JP2949068B2 - 高周波用伝送線路の製造方法 - Google Patents
高周波用伝送線路の製造方法Info
- Publication number
- JP2949068B2 JP2949068B2 JP8050691A JP5069196A JP2949068B2 JP 2949068 B2 JP2949068 B2 JP 2949068B2 JP 8050691 A JP8050691 A JP 8050691A JP 5069196 A JP5069196 A JP 5069196A JP 2949068 B2 JP2949068 B2 JP 2949068B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- dielectric substrate
- conductor
- rounded
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体基板の少な
くとも一方面に導体を有する構造の高周波用伝送線路の
製造方法に関する。
くとも一方面に導体を有する構造の高周波用伝送線路の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロストリップ線路は、誘電体基板
の少なくとも一方面に導体を有する構造の高周波伝送線
路の典型例であり、図４及び図５に示すように、誘電体
基板１の両面に所定幅Ｗのストリップ導体２と接地導体
３とをそれぞれ設けて構成されている。マイクロストリ
ップ線路は、一種の平行２導体線路として機能する。す
なわち、ストリップ導体２と接地導体３の間に電界、そ
れに垂直に磁界（磁界はストリップ導体２を伝わる高周
波信号の伝播方向にも垂直）が存在し、伝送モードはほ
ぼＴＥＭ波（電波の進行方向に対して電界と磁界が垂直
な波）で、伝送エネルギーの大部分は誘電体基板１の内
部を伝わる。
の少なくとも一方面に導体を有する構造の高周波伝送線
路の典型例であり、図４及び図５に示すように、誘電体
基板１の両面に所定幅Ｗのストリップ導体２と接地導体
３とをそれぞれ設けて構成されている。マイクロストリ
ップ線路は、一種の平行２導体線路として機能する。す
なわち、ストリップ導体２と接地導体３の間に電界、そ
れに垂直に磁界（磁界はストリップ導体２を伝わる高周
波信号の伝播方向にも垂直）が存在し、伝送モードはほ
ぼＴＥＭ波（電波の進行方向に対して電界と磁界が垂直
な波）で、伝送エネルギーの大部分は誘電体基板１の内
部を伝わる。
【０００３】なお、図５において、ストリップ導体２と
接地導体３の間の矢印線は、電界の状態を表す指力線で
ある。矢印の向きはストリップ導体２を正電荷、接地導
体３を負電荷と仮定したときの電界の向きである。電界
の強さは指力線の密度（電束密度）で表され、密度が高
くなるほど電界が強くなる。マイクロストリップ線路
は、同軸線路並みの小さな伝送損失が得られると共に、
半導体集積技術を応用できるため、再現性や量産性及び
経済性に優れ、しかも、小形・軽量化を図ることができ
ることから、マイクロ波・ミリ波用伝送線路に用いられ
るほか、周波数フィルタや電力分配器、方向性結合器な
どの各種受動回路デバイスにも多用されている。
接地導体３の間の矢印線は、電界の状態を表す指力線で
ある。矢印の向きはストリップ導体２を正電荷、接地導
体３を負電荷と仮定したときの電界の向きである。電界
の強さは指力線の密度（電束密度）で表され、密度が高
くなるほど電界が強くなる。マイクロストリップ線路
は、同軸線路並みの小さな伝送損失が得られると共に、
半導体集積技術を応用できるため、再現性や量産性及び
経済性に優れ、しかも、小形・軽量化を図ることができ
ることから、マイクロ波・ミリ波用伝送線路に用いられ
るほか、周波数フィルタや電力分配器、方向性結合器な
どの各種受動回路デバイスにも多用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来構造の高周波伝送線路にあっては、図５に示すよう
に、ストリップ導体２のエッジ部２ａ、２ｂの電束密度
が他の電束密度よりも高いため、エッジ部２ａ、２ｂに
電界が集中し、その結果、このエッジ部２ａ、２ｂの電
流密度が他に比べて大きくなるという不都合がある。
従来構造の高周波伝送線路にあっては、図５に示すよう
に、ストリップ導体２のエッジ部２ａ、２ｂの電束密度
が他の電束密度よりも高いため、エッジ部２ａ、２ｂに
電界が集中し、その結果、このエッジ部２ａ、２ｂの電
流密度が他に比べて大きくなるという不都合がある。
【０００５】特に、下側のエッジ部２ｂは、空気よりも
高誘電率の誘電体基板１に接しているため、この下側の
エッジ部２ｂの電流密度がストリップ導体２のあらゆる
部分の電流密度よりもはるかに大きいという傾向があ
る。このことは、例えば、ストリップ導体２を超伝導体
で構成した場合に、下側のエッジ部２ｂで臨界電流（超
伝導状態を維持できる上限電流）を越えやすくなること
を示唆しているから、特に、超伝導体を利用して伝送損
失の大幅な低減を達成しようとする際の障害となり、早
急に解決すべき技術課題である。
高誘電率の誘電体基板１に接しているため、この下側の
エッジ部２ｂの電流密度がストリップ導体２のあらゆる
部分の電流密度よりもはるかに大きいという傾向があ
る。このことは、例えば、ストリップ導体２を超伝導体
で構成した場合に、下側のエッジ部２ｂで臨界電流（超
伝導状態を維持できる上限電流）を越えやすくなること
を示唆しているから、特に、超伝導体を利用して伝送損
失の大幅な低減を達成しようとする際の障害となり、早
急に解決すべき技術課題である。
【０００６】なお、この技術課題は、マイクロストリッ
プ線路だけでなく、図６に示すように、誘電体基板４の
同一面に複数の導体５、６を取り付けた構造（コプレー
ナ構造）を有する高周伝送波線路、例えば、スロット線
路、共平面形導波線路、共平面ストリップ線路、２重層
スロット線路などにあっても同じく存在する。誘電体基
板４を通る指力線は、誘電体基板４に接する導体５、６
のエッジ部分５ａ、６ａにも同様に集中するからであ
る。
プ線路だけでなく、図６に示すように、誘電体基板４の
同一面に複数の導体５、６を取り付けた構造（コプレー
ナ構造）を有する高周伝送波線路、例えば、スロット線
路、共平面形導波線路、共平面ストリップ線路、２重層
スロット線路などにあっても同じく存在する。誘電体基
板４を通る指力線は、誘電体基板４に接する導体５、６
のエッジ部分５ａ、６ａにも同様に集中するからであ
る。
【０００７】そこで、本発明は、導体内の部分的な電界
集中を緩和して当該部分の電流密度を下げることによ
り、例えば、導体材料に超伝導体を利用して伝送損失の
大幅な低減を図る際の障害をなくすことを目的とする。
集中を緩和して当該部分の電流密度を下げることによ
り、例えば、導体材料に超伝導体を利用して伝送損失の
大幅な低減を図る際の障害をなくすことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波用伝
送線路の製造方法は、上記目的を達成するために、誘電
体基板上に型抜き層を設けるとともに、該型抜き層の一
部をウェットエッチングにより前記誘電体基板の表面が
露出するまで溶融させ、該型抜き層に丸みを帯びた側面
を有する凹部を形成する工程と、該凹部内に超伝導体か
らなる金属膜を形成する工程と、前記凹部に合わせて前
記金属膜を覆うよう側面の傾斜したフォトレジスト層を
金属膜上に配置する工程と、該フォトレジスト層上から
前記金属膜にドライッチングを施して前記金属膜に丸み
を帯びた縁部を形成する工程と、前記縁部を形成した金
属膜を前記誘電体基板上に残して前記型抜き層を前記誘
電体基板上から取り除く工程と、を含むことを特徴とす
る。したがって、ウェットエッチングおよびドライッチ
ングの併用により金属膜に丸みを帯びた縁部を形成する
ことができる。しかも、金属膜に丸みを帯びた縁部が形
成されているので、伝送損失の大幅低減が可能になる。
送線路の製造方法は、上記目的を達成するために、誘電
体基板上に型抜き層を設けるとともに、該型抜き層の一
部をウェットエッチングにより前記誘電体基板の表面が
露出するまで溶融させ、該型抜き層に丸みを帯びた側面
を有する凹部を形成する工程と、該凹部内に超伝導体か
らなる金属膜を形成する工程と、前記凹部に合わせて前
記金属膜を覆うよう側面の傾斜したフォトレジスト層を
金属膜上に配置する工程と、該フォトレジスト層上から
前記金属膜にドライッチングを施して前記金属膜に丸み
を帯びた縁部を形成する工程と、前記縁部を形成した金
属膜を前記誘電体基板上に残して前記型抜き層を前記誘
電体基板上から取り除く工程と、を含むことを特徴とす
る。したがって、ウェットエッチングおよびドライッチ
ングの併用により金属膜に丸みを帯びた縁部を形成する
ことができる。しかも、金属膜に丸みを帯びた縁部が形
成されているので、伝送損失の大幅低減が可能になる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図１及び図２は本発明に係る高周波用
伝送線路の製造方法の一実施例を説明する図であり、マ
イクロストリップ線路への適用例である。なお、本実施
例において、従来例（図４、図５）と共通する構成要素
には同一の符号を付してある。
づいて説明する。図１及び図２は本発明に係る高周波用
伝送線路の製造方法の一実施例を説明する図であり、マ
イクロストリップ線路への適用例である。なお、本実施
例において、従来例（図４、図５）と共通する構成要素
には同一の符号を付してある。
【００１０】図１において、１０は本実施例の特徴的な
事項を備えたストリップ導体（発明の要旨に記載の導体
に相当）である。すなわち、本実施例のストリップ導体
１０は、誘電体基板１の一方面に形成された所定幅Ｗの
ストリップ導体である点で従来例と共通するが、その幅
方向の両側の縁部１０ａ、１０ｂが丸く仕上げられてい
る点で相違する。なお、図では、端部１０ａ、１０ｂの
断面全体を丸く仕上げているが、これはベストモードで
あり、上述の傾向（下側のエッジ部は、空気よりも高誘
電率の誘電体基板に接しているため、この下側のエッジ
部の電流密度がストリップ導体のあらゆる部分の電流密
度よりもはるかに大きい）に注目すれば、少なくとも、
誘電体基板１に接する部分（従来例の下側のエッジ部２
ｂ）が丸くなっていればよい。
事項を備えたストリップ導体（発明の要旨に記載の導体
に相当）である。すなわち、本実施例のストリップ導体
１０は、誘電体基板１の一方面に形成された所定幅Ｗの
ストリップ導体である点で従来例と共通するが、その幅
方向の両側の縁部１０ａ、１０ｂが丸く仕上げられてい
る点で相違する。なお、図では、端部１０ａ、１０ｂの
断面全体を丸く仕上げているが、これはベストモードで
あり、上述の傾向（下側のエッジ部は、空気よりも高誘
電率の誘電体基板に接しているため、この下側のエッジ
部の電流密度がストリップ導体のあらゆる部分の電流密
度よりもはるかに大きい）に注目すれば、少なくとも、
誘電体基板１に接する部分（従来例の下側のエッジ部２
ｂ）が丸くなっていればよい。
【００１１】このような構造において、ストリップ導体
１０の縁部１０ａ、１０ｂが丸く仕上げられているた
め、従来、この部分（特に下側のエッジ部２ｂ；図５参
照）に集中していた電界を縁部１０ａ、１０ｂの表面に
分散させることができる。したがって、縁部１０ａ、１
０ｂの電流密度を小さくできるから、例えば、ストリッ
プ導体１０の材料に超伝導体を利用して伝送損失の大幅
な低減を図る際の障害を解消することができるという従
来技術にない格別有利な効果が得られる。
１０の縁部１０ａ、１０ｂが丸く仕上げられているた
め、従来、この部分（特に下側のエッジ部２ｂ；図５参
照）に集中していた電界を縁部１０ａ、１０ｂの表面に
分散させることができる。したがって、縁部１０ａ、１
０ｂの電流密度を小さくできるから、例えば、ストリッ
プ導体１０の材料に超伝導体を利用して伝送損失の大幅
な低減を図る際の障害を解消することができるという従
来技術にない格別有利な効果が得られる。
【００１２】図２は、上記実施例のマイクロストリップ
線路に適用して好ましい製造工程図である。まず、図２
（ａ）に示すように、下面に接地導体３を形成した誘電
体基板１の上面に所定材料（例えば単結晶の金）からな
る型抜き層１１を形成し、その型抜き層１１の上に所定
の開口パターン１２ａを有するフォトレジスト１２を塗
布する。次いで、図２（ｂ）に示すように、所定の溶液
（例えばヨウ化カリウム溶液）を用いて誘電体基板１の
表面が露出するまで型抜き層１１を溶融し、型抜き層１
１の内部に丸みを帯びた側面を有する穴１３を形成す
る。次いで、図２（ｃ）に示すように、フォトレジスト
１２を除去した後、図２（ｄ）に示すように、穴１３の
内部と残された型抜き層１１の表面に所定の単結晶材
