JPH08185816A

JPH08185816A - 表示装置

Info

Publication number: JPH08185816A
Application number: JP33743894A
Authority: JP
Inventors: Yukio Ogawa; 行雄小川; Takeshi Tonegawa; 武利根川; Akira Inoue; 彰井上; Katsutoshi Kogo; 克俊向後; Tatsuo Yamaura; 辰雄山浦
Original assignee: Futaba Corp
Current assignee: Futaba Corp
Priority date: 1994-12-28
Filing date: 1994-12-28
Publication date: 1996-07-16
Anticipated expiration: 2016-04-23
Also published as: JP3158923B2

Abstract

(57)【要約】【目的】アノード電極とゲートライン電極とを電気的に
アイソレートすることができると共に、ゲートライン電
極とカソードライン電極との短絡を防止する。【構成】アノード電極１のエッジに切欠部を設けると共
に、対向するゲートライン電極１０のエッジにも切欠部
を設ける。この切欠部に絶縁支柱３を配設すると、アノ
ード電極１とゲートライン電極１０と絶縁支柱３は接触
することがないので、その間を電気的にアイソレートす
ることができる。またゲートライン電極１０の直下に位
置するカソードライン電極１１のエッジにも切欠部を設
けるようにして、絶縁支柱３により絶縁層１３が変形し
た場合でも、ゲートライン電極１０とカソードライン電
極１１との短絡を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、画像等を表示するため
の蛍光体と、この蛍光体を励起する電子源を収納する表
示用外囲器において、対向するアノード基板とカソード
基板との間隔が所定間隔に保持されるよう、その内部に
絶縁支柱を備える表示装置に関するものであり、特に電
界放出カソードを備える表示装置に適用して好適なもの
である。

【０００２】

【従来の技術】金属または半導体表面の印加電界を１０
⁹ ［Ｖ／ｍ］程度にするとトンネル効果により、電子が
障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われる。
この現象は電界放出（Field Emission）といわれており
古くから知られた現象であるが、このような原理を利用
して電子を放出するカソードを電界放出カソード（Fiel
d Emission Cathode）と呼んでいる。近年、半導体微細
加工技術を駆使して、ミクロンサイズの前記電界放出カ
ソードの作成が可能となり、この電界放出カソードを基
板上に多数形成することにより、面放出型の電界放出ア
レイを作成することが可能となっている。このような電
界放出アレイは、表示装置、ＣＲＴ、電子顕微鏡や電子
ビーム装置の電子源として適用することが提案されてい
る。

【０００３】その適用例の一例である従来の表示装置を
図９に示すが、この表示装置において、電界放出アレイ
が形成されたガラス製のカソード基板１１５と、蛍光体
が形成された透明ガラス製のアノード基板１０４とが所
定間隔をもって対向配置されることにより、内部を高真
空に保持する外囲器が形成されている。このカソード基
板１１５に形成された電界放出アレイは、スパッタ等に
より形成されたストライプ状のカソードライン電極１１
１と、その上に形成された抵抗層１１４と、さらにその
上に複数形成されたエミッタコーン群１１２と、このエ
ミッタコーン群１１２の先端近傍に形成されたゲートラ
イン電極１１０とにより構成されたスピント（Spindt）
型の電界放出アレイとされている。なお、抵抗層１１４
上に絶縁層１１３が積層されて、この絶縁層１１３上に
ゲートライン電極１１０は形成されている。

【０００４】このエミッタコーン群１１２のエミッタコ
ーン間のピッチは１０ミクロン以下の寸法で作成するこ
とが出来、このようなエミッタコーンを数万ないし数１
０万個、１枚のカソード基板１１５上に設けるようにし
ている。なお、この電界放出アレイにおいては、ゲート
・カソード間の距離をサブミクロンとすることが出来る
ため、ゲート・カソード間に僅か数１０ボルトの電圧Ｖ
_GEを印加することによりエミッタコーン群１１２から電
子を放出することが出来る。

【０００５】ところで、アノード基板１０４にはアノー
ド電極１０１が形成されており、その上に蛍光体ドット
パターン１０２が積層して形成されている。そこで、ア
ノード電極１０１に正電圧Ｖ_A を印加するようにする
と、エミッタコーン群１１２から放出された電子は、ア
ノード電極１０１により捕捉されるようになり、この
時、捕捉される電子がアノード電極１０１上に積層され
ている蛍光体ドットパターン１０２に衝突してこれを励
起するため、蛍光体ドットパターン１０２が発光するよ
うになる。この発光は透明のアノード基板１０４を通し
て観察することができる。

【０００６】さらに、この表示装置においては、カソー
ド基板１１５とアノード基板１０４とにより構成される
外囲器の内部が高真空とされて、大気圧の影響によりカ
ソード基板１１５とアノード基板１０４とが所定間隔を
保持できない場合が生じるので、カソード基板１１５と
アノード基板１０４との間に絶縁支柱１０３が配設され
ている。この絶縁支柱１０３はガラス等の絶縁体により
形成されて、カソード基板１１５とアノード基板１０４
との間に所定間隔毎に複数個配設されている。

【０００７】そして、絶縁支柱１０３の上端はアノード
基板１０４上に形成されているアノード電極１０１に当
接するように配設されており、絶縁支柱１０３の下端は
カソード基板１１５における絶縁層１１３上に形成され
たゲートライン電極１１１に当接するよう配設されてい
る。

【０００８】なお、カソード基板１１５上に形成された
ストライプ状の複数のカソードライン電極１１１と、こ
のカソードライン電極１１１と直交するよう形成された
ストライプ状のゲートライン電極１１０とでマトリクス
が構成されており、このマトリクスが図示しないカソー
ド走査部とゲート走査部とで走査される。これにより、
画像信号に応じて選択的に電子がエミッタコーン群１１
２から放出されて、対応する蛍光体ドットパターン１０
２が発光されるようになり、アノード基板１０４上に画
像が表示されるようになる。この場合、例えばゲート走
査部に画像信号が印加されており、１フィールドの走査
が終了した時に１枚の画像がアノード基板１０４上に表
示される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
表示装置においては絶縁支柱がゲートライン電極に直接
当接されていることから、大気圧により絶縁支柱が加圧
された場合に、ゲートライン電極が変形されて、ゲート
ライン電極の下に設けられている絶縁層が破壊され、ゲ
ートライン電極とカソードライン電極とが短絡してしま
う恐れがあるという問題点があった。また、絶縁支柱の
一端がアノード電極に直接当接され、他端がゲートライ
ン電極に直接当接されていることから、絶縁支柱が帯電
されると表面リークを起こしやすく、アノード電極とゲ
ートライン電極とを電気的にアイソレートすることがで
きないという問題点があった。

【００１０】そこで、本発明は絶縁支柱を設けるように
しても、ゲートライン電極とカソードライン電極とが短
絡を起こすことがないと共に、アノード電極とゲートラ
イン電極とを電気的にアイソレートすることのできる表
示装置を提供することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の表示装置は、蛍光体を備えるアノード電極
が設けられている透明アノード基板と、前記蛍光体を励
起する電子を放出するためのゲート電極とカソード電極
が少なくとも設けられているカソード基板と、前記透明
アノード基板と前記カソード基板が所定間隔を保持して
対向するよう、前記アノード基板と前記カソード基板と
の間に複数本配設されている絶縁支柱とを備え、前記透
明アノード基板において、配設された前記絶縁支柱の当
接位置近傍の前記アノード電極のエッジ部分に切欠き部
が設けられていると共に、前記カソード基板において、
配設された前記絶縁支柱の当接位置近傍の前記ゲート電
極および前記カソード電極のエッジ部分に切欠き部が設
けられているようにしたものである。

【００１２】また、前記表示装置において、前記アノー
ド電極がストライプ上に形成された透明電極により形成
されていると共に、その上に画素を形成するドットパタ
ーン上の蛍光体層が形成されているようにしたものであ
り、さらに、前記カソード基板上にストライプ状のカソ
ード電極が形成され、次いでその上に抵抗層、絶縁層が
形成されており、該絶縁層上にストライプ状のゲート電
極が、前記カソード電極に直交するよう形成されてお
り、前記絶縁支柱の一端が前記絶縁層に当接するよう配
設されるようにしたものである。

【００１３】

【作用】本発明によれば、アノード電極、カソードライ
ン電極およびゲートライン電極のエッジに設けられた切
欠き部に対応するよう絶縁支柱が配設されるため、ゲー
トライン電極の下に形成されている絶縁層が変形されて
も、ゲートライン電極とカソードライン電極とが短絡を
起こすことが防止される。また、絶縁支柱がアノード電
極およびゲートライン電極に接触して配設されることが
ないので、絶縁支柱が帯電されてもアノード電極とゲー
トライン電極とを電気的にアイソレートすることができ
る。

【００１４】

【実施例】本発明の表示装置の一実施例におけるアノー
ド基板の構成を図１に、カソード基板の構成を図２に、
側断面図を図３に示すが、この実施例の表示装置は電界
放出カソードを電子源とする電界放出型表示装置（ＦＥ
Ｄ）とされている。これらの図において、１はアノード
基板５の内表面に形成されているＡ１〜Ａ９のストライ
プ状の複数のアノード電極、２はアノード電極１上にド
ット状の画素として形成された蛍光体ドットパターン、
３はアノード基板５とカソード基板１６とを所定間隔で
保持するよう、その間に配設された絶縁支柱、４はアノ
ード電極１のエッジに形成された切欠部、５は透明ガラ
スからなるアノード基板である。

【００１５】また、１０は絶縁層１３上に形成されてい
るＧ１〜Ｇ７のストライプ状の複数のゲートライン電
極、１１はカソード基板１６の内表面上に形成されてい
るＫ１〜Ｋ５のストライプ状の複数のカソードライン電
極、１２は蛍光体ドットパターン２に対応するよう抵抗
層１４上に形成されている円錐状のエミッタコーン群、
１３はエミッタコーン群１２が形成されている部分を除
いた抵抗層１４上に形成されている絶縁層、１４はカソ
ードライン電極１１に供給されているカソード電圧をエ
ミッタコーン群１２に印加するための抵抗層、１５はカ
ソードライン電極１１およびゲートライン電極１０のエ
ッジに形成されている切欠部、１６はガラス製のカソー
ド基板である。

【００１６】このように構成された表示装置において、
電界放出アレイが形成されたガラス製のカソード基板１
６と、透明ガラス製のアノード基板５とが所定間隔をも
って対向配置されて内部を高真空に保持する外囲器が形
成されている。このカソード基板１６に形成された電界
放出アレイは、スパッタ等により形成されたストライプ
状のカソードライン電極１１と、その上に形成された抵
抗層１４と、さらにその上に複数形成されたエミッタコ
ーン群１２と、このエミッタコーン群１２の先端近傍に
形成されたゲートライン電極１０とにより構成されたス
ピント（Spindt）型の電界放出アレイとされている。な
お、抵抗層１４上に絶縁層１３が積層されて、この絶縁
層１３上にゲートライン電極１０は形成されている。

【００１７】また、図２は絶縁層１３および抵抗層１４
を省略してカソード基板１６の下からカソード基板１６
を透過して見たカソードライン電極１１とゲートライン
電極１０との配置を示す図である。この図に示すよう
に、カソードライン電極１１に多数形成されている角形
の切抜領域に、エミッタコーン群１２は形成されてお
り、このエミッタコーン群１２のエミッタコーン間のピ
ッチは１０ミクロン以下の寸法で作成されている。この
ようなエミッタコーンがカソードライン電極１１に形成
された角形の切抜領域内に多数設けられて、数万ないし
数１０万個が１枚のカソード基板１５上に設けられてい
る。

【００１８】なお、この電界放出アレイにおいては、ゲ
ート・カソード間の距離をサブミクロンとすることが出
来ると共に、カソードライン電極１１に形成されている
角形の切抜領域に重なるように、ゲートライン電極１０
にも角形の切抜領域が設けられているため、ゲートライ
ン電極１０・カソードライン電極１１間に僅か数１０ボ
ルトの電圧Ｖ_GEを印加することによりエミッタコーン群
１２から電子を放出することが出来る。ところで、前述
したようにアノード基板５に形成されたアノード電極１
上に蛍光体ドットパターン２が積層されており、アノー
ド電極１に正電圧Ｖ_A を印加するようにすると、対応す
る位置のエミッタコーン群１２から放出された電子は、
アノード電極１により捕捉されるようになり、この時、
捕捉される電子がアノード電極１上に積層されている蛍
光体ドットパターン２に衝突してこれを励起するため、
蛍光体ドットパターン２が発光するようになる。この発
光は透明のアノード基板５を通して観察することができ
る。

【００１９】さらに、外囲器の内部が高真空とされるた
めに、大気圧により外囲器が内側へ向かって押圧され、
カソード基板１５とアノード基板１０４とが所定間隔を
保持できない場合が生じるので、図３に示すようにカソ
ード基板１５とアノード基板５との間に絶縁支柱３を配
設して、所定間隔を保持するようにしている。この絶縁
支柱３はガラスファイバー等の絶縁体により形成され
て、カソード基板１５とアノード基板５との間に所定間
隔、例えば約２ｍｍ毎に複数配設されている。そして、
配設された絶縁支柱３の上端はアノード基板１０４上に
直接当接するようにされている。この場合、絶縁支柱３
がアノード電極１に接触しないように、アノード電極１
のエッジには図１に示すように深さｄ₁ 、長さｄ₂ の切
欠部４が形成されており、絶縁支柱３は同図に一部拡大
して示すように隣接するアノード電極Ａ３，Ａ４の切欠
部４の略中央に位置するよう配設されている。

【００２０】これにより、絶縁支柱３の配設位置が多少
ずれても絶縁支柱３はアノード電極１に接触することが
防止されるようになる。また図３に示すように、この絶
縁支柱３の下端はカソード基板１６における絶縁層１３
に当接するよう配設されている。この場合、絶縁支柱３
がゲートライン電極１０に接触しないように、ゲートラ
イン電極１０のエッジには図２に示すように切欠部１５
が形成されており、絶縁支柱３は図２に一部拡大して示
すように隣接するゲートライン電極Ｇ６，Ｇ７の切欠部
１５の略中央に位置するよう配設されている。

【００２１】さらに、ゲートライン電極１０の切欠部１
５に対応するカソードライン電極１１のエッジにも図２
に示すように切欠部１７が設けられている。したがっ
て、ゲートライン電極１０のエッジに形成された切欠部
１５とカソードライン電極１１のエッジに形成された切
欠部１７とにより図２の一部拡大図に示すように略正方
形の切欠部が形成されるようになる。これにより、外囲
器の排気時に絶縁支柱３が大気圧により加圧されて絶縁
層１３が変形したとしても、絶縁支柱３の直下にはゲー
トライン電極１０とカソードライン電極１１とが存在し
ないため、両電極１０，１１間が接触することはなく、
ゲートライン電極１０とカソードライン電極１１間の短
絡事故を防止することができる。

【００２２】また、絶縁支柱３がエミッタコーン群１２
から放出された電子等により帯電されても、絶縁支柱３
はアノード電極１およびゲートライン電極１０に接触さ
れていないため、両電極１，１０間の電気的アイソレー
ションを劣化させることはない。従って、アノード電極
１に印加するアノード電圧を大幅に高くしても、アノー
ド電極１とゲートライン電極１０間がリークすることが
なくなるので、表示画面の輝度を格段に向上することが
できる。

【００２３】なお、カソード基板１５上に形成されたス
トライプ状の複数のカソードライン電極１１と、このカ
ソードライン導体１１と直交するよう形成されたストラ
イプ状のゲートライン電極１０とで、図２に示すように
マトリクスが構成されており、このマトリクスが図示し
ないカソード走査部とゲート走査部とで走査されてい
る。これにより、画像信号に応じて電子が順次エミッタ
コーン群１２から放出されて、対応する蛍光体ドットパ
ターン２が発光されるようになり、アノード基板５上に
画像が表示されるようになる。この場合、例えばゲート
走査部に画像信号が印加されており、１フィールドの走
査が終了した時に１枚の画像がアノード基板５上に表示
される。

【００２４】また、図１〜図３に示すストライプ状のア
ノード電極１はＡ１〜Ａ８の８本、ゲートライン電極１
０はＧ１〜Ｇ７の７本、カソード電極１１はＫ１〜Ｋ５
の５本として示しているが、これは説明を簡単にするた
めであり、それぞれのストライプ状電極は、実際にはは
るかに多い電極本数とされている。ところで、ストライ
プ状のアノード電極１、ゲートライン電極１０およびカ
ソードライン電極１１のエッジに形成される切欠部は、
前記図１および図２に示したような矩形状の切欠部に限
られるものではなく、図４（ａ）に示す半円状、同図
（ｂ）に示す三角状、同図（ｃ）に示す台形状、同図
（ｄ）に示す逆台形状としてもよい。

