JP2979996B2 - 表示装置 - Google Patents
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像等を表示するため
の蛍光体と、この蛍光体を励起する電子源を収納する表
示用外囲器内に、対向するアノード基板とカソード基板
との間隔を所定間隔に保持するための支柱を備える表示
装置に関するものであり、特に電界放出カソードを備え
る表示装置に適用して好適なものである。
の蛍光体と、この蛍光体を励起する電子源を収納する表
示用外囲器内に、対向するアノード基板とカソード基板
との間隔を所定間隔に保持するための支柱を備える表示
装置に関するものであり、特に電界放出カソードを備え
る表示装置に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】金属または半導体表面の印加電界を１０
9 ［Ｖ／ｍ］程度にするとトンネル効果により、電子が
障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われる。
この現象は電界放出（Field Emission）といわれており
古くから知られた現象であるが、このような原理を利用
して電子を放出するカソードを電界放出カソード（Fiel
d Emission Cathode）と呼んでいる。近年、半導体微細
加工技術を駆使して、ミクロンサイズの前記電界放出カ
ソードの作成が可能となり、この電界放出カソードを基
板上に多数形成することにより、面放出型の電界放出ア
レイを作成することが可能となっている。このような電
界放出アレイは、表示装置、ＣＲＴ、電子顕微鏡や電子
ビーム装置の電子源として適用することが提案されてい
る。
9 ［Ｖ／ｍ］程度にするとトンネル効果により、電子が
障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われる。
この現象は電界放出（Field Emission）といわれており
古くから知られた現象であるが、このような原理を利用
して電子を放出するカソードを電界放出カソード（Fiel
d Emission Cathode）と呼んでいる。近年、半導体微細
加工技術を駆使して、ミクロンサイズの前記電界放出カ
ソードの作成が可能となり、この電界放出カソードを基
板上に多数形成することにより、面放出型の電界放出ア
レイを作成することが可能となっている。このような電
界放出アレイは、表示装置、ＣＲＴ、電子顕微鏡や電子
ビーム装置の電子源として適用することが提案されてい
る。
【０００３】図１７に、適用例の一例としての表示装置
の構造を断面図により示す。この表示装置（以下、ＦＥ
Ｄと記す）は、電界放出アレイ１０（ＦＥＣ）が形成さ
れたカソード基板１と、アノード基板４とが、所定間隔
をもって対向配置されて内部を高真空に保持する容器を
形成している。このカソード基板１に形成された電界放
出アレイ１０は、スパッタ等により形成されたカソード
導体２と、その上に複数形成された円錐状のエミッタコ
ーン９と、このエミッタコーン９の先端近傍に形成され
たゲート導体８とから構成されるスピント（Spindt）型
の電界放出アレイ１０とされている。さらに、アノード
基板４の内側には、アノード導体６−１と、その上に蛍
光体層６−２が積層されて発光部５が形成されている。
の構造を断面図により示す。この表示装置（以下、ＦＥ
Ｄと記す）は、電界放出アレイ１０（ＦＥＣ）が形成さ
れたカソード基板１と、アノード基板４とが、所定間隔
をもって対向配置されて内部を高真空に保持する容器を
形成している。このカソード基板１に形成された電界放
出アレイ１０は、スパッタ等により形成されたカソード
導体２と、その上に複数形成された円錐状のエミッタコ
ーン９と、このエミッタコーン９の先端近傍に形成され
たゲート導体８とから構成されるスピント（Spindt）型
の電界放出アレイ１０とされている。さらに、アノード
基板４の内側には、アノード導体６−１と、その上に蛍
光体層６−２が積層されて発光部５が形成されている。
【０００４】このエミッタコーン９間のピッチは１０ミ
クロン以下の寸法で作成することが出来、このようなエ
ミッタコーン９を数万ないし数１０万個、１枚のカソー
ド基板１上に設けるようにしている。なお、この電界放
出アレイにおいては、ゲート・カソード間の距離をサブ
ミクロンとすることが出来るため、ゲート・カソード間
に僅か数１０ボルトの電圧ＶGEを印加することによりエ
ミッタコーン９から電子を放出することが出来る。
クロン以下の寸法で作成することが出来、このようなエ
ミッタコーン９を数万ないし数１０万個、１枚のカソー
ド基板１上に設けるようにしている。なお、この電界放
出アレイにおいては、ゲート・カソード間の距離をサブ
ミクロンとすることが出来るため、ゲート・カソード間
に僅か数１０ボルトの電圧ＶGEを印加することによりエ
ミッタコーン９から電子を放出することが出来る。
【０００５】ところで、アノード導体６−１にはゲート
導体８に対し正電圧ＶA が印加されているため、エミッ
タコーン９から放出された電子は、図示する破線の軌道
で加速されてアノード導体６−１に捕捉されるようにな
る。この時、捕捉される電子がアノード導体６−１上に
積層されている蛍光体層６−２に衝突してこれを励起す
るため、蛍光体層６−２が発光するようになる。この発
光は透明のアノード基板４を介して観察することができ
る。
導体８に対し正電圧ＶA が印加されているため、エミッ
タコーン９から放出された電子は、図示する破線の軌道
で加速されてアノード導体６−１に捕捉されるようにな
る。この時、捕捉される電子がアノード導体６−１上に
積層されている蛍光体層６−２に衝突してこれを励起す
るため、蛍光体層６−２が発光するようになる。この発
光は透明のアノード基板４を介して観察することができ
る。
【０００６】また、アノード基板４とカソード基板１と
の間隔が数１００ミクロンとなるよう、周縁部に側面
板、あるいはガラスビーズやガラスファイバを挟持する
ようにしているが、その内部が高真空に引かれているた
めに、アノード基板４とカソード基板１とで構成される
容器が大気圧により押圧されて間隔が狭まるよう撓むよ
うになる。そこで、これを防止するため、アノード基板
４とカソード基板１との間にスペーサとして、支柱３を
所定間隔で複数配設するようにして、容器全体にわたり
所定の間隔が保持されるようにしている。なお、この支
柱３は、例えばガラスなどにより形成され、シールガラ
スによりアノード基板４及びカソード基板１の内壁側に
溶着されて固定される。
の間隔が数１００ミクロンとなるよう、周縁部に側面
板、あるいはガラスビーズやガラスファイバを挟持する
ようにしているが、その内部が高真空に引かれているた
めに、アノード基板４とカソード基板１とで構成される
容器が大気圧により押圧されて間隔が狭まるよう撓むよ
うになる。そこで、これを防止するため、アノード基板
４とカソード基板１との間にスペーサとして、支柱３を
所定間隔で複数配設するようにして、容器全体にわたり
所定の間隔が保持されるようにしている。なお、この支
柱３は、例えばガラスなどにより形成され、シールガラ
スによりアノード基板４及びカソード基板１の内壁側に
溶着されて固定される。
【０００７】図１８に、このような支柱３の配設例を示
す。図１８（ａ）は支柱３の配設状態を平面より概念的
に示す図とされ、図１８（ｂ）はその配設状態を側面よ
り示す図とされる。なお、図１８（ｂ）においては便宜
上、支柱３とアノード基板４及びカソード基板１のみを
示し、ＦＥＣ１０を初めとする内部の構成部分について
は図示を省略している。支柱３の配設パターンとして
は、これら図１８（ａ）（ｂ）より分かるように平面的
に連続して形成される正方形の頂点に支柱３が位置する
ような格子状に配置される。即ち、縦及び横方向にそれ
ぞれ幅Ｗ11の等間隔のピッチが得られるように支柱３が
配置されるものである。なお、この幅Ｗ11は、実際には
例えば約２ｍｍ程度とされ、実際には図１７に示したＦ
ＥＣ１０が形成されていない位置に設けられる。また、
図１８（ａ）の斜線部Ｍ2 については後述する。
す。図１８（ａ）は支柱３の配設状態を平面より概念的
に示す図とされ、図１８（ｂ）はその配設状態を側面よ
り示す図とされる。なお、図１８（ｂ）においては便宜
上、支柱３とアノード基板４及びカソード基板１のみを
示し、ＦＥＣ１０を初めとする内部の構成部分について
は図示を省略している。支柱３の配設パターンとして
は、これら図１８（ａ）（ｂ）より分かるように平面的
に連続して形成される正方形の頂点に支柱３が位置する
ような格子状に配置される。即ち、縦及び横方向にそれ
ぞれ幅Ｗ11の等間隔のピッチが得られるように支柱３が
配置されるものである。なお、この幅Ｗ11は、実際には
例えば約２ｍｍ程度とされ、実際には図１７に示したＦ
ＥＣ１０が形成されていない位置に設けられる。また、
図１８（ａ）の斜線部Ｍ2 については後述する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＦＥＤのよ
うな表示装置においては、高性能を得るために、支柱３
が存在するアノード基板４とカソード基板１間の空間は
高真空度が要求される。そして、例えばアノード基板４
とカソード基板１間を真空化する処理時の排気効率をよ
り高めるためにも、その支持強度が保たれる範囲内で支
柱３の配設本数はできるかぎり少ないことが好ましい。
うな表示装置においては、高性能を得るために、支柱３
が存在するアノード基板４とカソード基板１間の空間は
高真空度が要求される。そして、例えばアノード基板４
とカソード基板１間を真空化する処理時の排気効率をよ
り高めるためにも、その支持強度が保たれる範囲内で支
柱３の配設本数はできるかぎり少ないことが好ましい。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の表示装
置は、上記した問題点を解決するために、電子源が形成
されているカソード基板と、前記電子源から放出された
電子により励起される発光部が形成されているアノード
基板と、前記カソード基板と前記アノード基板が所定の
間隔を保持して対向するように前記カソード基板と前記
アノード基板との間に配設されている複数本の支柱を備
えた表示装置において、前記複数本の支柱は互いに略正
三角形の頂点に位置する点に配設するようにしたもので
ある。
置は、上記した問題点を解決するために、電子源が形成
されているカソード基板と、前記電子源から放出された
電子により励起される発光部が形成されているアノード
基板と、前記カソード基板と前記アノード基板が所定の
間隔を保持して対向するように前記カソード基板と前記
アノード基板との間に配設されている複数本の支柱を備
えた表示装置において、前記複数本の支柱は互いに略正
三角形の頂点に位置する点に配設するようにしたもので
ある。
【００１０】
【作用】隣り合う支柱が互いにほぼ等間隔となるように
各支柱を配設することにより、例えば連続して形成され
る正方形の頂点に支柱が位置するような格子状の配設パ
ターンとした場合よりも、支柱一本あたりが支える面積
を大きくすることができ、故に支柱の本数を減少させる
ことができる。
各支柱を配設することにより、例えば連続して形成され
る正方形の頂点に支柱が位置するような格子状の配設パ
ターンとした場合よりも、支柱一本あたりが支える面積
を大きくすることができ、故に支柱の本数を減少させる
ことができる。
【００１１】
【実施例】図１（ａ）（ｂ）は本発明の実施例の表示装
置における支柱３の配設例を示すものとされ、図１
（ａ）は支柱３の配設状態を平面より概念的に示し、図
１（ｂ）はその配設状態を側面より示す図とされる。な
お、図１８（ａ）（ｂ）と同一部分はそれぞれ同一符号
を付して説明を省略する。
置における支柱３の配設例を示すものとされ、図１
（ａ）は支柱３の配設状態を平面より概念的に示し、図
１（ｂ）はその配設状態を側面より示す図とされる。な
お、図１８（ａ）（ｂ）と同一部分はそれぞれ同一符号
を付して説明を省略する。
【００１２】図１（ａ）（ｂ）に示されるように、本発
明の実施例では支柱３を平面的に連続して形成される正
三角形の頂点に位置するように配置するようにしてい
る。例えば、本実施例の配設パターンと図１８（ａ）
（ｂ）に示した格子状の配設パターンとを比較すると、
図１８の場合には、縦及び横方向では隣り合う支柱３同
志のピッチは幅Ｗ11の等間隔が得られているが、斜めの
対角線方向ではその間隔が幅Ｗ12とされ、この場合に
は、 Ｗ11＜Ｗ12 となり、縦・横方向と対角線方向では等間隔なピッチが
得られない。このように、隣り合う支柱３同志のピッチ
が異なると、基板を支持するときに一本の支柱３に対し
て加わる力のバランスが均等にならないことから、これ
が支柱一本あたりが支持可能な面積を大きく出来ない要
因となる。そこで、このような支柱の配列により所要の
充分な耐圧性を得るためには、その強度の弱さを補うた
めに相応の本数が必要とされる。
明の実施例では支柱３を平面的に連続して形成される正
三角形の頂点に位置するように配置するようにしてい
る。例えば、本実施例の配設パターンと図１８（ａ）
（ｂ）に示した格子状の配設パターンとを比較すると、
図１８の場合には、縦及び横方向では隣り合う支柱３同
志のピッチは幅Ｗ11の等間隔が得られているが、斜めの
対角線方向ではその間隔が幅Ｗ12とされ、この場合に
は、 Ｗ11＜Ｗ12 となり、縦・横方向と対角線方向では等間隔なピッチが
得られない。このように、隣り合う支柱３同志のピッチ
が異なると、基板を支持するときに一本の支柱３に対し
て加わる力のバランスが均等にならないことから、これ
が支柱一本あたりが支持可能な面積を大きく出来ない要
因となる。そこで、このような支柱の配列により所要の
充分な耐圧性を得るためには、その強度の弱さを補うた
めに相応の本数が必要とされる。
【００１３】一方、本実施例の場合には、隣り合う支柱
３同志は、図１（ａ）に示すような配設パターンによ
り、正三角形の一辺の長さに相当する幅Ｗ1 の間隔がい
づれの方向の支柱３に対しても均等に得られるようにな
っている。これにより本実施例では、一本の支柱３に加
わる力のバランスが均等になるため、結果としては、支
柱３の一本あたりが支える支持面積を大きくすることが
できる。即ち、本実施例の配設パターンにより図１８の
配設パターンとほぼ同等の支持強度を得ようとした場合
には、単位面積あたりの支柱３の数をより少なくするこ
とができることになる。
３同志は、図１（ａ）に示すような配設パターンによ
り、正三角形の一辺の長さに相当する幅Ｗ1 の間隔がい
づれの方向の支柱３に対しても均等に得られるようにな
っている。これにより本実施例では、一本の支柱３に加
わる力のバランスが均等になるため、結果としては、支
柱３の一本あたりが支える支持面積を大きくすることが
できる。即ち、本実施例の配設パターンにより図１８の
配設パターンとほぼ同等の支持強度を得ようとした場合
には、単位面積あたりの支柱３の数をより少なくするこ
とができることになる。
【００１４】そして、本出願人は本実施例の支柱３の配
列による耐圧性と、図１８に示した従来例としての支柱
３の配列による耐圧性とを比較するための解析を行い、
支柱３が破壊されることなくアノード基板４及びカソー
ド基板１を支持可能な支柱３の最小本数に対応する支柱
３ごとのピッチ（実施例では幅Ｗ1 、図１８の場合では
幅Ｗ11）を算出することとした。この解析にあたって
は、本実施例と図１８の場合において、それぞれ図１
（ａ）及び図１８（ａ）の斜線に示す部分Ｍ1 、Ｍ2 を
モデル化した。また、パラメータとしては両者とも共通
に、支柱３の形状について直径φ５０μｍ，長さ２００
μｍとし、支柱３の材料の定数としては、ヤング率７３
００Ｋｇｆ／ｍｍ2 、ポアソン比０．２８とした。そし
て、支柱３の破壊条件としては、１．５気圧（０．０１
５Ｋｇｆ／ｍｍ2 ）を加えた時の表面応力が引っ張り方
向で５．０Ｋｇｆ／ｍｍ2 、圧縮方向で１００Ｋｇｆ／
ｍｍ2 以内（実測値を参考）であれば破壊されないもの
とした。
列による耐圧性と、図１８に示した従来例としての支柱
３の配列による耐圧性とを比較するための解析を行い、
支柱３が破壊されることなくアノード基板４及びカソー
ド基板１を支持可能な支柱３の最小本数に対応する支柱
３ごとのピッチ（実施例では幅Ｗ1 、図１８の場合では
幅Ｗ11）を算出することとした。この解析にあたって
は、本実施例と図１８の場合において、それぞれ図１
（ａ）及び図１８（ａ）の斜線に示す部分Ｍ1 、Ｍ2 を
モデル化した。また、パラメータとしては両者とも共通
に、支柱３の形状について直径φ５０μｍ，長さ２００
μｍとし、支柱３の材料の定数としては、ヤング率７３
００Ｋｇｆ／ｍｍ2 、ポアソン比０．２８とした。そし
て、支柱３の破壊条件としては、１．５気圧（０．０１
５Ｋｇｆ／ｍｍ2 ）を加えた時の表面応力が引っ張り方
向で５．０Ｋｇｆ／ｍｍ2 、圧縮方向で１００Ｋｇｆ／
ｍｍ2 以内（実測値を参考）であれば破壊されないもの
とした。
【００１５】そして、上記条件に基づいて計算を行った
結果、支柱３の最小本数に対応するピッチ（幅Ｗ1 、Ｗ
11）は、本実施例の配設パターンの場合にはＷ1 ＝３ｍ
ｍと算出され、図１８の配設パターンの場合にはＷ11＝
２ｍｍと算出された。
結果、支柱３の最小本数に対応するピッチ（幅Ｗ1 、Ｗ
11）は、本実施例の配設パターンの場合にはＷ1 ＝３ｍ
ｍと算出され、図１８の配設パターンの場合にはＷ11＝
２ｍｍと算出された。
【００１６】上記解析結果として、図３〜図９に、本実
施例における支柱３ごとのピッチである幅Ｗ1 を３ｍｍ
としたの場合の支柱３に加わる応力成分の分布を示す。
また、図１０〜図１６に従来例である図１８の配設パタ
ーンにおいて、支柱３ごとのピッチを幅Ｗ11＝２ｍｍに
設定した場合の応力成分の分布を示す。
施例における支柱３ごとのピッチである幅Ｗ1 を３ｍｍ
としたの場合の支柱３に加わる応力成分の分布を示す。
また、図１０〜図１６に従来例である図１８の配設パタ
ーンにおいて、支柱３ごとのピッチを幅Ｗ11＝２ｍｍに
設定した場合の応力成分の分布を示す。
【００１７】ところで、物体に外力が作用した場合のあ
る一点を通る座標面に伝えられる応力の状態は、軸の回
りのモーメントを考えた場合、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸方向
の各垂直応力σx ，σy ，σz と、ｘｙ方向、ｙｚ方
向、及びｚｘ方向の応力成分であるせん断応力τxy，τ
yz，τzxの６つの応力成分により表すことができる。そ
こで、図３〜図９の各図には、それぞれ本実施例の支柱
３の配設パターンによる、上記６つの応力成分σx ，σ
y ，σz ，τxy，τyz，τzx及び最大主応力の計算結果
が示され、同様に図１０〜図１６の各図にはそれぞれ、
図１８の配設パターンによる応力成分σx ，σy ，σ
z ，τxy，τyz，τzx及び最大主応力の計算結果が示さ
れている。なお、図３〜図９及び図１０〜図１６に於い
ては、図１（ａ）及び図１８（ａ）の斜線によるモデル
化部分が斜視図的に示されている。また、これら各図に
おいてＣ1 〜Ｃn の付された等高線は、各図の凡例ごと
に示される応力レベル（単位：Ｋｇｆ／ｍｍ2 ）の分布
を表しており、この応力レベルの数値として正の値は引
っ張り方向の応力を示し、負の値は圧縮方向の応力を示
している。また、応力レベルの数値の末尾に付されたＥ
１〜Ｅｎは指数とされ１０n を示し、同様に数値の末尾
に付される−ｎで示される数は、１０-nの指数を示すも
のとされる。
る一点を通る座標面に伝えられる応力の状態は、軸の回
りのモーメントを考えた場合、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸方向
の各垂直応力σx ，σy ，σz と、ｘｙ方向、ｙｚ方
向、及びｚｘ方向の応力成分であるせん断応力τxy，τ
yz，τzxの６つの応力成分により表すことができる。そ
こで、図３〜図９の各図には、それぞれ本実施例の支柱
３の配設パターンによる、上記６つの応力成分σx ，σ
y ，σz ，τxy，τyz，τzx及び最大主応力の計算結果
が示され、同様に図１０〜図１６の各図にはそれぞれ、
図１８の配設パターンによる応力成分σx ，σy ，σ
z ，τxy，τyz，τzx及び最大主応力の計算結果が示さ
れている。なお、図３〜図９及び図１０〜図１６に於い
ては、図１（ａ）及び図１８（ａ）の斜線によるモデル
化部分が斜視図的に示されている。また、これら各図に
おいてＣ1 〜Ｃn の付された等高線は、各図の凡例ごと
に示される応力レベル（単位：Ｋｇｆ／ｍｍ2 ）の分布
を表しており、この応力レベルの数値として正の値は引
っ張り方向の応力を示し、負の値は圧縮方向の応力を示
している。また、応力レベルの数値の末尾に付されたＥ
１〜Ｅｎは指数とされ１０n を示し、同様に数値の末尾
に付される−ｎで示される数は、１０-nの指数を示すも
のとされる。
【００１８】次に、図２は上記解析結果に基づいて、支
柱３を同一面積に対して、本実施例の配設パターンによ
りピッチＷ1 ＝３ｍｍとして配設した場合（図２
（ａ））と、図１８の配設パターンによりピッチＷ11＝
２ｍｍとして配設した場合（図２（ｂ））とを比較して
示す図とされる。これらの図から分かるように、同一条
件下では同一面積においてアノード基板４及びカソード
基板１を支持するのに必要とされる支柱３の本数は、本
実施例の配設パターンによる場合のほうが、図１８の場
合よりも少なくて済むこととなる。具体的には、上記解
析結果により得られた支柱３のピッチに基づいて、上述
の条件下における支柱３の一本あたりのアノード基板４
及びカソード基板１を支持する際のその支持面積を算出
したところ、図１８の配設パターンでは約４ｍｍ2であ
るのに対して、本実施例の場合には約７．８ｍｍ2 とい
う結果が導出されている。そして、この結果によれば本
実施例で必要とされる支柱３の本数は、図１８の場合に
対して約１／２程度までに削減することができることに
なる。従って、実際のＦＥＤにおいても本実施例の配設
パターンとすることにより、従来の格子状の支柱３の配
設パターンとした場合よりも大幅にその本数を削減する
ことが可能になる。
柱３を同一面積に対して、本実施例の配設パターンによ
りピッチＷ1 ＝３ｍｍとして配設した場合（図２
（ａ））と、図１８の配設パターンによりピッチＷ11＝
２ｍｍとして配設した場合（図２（ｂ））とを比較して
示す図とされる。これらの図から分かるように、同一条
件下では同一面積においてアノード基板４及びカソード
基板１を支持するのに必要とされる支柱３の本数は、本
実施例の配設パターンによる場合のほうが、図１８の場
合よりも少なくて済むこととなる。具体的には、上記解
析結果により得られた支柱３のピッチに基づいて、上述
の条件下における支柱３の一本あたりのアノード基板４
及びカソード基板１を支持する際のその支持面積を算出
したところ、図１８の配設パターンでは約４ｍｍ2であ
るのに対して、本実施例の場合には約７．８ｍｍ2 とい
う結果が導出されている。そして、この結果によれば本
実施例で必要とされる支柱３の本数は、図１８の場合に
対して約１／２程度までに削減することができることに
なる。従って、実際のＦＥＤにおいても本実施例の配設
パターンとすることにより、従来の格子状の支柱３の配
設パターンとした場合よりも大幅にその本数を削減する
ことが可能になる。
【００１９】なお、実際に本実施例の配設パターンによ
り支柱３を配設するのに際して、支柱３がアノード基板
４のアノード電極に接触するようなおそれのある場合に
は、例えば支柱３の配設位置を若干ずらせるようにして
も構わなく、全体的な支柱３の配設パターンとして、支
柱３ごとに略等間隔が得られていれば、例えば図１８に
示した配設パターンよりも強い支持強度を保つことがで
きる。
り支柱３を配設するのに際して、支柱３がアノード基板
４のアノード電極に接触するようなおそれのある場合に
は、例えば支柱３の配設位置を若干ずらせるようにして
も構わなく、全体的な支柱３の配設パターンとして、支
柱３ごとに略等間隔が得られていれば、例えば図１８に
示した配設パターンよりも強い支持強度を保つことがで
きる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の表示装置
は、アノード基板とカソード基板間に配設されて両基板
を支持する支柱について、何れの方向の支柱に対しても
等間隔のピッチが得られるように配置したことで、例え
ば従来のように格子状に支柱を配設したような場合より
も支柱一本あたりが支持可能な面積が大幅に向上され
る。このため、実際に設けるべき支柱の本数を大幅に削
減することが可能となり、それだけ表示装置の容器内の
部品点数を削減することができるため、製品の信頼性が
向上する。
は、アノード基板とカソード基板間に配設されて両基板
を支持する支柱について、何れの方向の支柱に対しても
等間隔のピッチが得られるように配置したことで、例え
ば従来のように格子状に支柱を配設したような場合より
も支柱一本あたりが支持可能な面積が大幅に向上され
る。このため、実際に設けるべき支柱の本数を大幅に削
減することが可能となり、それだけ表示装置の容器内の
部品点数を削減することができるため、製品の信頼性が
向上する。
【図１】本発明の実施例の表示装置における支柱の配設
パターンを概念的に示す平面図及び側面図である。
パターンを概念的に示す平面図及び側面図である。
【図２】同一面積内における実施例と従来例の支柱の配
設パターンを比較して示す図である。
設パターンを比較して示す図である。
【図３】実施例のｘ軸方向の垂直応力を示す説明図であ
る。
る。
【図４】実施例のｙ軸方向の垂直応力を示す説明図であ
る。
る。
【図５】Ｊ実施例のｚ軸方向の垂直応力を示す説明図で
ある。
ある。
【図６】実施例のｘｙ方向のせん断応力を示す説明図で
ある。
ある。
【図７】実施例のｙｚ方向のせん断応力を示す説明図で
ある。
ある。
【図８】実施例のｚｘ方向のせん断応力を示す説明図で
ある。
ある。
【図９】実施例の最大主応力を示す説明図である。
【図１０】従来例のｘ軸方向の垂直応力を示す説明図で
ある。
ある。
【図１１】従来例のｙ軸方向の垂直応力を示す説明図で
ある。
ある。
【図１２】従来例のｚ軸方向の垂直応力を示す説明図で
ある。
ある。
【図１３】従来例のｘｙ方向のせん断応力を示す説明図
である。
である。
【図１４】従来例のｙｚ方向のせん断応力を示す説明図
である。
である。
【図１５】従来例のｚｘ方向のせん断応力を示す説明図
である。
である。
【図１６】従来例の最大主応力を示す説明図である。
【図１７】表示装置の内部構成を示す断面図である。
【図１８】従来例の表示装置における支柱の配設パター
ンを概念的に示す平面図及び側面図である。
ンを概念的に示す平面図及び側面図である。
１ カソード基板 ２ カソード導体 ３ 支柱 ４ アノード基板 ５ 発光部 ６−１ アノード導体 ６−２ 蛍光体層 ７ 絶縁層 ８ ゲート導体 ９ エミッタコーン １０ ＦＥＣ
Claims (1)
- 【請求項１】 電子源が形成されているカソード基板
と、 前記電子源から放出された電子により励起される発光部
が形成されているアノード基板と、 前記カソード基板と前記アノード基板が所定の間隔を保
持して対向するように前記カソード基板と前記アノード
基板との間に配設されている複数本の支柱を備えた表示
装置において、 前記複数本の支柱は互いに略正三角形の頂点に位置する
点に配設されていることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7123012A JP2979996B2 (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7123012A JP2979996B2 (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08298085A JPH08298085A (ja) | 1996-11-12 |
| JP2979996B2 true JP2979996B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=14850064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7123012A Expired - Fee Related JP2979996B2 (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2979996B2 (ja) |
-
1995
- 1995-04-25 JP JP7123012A patent/JP2979996B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08298085A (ja) | 1996-11-12 |
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