JP2980462B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2980462B2 JP2980462B2 JP4254282A JP25428292A JP2980462B2 JP 2980462 B2 JP2980462 B2 JP 2980462B2 JP 4254282 A JP4254282 A JP 4254282A JP 25428292 A JP25428292 A JP 25428292A JP 2980462 B2 JP2980462 B2 JP 2980462B2
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- Japan
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば書き込みが１回
のみ可能な、いわゆるライトワンス型の光ディスク等の
光記録媒体に関する。
のみ可能な、いわゆるライトワンス型の光ディスク等の
光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、上記のようなライトワンス型
光ディスク等の光記録媒体としては、例えば図１に示す
ような構造のものが知られている。図１において、１は
透光性を有するドーナツ板状の基板である。この基板１
の上には有機系色素等からなる光吸収層２が形成されて
いる。光吸収層２は、基板１を透過して照射されたレー
ザ光を吸収して発熱し、溶融，蒸発，昇華，変形または
変性し、該光吸収層２や基板１の表面にピットを形成す
る作用を有する層である。この光吸収層２の上には、
金，銀，銅等の反射層３が形成されている。反射層３の
厚さは、通常５００〜２０００Å程度である。さらに、
この反射層３の上には、反射層３等を保護するための保
護層４が形成されている。
光ディスク等の光記録媒体としては、例えば図１に示す
ような構造のものが知られている。図１において、１は
透光性を有するドーナツ板状の基板である。この基板１
の上には有機系色素等からなる光吸収層２が形成されて
いる。光吸収層２は、基板１を透過して照射されたレー
ザ光を吸収して発熱し、溶融，蒸発，昇華，変形または
変性し、該光吸収層２や基板１の表面にピットを形成す
る作用を有する層である。この光吸収層２の上には、
金，銀，銅等の反射層３が形成されている。反射層３の
厚さは、通常５００〜２０００Å程度である。さらに、
この反射層３の上には、反射層３等を保護するための保
護層４が形成されている。
【０００３】このような構成の光ディスクには、その反
射層３の反射率が６５％以上であることが実用上要求さ
れている。
射層３の反射率が６５％以上であることが実用上要求さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、実用
に適した反射率を示す反射層を有する光記録媒体を提供
することにある。
に適した反射率を示す反射層を有する光記録媒体を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光記録媒体は、透光性を有する基板上に少
なくとも光吸収層および金属からなる反射層がＡｕ、Ａ
ｇ、およびＣｕからなる群から選択される金属で構成さ
れ、かつ前記反射層の密度Ｒと前記反射層を構成する前
記金属の最密充填構造の密度Ｒ0との比Ｒ／Ｒ0の値は、
０．７８５≦Ｒ／Ｒ0≦０．９５５の範囲にあることを
特徴とする。
に、本発明の光記録媒体は、透光性を有する基板上に少
なくとも光吸収層および金属からなる反射層がＡｕ、Ａ
ｇ、およびＣｕからなる群から選択される金属で構成さ
れ、かつ前記反射層の密度Ｒと前記反射層を構成する前
記金属の最密充填構造の密度Ｒ0との比Ｒ／Ｒ0の値は、
０．７８５≦Ｒ／Ｒ0≦０．９５５の範囲にあることを
特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明においては、反射層の密度Ｒとこの反射
層を構成する金属の最密充填構造の密度Ｒ0 との比（Ｒ
／Ｒ0 ）が特定範囲内にあるので、透光性の基板を通過
したレーザ光を確実にかつ効率よく反射することができ
る。
層を構成する金属の最密充填構造の密度Ｒ0 との比（Ｒ
／Ｒ0 ）が特定範囲内にあるので、透光性の基板を通過
したレーザ光を確実にかつ効率よく反射することができ
る。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【０００８】本発明に係る光記録媒体は、図１に示した
光記録媒体と基本的に同一構造を有している。
光記録媒体と基本的に同一構造を有している。
【０００９】本実施例では、透光性を有するドーナツ状
の基板１の材料としてポリカーボネート樹脂，アクリル
樹脂，エポキシ樹脂，非晶性ポリオレフィンなどが使用
可能である。基板１上に形成された光吸収層２を形成す
る材料としては、シアニン，メロシアニン，フタロシア
ニン等のシアニン系色素、およびアゾ金属キレートなど
が使用可能である。具体的には、インドジカーボシアニ
ン、１，１′−ジブチル−３，３，３′，３′−テトラ
メチル−４，５，４′，５′−ジベンゾインドジカーボ
シアニンパークロレート、１，１′−ジブチル−３，
３，３′，３′−テトラメチル−５，５′−ジエトキシ
インドジカーボシアニンアイオダイド、１，１′−ジブ
チル−３，３，３′，３′−テトラメチル−５，６，
５′，６′−テトラメトキシインドジカーボシアニンパ
ークロレート、１，１′−ジブチル−３，３，３′，
３′−テトラメチル−５，７，５′，７′−テトラメト
キシインドジカーボシアニンパークロレート、１，１′
−ジエチル−３，３，３′，３′−テトラメチルインド
トリカーボシアニンパークロレート等のシアニン系色お
よび特開平４−４６１８６号公報に開示されているアゾ
金属キレートなどを挙げることができる。
の基板１の材料としてポリカーボネート樹脂，アクリル
樹脂，エポキシ樹脂，非晶性ポリオレフィンなどが使用
可能である。基板１上に形成された光吸収層２を形成す
る材料としては、シアニン，メロシアニン，フタロシア
ニン等のシアニン系色素、およびアゾ金属キレートなど
が使用可能である。具体的には、インドジカーボシアニ
ン、１，１′−ジブチル−３，３，３′，３′−テトラ
メチル−４，５，４′，５′−ジベンゾインドジカーボ
シアニンパークロレート、１，１′−ジブチル−３，
３，３′，３′−テトラメチル−５，５′−ジエトキシ
インドジカーボシアニンアイオダイド、１，１′−ジブ
チル−３，３，３′，３′−テトラメチル−５，６，
５′，６′−テトラメトキシインドジカーボシアニンパ
ークロレート、１，１′−ジブチル−３，３，３′，
３′−テトラメチル−５，７，５′，７′−テトラメト
キシインドジカーボシアニンパークロレート、１，１′
−ジエチル−３，３，３′，３′−テトラメチルインド
トリカーボシアニンパークロレート等のシアニン系色お
よび特開平４−４６１８６号公報に開示されているアゾ
金属キレートなどを挙げることができる。
【００１０】光吸収層２上に形成された反射層３を形成
する材料としては、例えば金，銀，銅などが使用可能で
ある。この反射層３は、その密度Ｒと反射層３を構成す
る金属の最密充填構造の密度Ｒ0 との比、すなわちＲ／
Ｒ0 が式０．７８５≦Ｒ／Ｒ0 ≦０．９５５を満たすよ
うに形成されている。密度比Ｒ／Ｒ0 が０．７８５より
小さいと、反射に寄与する金属粒子の数が少なくなり、
保護層４の形成に用いられる保護コート液が浸透してし
まうため、光記録媒体として製品化できない不都合があ
る。また、密度比Ｒ／Ｒ0 が０．９５５より大きいと、
反射層３と光吸収層２との界面の荒れが大きくなり、反
射率の低下を招き、実用に適した６５％以上の反射率を
達成できず、やはり光記録媒体として製品化できない不
都合がある。
する材料としては、例えば金，銀，銅などが使用可能で
ある。この反射層３は、その密度Ｒと反射層３を構成す
る金属の最密充填構造の密度Ｒ0 との比、すなわちＲ／
Ｒ0 が式０．７８５≦Ｒ／Ｒ0 ≦０．９５５を満たすよ
うに形成されている。密度比Ｒ／Ｒ0 が０．７８５より
小さいと、反射に寄与する金属粒子の数が少なくなり、
保護層４の形成に用いられる保護コート液が浸透してし
まうため、光記録媒体として製品化できない不都合があ
る。また、密度比Ｒ／Ｒ0 が０．９５５より大きいと、
反射層３と光吸収層２との界面の荒れが大きくなり、反
射率の低下を招き、実用に適した６５％以上の反射率を
達成できず、やはり光記録媒体として製品化できない不
都合がある。
【００１１】このような反射層３上に形成された保護層
４を形成する材料としては、例えばエポキシ樹脂，アク
リル樹脂，シリコーン系ハードコード樹脂などが使用可
能である。
４を形成する材料としては、例えばエポキシ樹脂，アク
リル樹脂，シリコーン系ハードコード樹脂などが使用可
能である。
【００１２】（実施例１）幅０．７μｍ、深さ０．０７
μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイラル状のブリグループ
が形成された厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍφ、内径
１５ｍｍφのポリカーボネート基板１を射出成形法によ
り成形した。
μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイラル状のブリグループ
が形成された厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍφ、内径
１５ｍｍφのポリカーボネート基板１を射出成形法によ
り成形した。
【００１３】光吸収層を形成するための有機色素とし
て、下記一般式（１）に示すビスアゾ化合物のニッケル
キレート化合物０．１５ｇをオクタフルオロペンタノー
ル５ｇに溶解し、フィルターでろ過した溶液５ｍｌを、
て、下記一般式（１）に示すビスアゾ化合物のニッケル
キレート化合物０．１５ｇをオクタフルオロペンタノー
ル５ｇに溶解し、フィルターでろ過した溶液５ｍｌを、
【００１４】
【化１】
【００１５】上記の基板１の上にスピンコート法により
塗布し、色素膜からなる光吸収層２を形成した。
塗布し、色素膜からなる光吸収層２を形成した。
【００１６】このディスクの全面にスパッタリング法に
より、膜厚２０００オングストロームのＡｕ膜（最密充
填構造での密度Ｒ0 ：１９．３２ｇ／ｃｍ3 ）を成膜
し、反射層３を形成した。スパッタリングでは、不活性
ガスとしてＡｒガスを用い、表１に示すように５０ｍＴ
ｏｒｒのスパッタ圧力に設定した。反射層３の密度比Ｒ
／Ｒ0 は０．７９８であった。
より、膜厚２０００オングストロームのＡｕ膜（最密充
填構造での密度Ｒ0 ：１９．３２ｇ／ｃｍ3 ）を成膜
し、反射層３を形成した。スパッタリングでは、不活性
ガスとしてＡｒガスを用い、表１に示すように５０ｍＴ
ｏｒｒのスパッタ圧力に設定した。反射層３の密度比Ｒ
／Ｒ0 は０．７９８であった。
【００１７】さらに、この反射層３の上に紫外線硬化性
樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚み１０μｍの保護層４を形成した。
樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚み１０μｍの保護層４を形成した。
【００１８】こうして得られた光ディスクに、波長７８
０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録パ
ワー６．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。そし
て、この光ディスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅ
ｘ ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８０ｎｍ）で再
生した。この光ディスクの反射率は表１に示すように６
７．４％であった。表１に、形成した反射膜の密度Ｒと
密度比Ｒ／Ｒ0 を示す。密度Ｒは、次のようにして測定
した。まず、反射膜の単位スポット当りの金重量を蛍光
Ｘ線装置により測定した。次いで、反射膜の膜厚を触針
式膜厚測定機により測定して、単位スポットの体積を得
た。単位スポット当りの金重量を単位スポットの体積で
割って密度Ｒを求めた。
０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録パ
ワー６．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。そし
て、この光ディスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅ
ｘ ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８０ｎｍ）で再
生した。この光ディスクの反射率は表１に示すように６
７．４％であった。表１に、形成した反射膜の密度Ｒと
密度比Ｒ／Ｒ0 を示す。密度Ｒは、次のようにして測定
した。まず、反射膜の単位スポット当りの金重量を蛍光
Ｘ線装置により測定した。次いで、反射膜の膜厚を触針
式膜厚測定機により測定して、単位スポットの体積を得
た。単位スポット当りの金重量を単位スポットの体積で
割って密度Ｒを求めた。
【００１９】（実施例２〜８）スパッタ圧力を４０〜５
ｍＴｏｒｒとした以外は実施例１と同様にして光ディス
クを作製した。反射層の密度Ｒ，密度比Ｒ／Ｒ0 および
反射率の結果をそれぞれ表１に示す。
ｍＴｏｒｒとした以外は実施例１と同様にして光ディス
クを作製した。反射層の密度Ｒ，密度比Ｒ／Ｒ0 および
反射率の結果をそれぞれ表１に示す。
【００２０】（比較例１，２）スパッタ圧力を６０ｍＴ
ｏｒｒ，３ｍＴｏｒｒとした以外は実施例１と同様にし
て光ディスクを作製した。反射層の密度Ｒ，密度比Ｒ／
Ｒ0 および反射率の結果をそれぞれ表１に示す。
ｏｒｒ，３ｍＴｏｒｒとした以外は実施例１と同様にし
て光ディスクを作製した。反射層の密度Ｒ，密度比Ｒ／
Ｒ0 および反射率の結果をそれぞれ表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】（実施例９〜１４）反射層をＡｇ膜（最密
充填構造の密度Ｒ0 ：１０．５ｇ／ｃｍ3 ）に代え、ス
パッタ圧力を２５〜３ｍＴｏｒｒとした以外は実施例１
と同様にして光ディスクを作製した。反射層の密度Ｒ，
密度比Ｒ／Ｒ0 および反射率の結果をそれぞれ表２に示
す。
充填構造の密度Ｒ0 ：１０．５ｇ／ｃｍ3 ）に代え、ス
パッタ圧力を２５〜３ｍＴｏｒｒとした以外は実施例１
と同様にして光ディスクを作製した。反射層の密度Ｒ，
密度比Ｒ／Ｒ0 および反射率の結果をそれぞれ表２に示
す。
【００２３】（比較例３，４）反射層をＡｇ膜（最密充
填構造の密度Ｒ0 ：１０．５ｇ／ｃｍ3 ）に代え、スパ
ッタ圧力を３０ｍＴｏｒｒ，１ｍＴｏｒｒとした以外は
実施例１と同様にして光ディスクを作製した。反射層の
密度Ｒ，密度比Ｒ／Ｒ0 および反射率の結果をそれぞれ
表２に示す。
填構造の密度Ｒ0 ：１０．５ｇ／ｃｍ3 ）に代え、スパ
ッタ圧力を３０ｍＴｏｒｒ，１ｍＴｏｒｒとした以外は
実施例１と同様にして光ディスクを作製した。反射層の
密度Ｒ，密度比Ｒ／Ｒ0 および反射率の結果をそれぞれ
表２に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】（実施例１５〜１８）反射層をＣｕ膜（最
密充填構造の密度Ｒ0 ：８．９６ｇ／ｃｍ3 ）に代え、
スパッタ圧力を１３〜２ｍＴｏｒｒとした以外は実施例
と同様にして光ディスクを作製した。反射層の密度Ｒ，
密度比Ｒ／Ｒ0 および反射率の結果をそれぞれ表３に示
す。
密充填構造の密度Ｒ0 ：８．９６ｇ／ｃｍ3 ）に代え、
スパッタ圧力を１３〜２ｍＴｏｒｒとした以外は実施例
と同様にして光ディスクを作製した。反射層の密度Ｒ，
密度比Ｒ／Ｒ0 および反射率の結果をそれぞれ表３に示
す。
【００２６】（比較例５，６）反射層をＣｕ膜（最密充
填構造の密度Ｒ0 ：８．９６ｇ／ｃｍ3 ）に代え、スパ
ッタ圧力を１５ｍＴｏｒｒ，１ｍＴｏｒｒとした以外は
実施例と同様にして光ディスクを作製した。反射層の密
度Ｒ，密度比Ｒ／Ｒ0 および反射率の結果をそれぞれ表
３に示す。
填構造の密度Ｒ0 ：８．９６ｇ／ｃｍ3 ）に代え、スパ
ッタ圧力を１５ｍＴｏｒｒ，１ｍＴｏｒｒとした以外は
実施例と同様にして光ディスクを作製した。反射層の密
度Ｒ，密度比Ｒ／Ｒ0 および反射率の結果をそれぞれ表
３に示す。
【００２７】
【表３】
【００２８】上記実施例１〜１８では、スパッタに用い
られる不活性ガスとしてＡｒガスを単独で用いたが、Ｎ
ｅ，Ｋｒ，Ｘｅ等の他の不活性ガスを単独で、あるいは
Ａｒガスを含めて不活性ガスを２種以上混合して用いる
ことも可能である。
られる不活性ガスとしてＡｒガスを単独で用いたが、Ｎ
ｅ，Ｋｒ，Ｘｅ等の他の不活性ガスを単独で、あるいは
Ａｒガスを含めて不活性ガスを２種以上混合して用いる
ことも可能である。
【００２９】なお、Ａｒと比べ、Ｋｒ，Ｘｅ等の原子量
の大きな不活性ガスでスパッタした場合には、Ａｒのス
パッタ圧力と比較して、好適条件が低圧力側へシフト
し、Ｎｅ等の原子量の小さな不活性ガスでスパッタした
場合には、Ａｒのスパッタ圧力と比較して、好適条件が
高圧力側へシフトする。これは、原子量のより大きい不
活性ガスでスパッタされた金属粒子の運動エネルギーは
より大きくなるためであり、平均自由行程を小さくする
必要（すなわち、色素表面へのダメージを少なくするた
め）から動作圧力を高めにとる必要があると考えられ
る。
の大きな不活性ガスでスパッタした場合には、Ａｒのス
パッタ圧力と比較して、好適条件が低圧力側へシフト
し、Ｎｅ等の原子量の小さな不活性ガスでスパッタした
場合には、Ａｒのスパッタ圧力と比較して、好適条件が
高圧力側へシフトする。これは、原子量のより大きい不
活性ガスでスパッタされた金属粒子の運動エネルギーは
より大きくなるためであり、平均自由行程を小さくする
必要（すなわち、色素表面へのダメージを少なくするた
め）から動作圧力を高めにとる必要があると考えられ
る。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特定密度の金属材料からなる反射層を有しているので、
実用に適した反射率を達成することができる。従って、
本発明に係る光記録媒体は、光記録情報を確実に書き込
みできるライトワンス型の光ディスク等として使用可能
である。
特定密度の金属材料からなる反射層を有しているので、
実用に適した反射率を達成することができる。従って、
本発明に係る光記録媒体は、光記録情報を確実に書き込
みできるライトワンス型の光ディスク等として使用可能
である。
【図１】光記録媒体の構造の一例を示す一部を切欠いた
概略斜視図である。
概略斜視図である。
１ 基板 ２ 光吸収層 ３ 反射層 ４ 保護層
Claims (1)
- 【請求項１】 透光性を有する基板上に少なくとも光吸
収層および金属からなる反射層がＡｕ、Ａｇ、およびＣ
ｕからなる群から選択される金属で構成され、かつ前記
反射層の密度Ｒと前記反射層を構成する前記金属の最密
充填構造の密度Ｒ0との比Ｒ／Ｒ0の値は、 ０．７８５≦Ｒ／Ｒ0≦０．９５５の範囲にあることを
特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254282A JP2980462B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254282A JP2980462B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103607A JPH06103607A (ja) | 1994-04-15 |
| JP2980462B2 true JP2980462B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=17262806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4254282A Expired - Lifetime JP2980462B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2980462B2 (ja) |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP4254282A patent/JP2980462B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103607A (ja) | 1994-04-15 |
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