【００２５】次に、本発明の一実施例の表示装置におけ
るアノード基板側の構成の変形例を図５に示すが、
（ａ）はアノード基板の正面図であり、（ｂ）はアノー
ド基板の側断面図である。この図に示すアノード基板２
０は、ソーダガラス製とされており、その表面上にアル
カリイオンのパッシべーション膜２４が形成されてい
る。このパッシべーション膜２４は、例えばＳｉＯ₂ の
薄膜により形成されている。

【００２６】このパッシべーション膜２４上にはＴｉＯ
₂ 薄膜２５が形成されており、さらにその上にパターニ
ングされたアノード電極２１が形成されている。この場
合、パターニングされたアノード電極２１に接するＴｉ
Ｏ₂ 薄膜２５は着色された着色層２５−１となるように
熱処理されている。さらに、パターニングされたアノー
ド電極２１を覆うように蛍光体層２２が形成されてい
る。なお、アノード電極２１のパターニングは同図
（ａ）に示すように、方形状部分がエッチングされて除
去することにより行われているが、この方形状部分はア
ノード電極２１に縦横に多数設けられている。そして、
この方形状部分に照射された電子により蛍光体層２２は
励起されて発光する。すなわち、方形状部分が画素とさ
れて画像が表示されるようになる。

【００２７】この場合、ＴｉＯ₂ 薄膜２５は透明なので
表示された画像をアノード基板２０を通して観察するこ
とができるが、一般にアルミニウムを材料として形成さ
れている反射率の高いアノード電極２１のパターンは着
色層２５−１により覆われているので、アノード電極２
１による表示面の反射が防止されて、画像のコントラス
トが向上されている。また、絶縁支柱２３が画素を避け
るよう複数本配設されているが、絶縁支柱２３が配設さ
れるアノード電極２１の部分もパターニングされてい
る。

【００２８】次に、図５に示すアノード基板側の構成を
作製する工程を図６に示す。まず、図６（Ａ）に示すよ
うに、ソーダガラス製のアノード基板２０にアルカリイ
オンのパッシべーション膜２４を形成し、さらにその上
に有機チタン化合物２６を塗布して乾燥する。次いで、
温度５００〜６００℃で約１０分間焼成し、同図（Ｂ）
に示すように有機チタン化合物膜２６をＴｉＯ₂ 薄膜２
５に変化させる。さらに、同図（Ｃ）に示すようにＴｉ
Ｏ₂ 薄膜２５の上にアルミニウム薄膜２７をスパッタリ
ング法や蒸着法等により被着する。この場合、アルミニ
ウム薄膜２５は約１．１μｍ位の厚さとなるよう被着す
るものとする。

【００２９】そして、アルミニウム薄膜２５の表面にフ
ォトレジストを塗布し、露光および現像処理を行うこと
によりフォトレジストをパターン状にパターニングした
後、エッチングを行うことにより不要部分のアルミニウ
ム薄膜２５を溶解して、同図（Ｄ）に示すようにアノー
ド電極２１を形成する。次いで、同図（Ｅ）に示すよう
に絶縁支柱２３を配設する部分を除いてアノード電極２
１上に蛍光体層２２を面状にパターニングする。そし
て、絶縁支柱を配設して、４５０〜５５０℃の温度にて
焼成工程を行うようにすると、アルミニウム製のアノー
ド電極２１に接しているＴｉＯ₂ 薄膜２５が着色されて
着色層２５−１とされる。

【００３０】熱処理によりアノード電極２１に接してい
るＴｉＯ₂ 薄膜２５が着色されるのは、熱処理時にアル
ミニウム製のアノード電極２１が、ＴｉＯ₂ 薄膜２５に
より酸化されて酸化アルミニウムとなり、これにより、
ＴｉＯ₂ 薄膜２５が還元されて着色されるものと推定さ
れる。なお、ＳｉＯ₂ のパッシべーション膜２４が形成
されたソーダガラスに替えて、無アルカリガラスを用い
るようにしてもよい。

【００３１】また、図５に示すアノード基板側の構成に
替えて図７に示すように、ＴｉＯ₂薄膜２５によりパッ
シべーション膜２４と着色層２５−１との機能を兼用す
るようにして、アノード基板２０に形成するＳｉＯ₂ の
パッシべーション膜２４を省略するようにしてもよい。
この場合のＴｉＯ₂ 薄膜２５の膜厚は、５００〜１５０
０オングストロームとするのが好適である。なお、アノ
ード基板２０はソーダガラス製とされる。さらに、図８
に示すようにアノード電極２１の電極パターンにおい
て、方形状パターンの中に十字状電極３０を、さらに設
けるようにして蛍光体層２２へのアノード電圧の印加
を、より確実に行うようにしてもよい。

【００３２】以上の説明においては、電解放出型表示装
置に本発明を適用した場合について説明したが、本発明
はこれに限ることはなく、外囲器内に絶縁支柱が設けら
れている表示装置、例えば蛍光表示管等に適用すること
ができるものである。

【００３３】

【発明の効果】本発明は以上説明したように、アノード
電極、カソードライン電極およびゲートライン電極のエ
ッジに設けられた切欠き部に絶縁支柱が配設されるた
め、ゲートライン電極の下に形成された絶縁層が変形さ
れてもゲートライン電極とカソードライン電極とが短絡
を起こすことを防止することができる。また、絶縁支柱
がアノード電極およびゲートライン電極に接触して配設
されることがないので、絶縁支柱が帯電されてもアノー
ド電極とゲートライン電極とを電気的にアイソレートす
ることができる。このため、アノード電極に印加するア
ノード電圧を高くすることができ、表示画像の輝度を格
段に向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示装置の一実施例のアノード基板側
の構成を示す図である。

【図２】本発明の表示装置の一実施例のカソード基板側
の構成を示す図である。

【図３】本発明の表示装置の一実施例の側断面図であ
る。

【図４】ストライプ状の電極のエッジに設けられる切欠
部の変形例である。

【図５】本発明の表示装置の一実施例のアノード基板側
の構成の変形例を示す図である。

【図６】図５に示す変形例の作製工程を示す図である。

【図７】本発明の表示装置の一実施例のアノード基板側
の構成の他の変形例を示す図である。

【図８】本発明の表示装置の一実施例のアノード基板側
の構成のさらに他の変形例を示す図である。

【図９】従来の表示装置の側断面図である。

【符号の説明】

１，２１アノード電極２蛍光体ドットパターン３，２３絶縁支柱４，１５，１７，４１切欠部５，２０アノード基板１０ゲートライン電極１１カソードライン電極１２エミッタコーン群１３絶縁層１４抵抗層１６カソード基板２２蛍光体層２４パッシべーション層２５ＴｉＯ₂ 層２５−１着色層２６有機チタン化合物２７アルミニウム薄膜３０十字状電極４０ストライプ状電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者向後克俊千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式会社内 (72)発明者山浦辰雄千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】蛍光体を備えるアノード電極が設けら
れている透明アノード基板と、前記蛍光体を励起する電子を放出するためのゲート電極
とカソード電極が少なくとも設けられているカソード基
板と、前記透明アノード基板と前記カソード基板が所定間隔を
保持して対向するよう、前記アノード基板と前記カソー
ド基板との間に複数本配設されている絶縁支柱とを備
え、前記透明アノード基板において、配設された前記絶縁支
柱の当接位置近傍の前記アノード電極のエッジ部分に切
欠き部が設けられていると共に、前記カソード基板にお
いて、配設された前記絶縁支柱の当接位置近傍の前記ゲ
ート電極および前記カソード電極のエッジ部分に切欠き
部が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】前記アノード電極がストライプ上に形
成された透明電極により形成されていると共に、その上
に画素を形成するドットパターン上の蛍光体層が形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】前記カソード基板上にストライプ状の
カソード電極が形成され、次いでその上に抵抗層、絶縁
層が形成されており、該絶縁層上にストライプ状のゲー
ト電極が、前記カソード電極に直交するよう形成されて
おり、前記絶縁支柱の一端が前記絶縁層に当接するよう
配設されていることを特徴とする請求項１あるいは２記
載の表示装置。