（単結晶超伝導体でもよい）をエピ成長させて金属膜１
４を形成する。そして、図３（ｅ）に示すように、穴１
３の位置に合わせて金属膜１４の上にフォトレジスト１
５を塗布すると、このフォトレジスト１５の側面は、一
般に、液だれによってなだらかになるため、その断面形
状はほぼ台形状になる。このため、図２（ｆ）に示すよ
うに、イオンビームなどの荷電粒子ビームをフォトレジ
スト１５に照射して金属膜１４をドライエッチングする
と、金属膜１４は、フォトレジスト１５の側面傾斜の影
響を受けて若干丸みを帯びた形状にエッチングされる。
したがって、最後に、図２（ｇ）に示すように、フォト
レジスト１５と型抜き層１１を除去すれば、縁部１０
ａ、１０ｂの丸いストリップ導体１０を有する、上記実
施例に用いて好適な構造のマイクロストリップ線路が得
られる。
線路に適用して好ましい製造工程図である。まず、図２
（ａ）に示すように、下面に接地導体３を形成した誘電
体基板１の上面に所定材料（例えば単結晶の金）からな
る型抜き層１１を形成し、その型抜き層１１の上に所定
の開口パターン１２ａを有するフォトレジスト１２を塗
布する。次いで、図２（ｂ）に示すように、所定の溶液
（例えばヨウ化カリウム溶液）を用いて誘電体基板１の
表面が露出するまで型抜き層１１を溶融し、型抜き層１
１の内部に丸みを帯びた側面を有する穴１３を形成す
る。次いで、図２（ｃ）に示すように、フォトレジスト
１２を除去した後、図２（ｄ）に示すように、穴１３の
内部と残された型抜き層１１の表面に所定の単結晶材
（単結晶超伝導体でもよい）をエピ成長させて金属膜１
４を形成する。そして、図３（ｅ）に示すように、穴１
３の位置に合わせて金属膜１４の上にフォトレジスト１
５を塗布すると、このフォトレジスト１５の側面は、一
般に、液だれによってなだらかになるため、その断面形
状はほぼ台形状になる。このため、図２（ｆ）に示すよ
うに、イオンビームなどの荷電粒子ビームをフォトレジ
スト１５に照射して金属膜１４をドライエッチングする
と、金属膜１４は、フォトレジスト１５の側面傾斜の影
響を受けて若干丸みを帯びた形状にエッチングされる。
したがって、最後に、図２（ｇ）に示すように、フォト
レジスト１５と型抜き層１１を除去すれば、縁部１０
ａ、１０ｂの丸いストリップ導体１０を有する、上記実
施例に用いて好適な構造のマイクロストリップ線路が得
られる。
【００１３】なお、上記マイクロストリップ線路の他の
製造工程として、図３（ａ）に示すように、まず、誘電
体基板１の表面に穴１ａを掘り、次いで、図３（ｂ）に
示すように、ストリップ導体１４を、比較的低速に溶融
可能な所定の溶液（例えばＹＢＣＯ系の酸化物超伝導材
であれば０．１５％程度の酢酸）を用いて化学的エッチ
ングを行うことによって、ストリップ導体１４の縁部１
４ａに所望の丸みを付けるということもできる。しか
し、何らかの方法〔例えば、本出願人の提案した「高周
波用伝送線路」（特願平８−４９６８０号 平成８年３
月７日出願）に記載された方法〕を用いて、ストリップ
導体１４の縁部１４ａに接する部分に予め穴１ａを設け
る工程が必要になる。
製造工程として、図３（ａ）に示すように、まず、誘電
体基板１の表面に穴１ａを掘り、次いで、図３（ｂ）に
示すように、ストリップ導体１４を、比較的低速に溶融
可能な所定の溶液（例えばＹＢＣＯ系の酸化物超伝導材
であれば０．１５％程度の酢酸）を用いて化学的エッチ
ングを行うことによって、ストリップ導体１４の縁部１
４ａに所望の丸みを付けるということもできる。しか
し、何らかの方法〔例えば、本出願人の提案した「高周
波用伝送線路」（特願平８−４９６８０号 平成８年３
月７日出願）に記載された方法〕を用いて、ストリップ
導体１４の縁部１４ａに接する部分に予め穴１ａを設け
る工程が必要になる。
【００１４】なお、上記実施例はマイクロストリップ線
路への適用例であるが、本発明はこの例に限らず、コプ
レーナ構造を有する高周波用伝送線路（図６参照）の製
造にも適用できる。
路への適用例であるが、本発明はこの例に限らず、コプ
レーナ構造を有する高周波用伝送線路（図６参照）の製
造にも適用できる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、ウェットエッチングお
よびドライッチングの併用により金属膜に丸みを帯びた
縁部を形成することができる。しかも、金属膜に丸みを
帯びた縁部が形成されているので、伝送損失の大幅低減
が可能になる。
よびドライッチングの併用により金属膜に丸みを帯びた
縁部を形成することができる。しかも、金属膜に丸みを
帯びた縁部が形成されているので、伝送損失の大幅低減
が可能になる。
【図１】本発明の一実施例により製造した高周波用伝送
線路の概念構造図である。
線路の概念構造図である。
【図２】一実施例の製造工程図である。
【図３】比較例の製造工程図である。
【図４】従来例の要部概略外観図である。
【図５】従来例の概念構造図である。
【図６】従来例のコプレーナ構造の概念構造図である。
１ 誘電体基板 １０ ストリップ導体（導体） １０ａ、１０ｂ 縁部１１ 型抜き層 １３ 凹部 １４ 金属膜 １５ フォトレジスト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｐ 3/02 ＺＡＡ Ｈ０１Ｐ 3/02 ＺＡＡ (56)参考文献 特開 平２−165702（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−13981（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−160701（ＪＰ，Ｕ) 1995年電子情報通信学会総合大会講演 論文集エレクトロニクス１、講演番号Ｃ −150、「角を丸くした導体をもつマイ クロストリップ線路の特性解析（その ２）」、白坂幸一他２名、1995年３月10 日発行 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01P 3/08 H01B 12/06 H01B 13/00 503 H01L 39/02 H01L 39/24 H01P 3/02
Claims (1)
- 【請求項１】誘電体基板上に型抜き層を設けるととも
に、該型抜き層の一部をウェットエッチングにより前記
誘電体基板の表面が露出するまで溶融させ、該型抜き層
に丸みを帯びた側面を有する凹部を形成する工程と、 該凹部内に超伝導体からなる金属膜を形成する工程と、 前記凹部に合わせて前記金属膜を覆うよう側面の傾斜し
たフォトレジスト層を金属膜上に配置する工程と、 該フォトレジスト層上から前記金属膜にドライッチング
を施して前記金属膜に丸みを帯びた縁部を形成する工程
と、 前記縁部を形成した金属膜を前記誘電体基板上に残して
前記型抜き層を前記誘電体基板上から取り除く工程と、 を含むことを特徴とする高周波用伝送線路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8050691A JP2949068B2 (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 高周波用伝送線路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8050691A JP2949068B2 (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 高周波用伝送線路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246811A JPH09246811A (ja) | 1997-09-19 |
| JP2949068B2 true JP2949068B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=12865958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8050691A Expired - Fee Related JP2949068B2 (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 高周波用伝送線路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2949068B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011010154A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Fujitsu Ltd | 線路導体およびその製造方法 |
| JP2013169001A (ja) * | 2013-05-02 | 2013-08-29 | Fujitsu Ltd | 線路導体の製造方法 |
| WO2024069696A1 (ja) * | 2022-09-26 | 2024-04-04 | 富士通株式会社 | 量子デバイス、量子演算装置及び量子デバイスの製造方法 |
-
1996
- 1996-03-08 JP JP8050691A patent/JP2949068B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９９５年電子情報通信学会総合大会講演論文集エレクトロニクス１、講演番号Ｃ−１５０、「角を丸くした導体をもつマイクロストリップ線路の特性解析（その２）」、白坂幸一他２名、１９９５年３月１０日発行 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09246811A (ja) | 1997-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6592021B2 (en) | Circuit board bonding method, branch circuit and its designing method, waveguide-microstrip transition, and application to HF circuit, antenna and communication system | |
| JP3241139B2 (ja) | フィルムキャリア信号伝送線路 | |
| JP3166897B2 (ja) | 非放射性誘電体線路およびその集積回路 | |
| JP2949068B2 (ja) | 高周波用伝送線路の製造方法 | |
| JP2928154B2 (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 | |
| US4135170A (en) | Junction between two microwave transmission lines of different field structures | |
| JP4209842B2 (ja) | シリコン基板装置とその製造方法 | |
| US5559480A (en) | Stripline-to-waveguide transition | |
| JP2983169B2 (ja) | 高周波用伝送線路の製造方法 | |
| EP1461842B1 (en) | Microstrip to circular waveguide transition | |
| JPH0522006A (ja) | Ｔ分岐導波管 | |
| JP2914335B2 (ja) | 超伝導平面回路およびその製造方法 | |
| JPH10308611A (ja) | 高周波回路素子 | |
| JPH04368005A (ja) | マイクロ波伝送線路 | |
| JPH0799402A (ja) | 静磁波マイクロ波装置 | |
| JPH02235406A (ja) | マイクロ波線路 | |
| JPS6153885B2 (ja) | ||
| JPS604603B2 (ja) | 伝送モ−ド変換器 | |
| JP2001077606A (ja) | 高周波伝送線路の構造および製造方法 | |
| JPS5943003B2 (ja) | リツジ導波管マイクロストリツプライン変換器 | |
| JPH11225004A (ja) | 誘電体フィルタの周波数調整方法 | |
| JP2001007613A (ja) | 誘電体線路結合装置 | |
| Kuroki et al. | A transition between NRD guide and microstrip line at 60 GHz | |
| JP3042063B2 (ja) | マイクロ波回路 | |
| JPH05335816A (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |