JP2947131B2 - 磁気記録媒体用ガラス基板、その製造方法及び磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体用ガラス基板、その製造方法及び磁気記録媒体Info
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- JP2947131B2 JP2947131B2 JP7213362A JP21336295A JP2947131B2 JP 2947131 B2 JP2947131 B2 JP 2947131B2 JP 7213362 A JP7213362 A JP 7213362A JP 21336295 A JP21336295 A JP 21336295A JP 2947131 B2 JP2947131 B2 JP 2947131B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C21/00—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface
- C03C21/001—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface in liquid phase, e.g. molten salts, solutions
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体用ガ
ラス基板及びその製造方法、並びにこのガラス基板を用
いた磁気記録媒体に関する。
ラス基板及びその製造方法、並びにこのガラス基板を用
いた磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク記憶装置の大容量化に伴な
って、記録密度の向上のために磁気ヘッド浮上量の低減
が図られている。この磁気ヘッド浮上量の低減のために
は平滑性に優れた磁気記録媒体が必要とされるが、一般
に、磁気記録媒体の磁性膜厚は約０．５μｍ以下と薄
く、基板の表面状態が磁気記録媒体の平滑性に大きく影
響することから、磁気記録媒体用基板として、平滑性に
優れた基板が要求されている。しかして、ガラスは研磨
により比較的容易に表面の平滑化を図ることができるこ
とから、磁気記録媒体用基板としての用途が開発されて
いる。
って、記録密度の向上のために磁気ヘッド浮上量の低減
が図られている。この磁気ヘッド浮上量の低減のために
は平滑性に優れた磁気記録媒体が必要とされるが、一般
に、磁気記録媒体の磁性膜厚は約０．５μｍ以下と薄
く、基板の表面状態が磁気記録媒体の平滑性に大きく影
響することから、磁気記録媒体用基板として、平滑性に
優れた基板が要求されている。しかして、ガラスは研磨
により比較的容易に表面の平滑化を図ることができるこ
とから、磁気記録媒体用基板としての用途が開発されて
いる。
【０００３】ところで、ガラスは上述の如く、平滑化が
容易であるという利点を有する反面、脆い材料であるた
め、磁気記録媒体用基板としての用途のためには、表面
の強化処理を施す必要がある。この強化処理としては、
ガラスに含有されるＮａ+イオン等の金属イオンを、そ
れよりもイオン半径が大きいＫ+イオン等の金属イオン
で置換するイオン交換処理が実施されている。このイオ
ン交換処理により、図３（ガラス基板の表面部分の拡大
断面図と、それに対応するガラス基板の表面部分の深さ
と金属イオン濃度との関係を示すグラフ）に示す如く、
ガラス基板１の表面層１ＡのＮａ+イオンがＫ+イオンに
置換され、イオン半径の大きいＫ+イオンにより表面層
１Ａに圧縮応力が生じ、表面が強化される。なお、図３
において、ガラス基板の表面部分の深さと金属イオン濃
度との関係を示すグラフにおける破線はＮａ+イオンと
Ｋ+イオンとの合計濃度を示す。
容易であるという利点を有する反面、脆い材料であるた
め、磁気記録媒体用基板としての用途のためには、表面
の強化処理を施す必要がある。この強化処理としては、
ガラスに含有されるＮａ+イオン等の金属イオンを、そ
れよりもイオン半径が大きいＫ+イオン等の金属イオン
で置換するイオン交換処理が実施されている。このイオ
ン交換処理により、図３（ガラス基板の表面部分の拡大
断面図と、それに対応するガラス基板の表面部分の深さ
と金属イオン濃度との関係を示すグラフ）に示す如く、
ガラス基板１の表面層１ＡのＮａ+イオンがＫ+イオンに
置換され、イオン半径の大きいＫ+イオンにより表面層
１Ａに圧縮応力が生じ、表面が強化される。なお、図３
において、ガラス基板の表面部分の深さと金属イオン濃
度との関係を示すグラフにおける破線はＮａ+イオンと
Ｋ+イオンとの合計濃度を示す。
【０００４】このようなイオン交換処理により、ガラス
基板の表面層１Ａは、表面１Ｂに近い部分ほどＫ+イオ
ン濃度が高い層となる。
基板の表面層１Ａは、表面１Ｂに近い部分ほどＫ+イオ
ン濃度が高い層となる。
【０００５】このように、Ｋ+イオン濃度が高い層が表
出するガラス基板１の表面１Ｂからは、Ｋ+イオンの溶
出が多く、このため、このようなガラス基板を用いた磁
気記録媒体では、耐候性が劣り、エッジ部分から経時的
に腐食が進行するという問題がある。
出するガラス基板１の表面１Ｂからは、Ｋ+イオンの溶
出が多く、このため、このようなガラス基板を用いた磁
気記録媒体では、耐候性が劣り、エッジ部分から経時的
に腐食が進行するという問題がある。
【０００６】従来、このようなＫ+イオンの溶出を防止
するために、イオン交換処理後、硝酸亜鉛水溶液で処理
する方法が提案されている。
するために、イオン交換処理後、硝酸亜鉛水溶液で処理
する方法が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】イオン交換処理後、直
接、硝酸亜鉛水溶液で処理する方法では、十分な効果が
得られない上に、処理後のガラス基板の表面に汚れが付
着したような状態となり、磁性膜の付着性が悪くなると
いう問題がある。
接、硝酸亜鉛水溶液で処理する方法では、十分な効果が
得られない上に、処理後のガラス基板の表面に汚れが付
着したような状態となり、磁性膜の付着性が悪くなると
いう問題がある。
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決し、表面
からの金属イオンの溶出量が非常に少ない磁気記録媒体
用表面強化ガラス基板及びその製造方法、並びに、この
ようなガラス基板を用いた耐候性に優れた磁気記録媒体
を提供することを目的とする。
からの金属イオンの溶出量が非常に少ない磁気記録媒体
用表面強化ガラス基板及びその製造方法、並びに、この
ようなガラス基板を用いた耐候性に優れた磁気記録媒体
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の磁気記録媒体
用ガラス基板は、ソーダライムガラス組成のガラス基板
の深さ１０００〜１００００Åの最表面層と、それにひ
きつづく表面近傍層とを含めた、深さ２〜４０μｍの表
面層の金属イオンが、該イオンよりもイオン半径の大き
な金属イオンによって置換されることにより該表面層に
圧縮応力層が形成されると共に、該最表面層のアルカリ
金属イオン濃度が、該表面近傍層のアルカリ金属イオン
濃度よりも小さいことを特徴とする。
用ガラス基板は、ソーダライムガラス組成のガラス基板
の深さ１０００〜１００００Åの最表面層と、それにひ
きつづく表面近傍層とを含めた、深さ２〜４０μｍの表
面層の金属イオンが、該イオンよりもイオン半径の大き
な金属イオンによって置換されることにより該表面層に
圧縮応力層が形成されると共に、該最表面層のアルカリ
金属イオン濃度が、該表面近傍層のアルカリ金属イオン
濃度よりも小さいことを特徴とする。
【００１０】請求項２の磁気記録媒体用ガラス基板は、
アルミノシリケートガラス組成のガラス基板の深さ１０
００〜１００００Åの最表面層と、それにひきつづく表
面近傍層とを含めた、深さ２〜４００μｍの表面層の金
属イオンが、該イオンよりもイオン半径の大きな金属イ
オンによって置換されることにより該表面層に圧縮応力
層が形成されると共に、該最表面層のアルカリ金属イオ
ン濃度が、該表面近傍層のアルカリ金属イオン濃度より
も小さいことを特徴とする。
アルミノシリケートガラス組成のガラス基板の深さ１０
００〜１００００Åの最表面層と、それにひきつづく表
面近傍層とを含めた、深さ２〜４００μｍの表面層の金
属イオンが、該イオンよりもイオン半径の大きな金属イ
オンによって置換されることにより該表面層に圧縮応力
層が形成されると共に、該最表面層のアルカリ金属イオ
ン濃度が、該表面近傍層のアルカリ金属イオン濃度より
も小さいことを特徴とする。
【００１１】請求項３の磁気記録媒体用ガラス基板は、
ソーダライムガラス組成のガラス基板の、深さ１０００
〜１００００Åの最表面層のアルカリ金属イオンの濃度
が、該最表面層につづく内部のアルカリ金属イオン濃度
よりも小さく、該最表面層の２価金属イオンの濃度が、
該最表面層につづく内部の２価金属イオン濃度よりも大
きいことを特徴とする。
ソーダライムガラス組成のガラス基板の、深さ１０００
〜１００００Åの最表面層のアルカリ金属イオンの濃度
が、該最表面層につづく内部のアルカリ金属イオン濃度
よりも小さく、該最表面層の２価金属イオンの濃度が、
該最表面層につづく内部の２価金属イオン濃度よりも大
きいことを特徴とする。
【００１２】請求項４の磁気記録媒体用ガラス基板は、
アルミノシリケートガラス組成のガラス基板の深さ１０
００〜１００００Åの最表面層のアルカリ金属イオンの
濃度が、該最表面層につづく内部のアルカリ金属イオン
濃度よりも小さく、該最表面層の２価金属イオンの濃度
が、該最表面層につづく内部の２価金属イオン濃度より
も大きいことを特徴とする。
アルミノシリケートガラス組成のガラス基板の深さ１０
００〜１００００Åの最表面層のアルカリ金属イオンの
濃度が、該最表面層につづく内部のアルカリ金属イオン
濃度よりも小さく、該最表面層の２価金属イオンの濃度
が、該最表面層につづく内部の２価金属イオン濃度より
も大きいことを特徴とする。
【００１３】請求項５の磁気記録媒体用ガラス基板の製
造方法は、ソーダライムガラス組成のガラス基板の表面
層の金属イオンを該金属イオンよりもイオン半径が大き
い金属イオンに置換することにより、該ガラス基板の深
さ２〜４０μｍの表面層に圧縮応力層を形成する第１工
程と、次いで該ガラス基板の、深さ１０００〜１０００
０Åの最表面層のアルカリ金属イオン濃度が、該最表面
層につづく内部のアルカリ金属イオン濃度よりも小さく
なるように該ガラス基板の最表面層に対し脱アルカリ金
属イオン処理を施す第２工程と、を有することを特徴と
する。
造方法は、ソーダライムガラス組成のガラス基板の表面
層の金属イオンを該金属イオンよりもイオン半径が大き
い金属イオンに置換することにより、該ガラス基板の深
さ２〜４０μｍの表面層に圧縮応力層を形成する第１工
程と、次いで該ガラス基板の、深さ１０００〜１０００
０Åの最表面層のアルカリ金属イオン濃度が、該最表面
層につづく内部のアルカリ金属イオン濃度よりも小さく
なるように該ガラス基板の最表面層に対し脱アルカリ金
属イオン処理を施す第２工程と、を有することを特徴と
する。
【００１４】請求項６の磁気記録媒体用ガラス基板の製
造方法は、アルミノシリケートガラス組成のガラス基板
の表面層の金属イオンを該金属イオンよりもイオン半径
が大きい金属イオンに置換することにより、該ガラス基
板の深さ２〜４００μｍの表面層に圧縮応力層を形成す
る第１工程と、次いで該ガラス基板の、深さ１０００〜
１００００Åの最表面層のアルカリ金属イオン濃度が、
該最表面層につづく内部のアルカリ金属イオン濃度より
も小さくなるように該ガラス基板の最表面層に対し脱ア
ルカリ金属イオン処理を施す第２工程と、を有すること
を特徴とする。
造方法は、アルミノシリケートガラス組成のガラス基板
の表面層の金属イオンを該金属イオンよりもイオン半径
が大きい金属イオンに置換することにより、該ガラス基
板の深さ２〜４００μｍの表面層に圧縮応力層を形成す
る第１工程と、次いで該ガラス基板の、深さ１０００〜
１００００Åの最表面層のアルカリ金属イオン濃度が、
該最表面層につづく内部のアルカリ金属イオン濃度より
も小さくなるように該ガラス基板の最表面層に対し脱ア
ルカリ金属イオン処理を施す第２工程と、を有すること
を特徴とする。
【００１５】この製造方法においては、上記第１の工程
及び第２の工程に加え、さらに脱アルカリ金属イオン処
理後のガラス基板の最表面層に対し２価金属イオンの注
入処理を施す第３工程を備えることが好ましい。
及び第２の工程に加え、さらに脱アルカリ金属イオン処
理後のガラス基板の最表面層に対し２価金属イオンの注
入処理を施す第３工程を備えることが好ましい。
【００１６】また、この方法において、第２工程の脱ア
ルカリ金属イオン処理は、８０〜１００℃の温水中に、
イオン交換処理後のガラス基板を２〜１０時間浸漬処理
することにより行い、第３工程の２価金属イオンの注入
処理は、脱アルカリ金属イオン処理後のガラス基板を、
２価の金属塩を０．００１〜２ｍｏｌ／リットル濃度で
含む水溶液中に７０〜１００℃で０．５〜２４時間浸漬
することにより行うことが好ましい。
ルカリ金属イオン処理は、８０〜１００℃の温水中に、
イオン交換処理後のガラス基板を２〜１０時間浸漬処理
することにより行い、第３工程の２価金属イオンの注入
処理は、脱アルカリ金属イオン処理後のガラス基板を、
２価の金属塩を０．００１〜２ｍｏｌ／リットル濃度で
含む水溶液中に７０〜１００℃で０．５〜２４時間浸漬
することにより行うことが好ましい。
【００１７】本発明の磁気記録媒体は、請求項１ないし
４のいずれかの基板上に磁性層を形成してなることを特
徴とする。
４のいずれかの基板上に磁性層を形成してなることを特
徴とする。
【００１８】イオン交換後、脱アルカリ金属イオン処理
することにより、溶出しやすく、このため耐候性低下の
要因となる最表面層のアルカリ金属イオンが除去され、
当該イオンの溶出は防止される。
することにより、溶出しやすく、このため耐候性低下の
要因となる最表面層のアルカリ金属イオンが除去され、
当該イオンの溶出は防止される。
【００１９】また、この脱アルカリ金属イオン処理後に
おいて、２価金属イオンを最表面層に注入することによ
り、この２価金属イオンが溶出のバリヤー層となり、表
面近傍層のアルカリ金属イオンの最表面層への移動も阻
止され、アルカリ金属イオンの溶出はより確実に防止さ
れる。
おいて、２価金属イオンを最表面層に注入することによ
り、この２価金属イオンが溶出のバリヤー層となり、表
面近傍層のアルカリ金属イオンの最表面層への移動も阻
止され、アルカリ金属イオンの溶出はより確実に防止さ
れる。
【００２０】ガラス基板からのアルカリ金属イオンの溶
出が防止されることにより、得られる磁気記録媒体の耐
候性が著しく高いものとなる。
出が防止されることにより、得られる磁気記録媒体の耐
候性が著しく高いものとなる。
【００２１】この脱アルカリ金属イオン処理及びその後
の２価金属イオンの注入処理により、ガラス基板表面の
アルカリ金属イオンの溶出が防止されると共に、ガラス
基板の表面に著しく微少な凹凸が形成されることによ
り、ガラス基板上に形成する磁気記録媒体構成膜の付着
性の向上も期待される。
の２価金属イオンの注入処理により、ガラス基板表面の
アルカリ金属イオンの溶出が防止されると共に、ガラス
基板の表面に著しく微少な凹凸が形成されることによ
り、ガラス基板上に形成する磁気記録媒体構成膜の付着
性の向上も期待される。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００２３】図１は本発明の一実施例に係る磁気記録媒
体用ガラス基板の表面部分の拡大断面図と、それに対応
するガラス基板の表面部分の深さと金属イオン濃度との
関係を示すグラフである。
体用ガラス基板の表面部分の拡大断面図と、それに対応
するガラス基板の表面部分の深さと金属イオン濃度との
関係を示すグラフである。
【００２４】図２は本発明の他の実施例に係る磁気記録
媒体用ガラス基板の表面部分の拡大断面図と、それに対
応するガラス基板の表面部分の深さと金属イオン濃度と
の関係を示すグラフである。
媒体用ガラス基板の表面部分の拡大断面図と、それに対
応するガラス基板の表面部分の深さと金属イオン濃度と
の関係を示すグラフである。
【００２５】本発明で用いるガラス基板の板ガラス材料
としては、イオン交換処理による強化処理が可能なもの
であれば良く、特に制限はないが、例えば、ソーダライ
ムガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノシリケートガラ
ス、アルミノホウ珪酸ガラス等を用いることができる。
このうち、ソーダライムガラス組成としては、例えば、
ＳｉＯ2：５０〜７５重量％，Ａｌ2Ｏ3：０．５〜２．
５重量％，Ｆｅ2Ｏ3：０〜１．０重量％，ＣａＯ：５．
０〜１４．０重量％，ＭｇＯ：０〜４．５重量％，Ｎａ
2Ｏ：５．０〜１６．０重量％，Ｋ2Ｏ：０〜２．０重量
％，ＴｉＯ2：０〜０．５重量％，ＳＯ3：０〜０．５重
量％が挙げられる。また、アルミノシリケートガラス組
成としては、例えば、ＳｉＯ2：５８．０〜７５．０重
量％、ＺｒＯ2：０〜１５．０重量％、Ａｌ2Ｏ3：５．
０〜２３．０重量％、Ｌｉ2Ｏ：４．０〜１０．０重量
％、Ｎａ2Ｏ：４．０〜１３．０重量％を主成分とした
ものが挙げられる。また、上記アルミノシリケートガラ
スには他の成分として５重量％以下のＭｎＯ，ＣａＯ，
ＭｇＯ，ＴｉＯ2，Ｓｂ2Ｏ3，Ａｓ2Ｏ3，Ｋ2Ｏ，Ｐｂ
Ｏ，ＳＯ3，Ｐ2Ｏ5，Ｂ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，ＺｎＯ等を混
合しても良い。
としては、イオン交換処理による強化処理が可能なもの
であれば良く、特に制限はないが、例えば、ソーダライ
ムガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノシリケートガラ
ス、アルミノホウ珪酸ガラス等を用いることができる。
このうち、ソーダライムガラス組成としては、例えば、
ＳｉＯ2：５０〜７５重量％，Ａｌ2Ｏ3：０．５〜２．
５重量％，Ｆｅ2Ｏ3：０〜１．０重量％，ＣａＯ：５．
０〜１４．０重量％，ＭｇＯ：０〜４．５重量％，Ｎａ
2Ｏ：５．０〜１６．０重量％，Ｋ2Ｏ：０〜２．０重量
％，ＴｉＯ2：０〜０．５重量％，ＳＯ3：０〜０．５重
量％が挙げられる。また、アルミノシリケートガラス組
成としては、例えば、ＳｉＯ2：５８．０〜７５．０重
量％、ＺｒＯ2：０〜１５．０重量％、Ａｌ2Ｏ3：５．
０〜２３．０重量％、Ｌｉ2Ｏ：４．０〜１０．０重量
％、Ｎａ2Ｏ：４．０〜１３．０重量％を主成分とした
ものが挙げられる。また、上記アルミノシリケートガラ
スには他の成分として５重量％以下のＭｎＯ，ＣａＯ，
ＭｇＯ，ＴｉＯ2，Ｓｂ2Ｏ3，Ａｓ2Ｏ3，Ｋ2Ｏ，Ｐｂ
Ｏ，ＳＯ3，Ｐ2Ｏ5，Ｂ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，ＺｎＯ等を混
合しても良い。
【００２６】このような板ガラスは一般に、常法に従っ
て所定の円盤形状に加工し、内外周の面取加工を行った
後、所定の板厚にラップ加工し、その後更に表面を研磨
して平滑化した後、イオン交換処理による強化処理に供
される。
て所定の円盤形状に加工し、内外周の面取加工を行った
後、所定の板厚にラップ加工し、その後更に表面を研磨
して平滑化した後、イオン交換処理による強化処理に供
される。
【００２７】イオン交換処理は、例えば、ガラス基板の
板ガラス材料としてソーダライムガラスを用いる場合
は、ガラス基板を４２０〜４７０℃に加熱した硝酸カリ
ウム等の溶融塩中に１〜５０時間浸漬して、ガラス中の
酸化物のＮａ+イオンを、Ｋ+イオン等のイオン半径の大
きい金属イオンとイオン交換（以下、イオン交換により
置換されて導入されるイオンを「交換イオン」と称
す。）することにより、表面に圧縮応力層を形成する。
このイオン交換処理によれば、通常の場合、厚さ２〜４
０μｍの表面層、即ち図３の如く、深さＤ1＝２〜４０
μｍの表面層１Ａに、Ｋ+イオン等の交換イオン濃度の
高い、圧縮応力層が形成される。
板ガラス材料としてソーダライムガラスを用いる場合
は、ガラス基板を４２０〜４７０℃に加熱した硝酸カリ
ウム等の溶融塩中に１〜５０時間浸漬して、ガラス中の
酸化物のＮａ+イオンを、Ｋ+イオン等のイオン半径の大
きい金属イオンとイオン交換（以下、イオン交換により
置換されて導入されるイオンを「交換イオン」と称
す。）することにより、表面に圧縮応力層を形成する。
このイオン交換処理によれば、通常の場合、厚さ２〜４
０μｍの表面層、即ち図３の如く、深さＤ1＝２〜４０
μｍの表面層１Ａに、Ｋ+イオン等の交換イオン濃度の
高い、圧縮応力層が形成される。
【００２８】また、ガラス基板の板ガラス材料として、
アルミノシリケートガラスを用いる場合は、ガラス基板
を３００〜４６０℃に加熱した硝酸カリウム、硝酸カリ
ウムと硝酸ナトリウムとの混塩、硝酸カリウムと硝酸ナ
トリウムと硝酸リチウムとの混塩等の溶融塩中に０．５
〜２０時間浸漬して、ガラス中の酸化物のＬｉ+，Ｎａ+
イオンを、Ｎａ+，Ｋ+イオン等のイオン半径の大きい金
属イオンとイオン交換することにより、表面に圧縮応力
層を形成する。このイオン交換処理によれば、通常の場
合、厚さ２〜４００μｍの表面にＮａ+及びＫ+等の交換
イオン濃度の高い圧縮応力層が形成される。
アルミノシリケートガラスを用いる場合は、ガラス基板
を３００〜４６０℃に加熱した硝酸カリウム、硝酸カリ
ウムと硝酸ナトリウムとの混塩、硝酸カリウムと硝酸ナ
トリウムと硝酸リチウムとの混塩等の溶融塩中に０．５
〜２０時間浸漬して、ガラス中の酸化物のＬｉ+，Ｎａ+
イオンを、Ｎａ+，Ｋ+イオン等のイオン半径の大きい金
属イオンとイオン交換することにより、表面に圧縮応力
層を形成する。このイオン交換処理によれば、通常の場
合、厚さ２〜４００μｍの表面にＮａ+及びＫ+等の交換
イオン濃度の高い圧縮応力層が形成される。
【００２９】本発明においては、このイオン交換処理後
のガラス基板について、脱アルカリ金属イオン処理を施
し、更に好ましくは、脱アルカリ金属イオン処理後のガ
ラス基板の最表面層に対して２価金属イオンの注入処理
を施す。
のガラス基板について、脱アルカリ金属イオン処理を施
し、更に好ましくは、脱アルカリ金属イオン処理後のガ
ラス基板の最表面層に対して２価金属イオンの注入処理
を施す。
【００３０】脱アルカリ金属イオン処理は、８０〜１０
０℃の温水中に、イオン交換処理後のガラス基板を２〜
１０時間浸漬処理することにより行うことができる。
０℃の温水中に、イオン交換処理後のガラス基板を２〜
１０時間浸漬処理することにより行うことができる。
【００３１】この脱アルカリ金属イオン処理により、図
１に示す如く、ガラス基板１の表面層１Ａのうち、最も
表面に近い最表面層１ａの部分のＫ+イオン等の交換イ
オンが溶出して除去され、ガラス基板１の表面１Ｂから
の交換イオンの溶出が防止される。なお、図１のガラス
基板の表面部分の深さと金属イオン濃度との関係を示す
グラフにおいて、破線はＫ+イオンとＮａ+イオンとの合
計濃度を示す。
１に示す如く、ガラス基板１の表面層１Ａのうち、最も
表面に近い最表面層１ａの部分のＫ+イオン等の交換イ
オンが溶出して除去され、ガラス基板１の表面１Ｂから
の交換イオンの溶出が防止される。なお、図１のガラス
基板の表面部分の深さと金属イオン濃度との関係を示す
グラフにおいて、破線はＫ+イオンとＮａ+イオンとの合
計濃度を示す。
【００３２】また、このような脱アルカリ金属イオン処
理後の２価金属イオンの注入処理は、例えば、脱アルカ
リ金属イオン処理後のガラス基板を、硝酸亜鉛等の２価
の金属塩を０．００１〜２ｍｏｌ／リットル、好ましく
は０．８〜１．５ｍｏｌ／リットル濃度で含む水溶液中
に７０〜１００℃で０．５〜２４時間、好ましくは８０
〜９５℃で１〜４時間程度浸漬することにより行うこと
ができる。
理後の２価金属イオンの注入処理は、例えば、脱アルカ
リ金属イオン処理後のガラス基板を、硝酸亜鉛等の２価
の金属塩を０．００１〜２ｍｏｌ／リットル、好ましく
は０．８〜１．５ｍｏｌ／リットル濃度で含む水溶液中
に７０〜１００℃で０．５〜２４時間、好ましくは８０
〜９５℃で１〜４時間程度浸漬することにより行うこと
ができる。
【００３３】この２価金属イオンの注入処理により、図
２に示す如く、ガラス基板１の表面層１Ａのうち、最表
面層１ａの部分に、Ｚｎ2+イオン等の２価の金属イオン
が導入され、この２価の金属イオンが最表面層１ａ及び
表面近傍層１ｂ中のＫ+イオン等の交換イオンの溶出の
バリヤー層として作用し、交換イオンの溶出はより一層
確実に防止される。
２に示す如く、ガラス基板１の表面層１Ａのうち、最表
面層１ａの部分に、Ｚｎ2+イオン等の２価の金属イオン
が導入され、この２価の金属イオンが最表面層１ａ及び
表面近傍層１ｂ中のＫ+イオン等の交換イオンの溶出の
バリヤー層として作用し、交換イオンの溶出はより一層
確実に防止される。
【００３４】脱アルカリ金属イオン処理後、又は、更に
２価金属イオンの注入処理を行った後は、ガラス基板を
洗浄、乾燥して磁気記録媒体用ガラス基板とする。
２価金属イオンの注入処理を行った後は、ガラス基板を
洗浄、乾燥して磁気記録媒体用ガラス基板とする。
【００３５】本発明においては、脱アルカリ金属イオン
処理により或いは更に、脱アルカリ金属イオン処理後の
２価金属イオンの注入処理により、図１，２における深
さＤ2＝１０００〜１００００Åの最表面層１ａに、ア
ルカリ金属イオン含有量が低減した層、或いは、アルカ
リ金属イオンの代りに２価金属イオンを含む層を形成す
る。
処理により或いは更に、脱アルカリ金属イオン処理後の
２価金属イオンの注入処理により、図１，２における深
さＤ2＝１０００〜１００００Åの最表面層１ａに、ア
ルカリ金属イオン含有量が低減した層、或いは、アルカ
リ金属イオンの代りに２価金属イオンを含む層を形成す
る。
【００３６】本発明においては、このようにして、イオ
ン交換処理後、脱アルカリ金属イオン処理、或いは、更
に、２価金属イオンの注入処理を施したガラス基板を、
磁気記録媒体用基板とする。
ン交換処理後、脱アルカリ金属イオン処理、或いは、更
に、２価金属イオンの注入処理を施したガラス基板を、
磁気記録媒体用基板とする。
【００３７】このガラス基板を用いて磁気記録媒体を製
造するには、例えば、図４（断面図），図５（平面図）
に示す如く、ガラス基板１の表面に、Ｔｉ等の第１の下
地膜２を形成し、その後、アルミニウム３等の金属微粒
子によるデポジションによりテクスチャー加工した後、
図６（断面図）に示す如く、Ｃｒ等の第２の下地膜４、
Ｃｏ合金等の磁性膜５、カーボン等の保護膜６を順次ス
パッタリングにより成膜し、更に潤滑剤を塗布して潤滑
油膜７を形成すれば良い。なお、テクスチャー加工は、
フッ酸によるエッチング処理で行うこともできる。
造するには、例えば、図４（断面図），図５（平面図）
に示す如く、ガラス基板１の表面に、Ｔｉ等の第１の下
地膜２を形成し、その後、アルミニウム３等の金属微粒
子によるデポジションによりテクスチャー加工した後、
図６（断面図）に示す如く、Ｃｒ等の第２の下地膜４、
Ｃｏ合金等の磁性膜５、カーボン等の保護膜６を順次ス
パッタリングにより成膜し、更に潤滑剤を塗布して潤滑
油膜７を形成すれば良い。なお、テクスチャー加工は、
フッ酸によるエッチング処理で行うこともできる。
【００３８】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００３９】実施例１ 外径６４ｍｍ，厚み０．６３ｍｍのソーダライムシリカ
ガラス組成（主要成分（重量％）：ＳｉＯ2＝７２，Ａ
ｌ2Ｏ3＝１．７，ＣａＯ＝８，ＭｇＯ＝４，Ｎａ2Ｏ＝
１３，Ｋ2Ｏ＝０．９）の円盤ガラス板（面取，ラップ
加工及び研磨済品）を、４６０℃の溶融硝酸カリウム中
に４時間浸漬して低温型イオン交換処理した後、９５℃
の温水中に２時間浸漬して脱アルカリ金属イオン処理し
た。
ガラス組成（主要成分（重量％）：ＳｉＯ2＝７２，Ａ
ｌ2Ｏ3＝１．７，ＣａＯ＝８，ＭｇＯ＝４，Ｎａ2Ｏ＝
１３，Ｋ2Ｏ＝０．９）の円盤ガラス板（面取，ラップ
加工及び研磨済品）を、４６０℃の溶融硝酸カリウム中
に４時間浸漬して低温型イオン交換処理した後、９５℃
の温水中に２時間浸漬して脱アルカリ金属イオン処理し
た。
【００４０】得られたガラス基板について、下記方法に
より溶出試験及び表面状態の観察と磁気ディスクの耐候
性促進試験を行い、結果を表１及び図７に示した。
より溶出試験及び表面状態の観察と磁気ディスクの耐候
性促進試験を行い、結果を表１及び図７に示した。
【００４１】Ｉ 溶出試験 ガラス基板を６０℃の純水に１２０時間浸漬し、溶出成
分を炎光光度法並びにＩＰＣ発光分光分析法で定量して
ガラス基板表面当りのＫ2Ｏ（ただし、後掲の実施例９
及び比較例３ではＮａ2ＯとＫ2Ｏとの合計）溶出量（μ
ｇ／ｃｍ2）を求めた。
分を炎光光度法並びにＩＰＣ発光分光分析法で定量して
ガラス基板表面当りのＫ2Ｏ（ただし、後掲の実施例９
及び比較例３ではＮａ2ＯとＫ2Ｏとの合計）溶出量（μ
ｇ／ｃｍ2）を求めた。
【００４２】II 表面状態の観察 ガラス基板に６００Ｗのプロジェクターを投射し、目視
にて表面に存在する汚れを観察し、汚れのないものを
○，汚れの付着がみられるものを×で評価した。
にて表面に存在する汚れを観察し、汚れのないものを
○，汚れの付着がみられるものを×で評価した。
【００４３】III 磁気ディスクの耐候性促進試験 図４，５に示す如く、ガラス基板１に第１の下地膜２と
してＴｉ−Ｓｉ膜（厚さ４５ｎｍ）、テクスチャー膜と
してＡｌ膜３（厚さ４ｎｍ）を施し、次に、図６に示す
如く、第２の下地膜４としてＣｒ膜（厚さ１５０ｎ
ｍ）、磁性膜５としてＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金膜（厚さ６
０ｎｍ）、保護膜６としてカーボン膜（厚さ２０ｎｍ）
を順次スパッタリングにより成膜し、更に、パーフロロ
ポリエーテル系の潤滑油膜７を表面に塗布形成して磁気
ディスク１０を製造した。
してＴｉ−Ｓｉ膜（厚さ４５ｎｍ）、テクスチャー膜と
してＡｌ膜３（厚さ４ｎｍ）を施し、次に、図６に示す
如く、第２の下地膜４としてＣｒ膜（厚さ１５０ｎ
ｍ）、磁性膜５としてＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金膜（厚さ６
０ｎｍ）、保護膜６としてカーボン膜（厚さ２０ｎｍ）
を順次スパッタリングにより成膜し、更に、パーフロロ
ポリエーテル系の潤滑油膜７を表面に塗布形成して磁気
ディスク１０を製造した。
【００４４】この磁気ディスクを、温度−湿度が、８０
℃−８０％，７０℃−８０％，６０℃−８０％の恒温恒
湿槽中に保管し、外周端からの磁気記録膜の腐食する領
域が０．５ｍｍに達するまでの時間を耐候性の寿命（Ｍ
ＴＴＦ）と定義して測定した。
℃−８０％，７０℃−８０％，６０℃−８０％の恒温恒
湿槽中に保管し、外周端からの磁気記録膜の腐食する領
域が０．５ｍｍに達するまでの時間を耐候性の寿命（Ｍ
ＴＴＦ）と定義して測定した。
【００４５】実施例２ 実施例１において、脱アルカリ金属イオン処理の浸漬時
間を５時間としたこと以外は同様にして得られたガラス
基板について、同様に溶出試験及び表面状態の観察を行
って、結果を表１に示した。
間を５時間としたこと以外は同様にして得られたガラス
基板について、同様に溶出試験及び表面状態の観察を行
って、結果を表１に示した。
【００４６】実施例３ 実施例１において、脱アルカリ金属イオン処理後のガラ
ス基板を更に、８５〜９５℃の硝酸亜鉛（Ｚｎ（Ｎ
Ｏ3）2・６Ｈ2Ｏ）水溶液（濃度１ｍｏｌ／ｌ）中に
１．５時間浸漬処理して、Ｚｎ2+イオンの注入処理を行
ったこと以外は同様にして得られたガラス基板につい
て、同様に溶出試験、表面状態の観察及び磁気ディスク
の耐候性促進試験を行い、結果を表１及び図７に示し
た。
ス基板を更に、８５〜９５℃の硝酸亜鉛（Ｚｎ（Ｎ
Ｏ3）2・６Ｈ2Ｏ）水溶液（濃度１ｍｏｌ／ｌ）中に
１．５時間浸漬処理して、Ｚｎ2+イオンの注入処理を行
ったこと以外は同様にして得られたガラス基板につい
て、同様に溶出試験、表面状態の観察及び磁気ディスク
の耐候性促進試験を行い、結果を表１及び図７に示し
た。
【００４７】比較例１ 実施例１において、脱アルカリ金属イオン処理を行わな
かったこと以外は同様にして得られたガラス基板につい
て、同様に溶出試験、表面状態の観察及び磁気ディスク
の耐候性促進試験を行い、結果を表１及び図７に示し
た。
かったこと以外は同様にして得られたガラス基板につい
て、同様に溶出試験、表面状態の観察及び磁気ディスク
の耐候性促進試験を行い、結果を表１及び図７に示し
た。
【００４８】実施例４〜８ 実施例３において、注入処理時間（硝酸亜鉛水溶液の浸
漬時間）を表１に示す時間としたこと以外は同様にして
得られたガラス基板について、同様に溶出試験及び表面
状態の観察を行って、結果を表１に示した。
漬時間）を表１に示す時間としたこと以外は同様にして
得られたガラス基板について、同様に溶出試験及び表面
状態の観察を行って、結果を表１に示した。
【００４９】比較例２ 実施例４において、脱アルカリ金属イオン処理を行わな
かったこと以外は同様にして得られたガラス基板につい
て、同様に溶出試験及び表面状態の観察を行って、結果
を表１に示した。
かったこと以外は同様にして得られたガラス基板につい
て、同様に溶出試験及び表面状態の観察を行って、結果
を表１に示した。
【００５０】
【表１】
【００５１】実施例９ 外径６５ｍｍ、厚み６３５ｍｍのアルミノシリケートガ
ラス組成（主要成分（重量％）：ＳｉＯ2 ＝６４．０、
ＺｒＯ2＝４．０、Ａｌ2Ｏ3＝１６．０、Ｌｉ2Ｏ＝７．
０、Ｎａ2Ｏ＝９．０）の円盤ガラス板（面取、ラップ
加工及び研磨済品）を、３８０℃の、硝酸カリウムと硝
酸ナトリウムとを重量比で６対４の割合で混合した溶融
混塩中に１時間浸漬して低温型イオン交換処理した後、
９７℃の温水中に５時間浸漬して脱アルカリ金属イオン
処理した。
ラス組成（主要成分（重量％）：ＳｉＯ2 ＝６４．０、
ＺｒＯ2＝４．０、Ａｌ2Ｏ3＝１６．０、Ｌｉ2Ｏ＝７．
０、Ｎａ2Ｏ＝９．０）の円盤ガラス板（面取、ラップ
加工及び研磨済品）を、３８０℃の、硝酸カリウムと硝
酸ナトリウムとを重量比で６対４の割合で混合した溶融
混塩中に１時間浸漬して低温型イオン交換処理した後、
９７℃の温水中に５時間浸漬して脱アルカリ金属イオン
処理した。
【００５２】得られたガラス基板について、実施例１と
同様に溶出試験及び表面状態の観察を行って、結果を表
２に示した。
同様に溶出試験及び表面状態の観察を行って、結果を表
２に示した。
【００５３】
【表２】
【００５４】表１及び図７より明らかなように、イオン
交換処理後、脱アルカリ金属イオン処理することによ
り、更に、この脱アルカリ金属イオン処理後に２価金属
イオンの注入処理を行うことにより、アルカリ金属イオ
ンの溶出が防止され、耐候性に優れた磁気ディスクを得
ることができる。
交換処理後、脱アルカリ金属イオン処理することによ
り、更に、この脱アルカリ金属イオン処理後に２価金属
イオンの注入処理を行うことにより、アルカリ金属イオ
ンの溶出が防止され、耐候性に優れた磁気ディスクを得
ることができる。
【００５５】これに対して、脱アルカリ金属イオン処理
及び２価金属イオンの注入処理を行っていない比較例１
では、アルカリ金属イオンの溶出量が非常に多く、磁気
ディスクの耐候性も悪い。また、脱アルカリ金属イオン
処理を行っていないものに２価金属イオンの注入処理を
行った比較例２では、アルカリ金属イオンの溶出は防止
されるが、表面に塩の分解物のようなものが付着し、表
面状態が悪く、このようなガラス基板では、磁性膜を付
着性良く形成することはできない。
及び２価金属イオンの注入処理を行っていない比較例１
では、アルカリ金属イオンの溶出量が非常に多く、磁気
ディスクの耐候性も悪い。また、脱アルカリ金属イオン
処理を行っていないものに２価金属イオンの注入処理を
行った比較例２では、アルカリ金属イオンの溶出は防止
されるが、表面に塩の分解物のようなものが付着し、表
面状態が悪く、このようなガラス基板では、磁性膜を付
着性良く形成することはできない。
【００５６】なお、図７の横軸は絶対温度の逆数であ
り、図７より、前述の促進試験の結果、常温（２５℃）
であればＭＴＴＦは各々、実施例１は１２年、実施例３
は３５年、比較例１は５年であり、実施例１では比較例
１の２．４倍、実施例３では比較例１の７倍も耐候性が
高められることが明らかである。
り、図７より、前述の促進試験の結果、常温（２５℃）
であればＭＴＴＦは各々、実施例１は１２年、実施例３
は３５年、比較例１は５年であり、実施例１では比較例
１の２．４倍、実施例３では比較例１の７倍も耐候性が
高められることが明らかである。
【００５７】また、表２より明らかなように、ガラス基
板材料がアルミノシリケートガラスの場合でもソーダラ
イムシリカガラスの場合と同様に、イオン交換処理後、
脱アルカリ金属イオン処理することにより、アルカリ金
属イオンの溶出量を低減して耐候性に優れた磁気ディス
クを得ることができる。
板材料がアルミノシリケートガラスの場合でもソーダラ
イムシリカガラスの場合と同様に、イオン交換処理後、
脱アルカリ金属イオン処理することにより、アルカリ金
属イオンの溶出量を低減して耐候性に優れた磁気ディス
クを得ることができる。
【００５８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒
体用ガラス基板及びその製造方法によれば、イオン交換
処理により強化したガラスよりなるガラス基板であっ
て、アルカリ金属イオンの溶出量が少なく、また、表面
状態も極めて良好な高特性ガラス基板が提供される。
体用ガラス基板及びその製造方法によれば、イオン交換
処理により強化したガラスよりなるガラス基板であっ
て、アルカリ金属イオンの溶出量が少なく、また、表面
状態も極めて良好な高特性ガラス基板が提供される。
【００５９】従って、このようなガラス基板を用いた本
発明の磁気記録媒体は、磁性膜の付着性が良く、耐候
性、耐久性にも著しく優れる。
発明の磁気記録媒体は、磁性膜の付着性が良く、耐候
性、耐久性にも著しく優れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の一実施例に係る磁気記録媒体用
ガラス基板の表面部分の拡大断面図と、それに対応する
ガラス基板の表面部分の深さと金属イオン濃度との関係
を示すグラフである。
ガラス基板の表面部分の拡大断面図と、それに対応する
ガラス基板の表面部分の深さと金属イオン濃度との関係
を示すグラフである。
【図２】図２は本発明の他の実施例に係る磁気記録媒体
用ガラス基板の表面部分の拡大断面図と、それに対応す
るガラス基板の表面部分の深さと金属イオン濃度との関
係を示すグラフである。
用ガラス基板の表面部分の拡大断面図と、それに対応す
るガラス基板の表面部分の深さと金属イオン濃度との関
係を示すグラフである。
【図３】図３は従来法による磁気記録媒体用ガラス基板
の表面部分の拡大断面図と、それに対応するガラス基板
の表面部分の深さと金属イオン濃度との関係を示すグラ
フである。
の表面部分の拡大断面図と、それに対応するガラス基板
の表面部分の深さと金属イオン濃度との関係を示すグラ
フである。
【図４】ガラス基板上のテクスチャー加工を示す断面図
である。
である。
【図５】ガラス基板上のテクスチャー加工を示す平面図
である。
である。
【図６】本発明の磁気記録媒体の一実施例を示す断面図
である。
である。
【図７】実施例１，３及び比較例１のＭＴＴＦ測定結果
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１ ガラス基板 １Ａ 表面層 １ａ 最表面層 １ｂ 表面近傍層 ２ 第１の下地膜 ３ アルミニウム ４ 第２の下地膜 ５ 磁性膜 ６ 保護膜 ７ 潤滑油膜 １０ 磁気ディスク
フロントページの続き (72)発明者 服部 明彦 兵庫県伊丹市鴻池字街道下１番 日本板 硝子テクノリサーチ株式会社内 (72)発明者 田尻 善親 兵庫県伊丹市鴻池字街道下１番 日本板 硝子テクノリサーチ株式会社内 (72)発明者 平山 直人 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11 号 日本板硝子株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−95725（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−55530（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−25515（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−142227（ＪＰ，Ａ) 国際公開94／7806（ＷＯ，Ａ１) Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｎｏｎ−Ｃｒ ｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｏｌｉｄｓ 49 （1982）ｐｐ．363−377 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/66 G11B 5/704 G11B 5/82 C03C 21/00 C03C 23/00 G11B 5/84
Claims (9)
- 【請求項１】 ソーダライムガラス組成のガラス基板の
深さ１０００〜１００００Åの最表面層と、それにひき
つづく表面近傍層とを含めた、深さ２〜４０μｍの表面
層の金属イオンが、該イオンよりもイオン半径の大きな
金属イオンによって置換されることにより該表面層に圧
縮応力層が形成されると共に、該最表面層のアルカリ金
属イオン濃度が、該表面近傍層のアルカリ金属イオン濃
度よりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体用ガラス
基板。 - 【請求項２】 アルミノシリケートガラス組成のガラス
基板の深さ１０００〜１００００Åの最表面層と、それ
にひきつづく表面近傍層とを含めた、深さ２〜４００μ
ｍの表面層の金属イオンが、該イオンよりもイオン半径
の大きな金属イオンによって置換されることにより該表
面層に圧縮応力層が形成されると共に、該最表面層のア
ルカリ金属イオン濃度が、該表面近傍層のアルカリ金属
イオン濃度よりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体
用ガラス基板。 - 【請求項３】 ソーダライムガラス組成のガラス基板
の、深さ１０００〜１００００Åの最表面層のアルカリ
金属イオンの濃度が、該最表面層につづく内部のアルカ
リ金属イオン濃度よりも小さく、該最表面層の２価金属
イオンの濃度が、該最表面層につづく内部の２価金属イ
オン濃度よりも大きいことを特徴とする磁気記録媒体用
ガラス基板。 - 【請求項４】 アルミノシリケートガラス組成のガラス
基板の深さ１０００〜１００００Åの最表面層のアルカ
リ金属イオンの濃度が、該最表面層につづく内部のアル
カリ金属イオン濃度よりも小さく、該最表面層の２価金
属イオンの濃度が、該最表面層につづく内部の２価金属
イオン濃度よりも大きいことを特徴とする磁気記録媒体
用ガラス基板。 - 【請求項５】 ソーダライムガラス組成のガラス基板の
表面層の金属イオンを該金属イオンよりもイオン半径が
大きい金属イオンに置換することにより、該ガラス基板
の深さ２〜４０μｍの表面層に圧縮応力層を形成する第
１工程と、次いで該ガラス基板の、深さ１０００〜１０
０００Åの最表面層のアルカリ金 属イオン濃度が、該最
表面層につづく内部のアルカリ金属イオン濃度よりも小
さくなるように該ガラス基板の最表面層に対し脱アルカ
リ金属イオン処理を施す第２工程と、 を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項６】 アルミノシリケートガラス組成のガラス
基板の表面層の金属イオンを該金属イオンよりもイオン
半径が大きい金属イオンに置換することにより、該ガラ
ス基板の深さ２〜４００μｍの表面層に圧縮応力層を形
成する第１工程と、 次いで該ガラス基板の、深さ１０００〜１００００Åの
最表面層のアルカリ金属イオン濃度が、該最表面層につ
づく内部のアルカリ金属イオン濃度よりも小さくなるよ
うに該ガラス基板の最表面層に対し脱アルカリ金属イオ
ン処理を施す第２工程と、 を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５又は請求項６の第１の工程及び
第２の工程に加え、さらに脱アルカリ金属イオン処理後
のガラス基板の最表面層に対し２価金属イオンの注入処
理を施す第３工程を備えてなる磁気記録媒体用ガラス基
板の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７において、第２工程の脱アルカ
リ金属イオン処理は、８０〜１００℃の温水中に、イオ
ン交換処理後のガラス基板を２〜１０時間浸漬処理する
ことにより行うものであり、第３工程の２価金属イオン
の注入処理は、脱アルカリ金属イオン処理後のガラス基
板を、２価の金属塩を０．００１〜２ｍｏｌ／リットル
濃度で含む水溶液中に７０〜１００℃で０．５〜２４時
間浸漬することにより行うことを特徴とする磁気記録媒
体用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項９】 請求項１ないし４のいずれかの基板上に
磁性層を形成してなる磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7213362A JP2947131B2 (ja) | 1994-10-26 | 1995-08-22 | 磁気記録媒体用ガラス基板、その製造方法及び磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-262551 | 1994-10-26 | ||
| JP26255194 | 1994-10-26 | ||
| JP7213362A JP2947131B2 (ja) | 1994-10-26 | 1995-08-22 | 磁気記録媒体用ガラス基板、その製造方法及び磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08180402A JPH08180402A (ja) | 1996-07-12 |
| JP2947131B2 true JP2947131B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=26519766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7213362A Expired - Lifetime JP2947131B2 (ja) | 1994-10-26 | 1995-08-22 | 磁気記録媒体用ガラス基板、その製造方法及び磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP2001354444A (ja) * | 1996-07-18 | 2001-12-25 | Hitachi Ltd | 情報記録ディスク用ガラス基板 |
| JP2003030828A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-31 | Fuji Electric Co Ltd | 情報記録媒体用基板の製造方法、情報記録媒体用基板及び情報記録媒体 |
| JP2007212705A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| US20090162703A1 (en) * | 2006-10-16 | 2009-06-25 | Konica Minolta | Glass Substrate for Information Recording Medium, and Method of Manufacturing Glass Substrate for Magnetic Recording Medium and Information Recording Medium |
| FI20061014A0 (fi) * | 2006-11-17 | 2006-11-17 | Beneq Oy | Diffuusiopinnoitusmenetelmä |
| US7882709B2 (en) | 2006-11-22 | 2011-02-08 | Konica Minolta Opto, Inc. | Glass substrate for an information recording medium, method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium, and an information recording medium |
-
1995
- 1995-08-22 JP JP7213362A patent/JP2947131B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｏｌｉｄｓ ４９（１９８２）ｐｐ．３６３−３７７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08180402A (ja) | 1996-07-12 |
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