JP2982395B2 - 液晶パネル及びその製造法 - Google Patents
液晶パネル及びその製造法Info
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- crystal material
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶パネル及びその製
造法に関し、特に液晶パネルの真空注入工法に関する。
造法に関し、特に液晶パネルの真空注入工法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶パネルは、その大半に真空注
入工法が採用されている。
入工法が採用されている。
【０００３】真空注入回数が重なった液晶は、様々な要
因により汚染され、液晶材料の抵抗値が低下する。
因により汚染され、液晶材料の抵抗値が低下する。
【０００４】抵抗値が低下した液晶を真空注入工法によ
りパネル内に注入すると、クロマトグラフ効果により注
入口付近にイオン成分が吸着されその部分の電気光学的
なしきい値電圧が低い注入ムラとなって現れる。
りパネル内に注入すると、クロマトグラフ効果により注
入口付近にイオン成分が吸着されその部分の電気光学的
なしきい値電圧が低い注入ムラとなって現れる。
【０００５】液晶材料の抵抗値が低下すると、パネルに
注入した場合注入口付近では急激なしきい値電圧の低下
を伴う。
注入した場合注入口付近では急激なしきい値電圧の低下
を伴う。
【０００６】これは、注入口からの距離に応じたパネル
面内のしきい値電圧のムラとして表示品位を落とす。
面内のしきい値電圧のムラとして表示品位を落とす。
【０００７】このため従来、この注入ムラを避けるため
に、汚染された抵抗値が低下した液晶材料は捨ててい
た。
に、汚染された抵抗値が低下した液晶材料は捨ててい
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構成で、パネル製造コストに占める液晶材料の割合を考
えると、抵抗値が低下した液晶材料の再利用方法を検討
する必要がある。
構成で、パネル製造コストに占める液晶材料の割合を考
えると、抵抗値が低下した液晶材料の再利用方法を検討
する必要がある。
【０００９】本発明では、上記従来の問題点を解決する
もので、このしきい値電圧の低下を防ぐために液晶材料
中に増加したイオン成分を除去した液晶材料を使用した
液晶パネル及び製造法を提供することを目的とする。
もので、このしきい値電圧の低下を防ぐために液晶材料
中に増加したイオン成分を除去した液晶材料を使用した
液晶パネル及び製造法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の液晶パネル及びその製造法は、電界処理した
液晶材料を用いた構成を有している。また、補助的に、
イオン吸着性物質を添加する。
に本発明の液晶パネル及びその製造法は、電界処理した
液晶材料を用いた構成を有している。また、補助的に、
イオン吸着性物質を添加する。
【００１１】
【作用】液晶材料は、１０12Ωｃｍ以上程度の比抵抗を
有している。
有している。
【００１２】液晶材料中にイオン成分が増加した場合の
表示均一性を調べるため、比抵抗値を変えた液晶材料を
真空注入した液晶パネルを作製し、各液晶パネルを定温
環境下（２５℃）で、６０Ｈｚ、スタテック駆動を行
い、電気光学的なしきい値電圧を求め、また三角波電圧
（0.3Hz、±12V）を印加し、パネル電極間に流れるイオ
ン電流成分から、液晶材料の比抵抗値を求め、しきい値
−比抵抗値の関係を（図２）に示す。
表示均一性を調べるため、比抵抗値を変えた液晶材料を
真空注入した液晶パネルを作製し、各液晶パネルを定温
環境下（２５℃）で、６０Ｈｚ、スタテック駆動を行
い、電気光学的なしきい値電圧を求め、また三角波電圧
（0.3Hz、±12V）を印加し、パネル電極間に流れるイオ
ン電流成分から、液晶材料の比抵抗値を求め、しきい値
−比抵抗値の関係を（図２）に示す。
【００１３】（図２）から、比抵抗値３×１０11Ω（ｌ
ｏｇ：１１．４８）ｃｍ以下では、そのまま真空注入に
使用すると、クロマトグラフ効果により注入口付近にイ
オン成分が集中し、その部分のしきい値電圧の急激な低
下が起こる。
ｏｇ：１１．４８）ｃｍ以下では、そのまま真空注入に
使用すると、クロマトグラフ効果により注入口付近にイ
オン成分が集中し、その部分のしきい値電圧の急激な低
下が起こる。
【００１４】本発明の構成によって、真空注入する液晶
