JP2951939B2 - 電子管用陰極 - Google Patents
電子管用陰極Info
- Publication number
- JP2951939B2 JP2951939B2 JP11255198A JP11255198A JP2951939B2 JP 2951939 B2 JP2951939 B2 JP 2951939B2 JP 11255198 A JP11255198 A JP 11255198A JP 11255198 A JP11255198 A JP 11255198A JP 2951939 B2 JP2951939 B2 JP 2951939B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- electron
- metal
- electron tube
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
- H01J1/144—Solid thermionic cathodes characterised by the material with other metal oxides as an emissive material
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子管用陰極に係
り、特に高電流密度領域で長時間多量の電子を放出しう
るように寿命の延びた電子管用陰極に関する。
り、特に高電流密度領域で長時間多量の電子を放出しう
るように寿命の延びた電子管用陰極に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は通常の電子管用陰極を概略的に示
した断面図であって、円板状の金属基材２と、この下方
からこれを固定支持すると同時に、陰極の加熱源である
ヒーター４を内蔵するシリンダー状のスリーブ３及び金
属基材２の上部に被覆形成された電子放出物質層１が示
されている。
した断面図であって、円板状の金属基材２と、この下方
からこれを固定支持すると同時に、陰極の加熱源である
ヒーター４を内蔵するシリンダー状のスリーブ３及び金
属基材２の上部に被覆形成された電子放出物質層１が示
されている。
【０００３】このうち、電子放出物質層１はバリウム酸
化物を主成分とするアルカリ土類金属酸化物、望ましく
は（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ｏに示される三元金属酸化物よ
りなるのが一般的である。
化物を主成分とするアルカリ土類金属酸化物、望ましく
は（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ｏに示される三元金属酸化物よ
りなるのが一般的である。
【０００４】このような電子放出物質層は次のような方
法により形成される。
法により形成される。
【０００５】まず、炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム
及び炭酸カルシウムなどの混合粉末を有機溶剤に入れて
溶液を製造した後、得られた溶液をスプレーや電着など
の方法で金属基材上に塗布して炭酸塩塗布層を形成す
る。
及び炭酸カルシウムなどの混合粉末を有機溶剤に入れて
溶液を製造した後、得られた溶液をスプレーや電着など
の方法で金属基材上に塗布して炭酸塩塗布層を形成す
る。
【０００６】以降、前記電子管用陰極を固定させた電子
銃を電子管内に装着した後、電子管内を真空にするため
の排気工程で前記塗布層がヒーターにより約１０００℃
に加熱される。この際、炭酸塩は酸化物に変換され、例
えば下記反応式１に示されたように炭酸バリウムは酸化
バリウムに変換される。なお、このような陰極が「酸化
物陰極」と名づけられたのは電子管の製造工程中の排気
工程で炭酸塩が高温加熱により酸化物の形に変わるから
である。
銃を電子管内に装着した後、電子管内を真空にするため
の排気工程で前記塗布層がヒーターにより約１０００℃
に加熱される。この際、炭酸塩は酸化物に変換され、例
えば下記反応式１に示されたように炭酸バリウムは酸化
バリウムに変換される。なお、このような陰極が「酸化
物陰極」と名づけられたのは電子管の製造工程中の排気
工程で炭酸塩が高温加熱により酸化物の形に変わるから
である。
【０００７】
【化１】
【０００８】生成された前記酸化バリウムは陰極動作中
に金属基材と電子放出物質層との接触される境界で、下
記反応式２に示されたように、金属基材中の還元剤であ
るＳｉ、Ｍｇとの反応により、遊離バリウムに還元され
る。
に金属基材と電子放出物質層との接触される境界で、下
記反応式２に示されたように、金属基材中の還元剤であ
るＳｉ、Ｍｇとの反応により、遊離バリウムに還元され
る。
【０００９】
【化２】
【００１０】前記のように形成された遊離バリウムは電
子放出に寄与する。この際、前記反応式２に示されたよ
うにＭｇＯ、Ｂａ2 ＳｉＯ4 などが生成され、これら物
質は電子放出物質層と金属基材との境界に中間層を形成
することになる。この中間層は障壁として作用し、マグ
ネシウムやケイ素の拡散を妨害することになるので、電
子放出に寄与する遊離バリウムを生成しにくい。
子放出に寄与する。この際、前記反応式２に示されたよ
うにＭｇＯ、Ｂａ2 ＳｉＯ4 などが生成され、これら物
質は電子放出物質層と金属基材との境界に中間層を形成
することになる。この中間層は障壁として作用し、マグ
ネシウムやケイ素の拡散を妨害することになるので、電
子放出に寄与する遊離バリウムを生成しにくい。
【００１１】従って、この中間層のため、酸化物陰極の
寿命短縮という望ましくない結果を招く。それだけでな
く、中間層は高抵抗を有し、電子放出電流の流れを妨害
するので電流密度を制限するという問題点もある。
寿命短縮という望ましくない結果を招く。それだけでな
く、中間層は高抵抗を有し、電子放出電流の流れを妨害
するので電流密度を制限するという問題点もある。
【００１２】最近、ＣＲＴを使用するテレビ及びその他
の装置は高精細化及び大型化の傾向に応じて高電流密
度、長寿命陰極に対する要求が高まっているが、既存の
酸化物陰極は前述したような性能と寿命の問題からこの
ような要求に応じ得ないという短所を有している。
の装置は高精細化及び大型化の傾向に応じて高電流密
度、長寿命陰極に対する要求が高まっているが、既存の
酸化物陰極は前述したような性能と寿命の問題からこの
ような要求に応じ得ないという短所を有している。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は高電
流密度の領域で長時間電子を放出しうる電子管用陰極を
提供することを目的とする。
流密度の領域で長時間電子を放出しうる電子管用陰極を
提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、ニッケルを主成分とする
金属基材及び前記金属基材上に形成されており、バリウ
ム酸化物を主成分とするアルカリ土類金属酸化物を含有
する電子放出物質層を含む電子管用陰極において、前記
金属基材と前記電子放出物質層との間にはジルコニウム
を主成分とする金属層が形成されていることを特徴とす
る。
に、請求項１に記載の発明は、ニッケルを主成分とする
金属基材及び前記金属基材上に形成されており、バリウ
ム酸化物を主成分とするアルカリ土類金属酸化物を含有
する電子放出物質層を含む電子管用陰極において、前記
金属基材と前記電子放出物質層との間にはジルコニウム
を主成分とする金属層が形成されていることを特徴とす
る。
【００１５】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記金属層の厚さは４００乃至
２００００オングストロームであることを特徴とする。
に記載の発明において、前記金属層の厚さは４００乃至
２００００オングストロームであることを特徴とする。
【００１６】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記金属層はタングステン、ニ
ッケル、アルミニウム及びモリブデンよりなる群から選
択される少なくとも一つの金属をさらに含むことを特徴
とする。
に記載の発明において、前記金属層はタングステン、ニ
ッケル、アルミニウム及びモリブデンよりなる群から選
択される少なくとも一つの金属をさらに含むことを特徴
とする。
【００１７】また、請求項４に記載の発明は、請求項３
に記載の発明において、前記タングステン及びニッケル
を含む群から選択される少なくとも一つの金属とジルコ
ニウムとの重量比は３：７乃至７：３であることを特徴
とする。
に記載の発明において、前記タングステン及びニッケル
を含む群から選択される少なくとも一つの金属とジルコ
ニウムとの重量比は３：７乃至７：３であることを特徴
とする。
【００１８】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記電子放出物質層にはＬａ化
合物とＭｇ化合物とが含まれていることを特徴とする。
に記載の発明において、前記電子放出物質層にはＬａ化
合物とＭｇ化合物とが含まれていることを特徴とする。
【００１９】また、請求項６に記載の発明は、請求項５
に記載の発明において、前記Ｌａ及びＭｇの総含量は前
記アルカリ土類金属酸化物を基準として０．０１乃至２
０重量％であることを特徴とする。
に記載の発明において、前記Ｌａ及びＭｇの総含量は前
記アルカリ土類金属酸化物を基準として０．０１乃至２
０重量％であることを特徴とする。
【００２０】また、請求項７に記載の発明は、請求項５
に記載の発明において、前記ＬａとＭｇとのモル比は
１：３．５乃至１：４．５であることを特徴とする。
に記載の発明において、前記ＬａとＭｇとのモル比は
１：３．５乃至１：４．５であることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、添付された図面に基づき本
発明を詳しく説明する。
発明を詳しく説明する。
【００２２】図１を参照すれば、部材番号１１、１２、
１３及び１４は各々図３の１、２、３及び４に対応し、
１５は本発明による金属層である。金属層１５を形成す
るジルコニウムは還元性元素の一種であって、遊離Ｂａ
を形成する役割をする。ジルコニウムは還元性に優れ、
初期電子放出特性を改善する役割をするだけでなく、長
時間多量の電子を放出させる役割をする。
１３及び１４は各々図３の１、２、３及び４に対応し、
１５は本発明による金属層である。金属層１５を形成す
るジルコニウムは還元性元素の一種であって、遊離Ｂａ
を形成する役割をする。ジルコニウムは還元性に優れ、
初期電子放出特性を改善する役割をするだけでなく、長
時間多量の電子を放出させる役割をする。
【００２３】初期放出特性は”ＭＩＫ”（Maximum Cath
ode Current)という電流量で測定され、陰極寿命特性は
初期ＭＩＫに対する一定時間における残存率で評価され
る。
ode Current)という電流量で測定され、陰極寿命特性は
初期ＭＩＫに対する一定時間における残存率で評価され
る。
【００２４】金属層１５はスパッタリング法を用いて形
成することが望ましい。即ち、金属基材１２の上部表面
を洗浄した後、スパッタリング法でジルコニウムを被覆
してジルコニウム層を形成する。被覆の後、基材金属と
ジルコニウム層との間の拡散または合金化のために不活
性雰囲気または真空雰囲気で熱処理することが望まし
い。本発明により形成される金属層は、基材金属と電子
放出物質層との間に形成される中間層を分散させ、還元
剤の供給が長時間円滑に行われるようにする。熱処理の
温度は７００乃至１２００℃が望ましい。
成することが望ましい。即ち、金属基材１２の上部表面
を洗浄した後、スパッタリング法でジルコニウムを被覆
してジルコニウム層を形成する。被覆の後、基材金属と
ジルコニウム層との間の拡散または合金化のために不活
性雰囲気または真空雰囲気で熱処理することが望まし
い。本発明により形成される金属層は、基材金属と電子
放出物質層との間に形成される中間層を分散させ、還元
剤の供給が長時間円滑に行われるようにする。熱処理の
温度は７００乃至１２００℃が望ましい。
【００２５】本発明の望ましい実施形態によれば、金属
層１５にタングステン、ニッケル、モリブデンまたはア
ルミニウムをさらに含有させうる。この場合、ジルコニ
ウムと他の素材とのターゲットを用いると、ジルコニウ
ム以外に他の金属をさらに含有する金属層を形成しう
る。例えば、タングステンターゲットとジルコニウムタ
ーゲットとを用いるとジルコニウムとタングステンとを
含有する金属層を形成しうる。
層１５にタングステン、ニッケル、モリブデンまたはア
ルミニウムをさらに含有させうる。この場合、ジルコニ
ウムと他の素材とのターゲットを用いると、ジルコニウ
ム以外に他の金属をさらに含有する金属層を形成しう
る。例えば、タングステンターゲットとジルコニウムタ
ーゲットとを用いるとジルコニウムとタングステンとを
含有する金属層を形成しうる。
【００２６】スパッタリングの後には熱処理工程が必要
である。スパッタリングの結果、基材の上部には２つの
金属が同時に存在することになり、熱処理により２つの
金属の合金化及び拡散が必要となるからである。熱処理
の温度は７００乃至１２００℃が望ましい。また、タン
グステンとニッケルとのうち少なくとも１つとジルコニ
ウムの重量比は３：７乃至７：３が望ましい。
である。スパッタリングの結果、基材の上部には２つの
金属が同時に存在することになり、熱処理により２つの
金属の合金化及び拡散が必要となるからである。熱処理
の温度は７００乃至１２００℃が望ましい。また、タン
グステンとニッケルとのうち少なくとも１つとジルコニ
ウムの重量比は３：７乃至７：３が望ましい。
【００２７】金属層１５が形成されると、その上に炭酸
塩塗布層を形成してアルカリ土類金属酸化物を含有する
電子放出物質層１１を形成する。電子放出物質層１１に
は（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ｏの三元共沈酸化物のようなア
ルカリ土類金属酸化物だけでなく、Ｌａ化合物とＭｇ化
合物とが含有されうる。特に、前記Ｌａ化合物とＭｇ化
合物とがＬａ−Ｍｇ複合化合物の形であることが望まし
い。また、（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ｏの三元共沈酸化物は
（Ｂａ、Ｓｒ）Ｏの二元共沈酸化物に代えても良い。
塩塗布層を形成してアルカリ土類金属酸化物を含有する
電子放出物質層１１を形成する。電子放出物質層１１に
は（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ｏの三元共沈酸化物のようなア
ルカリ土類金属酸化物だけでなく、Ｌａ化合物とＭｇ化
合物とが含有されうる。特に、前記Ｌａ化合物とＭｇ化
合物とがＬａ−Ｍｇ複合化合物の形であることが望まし
い。また、（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ｏの三元共沈酸化物は
（Ｂａ、Ｓｒ）Ｏの二元共沈酸化物に代えても良い。
【００２８】電子放出物質層に含有されているＬａ及び
Ｍｇの総含量はアルカリ土類金属酸化物に対して０．０
１乃至２０重量％が望ましい。０．０１重量％未満の時
は製造される陰極の寿命向上の効果が微小であり、２０
重量％を超える時は初期特性が悪いからである。また、
ＬａとＭｇとのモル比は１：３．５乃至１：４．５が望
ましい。
Ｍｇの総含量はアルカリ土類金属酸化物に対して０．０
１乃至２０重量％が望ましい。０．０１重量％未満の時
は製造される陰極の寿命向上の効果が微小であり、２０
重量％を超える時は初期特性が悪いからである。また、
ＬａとＭｇとのモル比は１：３．５乃至１：４．５が望
ましい。
【００２９】以下、本発明の望ましい実施例を具体的に
説明するが、本発明が下記の実施例に限定されるわけで
はない。
説明するが、本発明が下記の実施例に限定されるわけで
はない。
【００３０】
【実施例１】Ｎｉとこれを基準として０．０５重量％の
Ｓｉ及び０．０５重量％のＭｇよりなる合金を用いて金
属基材を製造した。製造された金属基材の一側面をスリ
ーブ上に接着させた。
Ｓｉ及び０．０５重量％のＭｇよりなる合金を用いて金
属基材を製造した。製造された金属基材の一側面をスリ
ーブ上に接着させた。
【００３１】ジルコニウムターゲットとタングステンタ
ーゲットとを用いるスパッタリング法により、ジルコニ
ウムとタングステンとを７：３の重量比で金属基材上に
塗布した。結果物を９５０℃で１０分間熱処理して２０
００オングストロームの厚さの金属層を形成した。
ーゲットとを用いるスパッタリング法により、ジルコニ
ウムとタングステンとを７：３の重量比で金属基材上に
塗布した。結果物を９５０℃で１０分間熱処理して２０
００オングストロームの厚さの金属層を形成した。
【００３２】Ｂａ（ＮＯ3 ）2 、Ｓｒ（ＮＯ3 ）2 、Ｃ
ａ（ＮＯ3 ）2 を純水に溶解させた後、Ｎａ2 ＣＯ3 を
用いて炭酸塩の形に共沈させて共沈三元炭酸塩を製造し
た。得られた共沈三元炭酸塩がラッカー液に分散されて
いる塗布液を金属層上に塗布及び乾燥させた。
ａ（ＮＯ3 ）2 を純水に溶解させた後、Ｎａ2 ＣＯ3 を
用いて炭酸塩の形に共沈させて共沈三元炭酸塩を製造し
た。得られた共沈三元炭酸塩がラッカー液に分散されて
いる塗布液を金属層上に塗布及び乾燥させた。
【００３３】スリーブを電子銃に挿着させた後、スリー
ブ内部に陰極加熱用ヒーターを挿着させた。この電子銃
を電子管用バルブに封止させた後、真空を形成するため
に排気工程を経た。
ブ内部に陰極加熱用ヒーターを挿着させた。この電子銃
を電子管用バルブに封止させた後、真空を形成するため
に排気工程を経た。
【００３４】以降、通常の製造工程により電子管を製造
して寿命特性と初期放出特性とを測って図２に示した
（曲線ａ）。測定は約６０００時間行われ、陰極当り２
０００乃至３０００μＡの高電流を保った。
して寿命特性と初期放出特性とを測って図２に示した
（曲線ａ）。測定は約６０００時間行われ、陰極当り２
０００乃至３０００μＡの高電流を保った。
【００３５】
【実施例２】金属層をジルコニウムのみで形成すること
を除いては、実施例１と同一な方法で陰極を製造した
後、寿命特性と初期放出特性とを測定して図２に示した
（曲線ｂ）。
を除いては、実施例１と同一な方法で陰極を製造した
後、寿命特性と初期放出特性とを測定して図２に示した
（曲線ｂ）。
【００３６】
【比較例】金属層を形成しないことを除いては、実施例
１と同一な方法で陰極を製造した後、寿命特性と初期放
出特性とを測定して図２に示した（曲線ｃ）。
１と同一な方法で陰極を製造した後、寿命特性と初期放
出特性とを測定して図２に示した（曲線ｃ）。
【００３７】図２から分かるように、本発明により金属
基材と電子放出物質層との間に金属層が形成されている
酸化物陰極は、一般の陰極に比べて初期電子放出特性に
優れ、かつ長時間の使用による電子放出量の減少の程度
が微少である。
基材と電子放出物質層との間に金属層が形成されている
酸化物陰極は、一般の陰極に比べて初期電子放出特性に
優れ、かつ長時間の使用による電子放出量の減少の程度
が微少である。
【００３８】
【発明の効果】前述したように、本発明の電子管用陰極
は初期放出特性に優れ、かつ長時間多量の電子を放出し
うるので、大型及び高精細陰極線管に採用するのに好適
である。
は初期放出特性に優れ、かつ長時間多量の電子を放出し
うるので、大型及び高精細陰極線管に採用するのに好適
である。
【図１】本発明により製造される電子管用陰極の概略的
な断面図。
な断面図。
【図２】本発明による電子管用陰極と従来の電子管用陰
極との寿命特性を比較して示したグラフ。
極との寿命特性を比較して示したグラフ。
【図３】従来の電子管用陰極の概略的な断面図。
１１ 電子放出物質層 １２ 金属基材 １３ スリーブ １４ ヒーター １５ 金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朴 得一 大韓民國京畿道水原市八達區牛滿洞300 番地 住公４次アパート402棟906號 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 1/14 H01J 1/20
Claims (7)
- 【請求項１】 ニッケルを主成分とする金属基材及び前
記金属基材上に形成されており、バリウム酸化物を主成
分とするアルカリ土類金属酸化物を含有する電子放出物
質層を含む電子管用陰極において、 前記金属基材と前記電子放出物質層との間にはジルコニ
ウムを主成分とする金属層が形成されていることを特徴
とする電子管用陰極。 - 【請求項２】 前記金属層の厚さは４００乃至２０００
０オングストロームであることを特徴とする請求項１に
記載の電子管用陰極。 - 【請求項３】 前記金属層はタングステン、ニッケル、
アルミニウム及びモリブデンよりなる群から選択される
少なくとも一つの金属をさらに含むことを特徴とする請
求項１に記載の電子管用陰極。 - 【請求項４】 前記タングステン及びニッケルを含む群
から選択される少なくとも一つの金属とジルコニウムと
の重量比は３：７乃至７：３であることを特徴とする請
求項３に記載の電子管用陰極。 - 【請求項５】 前記電子放出物質層にはＬａ化合物とＭ
ｇ化合物とが含まれていることを特徴とする請求項１に
記載の電子管用陰極。 - 【請求項６】 前記Ｌａ及びＭｇの総含量は前記アルカ
リ土類金属酸化物を基準として０．０１乃至２０重量％
であることを特徴とする請求項５に記載の電子管用陰
極。 - 【請求項７】 前記ＬａとＭｇとのモル比は１：３．５
乃至１：４．５であることを特徴とする請求項５に記載
の電子管用陰極。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970037800A KR100247820B1 (ko) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 전자관용 음극 |
| KR1997-37800 | 1997-08-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167056A JPH1167056A (ja) | 1999-03-09 |
| JP2951939B2 true JP2951939B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=19517081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11255198A Expired - Fee Related JP2951939B2 (ja) | 1997-08-07 | 1998-04-22 | 電子管用陰極 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5977699A (ja) |
| JP (1) | JP2951939B2 (ja) |
