（Ｄ）をＣ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｄの順に積層する事により、
温度や湿度等に対して寸法安定性があり、なおかつ静電
気等の発生による悪影響のなく又要求される近紫外域で
の光線透過性が良好な基材フィルム及び感光性写真材料
を提供するものであるが、この積層順がＣ／Ｂ／Ａ／Ｂ
／Ｄ／ＢやＣ／Ｂ／Ａ／Ｂ等に変更しても構わない。ま
た必要により感光層（Ｃ）の外側に表面保護層を、感光
層（Ｃ），薄膜層（Ｂ），プラスチックフィルム
（Ａ），導電層（Ｄ）のそれぞれの間や外側に下引き易
接着層やハレーション防止層を、積層された感光性写真
材料の外面に表面保護層を、単独にまたは２種以上を併
用して常法により機能層を設けてもよい。
と絶縁性金属酸化物の混合物または導電性金属単独をプ
ラスチックフィルム（Ａ）に積層する方法としては、前
記の薄膜層（Ｂ）をプラスチックフィルム（Ａ）に積層
する方法が適用できる。導電性金属酸化物としては、Ｉ
ＴＯ（インジウム・錫・酸化物），インジウム酸化物，
錫酸化物等があげられ、絶縁性金属酸化物としてはけい
素酸化物，アルミニウム酸化物等があげられ、導電性金
属としては、アルミニウム，ニッケル等の一般的な金属
があげられる。又界面活性剤及び高分子電解質としては
特に限定されず、従来公知のものがあげられる。それぞ
れの支持体への積層方法も従来公知の方法が適用でき
る。プラスチックフィルム（Ａ）上に積層される、薄膜
層（Ｂ）と導電層（Ｄ）の付与は別々に行う事もできる
が、連続巻取り方式の場合一度に両面にそれぞれの層を
設けることも可能である。本発明では、プラスチックフ
ィルム（Ａ），薄膜層（Ｂ），感光層（Ｃ），導電層
（Ｄ）をＣ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｄの順に積層する事により、
温度や湿度等に対して寸法安定性があり、なおかつ静電
気等の発生による悪影響のなく又要求される近紫外域で
の光線透過性が良好な基材フィルム及び感光性写真材料
を提供するものであるが、この積層順がＣ／Ｂ／Ａ／Ｂ
／Ｄ／ＢやＣ／Ｂ／Ａ／Ｂ等に変更しても構わない。ま
た必要により感光層（Ｃ）の外側に表面保護層を、感光
層（Ｃ），薄膜層（Ｂ），プラスチックフィルム
（Ａ），導電層（Ｄ）のそれぞれの間や外側に下引き易
接着層やハレーション防止層を、積層された感光性写真
材料の外面に表面保護層を、単独にまたは２種以上を併
用して常法により機能層を設けてもよい。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例に基づいてさらに詳細
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。なお実施例におけ
る試験方法は以下のとおりである。 光線透過性：近紫外域での光線透過性は、分光光度計
（日本分光社製 Ｕ−ｂｅｓｔ３０）を用い、リファレ
ンスを空気とし３５０ｎｍでの透過率を測定したもので
ある。この３５０ｎｍという波長は一般的なプリント配
線基板用原画フィルムをプリント配線基板に露光する時
によく使用される波長である。 寸法安定性：温湿度を変化させたときの長さの変化は、
測長器（大日本スクリーン社製，ＤＲ−８０１１−Ｃ
Ｕ）の測定板上に湿度が調節できる透明な恒温恒湿槽を
設け、その中で試料を入れ温湿度変化させた時の寸法変
化を測定したものである。なおこの寸法変化量は値が小
さいほど優れている。特に一般的なプリント配線基板用
原画フィルムをプリント配線基板の分野では湿度に対す
る寸法安定性が望まれている。 薄膜層の組成分析：パーキンエルマー社のＥＳＣＡ Ｐ
ＨＩ−５４００を使用し、表面を真空にしたのちアルゴ
ンスパッタエッチングしてから測定した。また微量な有
機物の付着による炭素のピークについては、その組成比
の計算から除外した。なお、ＥＳＣＡで得られる組成比
は、ａｔｏｍ％で示されるが、これはモル％と一致す
る。
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。なお実施例におけ
る試験方法は以下のとおりである。 光線透過性：近紫外域での光線透過性は、分光光度計
（日本分光社製 Ｕ−ｂｅｓｔ３０）を用い、リファレ
ンスを空気とし３５０ｎｍでの透過率を測定したもので
ある。この３５０ｎｍという波長は一般的なプリント配
線基板用原画フィルムをプリント配線基板に露光する時
によく使用される波長である。 寸法安定性：温湿度を変化させたときの長さの変化は、
測長器（大日本スクリーン社製，ＤＲ−８０１１−Ｃ
Ｕ）の測定板上に湿度が調節できる透明な恒温恒湿槽を
設け、その中で試料を入れ温湿度変化させた時の寸法変
化を測定したものである。なおこの寸法変化量は値が小
さいほど優れている。特に一般的なプリント配線基板用
原画フィルムをプリント配線基板の分野では湿度に対す
る寸法安定性が望まれている。 薄膜層の組成分析：パーキンエルマー社のＥＳＣＡ Ｐ
ＨＩ−５４００を使用し、表面を真空にしたのちアルゴ
ンスパッタエッチングしてから測定した。また微量な有
機物の付着による炭素のピークについては、その組成比
の計算から除外した。なお、ＥＳＣＡで得られる組成比
は、ａｔｏｍ％で示されるが、これはモル％と一致す
る。
【００２０】比較例５ 米国特許５１０７７９１及び５２３０９２３に記載され
た蒸発原料を連続的に供給排出する方式の連続巻取り式
抵抗加熱方式の真空蒸着装置を使い、厚さ１００μの二
軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人社製
Ｏタイプ）の両面にけい素と二酸化けい素とフッ化マ
グネシウムの混合物（混合比４６モル％：４６モル％：
８モル％）を原料（蒸発源）として加熱真空蒸着した
（厚みは両面共に約６００オングストローム）。
た蒸発原料を連続的に供給排出する方式の連続巻取り式
抵抗加熱方式の真空蒸着装置を使い、厚さ１００μの二
軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人社製
Ｏタイプ）の両面にけい素と二酸化けい素とフッ化マ
グネシウムの混合物（混合比４６モル％：４６モル％：
８モル％）を原料（蒸発源）として加熱真空蒸着した
（厚みは両面共に約６００オングストローム）。
【００２１】比較例６ 比較例５ で用いた蒸着装置，ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面にけい素と二酸化けい素とフッ化カルシウムの混合
物（混合比４９モル％：４９モル％：２モル％）を原料
として加熱真空蒸着した（厚みは両面とも約６００オン
グストローム）。
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面にけい素と二酸化けい素とフッ化カルシウムの混合
物（混合比４９モル％：４９モル％：２モル％）を原料
として加熱真空蒸着した（厚みは両面とも約６００オン
グストローム）。
【００２２】比較例７ 比較例５ で用いた蒸着装置，ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面に一酸化けい素とフッ化マグネシウムの混合物（混
合比８０モル％：２０モル％）を原料として加熱真空蒸
着した（厚みは両面とも約２００オングストローム）。
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面に一酸化けい素とフッ化マグネシウムの混合物（混
合比８０モル％：２０モル％）を原料として加熱真空蒸
着した（厚みは両面とも約２００オングストローム）。
【００２３】実施例１ 比較例５ で用いた蒸着装置，ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面に一酸化けい素とフッ化マグネシウムと、けい素酸
化物とマグネシウム酸化物の共酸化物（フォルステライ
ト：ＳｉＯ２ ・２ＭｇＯ）の混合物（混合比９０モル
％：７モル％：３モル％）を原料として加熱真空蒸着し
た（厚みは両面とも約８００オングストローム）。
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面に一酸化けい素とフッ化マグネシウムと、けい素酸
化物とマグネシウム酸化物の共酸化物（フォルステライ
ト：ＳｉＯ２ ・２ＭｇＯ）の混合物（混合比９０モル
％：７モル％：３モル％）を原料として加熱真空蒸着し
た（厚みは両面とも約８００オングストローム）。
【００２４】比較例８ 比較例５ で用いた蒸着装置の蒸発源の加熱方式を抵抗加
熱方式から電子線加熱方式に変え、ポリエチレンテレフ
タレートフィルムは実施例１のものをそのまま用い、そ
のポリエチレンテレフタレートの両面にけい素と二酸化
けい素とフッ化ストロンチウムの混合物（混合比４９モ
ル％：４９モル％：２モル％）を原料として加熱真空蒸
着した（厚みは両面とも約６００オングストローム）。
熱方式から電子線加熱方式に変え、ポリエチレンテレフ
タレートフィルムは実施例１のものをそのまま用い、そ
のポリエチレンテレフタレートの両面にけい素と二酸化
けい素とフッ化ストロンチウムの混合物（混合比４９モ
ル％：４９モル％：２モル％）を原料として加熱真空蒸
着した（厚みは両面とも約６００オングストローム）。
【００２５】比較例９ 比較例８ で用いた蒸着装置，ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面に一酸化けい素とフッ化バリウムの混合物（混合比
８０モル％：２０モル％）を原料として加熱真空蒸着し
た（厚みは両面とも約６００オングストローム）。
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面に一酸化けい素とフッ化バリウムの混合物（混合比
８０モル％：２０モル％）を原料として加熱真空蒸着し
た（厚みは両面とも約６００オングストローム）。
【００２６】比較例１ 実施例１で用いたポリエチレンテレフタレートフィルム
の光線透過率，及び寸法安定性を測定した。結果を表に
示す。 比較例２ 実施例１で用いた蒸着装置，ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面にけい素と二酸化けい素の混合物（混合比５０モル
％：５０モル％）を原料として加熱真空蒸着した。（厚
みは両面とも約６００オングストローム）。
の光線透過率，及び寸法安定性を測定した。結果を表に
示す。 比較例２ 実施例１で用いた蒸着装置，ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面にけい素と二酸化けい素の混合物（混合比５０モル
％：５０モル％）を原料として加熱真空蒸着した。（厚
みは両面とも約６００オングストローム）。
【００２７】比較例３ 実施例１で用いた蒸着装置，ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面に一酸化けい素と、けい素酸化物とマグネシウム酸
化物の共酸化物（フォルステライト：ＳｉＯ２ ・２Ｍ
ｇＯ）の混合物（混合比９０モル％：１０モル％）を原
料として加熱真空蒸着した。（厚みは両面とも約６００
オングストローム）。 比較例４ 実施例１で用いた蒸着装置，ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面にけい素と二酸化けい素とフッ化ナトリウムの混合
物（混合比４６モル％：４６モル％：８モル％）を原料
として加熱真空蒸着した（厚みは両面共に約６００オン
グストローム）。実施例１，比較例２〜９で得られた蒸
着フィルムについて比較例５と同様に両面における蒸着
膜の組成，蒸着フィルムの光線透過率，及び寸法安定性
を測定した。結果を表１に示す。
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面に一酸化けい素と、けい素酸化物とマグネシウム酸
化物の共酸化物（フォルステライト：ＳｉＯ２ ・２Ｍ
ｇＯ）の混合物（混合比９０モル％：１０モル％）を原
料として加熱真空蒸着した。（厚みは両面とも約６００
オングストローム）。 比較例４ 実施例１で用いた蒸着装置，ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを用い、そのポリエチレンテレフタレートの
両面にけい素と二酸化けい素とフッ化ナトリウムの混合
物（混合比４６モル％：４６モル％：８モル％）を原料
として加熱真空蒸着した（厚みは両面共に約６００オン
グストローム）。実施例１，比較例２〜９で得られた蒸
着フィルムについて比較例５と同様に両面における蒸着
膜の組成，蒸着フィルムの光線透過率，及び寸法安定性
を測定した。結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】実施例２ 実施例１ で得られた蒸着フィルムについて、片方の蒸着
表面にＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド Ｓｎを
５重量％添加）を前述の装置と同じ装置を用いて酸素ガ
ス導入しながら、加熱真空蒸着を行った（厚みは約５０
０オングストローム）。その時の酸素ガス分圧は２×１
０ー４ｔｏｒｒであった。更にＩＴＯを設けた反対面に
ＵＳＰ３６６１５８４の第２欄に記載されたエポキシシ
ラン化合物Ｎｏ４を６重量％含有する普通の感光性ハロ
ゲン化銀ゼラチン層をバーコーターを用いて塗工した
（４ｇ／ｍ２ 乾燥重量）。得られた感光性写真フイル
ムについて前記の方法で寸法安定性を測定した。結果を
表２に示す。
表面にＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド Ｓｎを
５重量％添加）を前述の装置と同じ装置を用いて酸素ガ
ス導入しながら、加熱真空蒸着を行った（厚みは約５０
０オングストローム）。その時の酸素ガス分圧は２×１
０ー４ｔｏｒｒであった。更にＩＴＯを設けた反対面に
ＵＳＰ３６６１５８４の第２欄に記載されたエポキシシ
ラン化合物Ｎｏ４を６重量％含有する普通の感光性ハロ
ゲン化銀ゼラチン層をバーコーターを用いて塗工した
（４ｇ／ｍ２ 乾燥重量）。得られた感光性写真フイル
ムについて前記の方法で寸法安定性を測定した。結果を
表２に示す。
【００３０】比較例１０〜１８ 比較例１〜９ で得られた蒸着フィルムについて、片方の
蒸着表面にＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド Ｓ
ｎを５重量％添加）を前述の装置と同じ装置を用いて酸
素ガス導入しながら、加熱真空蒸着を行った（厚みは約
５００オングストローム）。その時の酸素ガス分圧は２
×１０ー４ｔｏｒｒであった。更にＩＴＯを設けた反対
面にＵＳＰ３６６１５８４の第２欄に記載されたエポキ
シシラン化合物Ｎｏ４を６重量％含有する普通の感光性
ハロゲン化銀ゼラチン層をバーコーターを用いて塗工し
た（４ｇ／ｍ２ 乾燥重量）。得られた感光性写真フイ
ルムについて前記の方法で寸法安定性を測定した。結果
を表２に示す。
蒸着表面にＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド Ｓ
ｎを５重量％添加）を前述の装置と同じ装置を用いて酸
素ガス導入しながら、加熱真空蒸着を行った（厚みは約
５００オングストローム）。その時の酸素ガス分圧は２
×１０ー４ｔｏｒｒであった。更にＩＴＯを設けた反対
面にＵＳＰ３６６１５８４の第２欄に記載されたエポキ
シシラン化合物Ｎｏ４を６重量％含有する普通の感光性
ハロゲン化銀ゼラチン層をバーコーターを用いて塗工し
た（４ｇ／ｍ２ 乾燥重量）。得られた感光性写真フイ
ルムについて前記の方法で寸法安定性を測定した。結果
を表２に示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】
【発明の効果】本発明の基材フィルム及び感光性写真材
料は、温度湿度，特に湿度に対して寸法安定性にすぐ
れ、又近紫外域での光線透過性に優れ、また導電層の付
与により静電気の発生を抑え、結果的に感光層の塗工時
や感光層の露光時も異物による問題を未然に防止した感
光性写真材料を得ることができる。
料は、温度湿度，特に湿度に対して寸法安定性にすぐ
れ、又近紫外域での光線透過性に優れ、また導電層の付
与により静電気の発生を抑え、結果的に感光層の塗工時
や感光層の露光時も異物による問題を未然に防止した感
光性写真材料を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｃ 1/91 Ｇ０３Ｃ 1/91 (56)参考文献 特開 平５−239622（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−262906（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B32B 1/00 - 35/00 C08J 7/06
Claims (7)
- 【請求項１】 プラスチックフィルム（Ａ）の片面また
は両面に、真空薄膜形成技術によって、けい素酸化物，
アルカリ土類金属のフッ化物、及びマグネシウム酸化物
からなる薄膜層（Ｂ）を形成してなる寸法安定性を有す
る基材フィルム。 - 【請求項２】 薄膜層（Ｂ）のアルカリ土類金属のフッ
化物がフッ化マグネシウム，フッ化カルシウム，フッ化
ストロンチウムおよびフッ化バリウムから選ばれる一種
または二種以上である請求項１に記載の基材フィルム。 - 【請求項３】 薄膜層（Ｂ）を構成するけい素酸化物，
アルカリ土類金属のフッ化物，マグネシウム酸化物の組
成比が、それぞれ９８〜８０モル％，２〜２０モル％，
０．５〜５０モル％である請求項１又は２に記載の基材
フィルム。 - 【請求項４】 プラスチックフィルム（Ａ）の両面に、
シロキサン単位および該シロキサン単位に化合したアル
カリ土類金属のフッ化物及びマグネシウム酸化物からな
る真空薄膜形成技術を使った薄膜層（Ｂ）を形成してな
る寸法安定性を有する基材フィルム。 - 【請求項５】 薄膜層（Ｂ）を構成するけい素酸化物，
アルカリ土類金属のフッ化物，マグネシウム酸化物の組
成比が、それぞれ９８〜８０モル％，２〜２０モル％，
０．５〜５０モル％である請求項４に記載の基材フィル
ム。 - 【請求項６】 請求項１ないし５いずれか１項に記載の
基材フィルムの片側または両側に感光層（Ｃ）を積層し
てなる感光性写真材料。 - 【請求項７】 請求項１ないし５いずれか１項に記載の
基材フィルムの片側または両側に感光層（Ｃ）を積層
し、さらに片側に導電層（Ｄ）を積層してなる感光性写
真材料。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6069675A JP2982854B2 (ja) | 1993-10-29 | 1994-04-07 | 寸法安定性を有する基材フィルム及びそれを用いた感光性写真材料 |
| EP94106413A EP0651287B1 (en) | 1993-10-29 | 1994-04-25 | Base film having dimensional stability and high transparency, and photographic light-sensitive material comprising same |
| DE69408263T DE69408263T2 (de) | 1993-10-29 | 1994-04-25 | Schichtträgerfilm mit Dimensionsstabilität und hoher Transparenz, und diesen enthaltend photographisches lichtempfindliches Material |
| US08/233,933 US5496690A (en) | 1993-10-29 | 1994-04-28 | Base film having dimensional stability and high transparency, and photographic light-sensitive material comprising same |
| US08/572,149 US5637445A (en) | 1992-10-29 | 1995-11-21 | Base film having dimensional stability and high transparency and photographic light-sensitive material comprising same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-271378 | 1992-10-29 | ||
| JP27137893 | 1993-10-29 | ||
| JP6069675A JP2982854B2 (ja) | 1993-10-29 | 1994-04-07 | 寸法安定性を有する基材フィルム及びそれを用いた感光性写真材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07175171A JPH07175171A (ja) | 1995-07-14 |
| JP2982854B2 true JP2982854B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=26410844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6069675A Expired - Lifetime JP2982854B2 (ja) | 1992-10-29 | 1994-04-07 | 寸法安定性を有する基材フィルム及びそれを用いた感光性写真材料 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5496690A (ja) |
| EP (1) | EP0651287B1 (ja) |
| JP (1) | JP2982854B2 (ja) |
| DE (1) | DE69408263T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5516458A (en) * | 1994-08-30 | 1996-05-14 | Eastman Kodak Company | Coating composition used to prepare an electrically-conductive layer formed by a glow discharge process containing tin carboxylate, antimony alkoxide and film-forming binder |
| US6080532A (en) * | 1998-09-17 | 2000-06-27 | Eastman Kodak Company | Clear duplitized display materials |
| JP2004219261A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜の解析方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE637245A (ja) * | 1962-09-13 | |||
| US3864132A (en) * | 1972-05-22 | 1975-02-04 | Eastman Kodak Co | Article having a hydrophilic colloid layer adhesively bonded to a hydrophobic polymer support |
| US3874879A (en) * | 1972-05-22 | 1975-04-01 | Eastman Kodak Co | Article with oxidation protected adhesive and anti-static layer |
| US4048357A (en) * | 1972-10-10 | 1977-09-13 | Agfa-Gevaert N.V. | Method of coating multi-layer graphic film |
| DE2308711C2 (de) * | 1973-02-22 | 1983-08-04 | Felix Schoeller jr. GmbH & Co KG, 4500 Osnabrück | Verfahren zur Herstellung eines polyolefinbeschichteten fotografischen Schriftträgers mit einer kristallinen Schicht |
| DE2519403A1 (de) * | 1974-04-30 | 1975-11-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Traegermaterial und dessen verwendung in einem photographischen aufzeichnungsmaterial |
| US4235048A (en) * | 1978-01-03 | 1980-11-25 | Ppg Industries, Inc. | Reversible window unit for alternately reflecting and absorbing solar energy |
| US4269916A (en) * | 1978-07-03 | 1981-05-26 | Polaroid Corporation | Photographic prints utilizing lamellar pigment materials |
| US4702963A (en) * | 1981-04-03 | 1987-10-27 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Flexible polymer film with vapor impermeable coating |
| US5204219A (en) * | 1987-07-30 | 1993-04-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photographic element with novel subbing layer |
| US5085904A (en) * | 1990-04-20 | 1992-02-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Barrier materials useful for packaging |
| DE69221709T2 (de) * | 1991-12-24 | 1998-02-26 | Agfa Gevaert Nv | Formbeständiges photographisches Element |
| JP2900691B2 (ja) * | 1992-02-28 | 1999-06-02 | 東洋インキ製造株式会社 | 蒸着フィルムおよびその透明化方法 |
-
1994
- 1994-04-07 JP JP6069675A patent/JP2982854B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-25 DE DE69408263T patent/DE69408263T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-04-25 EP EP94106413A patent/EP0651287B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-28 US US08/233,933 patent/US5496690A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-21 US US08/572,149 patent/US5637445A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0651287A1 (en) | 1995-05-03 |
| DE69408263D1 (de) | 1998-03-05 |
| DE69408263T2 (de) | 1998-08-20 |
| EP0651287B1 (en) | 1998-01-28 |
| JPH07175171A (ja) | 1995-07-14 |
| US5496690A (en) | 1996-03-05 |
| US5637445A (en) | 1997-06-10 |
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