材料中に存在するイオン成分を減少させ、注入後の注入
口付近のしきい値電圧低下となるムラの発生を抑制する
ことができる。
材料中に存在するイオン成分を減少させ、注入後の注入
口付近のしきい値電圧低下となるムラの発生を抑制する
ことができる。
【００１５】注入する液晶材料の比抵抗値を６×１０11
Ωｃｍ以上まで高くすることにより、注入ムラの発生を
抑えることができる。
Ωｃｍ以上まで高くすることにより、注入ムラの発生を
抑えることができる。
【００１６】また、さらにイオン吸着性物質を液晶溜内
に添加することにより、注入ムラの抑制効果を更に上げ
ることができる。
に添加することにより、注入ムラの抑制効果を更に上げ
ることができる。
【００１７】また、パネル内の液晶材料の抵抗値が低下
すると、液晶分子配向方向の導電率が大きくなる。
すると、液晶分子配向方向の導電率が大きくなる。
【００１８】
【実施例】以下に、具体例について詳細に述べる。
【００１９】（実施例１） 液晶溜内に電界印加用電極を設置した状態を（図１）に
示す。
示す。
【００２０】イオン成分（セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、東京化成工業株式会社製）を添加して、
抵抗値を２×１０11Ωｃｍまで低下させた液晶材料（ZL
I-2293、メルク社製）を用いて、液晶材料中に電界をか
けたことによる液晶材料中のイオン成分の除去効果を調
べた。
ムクロライド、東京化成工業株式会社製）を添加して、
抵抗値を２×１０11Ωｃｍまで低下させた液晶材料（ZL
I-2293、メルク社製）を用いて、液晶材料中に電界をか
けたことによる液晶材料中のイオン成分の除去効果を調
べた。
【００２１】まず、抵抗値を低下させた液晶材料を電極
をパターンニングした２枚のガラス基板間に、ギャップ
厚補償用のスペーサーを混入させたシール樹脂を配した
空パネルに注入すると、注入口のしきい値電圧の低い注
入ムラが発生した。
をパターンニングした２枚のガラス基板間に、ギャップ
厚補償用のスペーサーを混入させたシール樹脂を配した
空パネルに注入すると、注入口のしきい値電圧の低い注
入ムラが発生した。
【００２２】次に、液晶溜３内に、０．５ｍｍ間隔に保
持した数枚からなる金属電極１を設置した。
持した数枚からなる金属電極１を設置した。
【００２３】矩形波発生器２から周波数６４Ｈｚ、電圧
±１００Ｖの矩形波電圧を金属電極１に印加し、電界を
発生させた。
±１００Ｖの矩形波電圧を金属電極１に印加し、電界を
発生させた。
【００２４】金属電極間に抵抗値を２×１０11Ωｃｍに
低下させた液晶材料４を通した。
低下させた液晶材料４を通した。
【００２５】３０分後、イオン成分が金属電極間に捕ら
えられた後、液晶材料４を取り出し抵抗値を測定した。
えられた後、液晶材料４を取り出し抵抗値を測定した。
【００２６】液晶材料４の抵抗値は、６×１０11Ωｃｍ
以上まで高くなり、本発明のイオン除去効果は、十分に
働いていることが証明された。
以上まで高くなり、本発明のイオン除去効果は、十分に
働いていることが証明された。
【００２７】さらに、その液晶材料４をパネル５に注入
し、注入ムラの発生がないことを確認した。
し、注入ムラの発生がないことを確認した。
【００２８】（実施例２） また、実施例１の金属電極のイオン成分除去効果に加
え、イオン吸着性物質（ＳｉＯ 2 、Size 0.21mm以下、
オプトロン社製）を液晶材料中に５０ｗｔ％添加する
と、更にイオン成分除去効果があり、液晶材料の抵抗値
は、１０12Ωｃｍ以上となり大きな効果があった。
え、イオン吸着性物質（ＳｉＯ 2 、Size 0.21mm以下、
オプトロン社製）を液晶材料中に５０ｗｔ％添加する
と、更にイオン成分除去効果があり、液晶材料の抵抗値
は、１０12Ωｃｍ以上となり大きな効果があった。
【００２９】本発明においては、液晶材料中の不純物イ
オン成分量を低下させるために、極性反転する矩形波電
圧を電極間に印加する。この電極間に発生する電界によ
り、不純物イオン成分は電極間に捕捉され、不純物イオ
ン成分量が低下した液晶材料が液晶パネル中に注入され
ることになる。
オン成分量を低下させるために、極性反転する矩形波電
圧を電極間に印加する。この電極間に発生する電界によ
り、不純物イオン成分は電極間に捕捉され、不純物イオ
ン成分量が低下した液晶材料が液晶パネル中に注入され
ることになる。
【００３０】なお、実施例においては、真空注入工法に
おける液晶材料中のイオン成分の除去について述べた
が、本発明は他に液晶皿の汚れや液晶材料を放置した場
合等における汚染物質の混入に対しても適用できること
は言うまでもない。
おける液晶材料中のイオン成分の除去について述べた
が、本発明は他に液晶皿の汚れや液晶材料を放置した場
合等における汚染物質の混入に対しても適用できること
は言うまでもない。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明は、液晶溜内に設置
した複数枚の電極間に極性反転した矩形波電圧を印加す
ることにより発生した電界により処理した液晶材料を用
いて液晶パネルを作製することにより、注入ムラの発生
の無い優れた液晶パネルを実現できるものである。
した複数枚の電極間に極性反転した矩形波電圧を印加す
ることにより発生した電界により処理した液晶材料を用
いて液晶パネルを作製することにより、注入ムラの発生
の無い優れた液晶パネルを実現できるものである。
【図１】本発明の液晶溜内に電界印加用電極を設置した
状態の模式図
状態の模式図
【図２】しきい値電圧と比抵抗値の関係を表した図
【符号の説明】 １ 金属電極 ２ 矩形波発生器 ３ 液晶溜 ４ 液晶材料 ５ パネル
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1341 C09K 19/00 G02F 1/13 101 G02F 1/13 500
Claims (5)
- 【請求項１】 液晶溜内に設置した複数枚の電極間に極
性反転した矩形波電圧を印加することにより発生した電
界により処理した液晶材料を用いたことを特徴とする液
晶パネル。 - 【請求項２】 真空注入工法を使用したことを特徴とす
る請求項１記載の液晶パネル。 - 【請求項３】 イオン吸着性物質を液晶材料に添加した
ことを特徴とする請求項１または２記載の液晶パネル。 - 【請求項４】 イオン吸着性物質としてシリカを用いた
ことを特徴とする請求項３記載の液晶パネル。 - 【請求項５】 液晶溜内に複数枚の電極を設置し、前記
電極間に極性反転した矩形波電圧を印加することにより
発生する電界により液晶材料を処理する工程を含むこと
を特徴とする液晶パネルの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173612A JP2982395B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 液晶パネル及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173612A JP2982395B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 液晶パネル及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0519271A JPH0519271A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2982395B2 true JP2982395B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=15963841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3173612A Expired - Fee Related JP2982395B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 液晶パネル及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2982395B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101100992B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2011-12-29 | 치메이 이노럭스 코포레이션 | 액정층으로부터 이온을 제거하는 방법 및 액정 디스플레이디바이스 |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3173612A patent/JP2982395B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519271A (ja) | 1993-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |