JP2982432B2 - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents

半導体レーザ素子の製造方法

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JP2982432B2
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達雄 鎌田
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02218Material of the housings; Filling of the housings
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    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0282Passivation layers or treatments

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  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、透明な樹脂によって封
止された半導体レーザ素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】強エネルギーのレーザ光を発する半導体
発光素子としてレーザダイオードが知られている。レー
ザダイオードの半導体レーザ素体をエポキシ樹脂のよう
な硬質の透明樹脂で封止する場合、光エネルギーで透明
樹脂が損傷する場合がある。これを防止するために、一
般に耐光性の強いジャンクションコート材により発光部
を被覆することが行われている。図2はそのようなレー
ザダイオード素子を示し、例えば厚さ100 μm、長さ30
0 μmのレーザダイオードの半導体素体1は下面の電極
に接続される外部リード2の上に固着されている。上面
の電極11には内部リード3が接続される。そしてレーザ
素体1の主光軸4の側の前面を覆ってシリコーンゴムの
ようなジャンクションコート材5を塗布したのち、3〜
4mmの厚さの透明樹脂6により封止したものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図2のような
レーザダイオードでは、ジャンクションコート材5とレ
ーザ素体1および外部リード2の端部との界面7に発生
する内部応力により経時的に剥離が起こって空隙が生
じ、そのための界面に光の反射が生じ、それが光の伝達
効率を低下させ、発光光量の減少をもたらす。これを防
止するために、ジャンクションコート材の接着力を増大
する施策、例えばコート材料の改善、接着力を強めるプ
ライマの使用等が行われているが、十分な効果を得てい
ない。
【0004】本発明は、レーザ素体の前面を覆うコート
材の剥離が生ずることのない半導体レーザ素子の製造方
法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、半導体レーザ素体の少なくともレーザ
光出射面をジャンクションコート材で覆ったのち透明樹
脂で封止する半導体レーザ素子の製造方法において、ジ
ャンクションコート材に光硬化型樹脂を用い、その樹脂
を少なくとも光出射面に塗布後、主発光部上の領域のみ
に光を照射して硬化するものとする。そして光硬化型樹
脂として紫外線硬化型シリコーンゴムを用いること、ま
た封止用透明樹脂としてエポキシ樹脂を用いることが有
効である。
【0006】
【作用】光出射面に光硬化樹脂をジャンクションコート
材として塗布したのち、主発光部のみに光を照射すれ
ば、照射部分のみ硬化してレーザ素体端面に密着してい
るが、その他の部分ではジャンクションコート材は接着
されていない状態にあるので内部応力が発生せず、密着
した界面に生ずる内部応力も周囲に向かって緩和される
ため、界面においてジャンクションコート材の剥離が起
こることがない。
【0007】
【実施例】図1は本発明の一実施例の製造工程の一段階
を概念的に示し、図2と共通の部分には同一の符号が付
されている。この実施例では、外部リード2に固着した
レーザ素体1の光出射面である端面12のほか上面、側面
および外部リード2の端面をジャンクションコート材5
として紫外線硬化型シリコーンゴムを塗布したのち、光
出射面12の図に矢印で範囲を示した主発光部を含む領域
8にのみ紫外線9をレンズ10で集光して照射し、シリコ
ーンゴムを硬化させる。その結果、この区域8のみでジ
ャンクションコート材5がレーザ素体1の端面に密着
し、他の界面7では遊離状態にある。このあと、図2と
同様に透明エポキシ樹脂6を注型して封止するが、この
ようにして製造されたレーザ素子では、主発光部領域8
のみで密着しているジャンクションコート材の剥離が生
ずることがない。
【0008】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂封止の半導体レー
ザ素子における透明樹脂の光エネルギーによる損傷を防
ぐために、光出射面を覆うジャンクションコート材に光
硬化型樹脂を用い、主発光部のみに光を局部照射して硬
化させることにより、ジャンクションコート材の密着が
一部の区域に限定されるため、密着界面に生ずる内部応
力は周囲に向けて解放されるので、内部応力によって生
ずるジャンクションコート材の剥離が防止され、反射に
よる発光光量の減衰のないレーザ素子を得ることができ
た。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の製造工程の一段階を概念的
に示す断面図
【図2】従来の半導体レーザ素子の断面図
【符号の説明】
1 レーザ素体 12 光出射面 2 外部リード 5 ジャンクションコート材 6 透明樹脂 8 硬化領域 9 紫外線

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザ素体の少なくともレーザ光出
    射面をジャンクションコート材で覆ったのち透明樹脂で
    封止する半導体レーザ素子の製造方法において、ジャン
    クションコート材に光硬化型樹脂を用い、その樹脂を少
    なくとも光出射面に塗布後、主発光部上の領域のみに光
    を照射して硬化することを特徴とする半導体レーザ素子
    の製造方法。
  2. 【請求項2】光硬化型樹脂として紫外線硬化型シリコー
    ンゴムを用いる請求項1記載の半導体レーザ素子の製造
    方法。
  3. 【請求項3】透明樹脂としてエポキシ樹脂を用いる請求
    項1あるいは2記載の半導体レーザ素子の製造方法。
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