| KR (1) | KR100247820B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6238122B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-05-29 | Exhaust Etiquette | Display device and method therefor |
| KR100315123B1 (ko) | 2000-01-10 | 2001-11-29 | 김순택 | 전자빔 장치용 음극 물질 |
| FR2810446A1 (fr) * | 2000-06-14 | 2001-12-21 | Thomson Tubes & Displays | Cathodes a oxyde amelioree et son procede de fabrication |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100291903B1 (ko) * | 1993-08-23 | 2001-09-17 | 김순택 | 전자관용산화물음극 |
-
1997
- 1997-08-07 KR KR1019970037800A patent/KR100247820B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-01-09 US US09/005,007 patent/US5977699A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-22 JP JP11255198A patent/JP2951939B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1167056A (ja) | 1999-03-09 |
| US5977699A (en) | 1999-11-02 |
| KR19990015604A (ko) | 1999-03-05 |
| KR100247820B1 (ko) | 2000-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6124666A (en) | Electron tube cathode | |
| JP2951939B2 (ja) | 電子管用陰極 | |
| JPH0765693A (ja) | 酸化物陰極 | |
| JPH08124476A (ja) | 電子管用の陰極 | |
| JP2928155B2 (ja) | 電子管用陰極 | |
| US20090273269A1 (en) | Scandate dispenser cathode | |
| JP2897938B2 (ja) | 電子管用陰極 | |
| JP2937145B2 (ja) | 電子管用陰極 | |
| JPH0765695A (ja) | 酸化物陰極 | |
| JP2936460B2 (ja) | 電子管用陰極 | |
| JPS5949131A (ja) | 電子管陰極 | |
| JPH0765692A (ja) | 電子管用酸化物陰極 | |
| JP2891209B2 (ja) | 電子管用陰極 | |
| JPS61271732A (ja) | 電子管陰極 | |
| JP3225523B2 (ja) | 含浸型陰極 | |
| JP2882386B2 (ja) | 電子管用陰極の製造方法 | |
| JPH07107824B2 (ja) | 電子管用陰極 | |
| US6641450B2 (en) | Method of making a cathode for an electron tube | |
| JP2730260B2 (ja) | 電子管用陰極 | |
| JPH09185939A (ja) | 電子管用陰極およびその製造方法 | |
| JPH03230445A (ja) | 電子管用陰極 | |
| CN1323050A (zh) | 阴极射线管阴极及其合金 | |
| Yamamoto | Recent development of cathodes used for cathode ray tubes | |
| JPH08138536A (ja) | 含浸形陰極とその製造方法並びにこれを用いた陰極線管 | |
| JPH0113187B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990614 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |