JP2961881B2 - Ｘ線回折法による膜厚測定方法 - Google Patents
Ｘ線回折法による膜厚測定方法Info
- Publication number
- JP2961881B2 JP2961881B2 JP32789490A JP32789490A JP2961881B2 JP 2961881 B2 JP2961881 B2 JP 2961881B2 JP 32789490 A JP32789490 A JP 32789490A JP 32789490 A JP32789490 A JP 32789490A JP 2961881 B2 JP2961881 B2 JP 2961881B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycrystalline film
- ray
- diffraction
- substrate
- intensity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、Ｘ線回折現象を利用して基板上に形成され
た多結晶膜の厚さを測定する方法に関する。
た多結晶膜の厚さを測定する方法に関する。
＜従来の技術＞ 第５図に示すように、シリコンやガラス等の基板ｓ上
に真空蒸着などによって形成される多結晶膜ｌの厚さｔ
をＸ線回折現象を利用して測定するには、従来、次のよ
うな２つの方法が提案されている。
に真空蒸着などによって形成される多結晶膜ｌの厚さｔ
をＸ線回折現象を利用して測定するには、従来、次のよ
うな２つの方法が提案されている。
第１の方法は、第６図に示すように、基板ｓと多結晶
膜ｌの各々の回折Ｘ線の強度Is、Ilを測定して両者の強
度比（＝Il/Is）を求める。そして、予め多結晶膜ｌの
厚さｔが既知の試料について、基板ｓと多結晶膜ｌの回
折Ｘ線の強度比（＝Il/Is）を測定して得られた第７図
の関係に基づいて多結晶膜ｌの厚さｔを決定するもので
ある。すなわち、この方法は、多結晶膜ｌの厚さｔが大
きくなれば、それだけ基板ｓからの回折Ｘ線が多結晶膜
ｌで吸収されて強度Isが弱くなるので、これに応じて回
折Ｘ線の強度比（＝Il/Is）が相対的に増加するという
現象を利用するものである。
膜ｌの各々の回折Ｘ線の強度Is、Ilを測定して両者の強
度比（＝Il/Is）を求める。そして、予め多結晶膜ｌの
厚さｔが既知の試料について、基板ｓと多結晶膜ｌの回
折Ｘ線の強度比（＝Il/Is）を測定して得られた第７図
の関係に基づいて多結晶膜ｌの厚さｔを決定するもので
ある。すなわち、この方法は、多結晶膜ｌの厚さｔが大
きくなれば、それだけ基板ｓからの回折Ｘ線が多結晶膜
ｌで吸収されて強度Isが弱くなるので、これに応じて回
折Ｘ線の強度比（＝Il/Is）が相対的に増加するという
現象を利用するものである。
第２の方法は、第８図に示すように、多結晶膜ｌのあ
る指数の回折Ｘ線の強度I1と、これよりも高次指数の回
折Ｘ線の強度I2とをそれぞれ測定して両者の強度比（＝
I2/I1）を求める。そして、予め多結晶膜ｌの厚さｔが
既知の試料について、両者の強度比（＝I2/I1）を測定
して得られた第９図の関係に基づいて多結晶膜ｌの厚さ
ｔを決定するものである。すなわち、この方法は、第10
図に示すように、ある指数のＸ線（図中実践）と、これ
よりも高次のＸ線（図中破線）とでは、低次のＸ線ほど
行路長が長い（M1＞２）ので、それだけ多結晶膜ｌによ
るＸ線の吸収率が大きくなり、多結晶膜の深いところか
らのＸ線回折の寄与が少なくなる。しかも、多結晶膜ｔ
の厚さが大きくなる程、低次と高次のＸ線の多結晶膜ｌ
を通過する間での行路長の差２（M1−M2）も大きくな
る。したがって、多結晶膜ｌの厚さｔが大きくなると、
相対的に強度比（＝I2/I1）が増加するという現象を利
用したものである。
る指数の回折Ｘ線の強度I1と、これよりも高次指数の回
折Ｘ線の強度I2とをそれぞれ測定して両者の強度比（＝
I2/I1）を求める。そして、予め多結晶膜ｌの厚さｔが
既知の試料について、両者の強度比（＝I2/I1）を測定
して得られた第９図の関係に基づいて多結晶膜ｌの厚さ
ｔを決定するものである。すなわち、この方法は、第10
図に示すように、ある指数のＸ線（図中実践）と、これ
よりも高次のＸ線（図中破線）とでは、低次のＸ線ほど
行路長が長い（M1＞２）ので、それだけ多結晶膜ｌによ
るＸ線の吸収率が大きくなり、多結晶膜の深いところか
らのＸ線回折の寄与が少なくなる。しかも、多結晶膜ｔ
の厚さが大きくなる程、低次と高次のＸ線の多結晶膜ｌ
を通過する間での行路長の差２（M1−M2）も大きくな
る。したがって、多結晶膜ｌの厚さｔが大きくなると、
相対的に強度比（＝I2/I1）が増加するという現象を利
用したものである。
＜発明が解決しようとする課題＞ しかしながら、前記第１の方法は、多結晶膜ｌの配向
性が不明な場合には適用し難いという問題がある。すな
わち、第１の方法は、多結晶膜ｌからの回折Ｘ線の強度
Ilを測定することが前提となっているが、基板ｓ上に形
成される多結晶膜ｌは、基板ｓとの結晶の方位関係や成
長条件等の要因によって特定の優先方位をもつことがあ
る。そして、多結晶膜ｌからの回折Ｘ線の強度Ilは、そ
の配向性に依存するため、多結晶膜ｌの配向性によって
基板ｓと多結晶膜ｌの回折Ｘ線の強度比（＝Il/Is）も
変化する。したがって、多結晶膜ｌの配向性が不明な場
合には、回折Ｘ線の強度比（＝Il/Is）を特定できない
から、多結晶膜ｌの厚さｔを求めることができない。
性が不明な場合には適用し難いという問題がある。すな
わち、第１の方法は、多結晶膜ｌからの回折Ｘ線の強度
Ilを測定することが前提となっているが、基板ｓ上に形
成される多結晶膜ｌは、基板ｓとの結晶の方位関係や成
長条件等の要因によって特定の優先方位をもつことがあ
る。そして、多結晶膜ｌからの回折Ｘ線の強度Ilは、そ
の配向性に依存するため、多結晶膜ｌの配向性によって
基板ｓと多結晶膜ｌの回折Ｘ線の強度比（＝Il/Is）も
変化する。したがって、多結晶膜ｌの配向性が不明な場
合には、回折Ｘ線の強度比（＝Il/Is）を特定できない
から、多結晶膜ｌの厚さｔを求めることができない。
また、第２の方法は、多結晶膜ｌのある指数の回折Ｘ
線の強度I1と、これよりも高次の回折Ｘ線の強度I2との
強度比（＝I2/I1）を求めているので、多結晶膜ｌの配
向性に依存しないという利点があるものの、多結晶膜ｌ
の向次の回折Ｘ線のピークが基板ｓによる回折Ｘ線のピ
ークと重なる場合や、高次の回折Ｘ線のピーク強度が極
めて小さいような場合は、高次指数の回折Ｘ線の強度I2
を測定することができない。したがって、強度比（＝I2
/I1）も求められないので、多結晶膜ｌの厚さｔを決定
することができない。
線の強度I1と、これよりも高次の回折Ｘ線の強度I2との
強度比（＝I2/I1）を求めているので、多結晶膜ｌの配
向性に依存しないという利点があるものの、多結晶膜ｌ
の向次の回折Ｘ線のピークが基板ｓによる回折Ｘ線のピ
ークと重なる場合や、高次の回折Ｘ線のピーク強度が極
めて小さいような場合は、高次指数の回折Ｘ線の強度I2
を測定することができない。したがって、強度比（＝I2
/I1）も求められないので、多結晶膜ｌの厚さｔを決定
することができない。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであ
って、多結晶膜の配向性の影響を受けず、しかも、多結
晶膜の高次指数の回折Ｘ線の強度を測定しなくても、多
結晶膜の厚さを精度良く決定できるようにするものであ
る。
って、多結晶膜の配向性の影響を受けず、しかも、多結
晶膜の高次指数の回折Ｘ線の強度を測定しなくても、多
結晶膜の厚さを精度良く決定できるようにするものであ
る。
いま、基板上に多結晶膜を形成した場合において、多
結晶膜は、基板に対して入射および反射するＸ線に対し
て吸収体として作用する。このようなＸ線の吸収体が基
板上に存在する場合、基板からの回折Ｘ線について、あ
る回折ピークの強度Ｉは、理論上、次式で与えられるこ
とが知られている（「Advances in Xray Analysis」vo
l.32、p279〜p283参照）。
結晶膜は、基板に対して入射および反射するＸ線に対し
て吸収体として作用する。このようなＸ線の吸収体が基
板上に存在する場合、基板からの回折Ｘ線について、あ
る回折ピークの強度Ｉは、理論上、次式で与えられるこ
とが知られている（「Advances in Xray Analysis」vo
l.32、p279〜p283参照）。
Ｉ＝（e2/mc2）２・（I0・|Fs|2・λ3/sinγ）・｛（１ ＋cos22θ）/2sin2θ｝・｛exp（−μ・α・ｔ）｝／（μｓ・α）（１） ただし、 α＝（1/sinγ）＋（1/sinβ） （２） β＝２θ−γ （３） ここに、 t:多結晶膜の厚さ I:基板からの回折Ｘ線の強度 e:電子の電荷 m:電子の質量 c:光の速度 I0:基板への入射Ｘ線の強度 λ:X線の波長 Fs:基板の構造因子 ２θ：基板からのＸ線の回折角 μ：多結晶膜の線吸収係数 μs:基板の線吸収係数 である。
（１）式の右辺を入射角γを変えても値の変わらない
定数項と、そうでない変数項とに別けて記述すると、 Ｉ＝Ｋ・exp（−μ・α・ｔ）／（sinγ・α）
（４） ただし、Ｋは定数で、 Ｋ＝（e2/mc2）２・（I0・|Fs|2・λ３） ・｛（１＋cos22θ）/2sin2θ｝／μｓ となる。
定数項と、そうでない変数項とに別けて記述すると、 Ｉ＝Ｋ・exp（−μ・α・ｔ）／（sinγ・α）
（４） ただし、Ｋは定数で、 Ｋ＝（e2/mc2）２・（I0・|Fs|2・λ３） ・｛（１＋cos22θ）/2sin2θ｝／μｓ となる。
（４）式を変形すると、 ln（Ｉ・α・sinγ）＝−μ・α・ｔ＋lnK （５） ここで、ｙ＝ln（Ｉ・α・sinγ）、ｘ＝αとすれ
ば、（５）式は傾きが（−μ・ｔ）、切片がlnKの直
線となる。
ば、（５）式は傾きが（−μ・ｔ）、切片がlnKの直
線となる。
したがって、横軸をα、縦軸をln（Ｉ・α・sinγ）
とした座標上にαの値を変えた場合のln（Ｉ・α・sin
γ）の値を複数点プロットし、これらの各点を結ぶ直線
の傾き（−μ・ｔ）を求めれば、μは既知であるか
ら、Ｘ線吸収体としての多結晶膜の厚さｔを決定するこ
とができる。
とした座標上にαの値を変えた場合のln（Ｉ・α・sin
γ）の値を複数点プロットし、これらの各点を結ぶ直線
の傾き（−μ・ｔ）を求めれば、μは既知であるか
ら、Ｘ線吸収体としての多結晶膜の厚さｔを決定するこ
とができる。
本発明は、かかる知見に基づいてなされたものであっ
て、試料に対するＸ線の入射角γを所定の値に固定する
一方、Ｘ線検出器を所定の角度範囲にわたって走査して
基板からの回折Ｘ線について、ある回折ピークの回折角
２θと回折強度Ｉとをそれぞれ測定し、 前記手順を入射角γを変更して複数回繰り返し、 こうして得られた各々の回折強度Ii（ｉ＝１、２、
…）、入射角γｉ（ｉ＝１、２、…）、および回折角２
θｉ（ｉ＝１、２、…）の関係から、 βｉ＝２θｉ−γｉ αｉ＝（1/sinγｉ）＋（1/sinβｉ） をそれぞれ算出し、次に、αｉの値を横軸に、自然対数
ln（Ii・αｉ・sinγｉ）の値を縦軸にして両者の関係
をプロットし、プロットした各点を直線近似してその直
線の傾きｊを求め、この傾きｊを多結晶膜の線吸収係数
μで割り算して前記多結晶膜の厚さｔを算出するよう
にしている。
て、試料に対するＸ線の入射角γを所定の値に固定する
一方、Ｘ線検出器を所定の角度範囲にわたって走査して
基板からの回折Ｘ線について、ある回折ピークの回折角
２θと回折強度Ｉとをそれぞれ測定し、 前記手順を入射角γを変更して複数回繰り返し、 こうして得られた各々の回折強度Ii（ｉ＝１、２、
…）、入射角γｉ（ｉ＝１、２、…）、および回折角２
θｉ（ｉ＝１、２、…）の関係から、 βｉ＝２θｉ−γｉ αｉ＝（1/sinγｉ）＋（1/sinβｉ） をそれぞれ算出し、次に、αｉの値を横軸に、自然対数
ln（Ii・αｉ・sinγｉ）の値を縦軸にして両者の関係
をプロットし、プロットした各点を直線近似してその直
線の傾きｊを求め、この傾きｊを多結晶膜の線吸収係数
μで割り算して前記多結晶膜の厚さｔを算出するよう
にしている。
ここで、回折角２θｉは、いまの場合、ある一つのピ
ークに着目しているので、理論的には一定の値であり、
上記の手順で算出しても測定誤差の範囲で一致すべき量
である。したがって、βｉの算出時は、代表値２θｉま
たは２θｉの平均値を２θｉの代わりに使用しても差し
支えない。
ークに着目しているので、理論的には一定の値であり、
上記の手順で算出しても測定誤差の範囲で一致すべき量
である。したがって、βｉの算出時は、代表値２θｉま
たは２θｉの平均値を２θｉの代わりに使用しても差し
支えない。
＜作用＞ 上記方法によれば、試料に対するＸ線の入射角を変更
した場合の基板からの回折Ｘ線の強度変化のみを測定し
ており、多結晶膜に関する回折Ｘ線の強度とは無関係で
あるから、多結晶膜の配向性の影響を受けない。しか
も、多結晶膜の高次指数の回折Ｘ線の強度Ｉを測定する
必要もない。そのため、多結晶膜の厚さの測定におい
て、測定上の制限因子が少ないので、従来よりも適用範
囲が広がる。
した場合の基板からの回折Ｘ線の強度変化のみを測定し
ており、多結晶膜に関する回折Ｘ線の強度とは無関係で
あるから、多結晶膜の配向性の影響を受けない。しか
も、多結晶膜の高次指数の回折Ｘ線の強度Ｉを測定する
必要もない。そのため、多結晶膜の厚さの測定におい
て、測定上の制限因子が少ないので、従来よりも適用範
囲が広がる。
＜実施例＞ 第１図は本発明方法を適用する場合のＸ線回折装置の
構成図である。同図において、１は試料で、この試料１
は、基板ｓの表面に多結晶膜ｌが形成されている。２は
Ｘ線管球、３はゴニオメータ、４は第１ソーラスリッ
ト、５は第２ソーラスリット、６はＸ線検出器である。
構成図である。同図において、１は試料で、この試料１
は、基板ｓの表面に多結晶膜ｌが形成されている。２は
Ｘ線管球、３はゴニオメータ、４は第１ソーラスリッ
ト、５は第２ソーラスリット、６はＸ線検出器である。
本発明方法では、第２図に示すように、まず、試料１
に対するＸ線の入射角を所定の値γ１に固定する一方、
第２ソーラスリット５とＸ線検出器６とを所定の角度範
囲にわたって走査して、第３図に示すように、基板ｓか
らの回折Ｘ線ピークの回折角２θ１と回折強度（積分強
度）I1とをそれぞれ測定する。
に対するＸ線の入射角を所定の値γ１に固定する一方、
第２ソーラスリット５とＸ線検出器６とを所定の角度範
囲にわたって走査して、第３図に示すように、基板ｓか
らの回折Ｘ線ピークの回折角２θ１と回折強度（積分強
度）I1とをそれぞれ測定する。
次に、試料１に対するＸ線の入射角を変更してγ２と
し、上記と同様にして基板ｓからの同じ回折Ｘ線ピーク
の回折角２θ２と回折強度I2とをそれぞれ測定する。
し、上記と同様にして基板ｓからの同じ回折Ｘ線ピーク
の回折角２θ２と回折強度I2とをそれぞれ測定する。
以下、上記の手順を入射角γｉを変更して繰り返し行
い、各々の回折強度Ii（ｉ＝１、２、…）、入射角γｉ
（ｉ＝１、２、…）、および回折角２θｉ（ｉ＝１、
２、…）を測定する。
い、各々の回折強度Ii（ｉ＝１、２、…）、入射角γｉ
（ｉ＝１、２、…）、および回折角２θｉ（ｉ＝１、
２、…）を測定する。
これは、第３図において、多結晶膜ｌを基板ｓに対す
るＸ線の吸収体として捉え、基板ｓに対するＸ線の入射
角γｉを変えることによって基板ｓの入射Ｘ線と回折Ｘ
線とが多結晶膜ｌを通過する際の行路長L1＋L2を変化さ
せ、これに伴う多結晶膜ｌによるＸ線の吸収率を測定し
ていることを意味する。
るＸ線の吸収体として捉え、基板ｓに対するＸ線の入射
角γｉを変えることによって基板ｓの入射Ｘ線と回折Ｘ
線とが多結晶膜ｌを通過する際の行路長L1＋L2を変化さ
せ、これに伴う多結晶膜ｌによるＸ線の吸収率を測定し
ていることを意味する。
そこで、次に、上記のようにして得られた各々の積分
強度Ii（ｉ＝１、２、…）、入射角γｉ（ｉ＝１、２、
…）、および回折角２θｉ（ｉ＝１、２、…）の関係か
ら βｉ＝２θｉ−γｉ αｉ＝（1/sinγｉ）＋（1/sinβｉ） （ｉ＝１、２、…） を算出する。ここで、αｉは多結晶膜ｌをＸ線が通過す
る場合の行路長L1＋L2に対応している。
強度Ii（ｉ＝１、２、…）、入射角γｉ（ｉ＝１、２、
…）、および回折角２θｉ（ｉ＝１、２、…）の関係か
ら βｉ＝２θｉ−γｉ αｉ＝（1/sinγｉ）＋（1/sinβｉ） （ｉ＝１、２、…） を算出する。ここで、αｉは多結晶膜ｌをＸ線が通過す
る場合の行路長L1＋L2に対応している。
次に、第４図に示すように、αｉの値を横軸に、自然
対数ln（Ii・αｉ・sinγｉ）の値を縦軸にとって両者
の関係をプロットし、プロットした各点をたとえば最小
二乗法等により直線近似してその勾配ｊを求める。
対数ln（Ii・αｉ・sinγｉ）の値を縦軸にとって両者
の関係をプロットし、プロットした各点をたとえば最小
二乗法等により直線近似してその勾配ｊを求める。
続いて、この勾配ｊを多結晶膜ｌの線吸収係数μで
割り算する。これにより、多結晶膜ｓの厚さｔが決定さ
れる。
割り算する。これにより、多結晶膜ｓの厚さｔが決定さ
れる。
なお、上記の実施例では、試料１のＸ線照射面は固定
されたままであるが、Ｘ線照射面を一平面内で回動する
機構を設け、測定中は試料１を回転するようにしておけ
ば、基板ｓに配向性がある場合、その配向性の影響を最
小限に抑えることができるので、一層都合が良い。
されたままであるが、Ｘ線照射面を一平面内で回動する
機構を設け、測定中は試料１を回転するようにしておけ
ば、基板ｓに配向性がある場合、その配向性の影響を最
小限に抑えることができるので、一層都合が良い。
＜発明の効果＞ 本発明によれば、Ｘ線の入射角を変更した場合の基板
からの回折Ｘ線の強度変化のみを測定しており、多結晶
膜に関する回折Ｘ線の強度とは無関係であるから、多結
晶膜の配向性の影響を受けない。しかも、多結晶膜の高
次指数の回折Ｘ線の強度Ｉを測定する必要もない。その
ため、多結晶膜の厚さの測定において、従来よりも適用
範囲が広がる。
からの回折Ｘ線の強度変化のみを測定しており、多結晶
膜に関する回折Ｘ線の強度とは無関係であるから、多結
晶膜の配向性の影響を受けない。しかも、多結晶膜の高
次指数の回折Ｘ線の強度Ｉを測定する必要もない。その
ため、多結晶膜の厚さの測定において、従来よりも適用
範囲が広がる。
第１図は本発明方法を適用する場合のＸ線回折装置の構
成図、第２図は基板上に多結晶膜が形成された試料のＸ
線の入射、反射の関係を示す説明図、第３図は試料に対
するＸ線の入射角γを固定してＸ線検出器のみを所定の
角度範囲にわたって走査して基板からの回折Ｘ線の強度
を測定する場合のピークプロファイル、第４図は試料に
対するＸ線の入射角を変更して得られた各々の回折強度
Ii、入射角γｉおよび回折角２θｉの関係から多結晶膜
の厚さを決定する場合の説明図である。 第５図は基板上に多結晶膜が形成された試料の断面
図、第６図および第７図は従来の膜厚測定方法の説明
図、第８図ないし第10図は従来の他の膜厚測定方法の説
明図である。 １……試料、３……ゴニオメータ、ｓ……基板、ｌ……
多結晶膜。
成図、第２図は基板上に多結晶膜が形成された試料のＸ
線の入射、反射の関係を示す説明図、第３図は試料に対
するＸ線の入射角γを固定してＸ線検出器のみを所定の
角度範囲にわたって走査して基板からの回折Ｘ線の強度
を測定する場合のピークプロファイル、第４図は試料に
対するＸ線の入射角を変更して得られた各々の回折強度
Ii、入射角γｉおよび回折角２θｉの関係から多結晶膜
の厚さを決定する場合の説明図である。 第５図は基板上に多結晶膜が形成された試料の断面
図、第６図および第７図は従来の膜厚測定方法の説明
図、第８図ないし第10図は従来の他の膜厚測定方法の説
明図である。 １……試料、３……ゴニオメータ、ｓ……基板、ｌ……
多結晶膜。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に多結晶膜が形成されてなる試料の
前記多結晶膜の厚さを測定する方法であって、 前記試料に対するＸ線の入射角γを所定の値に固定する
一方、Ｘ線検出器を所定の角度範囲にわたって走査して
基板からの回折Ｘ線について、ある回折ピークの回折角
２θと回折強度Ｉとをそれぞれ測定し、 前記手順を入射角γを変更して複数回繰り返し、 こうして得られた各々の回折強度Ii（ｉ＝１、２、
…）、入射角γｉ（ｉ＝１、２、…）、および回折角２
θｉ（ｉ＝１、２、…）の関係から、 βｉ＝２θｉ−γｉ αｉ＝（1/sinγｉ）＋（1/sinβｉ） をそれぞれ算出し、次に、αｉの値を横軸に、自然対数
ln（Ii・αｉ・sinγｉ）の値を縦軸にして両者の関係
をプロットし、プロットした各点を直線近似してその直
線の傾きｊを求め、この傾きｊを多結晶膜の線吸収係数
μで割り算して前記多結晶膜の厚さｔを算出すること
を特徴とするＸ線回折法による膜厚測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32789490A JP2961881B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Ｘ線回折法による膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32789490A JP2961881B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Ｘ線回折法による膜厚測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04194611A JPH04194611A (ja) | 1992-07-14 |
| JP2961881B2 true JP2961881B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=18204177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32789490A Expired - Lifetime JP2961881B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Ｘ線回折法による膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961881B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3914925B2 (ja) | 2004-01-28 | 2007-05-16 | 株式会社リガク | 膜厚測定方法及び装置 |
| JP2010014432A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Covalent Materials Corp | 膜厚測定方法 |
| JP5590000B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2014-09-17 | 信越半導体株式会社 | ポリシリコン膜の膜厚評価方法 |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP32789490A patent/JP2961881B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04194611A (ja) | 1992-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kikuta et al. | Measurements on local variations in spacing and orientation of the lattice plane of silicon single crystals by X-ray double-crystal topography | |
| JP2005534028A (ja) | テクスチャのある多結晶材料の定量的位相解析 | |
| JP2961881B2 (ja) | Ｘ線回折法による膜厚測定方法 | |
| US6909772B2 (en) | Method and apparatus for thin film thickness mapping | |
| JP2940757B2 (ja) | Ｘ線回折分析装置 | |
| JP2002022679A (ja) | Ｘ線回折装置 | |
| JP3034420B2 (ja) | 蛍光ｘ線分析におけるバックグランド補正法 | |
| JP3047563B2 (ja) | Ｘ線回折法による膜厚測定方法 | |
| Larsen et al. | X-ray diffraction studies of polycrystalline thin films using glancing angle diffractometry | |
| JPH05240809A (ja) | 蛍光ｘ線分析方法および装置 | |
| JP2785848B2 (ja) | 結晶基板の内部歪み測定方法 | |
| JP3217871B2 (ja) | Ｘ線分析装置および全反射蛍光ｘ線分析装置 | |
| JPH03246452A (ja) | 全反射蛍光ｘ線分析装置 | |
| JPH1048158A (ja) | 単結晶試料等のｘ線応力測定方法 | |
| SU1103126A1 (ru) | Способ определени структурных характеристик тонких приповерхностных слоев монокристаллов | |
| JP2921597B2 (ja) | 全反射スペクトル測定装置 | |
| SU1133519A1 (ru) | Способ определени структурных характеристик монокристаллов | |
| JP3777581B2 (ja) | Ｘ線回折法を用いた膜厚測定方法 | |
| Bocchi et al. | The use of parallel and monochromatic beams for determining the composition of pseudobinary alloys by X-ray fluorescence | |
| JPH04198745A (ja) | Ｘ線回折方法 | |
| JP2539865B2 (ja) | 薄膜評価装置 | |
| JPH01167642A (ja) | 薄膜ｘ線回折装置 | |
| Smelser et al. | The effects of instrumental distortion in X-ray diffraction studies of liquids. I. A study of the relative effectiveness of several monochromatizing techniques | |
| Cauchois | X-Ray spectrography by transmission of a non-collimated beam through a curved crystal | |
| JPH0933451A (ja) | エネルギ角度分散型全反射ｘ線分析装置 |