JP2959518B2 - 高さ測定装置 - Google Patents

高さ測定装置

Info

Publication number
JP2959518B2
JP2959518B2 JP9102138A JP10213897A JP2959518B2 JP 2959518 B2 JP2959518 B2 JP 2959518B2 JP 9102138 A JP9102138 A JP 9102138A JP 10213897 A JP10213897 A JP 10213897A JP 2959518 B2 JP2959518 B2 JP 2959518B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
optical head
laser
optical
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP9102138A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10293008A (ja
Inventor
嘉一 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP9102138A priority Critical patent/JP2959518B2/ja
Publication of JPH10293008A publication Critical patent/JPH10293008A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2959518B2 publication Critical patent/JP2959518B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/789Means for monitoring the connection process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/859Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01051Antimony [Sb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばチップとリ
ードに接続されたボンディングワイヤ等の線状物体の高
さを測定する場合に使用して好適な高さ測定装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の高さ測定装置は、例えば
特開平7−335706号公報に「ワイヤの高さ測定装
置」として開示され、図13に示すように構成されてい
る。これを同図に基づいて説明すると、同図において、
レーザ光源1a,1bは、半導体レーザ等からなり、レ
ーザビーム8a,8bを照射する。
【0003】シャッタ60a,60bは、一瞬でレーザ
ビーム8a,8bを通過させたり、遮蔽したりする機能
を有している。集光レンズ401a,401bは、レー
ザビーム8a,8bを一点に集光させる機能を有してい
る。光検出器6は、フォトダイオード等からなり、入射
光量に比例した電流を出力する機能を有している。
【0004】光学ヘッド112は、レーザ光源1a,1
bとシャッタ60a,60bと集光レンズ401a,4
01bとを有する2つのヘッドからなり、これら各ヘッ
ドの構成部品が同一の軸線(各レーザ光源1a,1bの
光軸)上に位置するように設置されている。すなわち、
これら各ヘッドは、鉛直面内において各光軸のつくる角
度が90゜に設定され、かつ片方の光軸が水平面と45
゜となるような位置に位置付けられている。
【0005】制御機構(図示せず)は、動作開始の命令
信号によって光学ヘッド112上の両レーザ光源1a,
1bを点灯し、両シャッタ60a,60bを交互に高速
で開閉しながら、走査機構502を駆動制御する。走査
機構502は、両レーザ光源1a,1bの光軸を含む平
面内で矢印方向Aに光学ヘッド112を走査するととも
に、移動距離に対応する信号を演算処理機構(図示せ
ず)へ送る機能を有している。
【0006】演算処理機構(図示せず)は、制御機構
(図示せず)からのシャッタ60a,60bの開閉信号
に同期させて光検出器6からの二つの信号を区別して記
憶するとともに、走査機構502からの信号に対応する
移動距離も記憶し、これら二つの光量信号と移動距離か
らチップ151とリード152に接続されたワイヤ15
0の高さを計算して表示機構(図示せず)に出力する。
【0007】このように構成された高さ測定装置の動作
につき、図14〜図18を用いて説明する。図14〜図
16は従来における高さ測定装置の測定動作を説明する
ために示す正面図、図17および図18は図14〜図1
6において光検出器が検出した光量を示す光量信号と光
学ヘッドの位置との関係を示すグラフである。図14に
おいて、光学ヘッド112によってワイヤ150を右に
走査していく途中であり、レーザ光源1aから照射され
たレーザビーム8aがワイヤ150cに当たり、その乱
反射光が光検出器6に入射している。このとき、演算処
理機構(図示せず)は、光検出器6からの光量信号を図
17(a)に示すようにレーザ光源1aによる光量信号
Saとして記憶する。
【0008】このまま右に走査すると、図15に示すよ
うに、今度はレーザ光源1bから照射されたレーザビー
ム8bがワイヤ150cに当たり、その乱反射光が光検
出器6に入射する。このとき、演算処理機構(図示せ
ず)は、光検出器6からの光量信号を図17(b)に示
すようにレーザ光源1bによる光量信号Sbとして記憶
する。
【0009】このように、最後のワイヤ150まで走査
して、演算処理機構(図示せず)に記憶された二つの光
量信号Sa,Sbとこれら光量信号に対応する光学ヘッ
ド112の位置との関係をグラフにすると、図17に示
すようになる。そして、演算処理機構(図示せず)は、
二つの光量信号Sa,Sbの各ピークが現われた位置を
決定する。
【0010】これら光量信号Saの各ピーク位置をそれ
ぞれX1a,X1b,・・・とし、同様に光量信号Sb
の各ピーク位置をそれぞれX2a,X2b,・・・とし
て、X1aとX2b,X1bとX2b,・・・の組み合
わせで式(1)に代入し、それぞれのワイヤ150の高
さを計算する。
【0011】
【数1】
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の高さ測
定装置においては、例えばチップ151の表面に鏡面部
分がある場合には、チップ151の表面からの反射光も
光検出器6に入射されてしまい、図18(a)および
(b)に示すように、二つの光量信号Sa,Sbにはワ
イヤ150からの反射光によるピークMca,Mcbが
現われる。
【0013】また、図18(a)にMsで示すように、
ワイヤ150の表面の状態によってワイヤ150からの
反射光が弱くなることもある。図18(a)および
(b)に示すように、閾値Stを設定しておいても、閾
値Stを越えているものが必ずしもワイヤ150からの
反射光によるピークMwであるとは限らず、両反射光を
区別することが非常に困難である。
【0014】前述したように、測定順に組み合わせてい
く場合、仮に両光量信号Sにチップ151の表面による
ピークMcが入っていると、ワイヤ150の本数が多く
なってしまう。また、例えば片方の光量信号Saにだけ
ピークMcがあったり、あるいは弱いピークMsがあっ
たりすると、XiaとXib(iは正数)の組み合わせ
が不正確になり、ワイヤ150の高さの計算に大きな誤
差を含んでしまう。
【0015】そこで、従来の高さ測定装置において、測
定範囲に合わせて大きな受光面積をもつ光検出器を配置
したり、光検出器の上流側にレンズあるいは反射鏡を配
置したりすることが考えられるが、この場合測定対象と
してのワイヤの隣りのワイヤやチップ面等からの乱反射
光も受光してしまうことがあった。
【0016】この結果、高さ計算に必要な反射光のピー
ク位置を決定することができず、精度の高い高さ測定を
行なうことができないという問題があった。
【0017】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、高さ計算に必要な反射光のピーク位置を確実に
検出することができ、もって精度の高い高さ測定を行な
うことができる高さ測定装置の提供を目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の請求項1記載の測定装置は、水平方向に走
査して基準水平面上の被測定物にレーザビーム光を照射
し、この照射光による被測定物からの反射光を検出する
光検出器を有する光学ヘッドと、この光学ヘッドに接続
され、反射光のうち最大光量となる反射光に対応するヘ
ッド走査位置に基づいて被測定物の基準水平面からの高
さを演算する演算処理装置とを備えた高さ測定装置であ
って、光学ヘッドに、基準水平面上の被測定物を通る鉛
直線に関して対称な二つの方向からレーザビーム光を照
射可能なレーザ光源と、このレーザ光源の光軸方向と異
なる方向に反射光を分けるビームスプリッタと、このビ
ームスプリッタによって分けられた反射光のうち水平面
に直交し、レーザ光源の光軸を含む平面内の反射光を通
過させる光学フィルタとを含ませた構成としてある。
【0019】請求項2記載の発明は、請求項1記載の高
さ測定装置において、光学ヘッドが水平面内で回転可能
な単一の光学ヘッドからなる構成としてある。
【0020】請求項3記載の発明は、請求項1記載の高
さ測定装置において、光学ヘッドが鉛直面内で回転可能
な単一の光学ヘッドからなる構成としてある。
【0021】請求項4記載の発明は、請求項1記載の高
さ測定装置において、光学ヘッドが水平面に直交し、か
つレーザ光源の光軸を含む平面内に位置する二つの光学
ヘッドからなる構成としてある。
【0022】請求項5記載の高さ測定装置は、水平方向
に走査して基準水平面上の被測定物にレーザビーム光を
照射するレーザ光源およびこのレーザ光源の照射光によ
る被測定物からの反射光を検出する光検出器を有する光
学ヘッドと、この光学ヘッドに接続され、反射光のうち
最大光量となる反射光に対応するヘッド走査位置に基づ
いて被測定物の基準水平面からの高さを演算する演算処
理装置とを備えた高さ測定装置であって、光学ヘッド
に、レーザ光源の光軸方向と異なる方向に反射光を分け
る第一ビームスプリッタと、この第一ビームスプリッタ
の下流側に配設され、レーザ光源の光軸方向と異なる方
向に反射光を分ける二つの第二ビームスプリッタと、こ
れら各第二ビームスプリッタによって分けられた反射光
のうち水平面に直交し、レーザ光源の光軸を含む平面内
の反射光を通過させる光学フィルタと、この光学フィル
タに対して被測定物からの反射光を反射する第一ミラー
と、この第一ミラーの反射面と平行な反射面を有し、第
一ビームスプリッタからの照射光を被測定物に対して反
射する第二ミラーとを含ませた構成としてある。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき、
図面を参照して説明する。図1は本発明の第1実施形態
に係る高さ測定装置を示す斜視図、図2および図3は同
じく本発明の第一実施形態に係る高さ測定装置の動作を
説明するために示す正面図である。同図において、光学
ヘッド10は、レーザ光源1と集光レンズ2と偏光板3
と偏光ビームスプリッタ4とλ/4板5と光検出器6と
スリット付きの遮光板7とを備えている。
【0024】レーザ光源1は、水平面に対してθの角度
で光軸をもち、斜め下に向かってレーザビーム8を照射
する。レーザビーム8は、円偏光ビーム81および直線
偏光ビーム82(共に図2に図示)の2つの偏光面を有
している。
【0025】集光レンズ2は、レーザ光源1の光軸上に
配置され、レーザビーム8を線状物体50上に集光す
る。偏光板3は、レーザ光源1の光軸上で集光レンズ2
の下側に配置され、レーザビーム8の2つの偏光面のう
ち一方だけを透過させる。ここでは、円偏光ビーム81
のみを透過させるものとする。
【0026】偏光ビームスプリッタ4は、レーザ光源1
の光軸上で偏光板3の下側に配置され、2つの偏光面の
うち片方を透過し、もう一方はレーザ光源の光軸に対し
て直角な方向に反射させる。ここでは、円偏光ビーム8
1を透過させ、直線偏光ビーム82を反射させるものと
する。
【0027】λ/4板5は、レーザ光源1の光軸上で偏
光ビームスプリッタ4の下側に配置され、レーザビーム
8の偏光面を回転させる機能を有する。λ/4板5を二
回通過した円偏光ビーム81は直線偏光ビーム82に、
または直線偏光ビーム82は円偏光に偏光される。λ/
4板5を一回通過して回転した偏光面をもつレーザビー
ム8のうち、線状物体50に照射されるものを回転偏光
ビーム83i(図2)とし、線状物体50から反射して
くるものを回転偏光ビーム83r(図2)とする。
【0028】光検出器6は、偏光ビームスプリッタ4で
レーザ光源1の光軸に対して直角な方向に分岐された光
軸上に配置され、受光光量に比例した第一の光量S1を
計算機構40に対して出力する。
【0029】遮光板7は、水平方向に延在するスリット
を有し、光検出器7と偏光ビームスプリッタ4との間に
配置されている。これにより、水平面と直交し、レーザ
光源1の光軸を含む平面内を通ってきたレーザビーム8
のみを通過させ、それ以外のレーザビーム8を通過させ
ない。制御機構20は、レーザ光源1を点灯・消灯さ
せ、走査機構30を駆動制御する。
【0030】走査機構30は、レーザ光源1の光軸を含
む平面に平行に光学ヘッド10を水平移動させ、光学ヘ
ッド10の位置を示す第一の位置信号P1を計算機構4
0に対して出力する。走査機構30による走査範囲は、
線状物体50の上を光学ヘッド10が通り過ぎることが
できるだけの十分な距離を有しているものとする。
【0031】計算機構40は、第一の光量信号S1と第
一の位置信号P1から、第一の光量信号S1がピークと
なったときの光学ヘッド10の第一の位置X1と、光学
ヘッド10の向きを逆にして(光学ヘッド10を水平面
内で180゜回転させるか、あるいは鉛直面内で90゜
回転させる)測定したときの第二の位置X2をそれぞれ
算出して記憶し、第一の位置X1と第二の位置X2の間
隔から、三角測量による線状物体50の高さを算出す
る。
【0032】このように構成された高さ測定装置の動作
につき、図2〜図4を用いて説明する。図4(a)およ
び(b)は本発明の第一実施形態に係る高さ測定装置の
光検出器が検出した光量を示す光量信号と光学ヘッドの
位置との関係を示すグラフである。先ず、図2および図
3に示すように、線状物体50から離れた位置にレーザ
ビーム8の照射点がある水平面上に光学ヘッド10の原
点位置Oを設定する。
【0033】次に、光学ヘッド10の走査方向を線状物
体50の長手方向に対して垂直な平面と平行な方向に一
致させ、線状物体50の長手方向部分をレーザ光照射位
置におく。この状態で、制御機構20によってレーザ光
源1を点灯させ、走査機構30を動作させる。
【0034】図2において、走査途中を示しており、レ
ーザ光源1から照射されたレーザビーム8が、集光レン
ズ2を通過し、偏光板3で円偏光ビーム81だけとな
り、偏光ビームスプリッタ4を通過した後、λ/4板5
で回転偏光ビーム83iに偏光され、線状物体50に集
光照射している。
【0035】線状物体50cに照射された回転偏光ビー
ム83iは、線状物体50cの断面が円形であるため、
レーザ光源1の光軸を含む平面内でさまざまな方向に反
射する。これら反射した回転偏光ビーム83rのうち、
回転偏光ビーム83iが線状物体50の断面円の法線方
向から照射されたときだけが同じ法線方向に反射し、水
平面に直交しレーザ光源1の光軸を含む面に沿って同軸
上を戻っていく。
【0036】反射した回転偏光ビーム83rは、再度λ
/4板5で偏光されて直線偏光ビーム82となり、偏光
ビームスプリッタ3で直角な方向に反射さ、遮光板7の
スリットを通過して光検出器6に達する。
【0037】このとき、線状物体50cの断面円の法線
方向以外に反射された他の回転偏光ビーム83reは、
例えばλ/4板5を通過して偏光ビームスプリッタ3で
反射されても、遮光板7のスリットを通過することがで
きず、光検出器6には到達しない。
【0038】このまま、回転偏光ビーム83iが測定す
る全ての線状物体50上を通過するまで走査していきな
がら、計算機構40に第一の光量信号S1と第一の位置
信号P1を対応させて記憶していく。
【0039】次に、図3に示すように、光学ヘッド10
を同一の水平面内で180゜回転させて、原点位置Oに
レーザビーム8を合わせた後、ヘッド走査を開始し、同
様に第二の光量信号S2と第二の位置信号P2を対応さ
せて計算機構40に記憶していく。
【0040】そして、計算機構40によって、第一の光
量信号S1のピークに対する第一の位置信号P1に対応
する第一の位置X1を、第二の光量信号S2のピークに
対する第二の位置信号P2に対応する第二の位置X2
を、それぞれ算出する。
【0041】図4に示すように、計算機構40は、これ
ら第一の位置X1と第二の位置X2を原点位置Oから順
番に(X1a,X2a),(X1b,X2b),・・・
と組み合わせていく。
【0042】さらに、計算機構40は、組み合わさった
第一の位置X1と第二の位置X2を式(2)に代入し、
基準水平面からの線状物体50の高さ(Ha,Hb,・
・)を算出する。
【0043】
【数2】
【0044】次に、本発明の第二実施形態につき、図面
を参照して説明する。図5は本発明の第二実施形態に係
る高さ測定装置を示す正面図、図6および図7は同じく
本発明の第二実施形態に係る高さ測定装置の動作を説明
するために示す正面図である。図5〜図7において、光
学ヘッド10は、二つの光学ヘッド110a,110b
を互いに向き合わせ、それぞれのレーザ光源101a,
101bの光軸と水平面のなす角度を45゜に配置した
ものである。
【0045】被測定物としての線状物体150a〜15
0fは、IC(チップ)151とリード152に接続
(ボンディング)されたワイヤである。レーザ光源10
1a,101bは、半導体レーザ等からなり、赤色のレ
ーザビーム8を照射する。
【0046】集光レンズ2a,2bは、複数のレンズか
らなり、レーザビーム8を数μmまで細かく絞り込める
機能を有している。光検出器106a,106bは、フ
ォトダイオード等からなり、入射光量に比例した電流を
出力する機能を有している。
【0047】一軸ステージ301は、モータ302とボ
ールねじ303等からなり、光学ヘッド110を水平移
送するとともに、光学ヘッド110が全てのワイヤ15
0上を通過することができるだけの移送距離を有してい
る。
【0048】モータ302には、エンコーダ304が付
設されており、エンコーダ304からのパルスPが一定
の角度Dで出力される。すなわち、ボールねじ303の
ピッチ(リード)Lと一定の角度Dから、一定の距離X
0でパルスPが出力されることになる。
【0049】ここでの角度Dが0.036゜である。ま
た、ボールねじ303のピッチ(リード)Lが5mm
で、光学ヘッド110の移動する一パルス当たりの距離
X0が0.5μmであり、ワイヤ150の直径30μm
に対して十分小さく設定されている。
【0050】パソコン201は、モータ制御用ボード2
02と二チャンネルの出力ボード203と二チャンネル
のA/D変換ボード204とが組み込まれており、モー
タ302の制御と計算処理の両方を行なえる機能を有す
る。モニタ205は、パソコン201に接続され、計算
結果を表示する。
【0051】モータ制御用ボード202は、一軸ステー
ジ301のモータ302を駆動し、エンコーダ304か
ら送られてくるパルスPをパソコン201とA/D変換
ボード204に送る機能を有している。
【0052】出力ボード203の二チャンネルは、それ
ぞれレーザ光源101a,101bに接続され、モータ
制御用ボード202からのパルスPに同期してレーザ光
源101a,101bを交互に点滅させる機能を有して
いる。すなわち、光学ヘッド110が0.5μm移動す
る毎に、点灯しているレーザ光源101a,101bが
切り替わることになる。
【0053】A/D変換ボード204の二チャンネル
は、光検出器106a,106bに接続され、モータ制
御用ボード202からのパルスPに同期してチャンネル
を切り替えて光検出器106a,106bからの光量信
号Sを取り込み、チャンネル別にパソコン201に送る
機能を有している。これもレーザ光源101a,101
bと同様に、光学ヘッド110が0.5μm移動する毎
に光量信号Sを取り込むチャンネルが切り替わることに
なる。
【0054】また、パソコン201は、モータ制御用ボ
ード202や出力ボード203に指令を与えるととも
に、モータ制御用ボード202からのパルスPをメモリ
に記憶し、A/D変換ボード204からの光量信号Sを
メモリに記憶しておき、ワイヤ150の高さを計算す
る。モニタ205は、パソコン201において計算され
たワイヤ150の高さを表示する。
【0055】このように構成された高さ測定装置の動作
につき、図5〜図10を用いて説明する。図8および図
9は本発明の第二実施形態に係る高さ測定装置におい
て、第一および第二の光検出器が検出した光量を示す光
量信号と一軸ステージの位置との関係を示すグラフ、図
10は本発明の第二実施形態に係る高さ測定装置の信号
の流れを示すブロックである。先ず、光学ヘッド110
の原点位置Oを、ワイヤ150から離れたレーザビーム
8の照射光による交点を含む水平面上に設定する。ま
た、交点の高さは、測定基準となる平面上(ここではチ
ップ151の表面上とする。
【0056】次に、光学ヘッド110の走査方向をワイ
ヤ150の長手方向に対して垂直な平面と平行な方向に
一致させ、ワイヤ150の長手方向部分をレーザ光照射
位置におく。この状態で、作業者がパソコン201のキ
ーボードのキーを押す等してパソコン201から指令を
出すと、レーザ光源101a,101bが交互に点滅し
ながら、光学ヘッド110aがワイヤ150上を走査し
ていく。
【0057】すると、図5に示す位置では、第三のワイ
ヤ150cから第一のレーザビーム8aの正反射光が第
一の光検出器106aに入射する。このときのA/D変
換ボード204からの第一の光量信号Saをメモリに蓄
える。
【0058】一方、光学ヘッド110bを走査させてい
くと、図6に示す位置で、第三のワイヤ150cから第
二のレーザビーム8bの正反射光が第二の光検出器10
6bに入射する。このときのA/D変換ボード204か
らの第二の光量信号Sbをメモリに蓄える。
【0059】そして、移動距離に対してエンコーダ30
4から発生したパルスPの数(パルス数Pn)をメモリ
に蓄える。これらの信号の流れは、図10に示すように
なっている。
【0060】また、図7に示すように、レーザビーム8
をワイヤ150cに照射する位置によってさまざまな反
射があるが、正反射光以外の反射光が仮に第一のλ/4
板5aを通過して第一の偏光ビームスプリッタ4aまで
届いても、入射方向が異なるため、第一の遮光板7aの
スリットを通過することができず、測定に影響を与える
ことがない。このまま最後の第六のワイヤ150f上を
両方のレーザビーム8が通過するまで、光学ヘッド11
0を走査する。
【0061】測定開始から終了までのパルス数Pnに対
する光量信号Sの関係をグラフにすると、図8に示すよ
うになる、図8は測定全体のデータを示し、図9は図8
の第一の光量信号Saの一部を拡大したものである。図
8に示すグラフは、実際には図9に示すように点の集合
となるが、距離X0が被測定物に対して微小であるた
め、連続したものとして示してある。
【0062】走査が終了した後、パソコン201は、先
ず第一の光量信号Saに対し、光量信号Sa(1)(m
−1)を次の光量信号Sa(1)(m)と比較し、大き
い方を選択する。これを繰り返していき、Sa(1)
(m−1)が閾値Stを越え、Sa(1)(m)がSa
(1)(m−1)より小さくなったときのSa(1)
(m−1)までのパルス数Pna(1)(m−1)をメ
モリにPna(1)として記憶する。ここでmは正数と
する。
【0063】さらに、演算を繰り返すと、Sa(1)
(m)の値は一旦閾値Stを下回った後に再度閾値St
を越えるので、今度は最大の光量であるSa(2)(m
−1)に対するパルス数Pna(2)(m−1)をメモ
リにPna(2)として記憶する。このように、全ての
第一の光量信号Saに対して処理を行なうと、メモリに
は光量信号Saの各ピーク位置までの各パルス数Pna
が記憶される。
【0064】同様に光量信号Sbについても行なうと、
メモリには光量信号Sbの各ピーク位置までの各パルス
数Pnb(n)が記憶される。
【0065】次に、パソコン201は、両方のメモリよ
り同じnのパルス数Pna(n)とPnb(n)を引き
出し、式(3)に代入してワイヤ150の高さHw
(n)を求める。ここでnは正数とする。
【0066】
【数3】
【0067】例えば、Pna(1)の値が200パルス
でPnb(1)の値が520パルスの場合には、Hw
(1)の値は80μmとなる。また、Pna(2)の値
が1320パルスでPnb(2)の値が1200パルス
であり、Pnaの値の方がPnbの値より小さい場合に
は、Hw(2)の値は−30μmとなり、基準水平面よ
り低い位置に被測定物があるという結果が求まる。
【0068】次に、本発明の第三実施形態につき、図面
を参照して説明する。図11および図12は本発明の第
三実施形態に係る高さ測定装置の動作について説明する
ために示す正面図である。同図において、光学ヘッド1
11は、半導体レーザ101と集光レンズ2との三個の
偏光ビームスプリッタ4とλ/4板5と二個のシャッタ
60と二枚のミラー70とを備えている。
【0069】半導体レーザ101は、水平面に対して4
5゜の角度に光軸をもち、斜め下に向かって赤色のレー
ザビーム8を照射する。集光レンズ2は、半導体レーザ
101の光軸上で半導体レーザ101の下側に配置され
ている。
【0070】第一の偏光ビームスプリッタ4cは、半導
体レーザ101の光軸上で集光レンズ2の下側に配置さ
れている。第一の偏光ビームスプリッタ4cは、第一の
円偏光ビーム81aを透過させ、第一の直線偏光ビーム
82aをレーザ光軸とは直角な方向に反射するものと
し、この反射方向は水平面に対して45゜の斜め下とす
る。
【0071】第二の偏光ビームスプリッタは、二つの偏
光ビームスプリッタ4d,4eからなり、このうち偏光
ビームスプリッタ4dは半導体レーザ101の光軸上で
偏光ビームスプリッタ4cの下側に配置されている。偏
光ビームスプリッタ4dは、偏光ビームスプリッタ4c
とほぼ同じ機能を有しており、円偏光ビーム81a(図
11)を透過し、直線偏光ビーム82b(図12)を反
射する。
【0072】第二のミラー70aは、偏光ビームスプリ
ッタ4cで反射した第一の直線偏光ビーム82a(図1
1)を、透過した第一の円偏光ビーム81aと平行に反
射するように配置されている。
【0073】一方、偏光ビームスプリッタ4eは、円偏
光ビーム81b(図11)を反射させて直線偏光ビーム
82a(図11)を透過する機能を有し、ミラー70a
で反射した第一の直線偏光ビームの光軸上において反射
した円偏光ビーム81b(図11)の光軸と偏光ビーム
スプリッタ4dで反射した直線偏光ビーム82b(図1
2)の光軸が一致するように配置されている。
【0074】第一のλ/4板5aは、直線偏光ビーム8
2aの光軸上で偏光ビームスプリッタ4eの下側に配置
されている。第一のシャッタ60aは、パソコン201
からの指令でワイヤ150に対して第一の回転偏光ビー
ム83aを照射・遮断可能な可能な機能を有し、第一の
直線偏光ビーム82aの光軸上で第一のλ/4板5aの
下側に配置されている。
【0075】第一のミラー70bは、ミラー70aの反
射面と平行な反射面を有し、第二の回転偏光ビーム83
bが第一の回転偏光ビーム83aと同一の平面内で直角
に交わる方向に反射するように配置されている。第二の
λ/4板5bは、半導体レーザ101の光軸上で偏光ビ
ームスプリッタ4dの下側に配置されている。
【0076】第二のシャッタ60bは、シャッタ60a
の機能と同じ機能を有し、半導体レーザ101の光軸上
でλ/4板5bの下側に配置されている。フォトダイオ
ード(光検出器)106は、第2の直線偏光ビーム82
bの光軸上で偏光ビームスプリッタ4dの上側に配置さ
れている。遮光板7は、水平方向に延在するスリットを
有し、第二の直線偏光ビーム82bの光軸上で偏光ビー
ムスプリッタ4dと光検出器106との間に配置されて
いる。
【0077】パソコン201は、モータ制御用ボード2
02と二チャンネルの出力ボード203と一チャンネル
のA/D変換ボード204が組み込まれている。出力ボ
ード203の二チャンネルは、モータ制御用ボード20
2からのパルスPに同期してシャッタ60a,60bを
交互に開閉させる機能を有し、それぞれがシャッタ60
a,60bに接続されている。
【0078】A/D変換ボード204は、モータ制御用
ボード202からのパルスPに同期してパソコン201
への送信チャンネルを切り替えて、光検出器106から
の光量信号Sを取り込んでパソコン201に送る機能を
有し、光検出器106に接続されている。他の構成部品
の機能および配置については、図5に示す第二実施形態
と同じである。
【0079】次に、本発明の第三実施形態に係る高さ測
定装置の動作につき、図面を用いて説明する。先ず、光
学ヘッド111の原点位置Oをワイヤ150から離れた
位置に両方のレーザビーム8の交点がある水平面上に設
定する。また、交点の高さは、測定基準となる平面(こ
こでは、チップの表面)上に設定する。
【0080】次に、光学ヘッド111の走査方向をワイ
ヤ150の長手方向に対して垂直な平面と平行な方向に
一致させ、ワイヤ150の長手方向部分をレーザ光照射
位置におく。この状態で、作業者がパソコン201のキ
ーボードのキーを押すなどしてパソコン201から指令
が出ると、半導体レーザ101を点灯し、シャッタ60
a,60bを交互に開閉しながら、光学ヘッド111が
ワイヤ150上を走査していく。
【0081】すると、図11に示す位置では、第三のワ
イヤ150cから第一の直線偏光ビーム82aの反射光
が光検出器106に入射する。このとき、パソコン20
1がA/D変換ボード204からの第二の光量信号Sa
をメモリに蓄える。
【0082】そのまま光学ヘッド111を走査していく
と、図12に示す位置において第三のワイヤ150cか
ら第一の円偏光ビーム81aの反射光が光検出器106
に入射する。このとき、パソコン201がA/D変換ボ
ード204からの第二の光量信号Sbをメモリに蓄え
る。
【0083】そして、移動距離に対してエンコーダ30
4から発生したパルスPの数(パルス数Pn)は、メモ
リに記憶される。このまま最後の第六のワイヤ150f
上を両方のレーザビーム8が通過するまで、光学ヘッド
111を走査する。
【0084】測定開始から終了までのパルス数Pnに対
する光量信号Sの関係をグラフにすると、図8に示す通
りとなり、計算処理も第一実施形態と同様である。
【0085】なお、各実施形態においては、集光レンズ
2をレーザ光源の直後に配置する例を示したが、本発明
はこれに限定されず、被測定物としての線状物体の直前
に配置しても同様である。
【0086】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、請
求項1において、光学ヘッドに、基準水平面上の被測定
物を通る鉛直線に関して対称な二つの方向からレーザビ
ーム光を照射可能なレーザ光源と、このレーザ光源の光
軸方向と異なる方向に反射光を分けるビームスプリッタ
と、このビームスプリッタによって分けられた反射光の
うち水平面に直交し、レーザ光源の光軸を含む平面内の
反射光を通過させる光学フィルタとを含ませ、請求項4
において、光学ヘッドに、レーザ光源の光軸方向と異な
る方向に照射光を分ける第一ビームスプリッタと、この
第一ビームスプリッタの下流側に配設され、レーザ光源
の光軸方向と異なる方向に反射光を分ける二つの第二ビ
ームスプリッタと、これら各第二ビームスプリッタによ
って分けられた反射光のうち水平面に直交し、レーザ光
源の光軸を含む平面内の反射光を通過させる光学フィル
タと、この光学フィルタに対して被測定物からの反射光
を反射する第一ミラーと、この第一ミラーの反射面と平
行な反射面を有し、第一ビームスプリッタからの照射光
を被測定物に対して反射する第二ミラーとを含ませたの
で、被測定物からの乱反射光を除いて正反射光が光検出
器に受光される。
【0087】したがって、高さ計算に必要な反射光のピ
ーク位置を確実に検出することができるから、精度の高
い高さ測定を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施形態に係る高さ測定装置を示
す斜視図である。
【図2】本発明の第一実施形態に係る高さ測定装置の動
作(1)について説明するために示す正面図である。
【図3】本発明の第一実施形態に係る高さ測定装置の動
作(2)について説明するために示す正面図である。
【図4】(a)および(b)は本発明の第一実施形態に
係る高さ測定装置の光検出器が検出した光量の信号とヘ
ッド位置との関係を示すグラフである。
【図5】本発明の第二実施形態に係る高さ測定装置を示
す正面図である。
【図6】本発明の第二実施形態に係る高さ測定装置の動
作(1)について説明するために示す正面図である。
【図7】本発明の第二実施形態に係る高さ測定装置の動
作(2)について説明するために示す正面図である。
【図8】(a)および(b)は図5〜図7において光検
出器が検出した光量の信号とヘッド位置との関係を示す
グラフである。
【図9】図8の一部を拡大して示すグラフである。
【図10】本発明の第二実施形態に係る高さ測定装置に
おける信号の流れを示すブロック図である。
【図11】本発明の第三実施形態に係る高さ測定装置の
動作(1)について説明するために示す正面図である。
【図12】本発明の第三実施形態に係る高さ測定装置の
動作(2)について説明するために示す正面図である。
【図13】従来の高さ測定装置を示す斜視図である。
【図14】従来の高さ測定装置の動作(1)について説
明するために示す正面図である。
【図15】従来の高さ測定装置の動作(2)について説
明するために示す正面図である。
【図16】従来の高さ測定装置の動作(3)について説
明するために示す正面図である。
【図17】(a)および(b)は図14〜図16におい
て光検出器が検出した光量の信号とヘッド位置との関係
を示すグラフ(1)である。
【図18】(a)および(b)は図14〜図16におい
て光検出器が検出した光量の信号とヘッド位置との関係
を示すグラフ(2)である。
【符号の説明】
1 レーザ光源 4 ビームスプリッタ 6 光検出器 7 遮光板 8 レーザビーム 10 光学ヘッド 40 計算機構 50 線状物体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/66 H01L 21/66 R

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 水平方向に走査して基準水平面上の被測
    定物にレーザビーム光を照射し、この照射光による被測
    定物からの反射光を検出する光検出器を有する光学ヘッ
    ドと、 この光学ヘッドに接続され、前記反射光のうち最大光量
    となる反射光に対応するヘッド走査位置に基づいて被測
    定物の基準水平面からの高さを演算する演算処理装置と
    を備えた高さ測定装置であって、 前記光学ヘッドに、 前記基準水平面上の被測定物を通る鉛直線に関して対称
    な二つの方向から前記レーザビーム光を照射可能なレー
    ザ光源と、 このレーザ光源の光軸方向と異なる方向に前記反射光を
    分けるビームスプリッタと、 このビームスプリッタによって分けられた反射光のうち
    水平面に直交し、前記レーザ光源の光軸を含む平面内の
    反射光を通過させる光学フィルタとを含ませたことを特
    徴とする高さ測定装置。
  2. 【請求項2】 前記光学ヘッドが水平面内で回転可能な
    単一の光学ヘッドからなることを特徴とする請求項1記
    載の高さ測定装置。
  3. 【請求項3】 前記光学ヘッドが鉛直面内で回転可能な
    単一の光学ヘッドからなることを特徴とする請求項1記
    載の高さ測定装置。
  4. 【請求項4】 前記光学ヘッドが、水平面に直交し、か
    つ前記レーザ光源の光軸を含む平面内に位置する二つの
    光学ヘッドからなることを特徴とする請求項1記載の高
    さ測定装置。
  5. 【請求項5】 水平方向に走査して基準水平面上の被測
    定物にレーザビーム光を照射するレーザ光源およびこの
    レーザ光源の照射光による被測定物からの反射光を検出
    する光検出器を有する光学ヘッドと、 この光学ヘッドに接続され、前記反射光のうち最大光量
    となる反射光に対応するヘッド走査位置に基づいて被測
    定物の基準水平面からの高さを演算する演算処理装置と
    を備えた高さ測定装置であって、 前記光学ヘッドに、 前記レーザ光源の光軸方向と異なる方向に前記照射光を
    分ける第一ビームスプリッタと、 この第一ビームスプリッタの下流側に配設され、前記レ
    ーザ光源の光軸方向と異なる方向に前記反射光を分ける
    二つの第二ビームスプリッタと、 これら各第二ビームスプリッタによって分けられた反射
    光のうち水平面に直交し、前記レーザ光源の光軸を含む
    平面内の反射光を通過させる光学フィルタと、 この光学フィルタに対して被測定物からの反射光を反射
    する第一ミラーと、 この第一ミラーの反射面と平行な反射面を有し、前記第
    一ビームスプリッタからの前記照射光を被測定物に対し
    て反射する第二ミラーとを含ませたことを特徴とする高
    さ測定装置。
JP9102138A 1997-04-18 1997-04-18 高さ測定装置 Expired - Lifetime JP2959518B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9102138A JP2959518B2 (ja) 1997-04-18 1997-04-18 高さ測定装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9102138A JP2959518B2 (ja) 1997-04-18 1997-04-18 高さ測定装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10293008A JPH10293008A (ja) 1998-11-04
JP2959518B2 true JP2959518B2 (ja) 1999-10-06

Family

ID=14319417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9102138A Expired - Lifetime JP2959518B2 (ja) 1997-04-18 1997-04-18 高さ測定装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2959518B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5528739B2 (ja) * 2009-08-12 2014-06-25 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置、表示装置、および物体の近接距離測定方法
CN102768969B (zh) * 2012-07-03 2015-01-07 上海华力微电子有限公司 一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法
CN106441120A (zh) * 2016-08-26 2017-02-22 江苏楚汉新能源科技有限公司 一种测量锂电池极片波浪边波峰的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10293008A (ja) 1998-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7508529B2 (en) Multi-range non-contact probe
US7271919B2 (en) Confocal displacement sensor
JPH0915163A (ja) 異物検査方法及び装置
JPH07335706A (ja) ワイヤの高さ測定装置
JPH10170637A (ja) 光走査装置
US6396589B1 (en) Apparatus and method for measuring three-dimensional shape of object
JP2959518B2 (ja) 高さ測定装置
JPH0426042B2 (ja)
JPH04241833A (ja) 人間の角膜用の光学測定装置
US5033845A (en) Multi-direction distance measuring method and apparatus
KR20050072340A (ko) 변위와 각도 변화를 동시에 측정하기 위한 방법과 장치
JPH0914935A (ja) 3次元物体の測定装置
JP2001311612A (ja) 形状入力装置
KR20220119398A (ko) 공초점 거리 측정을 이용한 작업편의 제어되는 기계가공을 위한 방법 및 장치
US4739158A (en) Apparatus for the detection of pattern edges
JP3099875B2 (ja) 複数レーザビームの走査装置およびレーザビームの走査位置調整方法
JP2500658B2 (ja) 走査型レ―ザ変位計
JPH0861927A (ja) 形状計測方法およびその装置
JPH04110707A (ja) 三次元形状計測装置
JP3955072B2 (ja) マルチビーム走査装置およびマルチビーム走査装置用のマルチビーム検出方法
JPH0989534A (ja) 3次元形状測定装置
JP2512050Y2 (ja) 非接触検出装置における観察装置
JP2866566B2 (ja) 三次元形状入力装置
JP3731020B2 (ja) 2ビーム走査装置および2ビーム走査装置用の2ビーム検出方法・マルチビーム走査装置およびマルチビーム走査装置用のマルチビーム検出方法
JPH03111707A (ja) 物体形状検出方法