JP2952922B2 - ４―アセトキシ―２―アゼチジノン誘導体の製造方法 - Google Patents
４―アセトキシ―２―アゼチジノン誘導体の製造方法Info
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- JP2952922B2 JP2952922B2 JP2016042A JP1604290A JP2952922B2 JP 2952922 B2 JP2952922 B2 JP 2952922B2 JP 2016042 A JP2016042 A JP 2016042A JP 1604290 A JP1604290 A JP 1604290A JP 2952922 B2 JP2952922 B2 JP 2952922B2
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- azetidinone derivative
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は強い抗菌活性を示すことが知られているカル
バペネム系抗生物質や、ペネム系抗生物質の合成中間体
として有用な光学活性な４−アセトキシ−２−アゼチノ
ン誘導体の製造方法に関する。
バペネム系抗生物質や、ペネム系抗生物質の合成中間体
として有用な光学活性な４−アセトキシ−２−アゼチノ
ン誘導体の製造方法に関する。
カルバペネム系抗生物質やペネム系抗生物質の中間体
としては一般式〔II〕 （式中、Ｒは水酸基の保護基）で表わされる（4R）−ア
セトキシ−２−アゼチジノン誘導体が有用である。
としては一般式〔II〕 （式中、Ｒは水酸基の保護基）で表わされる（4R）−ア
セトキシ−２−アゼチジノン誘導体が有用である。
従来、この（4R）−アセトキシ−２−アゼチジノン誘
導体の合成法としては、大橋等の報告（特開昭61−1879
1号）、石黒等の報告（特開昭61−207373号）をはじめ
とし、数多く報告されているが、いずれの場合も副生物
として一般式〔Ｉ〕 （式中、Ｒは前記と同じ意味を示す。）で表わされる
（4S）−アセトキシ−２−アゼチジノン誘導体が得られ
る。
導体の合成法としては、大橋等の報告（特開昭61−1879
1号）、石黒等の報告（特開昭61−207373号）をはじめ
とし、数多く報告されているが、いずれの場合も副生物
として一般式〔Ｉ〕 （式中、Ｒは前記と同じ意味を示す。）で表わされる
（4S）−アセトキシ−２−アゼチジノン誘導体が得られ
る。
本発明者等は前記一般式〔Ｉ〕で表わされる４（Ｓ）
−アセトキシ−２−アゼチジノン誘導体を異性化して、
一般式〔II〕で表わされる（4R）−アセトキシ−２−ア
ゼチジノン誘導体を製造する方法を種々検討した結果、
本発明を完成した。
−アセトキシ−２−アゼチジノン誘導体を異性化して、
一般式〔II〕で表わされる（4R）−アセトキシ−２−ア
ゼチジノン誘導体を製造する方法を種々検討した結果、
本発明を完成した。
即ち、本発明は一般式〔Ｉ〕 （Ｒは水酸基の保護基）で表わされる（4S）−アセトキ
シ−２−アゼチジノン誘導体に酢酸のアルカリ金属塩又
はその水和物を作用させて、アセトキシ基の異性化を行
うことを特徴とする一般式〔II〕 （Ｒは水酸基の保護基）で表わされる（4R）−アセトキ
シ−２−アゼチジノン誘導体の製造方法である。
シ−２−アゼチジノン誘導体に酢酸のアルカリ金属塩又
はその水和物を作用させて、アセトキシ基の異性化を行
うことを特徴とする一般式〔II〕 （Ｒは水酸基の保護基）で表わされる（4R）−アセトキ
シ−２−アゼチジノン誘導体の製造方法である。
反応は有機溶媒中、室温から用いる溶媒の沸点まで、
好しくは50〜70℃の範囲で行なわれる。
好しくは50〜70℃の範囲で行なわれる。
用いられる溶媒としては、一般式〔Ｉ〕で表わされる
原料化合物あるいは一般式〔II〕で表わされる目的化合
物に不活性な溶媒、例えばクロロホルム、酢酸エチル、
トルエン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン
等が使用できるが、好ましくはｎ−ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタンおよびその混合溶媒を使用するのがよい。
原料化合物あるいは一般式〔II〕で表わされる目的化合
物に不活性な溶媒、例えばクロロホルム、酢酸エチル、
トルエン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン
等が使用できるが、好ましくはｎ−ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタンおよびその混合溶媒を使用するのがよい。
Ｒで表わされる水酸基の保護基としては、tert−ブチ
ルジメチルシリル基、trt−ブチルジフェニルシリル
基、ジメチルクミルシリル基、トリイソプロピルシリル
基、ジメチルヘキシルシリル基、ｐ−ニトロベンジルオ
キシカルボニル基、ｐ−メトキシベンジルオキシカルボ
ニル基などが例示されうる。
ルジメチルシリル基、trt−ブチルジフェニルシリル
基、ジメチルクミルシリル基、トリイソプロピルシリル
基、ジメチルヘキシルシリル基、ｐ−ニトロベンジルオ
キシカルボニル基、ｐ−メトキシベンジルオキシカルボ
ニル基などが例示されうる。
酢酸のアルカリ金属塩又はその水和物は一般式CH3COO
X・nH2O（Ｘはアルカリ金属、ｎは０、１、２、３）〔I
II〕で表わされ、Ｘのアリカリ金属としてはナトリウ
ム、カリウム、リチウムが使用できるが、カリウムが特
に好しい。
X・nH2O（Ｘはアルカリ金属、ｎは０、１、２、３）〔I
II〕で表わされ、Ｘのアリカリ金属としてはナトリウ
ム、カリウム、リチウムが使用できるが、カリウムが特
に好しい。
反応モル数は一般式〔Ｉ〕で表わされる４（Ｓ）−ア
セトキシ−２−アゼチジノン誘導体１モルに対し、一般
式〔III〕で表わされる酢酸のアルカリ金属塩又はその
水和物１〜1.5モルである。
セトキシ−２−アゼチジノン誘導体１モルに対し、一般
式〔III〕で表わされる酢酸のアルカリ金属塩又はその
水和物１〜1.5モルである。
反応終了後は、通常の後処理を行うことにより（一般
式〔II〕で表わされる目的物を得ることができる。
式〔II〕で表わされる目的物を得ることができる。
以下の実施例により、本発明を具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例により限定されるものではない。
本発明はこれら実施例により限定されるものではない。
（3R、4S）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１−tert
−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−
オン0.17gをヘキサン16mlに溶解し、酢酸カリウム0.06g
を加え、60℃に加熱後６時間攪拌した。反応液を水洗、
溶媒の約半量を留去した後冷却し、析出した結晶を濾過
し、（3R、4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１−
tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−
２−オンの無色針状結晶を0.13g（76％）得た。
−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−
オン0.17gをヘキサン16mlに溶解し、酢酸カリウム0.06g
を加え、60℃に加熱後６時間攪拌した。反応液を水洗、
溶媒の約半量を留去した後冷却し、析出した結晶を濾過
し、（3R、4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１−
tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−
２−オンの無色針状結晶を0.13g（76％）得た。
物性値は以下の通りであった。
▲〔α〕20 D▼＝54.2゜（Ｃ＝0.5トルエン） m.p.＝106℃ （3R、4S）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１−tert
−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−
オン0.43gをヘキサン43mlに溶解し、酢酸ナトリウム３
水和物0.22gを加え、60℃に加熱後６時間攪拌した。反
応液を水洗、溶媒の約半量を留去した後冷却し、析出し
た結晶を濾過し、（3R、4R）−４−アセトキシ−３−
〔（Ｒ）−１−tert−ブチルジメチルシリロキシエチ
ル〕アゼチジン−２−オンの無色針状結晶を、0.25g（5
8％）得た。
−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−
オン0.43gをヘキサン43mlに溶解し、酢酸ナトリウム３
水和物0.22gを加え、60℃に加熱後６時間攪拌した。反
応液を水洗、溶媒の約半量を留去した後冷却し、析出し
た結晶を濾過し、（3R、4R）−４−アセトキシ−３−
〔（Ｒ）−１−tert−ブチルジメチルシリロキシエチ
ル〕アゼチジン−２−オンの無色針状結晶を、0.25g（5
8％）得た。
Claims (1)
- 【請求項１】一般式〔Ｉ〕 （Ｒは水酸基の保護基）で表わされる（4S）−アセトキ
シ−２−アゼチジノン誘導体に酢酸のアルカリ金属塩又
はその水和物を作用させて、アセトキシ基の異性化を行
うことを特徴とする一般式〔II〕 （Ｒは水酸基の保護基）で表わされる（4R）−アセトキ
シ−２−アゼチジノン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016042A JP2952922B2 (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | ４―アセトキシ―２―アゼチジノン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016042A JP2952922B2 (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | ４―アセトキシ―２―アゼチジノン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03223246A JPH03223246A (ja) | 1991-10-02 |
| JP2952922B2 true JP2952922B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=11905519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016042A Expired - Lifetime JP2952922B2 (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | ４―アセトキシ―２―アゼチジノン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2952922B2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-29 JP JP2016042A patent/JP2952922B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03223246A (ja) | 1991-10-02 |
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