JP2975744B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JP2975744B2 JP2975744B2 JP3293183A JP29318391A JP2975744B2 JP 2975744 B2 JP2975744 B2 JP 2975744B2 JP 3293183 A JP3293183 A JP 3293183A JP 29318391 A JP29318391 A JP 29318391A JP 2975744 B2 JP2975744 B2 JP 2975744B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化亜鉛を透光性導電
材料として使用する光起電力装置の製造方法に関する。
材料として使用する光起電力装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、非晶質半導体を主材料とする光起
電力装置が、広く普及するに至っている。特に、シリコ
ンからなる材料にあっては、その形成がプラズマＣＶＤ
法というガス分解法によって成し得るものであることか
ら、多種類の非晶質シリコンアロイを形成できるという
特徴を有している。
電力装置が、広く普及するに至っている。特に、シリコ
ンからなる材料にあっては、その形成がプラズマＣＶＤ
法というガス分解法によって成し得るものであることか
ら、多種類の非晶質シリコンアロイを形成できるという
特徴を有している。
【０００３】然し乍ら、これら非晶質半導体は、その一
方でプラズマＣＶＤ法を用いるために、形成途中にある
膜或るいはその下地となる膜へのそのプラズマ自体によ
る損傷を避けることはできない。特に、透明導電膜上に
プラズマ反応法による非晶質半導体を形成し光起電力装
置の構造とする場合、斯るプラズマによる損傷により、
その透明導電膜の構成材料である錫或るいは鉛が形成途
上の前記非晶質半導体に拡散し、この光起電力装置の特
性を劣化させてしまう。
方でプラズマＣＶＤ法を用いるために、形成途中にある
膜或るいはその下地となる膜へのそのプラズマ自体によ
る損傷を避けることはできない。特に、透明導電膜上に
プラズマ反応法による非晶質半導体を形成し光起電力装
置の構造とする場合、斯るプラズマによる損傷により、
その透明導電膜の構成材料である錫或るいは鉛が形成途
上の前記非晶質半導体に拡散し、この光起電力装置の特
性を劣化させてしまう。
【０００４】そこで、近年、耐プラズマ性に優れた酸化
亜鉛をこの透明導電膜の表面にコートすることによっ
て、この様な拡散による特性劣化を防止する光起電力装
置の素子構造が提案されている。斯る内容については、
Technical Digest of the 5thInternational Photovolt
aic Science and Engineering Conference Kyoto.Japa
n.p623〜626に詳細に記載されている。
亜鉛をこの透明導電膜の表面にコートすることによっ
て、この様な拡散による特性劣化を防止する光起電力装
置の素子構造が提案されている。斯る内容については、
Technical Digest of the 5thInternational Photovolt
aic Science and Engineering Conference Kyoto.Japa
n.p623〜626に詳細に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、酸化亜鉛
は、耐プラズマ性に優れるものの、その後に形成される
ｐ型半導体としての非晶質シリコンカーバイド（以下ａ
−ＳｉＣと略する。）とのオーミック特性が一般に優れ
ず、光起電力装置の変換効率特性の低下を招いている。
は、耐プラズマ性に優れるものの、その後に形成される
ｐ型半導体としての非晶質シリコンカーバイド（以下ａ
−ＳｉＣと略する。）とのオーミック特性が一般に優れ
ず、光起電力装置の変換効率特性の低下を招いている。
【０００６】そこで、本発明の目的とすることろは、こ
のオーミック特性低下の発生しない光起電力装置の製造
方法を提供することにある。
のオーミック特性低下の発生しない光起電力装置の製造
方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明光起電力装置の製
造方法の特徴とするところは、酸化錫と酸化亜鉛とをこ
の順序で形成した後、前記酸化亜鉛の表面を、ボロンを
含有する反応性ガスによるプラズマに晒し、その後その
表面に導電性非晶質シリコンカーバイドを被着形成する
ことにある。
造方法の特徴とするところは、酸化錫と酸化亜鉛とをこ
の順序で形成した後、前記酸化亜鉛の表面を、ボロンを
含有する反応性ガスによるプラズマに晒し、その後その
表面に導電性非晶質シリコンカーバイドを被着形成する
ことにある。
【０００８】
【作用】本発明光起電力装置の製造方法によれば、ボロ
ンを含有した反応性ガスによるプラズマをその酸化亜鉛
の表面に晒すことにより、酸化亜鉛とｐ型ａ−ＳｉＣと
の間の直列抵抗成分の減少が図れ、光起電力特性の向上
が可能となる。
ンを含有した反応性ガスによるプラズマをその酸化亜鉛
の表面に晒すことにより、酸化亜鉛とｐ型ａ−ＳｉＣと
の間の直列抵抗成分の減少が図れ、光起電力特性の向上
が可能となる。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明製造方法を説明するための工
程別素子構造断面図である。同図（ａ）で示される第１
工程では、透光性絶縁基板（４１）上に、酸化錫（４
２）及び酸化亜鉛（４３）を順次積層する。
程別素子構造断面図である。同図（ａ）で示される第１
工程では、透光性絶縁基板（４１）上に、酸化錫（４
２）及び酸化亜鉛（４３）を順次積層する。
【００１０】次に、同図（ｂ）で示される第２工程で
は、酸化亜鉛（４３）の表面をボロンを含有する反応性
ガスＢ2Ｈ6によって生成されたプラズマ（４４）に晒
す。このプラズマ処理によって、酸化亜鉛（４３）の表
面（４３ａ）近傍にはプラズマ（４４）によるボロン
（Ｂ）が含有されることとなる。
は、酸化亜鉛（４３）の表面をボロンを含有する反応性
ガスＢ2Ｈ6によって生成されたプラズマ（４４）に晒
す。このプラズマ処理によって、酸化亜鉛（４３）の表
面（４３ａ）近傍にはプラズマ（４４）によるボロン
（Ｂ）が含有されることとなる。
【００１１】そして、同図（ｃ）で示される第３工程で
は、ｐ型の導電性ａ−ＳｉＣ（４５）、バッファ用の真
性ａ−ＳｉＣ（４６）、真性の非晶質シリコン（４
７）、ｎ型の導電性非晶質シリコン（４８）、アルミニ
ュームなどからなる金属電極（４９）を順次形成する。
は、ｐ型の導電性ａ−ＳｉＣ（４５）、バッファ用の真
性ａ−ＳｉＣ（４６）、真性の非晶質シリコン（４
７）、ｎ型の導電性非晶質シリコン（４８）、アルミニ
ュームなどからなる金属電極（４９）を順次形成する。
【００１２】導電性ａ−ＳｉＣ（４５）、バッファ用の
真性ａ−ＳｉＣ（４６）、真性の非晶質シリコン（４
７）、ｎ型の導電性非晶質シリコン（４８）は、表１に
示された代表的な反応条件によって形成した。
真性ａ−ＳｉＣ（４６）、真性の非晶質シリコン（４
７）、ｎ型の導電性非晶質シリコン（４８）は、表１に
示された代表的な反応条件によって形成した。
【００１３】
【表１】
【００１４】尚、ボロン（Ｂ）を含有する反応性ガスと
して、実施例のＢ2Ｈ6以外にＢ（ＣＨ3）3やＢＦ3など
も使用することができる。
して、実施例のＢ2Ｈ6以外にＢ（ＣＨ3）3やＢＦ3など
も使用することができる。
【００１５】表２に本発明製造方法によって形成された
光起電力装置の代表的な特性を示す。同表には前記プラ
ズマ処理を施していない光起電力装置の特性についても
同時に示している。
光起電力装置の代表的な特性を示す。同表には前記プラ
ズマ処理を施していない光起電力装置の特性についても
同時に示している。
【００１６】
【表２】
【００１７】本発明製造方法によれば、ボロンを含有し
たプラズマをその酸化亜鉛の表面に晒すことにより、直
列抵抗成分の減少が図れ、良好な特性が得られた。
たプラズマをその酸化亜鉛の表面に晒すことにより、直
列抵抗成分の減少が図れ、良好な特性が得られた。
【００１８】
【発明の効果】本発明製造方法によれば、酸化亜鉛と導
電性ａ−ＳｉＣとの間のオーミック特性が向上し得、良
好な光起電力特性を得ることが可能となる。
電性ａ−ＳｉＣとの間のオーミック特性が向上し得、良
好な光起電力特性を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明光起電力装置の製造方法を説明するため
の工程別素子構造断面図である。
の工程別素子構造断面図である。
（４２）―――酸化錫 （４３）―――酸化亜鉛 （４４）―――ボロンを含有するプラズマ （４５）―――導電性非晶質シリコンカーバイド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 康則 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 石丸 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−194208（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−161776（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−296381（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−202068（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化錫と酸化亜鉛とをこの順序で形成し
た後、前記酸化亜鉛の表面を、ボロンを含有する反応性
ガスによるプラズマに晒し、その後その表面に導電性非
晶質シリコンカーバイドを被着形成することを特徴とす
る光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293183A JP2975744B2 (ja) | 1991-04-08 | 1991-11-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-75182 | 1991-04-08 | ||
| JP7518291 | 1991-04-08 | ||
| JP3293183A JP2975744B2 (ja) | 1991-04-08 | 1991-11-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12617099A Division JP3649948B2 (ja) | 1991-04-08 | 1999-05-06 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369870A JPH04369870A (ja) | 1992-12-22 |
| JP2975744B2 true JP2975744B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=26416339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3293183A Expired - Fee Related JP2975744B2 (ja) | 1991-04-08 | 1991-11-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2975744B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101939844B (zh) * | 2008-02-06 | 2012-07-18 | 京瓷株式会社 | 太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件 |
| EP2903032A4 (en) | 2012-09-28 | 2016-06-08 | Kaneka Corp | PHOTOVOLTAIC THIN-LAYER DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP3293183A patent/JP2975744B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04369870A (ja) | 1992-12-22 |
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Legal Events
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