JP2936174B2 - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
- Publication number
- JP2936174B2 JP2936174B2 JP2103030A JP10303090A JP2936174B2 JP 2936174 B2 JP2936174 B2 JP 2936174B2 JP 2103030 A JP2103030 A JP 2103030A JP 10303090 A JP10303090 A JP 10303090A JP 2936174 B2 JP2936174 B2 JP 2936174B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor material
- electronic cooling
- thermal conductivity
- gap
- cooling panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 50
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 39
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 12
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229910002909 Bi-Te Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910001562 pearlite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007791 dehumidification Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 235000019362 perlite Nutrition 0.000 description 1
- 239000010451 perlite Substances 0.000 description 1
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電子冷却用の電子部品に関するもので、特
に、熱伝導の小さい熱電物質及び素子の構成についてで
ある。
に、熱伝導の小さい熱電物質及び素子の構成についてで
ある。
（従来の技術） 近年、地球環境問題からのフロン使用規制、電子機器
等の局所冷却，除湿等に使用する小形冷却装置等への要
求、小規模廃熱の利用の要求から、ペルチェ効果，ゼー
ベック効果を利用した電子冷却用の電子部品に対する要
求は大きい。
等の局所冷却，除湿等に使用する小形冷却装置等への要
求、小規模廃熱の利用の要求から、ペルチェ効果，ゼー
ベック効果を利用した電子冷却用の電子部品に対する要
求は大きい。
このうち、室温付近で用いる電子冷却素子としては、
Bi−Te系の単結晶若しくは多結晶凝固体を半導体物質と
して使用して、ｐ型,n型物質を交互に金属銅板等で接合
し、各物質の間は空隙とする構成を取っていた。
Bi−Te系の単結晶若しくは多結晶凝固体を半導体物質と
して使用して、ｐ型,n型物質を交互に金属銅板等で接合
し、各物質の間は空隙とする構成を取っていた。
（発明が解決しようとする課題） このように構成された電子冷却素子では、素子の消費
電力当りの冷却側吸収熱量が、半導体物質の性能指数Ｚ
で規定されることが知られており、この半導体物質の性
能指数Ｚは、半導体物質のゼーベック係数をＳ、電気伝
導度をσ、熱伝導度をｋとしたときに、Ｚ＝S2×σ/kで
表現される。このことから、半導体物質は高いゼーベッ
ク係数をもつと共に、高い電気伝導度と小さい熱伝導度
をもつことが要求される。
電力当りの冷却側吸収熱量が、半導体物質の性能指数Ｚ
で規定されることが知られており、この半導体物質の性
能指数Ｚは、半導体物質のゼーベック係数をＳ、電気伝
導度をσ、熱伝導度をｋとしたときに、Ｚ＝S2×σ/kで
表現される。このことから、半導体物質は高いゼーベッ
ク係数をもつと共に、高い電気伝導度と小さい熱伝導度
をもつことが要求される。
又、冷却温度に到達させた後に装置を間欠運転する方
法もあるが、この方法では、素子は、電圧印加時以外は
できるだけ断熱性がよく、同じ性能指数でも熱伝導度の
小さいことが要求される。
法もあるが、この方法では、素子は、電圧印加時以外は
できるだけ断熱性がよく、同じ性能指数でも熱伝導度の
小さいことが要求される。
これに対し、Bi−Te系の単結晶では更にSb,Se等を固
溶させて、熱伝導の格子振動寄与を低下させる手法、材
料を溶融状態から単結晶成長させずに粒径を制御した多
結晶凝固体として熱伝導度を小さくする手法等が知られ
ている。
溶させて、熱伝導の格子振動寄与を低下させる手法、材
料を溶融状態から単結晶成長させずに粒径を制御した多
結晶凝固体として熱伝導度を小さくする手法等が知られ
ている。
本発明は、このような課題に鑑みて、半導体物質とし
て、又、素子構成として熱伝導度の小さい電子冷却用の
電子部品を提供することを目的とするものである。
て、又、素子構成として熱伝導度の小さい電子冷却用の
電子部品を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段） 本発明は、互いに電気的に直列に接合されたｐ型半導
体物質とｎ型半導体物質に直流電流を流した時の接合界
面における発熱吸熱現象を利用する電子冷却用の電子部
品において、半導体物質間の間隙部を絶縁性の無機多孔
体若しくは粉末で充填した上、半導体物質の気孔の半導
体物質に対する体積分率が5.0％以上の多孔体からなる
半導体物質の間隙部を1mmHg以下の真空状態になるまで
脱気したものである。
体物質とｎ型半導体物質に直流電流を流した時の接合界
面における発熱吸熱現象を利用する電子冷却用の電子部
品において、半導体物質間の間隙部を絶縁性の無機多孔
体若しくは粉末で充填した上、半導体物質の気孔の半導
体物質に対する体積分率が5.0％以上の多孔体からなる
半導体物質の間隙部を1mmHg以下の真空状態になるまで
脱気したものである。
（作用） 半導体物質中に気孔が存在しても、物質中の歪、粒界
等によるキャリアの易動度減少の寄与は小さい上、気孔
は絶縁性なので、ゼーベック係数は気孔の無いものとほ
とんど変わらない。これに対して、電気伝導度と熱伝導
度とは、気孔率の増加とともに低下するが、その比は気
孔率の広い範囲までほぼ気孔率を無いものと変わらない
ため、半導体物質の性能指数はそのままで、熱伝導度を
小さくすることができる。
等によるキャリアの易動度減少の寄与は小さい上、気孔
は絶縁性なので、ゼーベック係数は気孔の無いものとほ
とんど変わらない。これに対して、電気伝導度と熱伝導
度とは、気孔率の増加とともに低下するが、その比は気
孔率の広い範囲までほぼ気孔率を無いものと変わらない
ため、半導体物質の性能指数はそのままで、熱伝導度を
小さくすることができる。
又、ｐ型,n型半導体物質間の間隙を絶縁性無機多孔質
もしくは粉末で充填したり、その部分を真空状態になる
まで更に脱気すれば、間隙部で生ずる温度差による空気
の対流が阻止されるため、素子構成体としての熱伝導度
を小さくすることができる。
もしくは粉末で充填したり、その部分を真空状態になる
まで更に脱気すれば、間隙部で生ずる温度差による空気
の対流が阻止されるため、素子構成体としての熱伝導度
を小さくすることができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１の実施例の電子冷却パネルの構
成を示すもので、半導体物質としてBi−Te系について検
討したものであり、ｐ型物質として（Bi,Sb）2Te3を、
ｎ型物質として Bi2（Te,Se）３を選択したものである。
成を示すもので、半導体物質としてBi−Te系について検
討したものであり、ｐ型物質として（Bi,Sb）2Te3を、
ｎ型物質として Bi2（Te,Se）３を選択したものである。
先ず、各物質の多結晶凝固体を出発原料に用いて、粗
砕した後、ボールミルの中でエタノールを溶媒として、
2mmφのジルコニアボールを媒体として粉砕する。そし
て、その粉砕したものを乾燥させた後、その粉末を白金
チューブに入れて、脱気した上、その白金チューブを封
止して、500℃の温度、10〜1,000kg/cm2の圧力でHIP処
理をする。
砕した後、ボールミルの中でエタノールを溶媒として、
2mmφのジルコニアボールを媒体として粉砕する。そし
て、その粉砕したものを乾燥させた後、その粉末を白金
チューブに入れて、脱気した上、その白金チューブを封
止して、500℃の温度、10〜1,000kg/cm2の圧力でHIP処
理をする。
このようにして作成した試料は、白金チューブから取
り出して、3mm×3mm×20mmに切断した上、常温で嵩密度
を測定して、気孔率を決定する。又、室温で約５℃の温
度差を素子両端につけて、起電力と両端の温度を測定す
ることにより、ゼーベック係数を求めた。更に、素子全
体を室温に保持して、４端子法により抵抗値を測定する
ことにより、電気伝導率を求めた。更に、素子の両端を
0.07mmφの導線で室温真空中に吊って、ハーマー法で素
子性能指数Ｚを求めた上、電気伝導度、ゼーベック係数
より熱伝導度を求めた。
り出して、3mm×3mm×20mmに切断した上、常温で嵩密度
を測定して、気孔率を決定する。又、室温で約５℃の温
度差を素子両端につけて、起電力と両端の温度を測定す
ることにより、ゼーベック係数を求めた。更に、素子全
体を室温に保持して、４端子法により抵抗値を測定する
ことにより、電気伝導率を求めた。更に、素子の両端を
0.07mmφの導線で室温真空中に吊って、ハーマー法で素
子性能指数Ｚを求めた上、電気伝導度、ゼーベック係数
より熱伝導度を求めた。
第１表にはｐ型材料の試料の気孔率と電気伝導度、熱
伝導度、ゼーベック係数、性能指数を、第２表にはｎ型
材料の試料の気孔率と電気伝導度、熱伝導度、ゼーベッ
ク係数、性能指数をそれぞれ示す。
伝導度、ゼーベック係数、性能指数を、第２表にはｎ型
材料の試料の気孔率と電気伝導度、熱伝導度、ゼーベッ
ク係数、性能指数をそれぞれ示す。
そこで、同一気孔率を有する半導体物質を1.5mm立方
に切断したｐ型半導体１とｎ型半導体２とを、交互に、
2.0mmの間隔で、縦及び横にそれぞれ15個ずつ、合計225
個を配列して、隣接するｐ型半導体１とｎ型半導体２と
をNi板３で電気的に直列に接続した上、それ等の上面及
び下面に縦55mm,横55mm,厚み1mmのアルミナ板４を取り
付けた第１図の如き電子冷却パネルを試作した。そし
て、この電子冷却パネルの上面と下面との間の熱伝導を
測定して、電子冷却パネルの単位面積当りの熱伝導度を
求めたもので、素子気孔率及び熱伝導率を第３表に示
す。
に切断したｐ型半導体１とｎ型半導体２とを、交互に、
2.0mmの間隔で、縦及び横にそれぞれ15個ずつ、合計225
個を配列して、隣接するｐ型半導体１とｎ型半導体２と
をNi板３で電気的に直列に接続した上、それ等の上面及
び下面に縦55mm,横55mm,厚み1mmのアルミナ板４を取り
付けた第１図の如き電子冷却パネルを試作した。そし
て、この電子冷却パネルの上面と下面との間の熱伝導を
測定して、電子冷却パネルの単位面積当りの熱伝導度を
求めたもので、素子気孔率及び熱伝導率を第３表に示
す。
第１表，第２表及び第３表から明らかなように、半導
体物質に気孔の存在するものは、物質として熱伝導度が
低下すると共に、これを用いて作製した電子冷却素子自
体の熱伝導度も低下する。特に気孔率が5.0％以上の範
囲にあるものは、熱伝導度が大きく低下する割に、性能
指数の低下が少ない。
体物質に気孔の存在するものは、物質として熱伝導度が
低下すると共に、これを用いて作製した電子冷却素子自
体の熱伝導度も低下する。特に気孔率が5.0％以上の範
囲にあるものは、熱伝導度が大きく低下する割に、性能
指数の低下が少ない。
第２図は本発明の第２の実施例の電子冷却パネルの構
成を示すもので、第１図の符号と同一符号のものは同一
部分を示している。
成を示すもので、第１図の符号と同一符号のものは同一
部分を示している。
ｐ型半導体物質及びｎ型半導体物質には第１表及び第
２表の比較例の気孔を含まない多結晶凝固体と気孔率30
％の試料とを用いると共に、半導体物質間の間隙の充填
材には嵩比重0.04g/cm3のガラス繊維断熱材５又は平均
粒径15μｍのパーライト粉末５を用い、且つ、それ等の
外周は無機接着材６で固めた第１の実施例と同一寸法の
電子冷却パネルを試作した。
２表の比較例の気孔を含まない多結晶凝固体と気孔率30
％の試料とを用いると共に、半導体物質間の間隙の充填
材には嵩比重0.04g/cm3のガラス繊維断熱材５又は平均
粒径15μｍのパーライト粉末５を用い、且つ、それ等の
外周は無機接着材６で固めた第１の実施例と同一寸法の
電子冷却パネルを試作した。
そこで、本実施例における電子冷却パネルの単位面積
当りの熱伝導率を第４表に示す。
当りの熱伝導率を第４表に示す。
第４表から明らかなように、半導体物質間の間隙部を
無機多孔体若しくは粉末で充填した構成のものは、間隙
部の空気の対流による熱伝導を抑えるため、電子冷却パ
ネルの熱伝導率を低下させることができる。又、半導体
物質に気孔を含むものは、熱伝導率を更に低下させるこ
とができる。
無機多孔体若しくは粉末で充填した構成のものは、間隙
部の空気の対流による熱伝導を抑えるため、電子冷却パ
ネルの熱伝導率を低下させることができる。又、半導体
物質に気孔を含むものは、熱伝導率を更に低下させるこ
とができる。
第３図は本発明の第３の実施例の電子冷却パネルの構
成を示すもので、第１図の符号と同一符号のものは同一
部分を示している。
成を示すもので、第１図の符号と同一符号のものは同一
部分を示している。
ｐ型半導体物質及びｎ型半導体物質には第１表及び第
２表の比較例の気孔を含まない多結晶凝固体と気孔率30
％の試料とを用いたもので、素子全体を真空中で加熱し
て、電子冷却パネルの外周部の低融点ガラスを溶融した
後、冷却することにより、半導体物質間の間隙における
気圧を0.001mmHg程度の真空状態にした第１の実施例と
同一寸法の電子冷却パネルを試作した。
２表の比較例の気孔を含まない多結晶凝固体と気孔率30
％の試料とを用いたもので、素子全体を真空中で加熱し
て、電子冷却パネルの外周部の低融点ガラスを溶融した
後、冷却することにより、半導体物質間の間隙における
気圧を0.001mmHg程度の真空状態にした第１の実施例と
同一寸法の電子冷却パネルを試作した。
そこで、本実施例における電子冷却パネルの単位面積
当りの熱伝導率を第５表に示す。
当りの熱伝導率を第５表に示す。
第５表から明らかなように、半導体物質間の間隙部を
真空状態にした構成のものは、間隙部の空気の対流によ
る熱伝導を抑えるため、電子冷却パネルの熱伝導率を低
下させることができる。又、電子冷却パネルとして使用
する際には、半導体結合部に結露を生じさせないため、
半導体結合部の腐食劣化を防止することができる。
真空状態にした構成のものは、間隙部の空気の対流によ
る熱伝導を抑えるため、電子冷却パネルの熱伝導率を低
下させることができる。又、電子冷却パネルとして使用
する際には、半導体結合部に結露を生じさせないため、
半導体結合部の腐食劣化を防止することができる。
第４図は本発明の第４の実施例の電子冷却パネルの構
成を示すもので、第２図の符号と同一符号のものは同一
部分を示している。
成を示すもので、第２図の符号と同一符号のものは同一
部分を示している。
ｐ型半導体物質及びｎ型半導体物質には第１表及び第
２表の比較例の気孔を含まない多結晶凝固体と気孔率30
％の試料との用いると共に、半導体物質間の間隙の充填
材には嵩比重0.04g/cm3のガラス繊維断熱材５又は平均
粒径15μｍのパーライト粉末５を用いたもので、素子全
体を真空中で加熱して、電子冷却パネルの外周部の低融
点ガラスを溶融した後、冷却することにより、半導体物
質間の間隙における気圧を0.01mmHg程度の真空状態にし
た第１の実施例と同一寸法の電子冷却パネルを試作し
た。
２表の比較例の気孔を含まない多結晶凝固体と気孔率30
％の試料との用いると共に、半導体物質間の間隙の充填
材には嵩比重0.04g/cm3のガラス繊維断熱材５又は平均
粒径15μｍのパーライト粉末５を用いたもので、素子全
体を真空中で加熱して、電子冷却パネルの外周部の低融
点ガラスを溶融した後、冷却することにより、半導体物
質間の間隙における気圧を0.01mmHg程度の真空状態にし
た第１の実施例と同一寸法の電子冷却パネルを試作し
た。
第５図は本発明の第５の実施例の電子冷却パネルの構
成を示すもので、第２図の符号と同一符号のものは同一
部分を示している。
成を示すもので、第２図の符号と同一符号のものは同一
部分を示している。
ｐ型半導体物質及びｎ型半導体物質には第１表及び第
２表の比較例の気孔を含まない多結晶凝固体と気孔率30
％の試料とを用いると共に、半導体物質間の間隙の充填
材には崇比重0.04g/cm3のガラス繊維断熱材５又は平均
粒径15μｍのパーライト粉末５を用いたもので、約1mm
の厚さの樹脂８によって外周部をモールドした後、その
樹脂８の一端より脱気して、内部気圧を1mmHg程度の真
空状態にした第１の実施例と同一寸法の電子冷却パネル
を試作した。
２表の比較例の気孔を含まない多結晶凝固体と気孔率30
％の試料とを用いると共に、半導体物質間の間隙の充填
材には崇比重0.04g/cm3のガラス繊維断熱材５又は平均
粒径15μｍのパーライト粉末５を用いたもので、約1mm
の厚さの樹脂８によって外周部をモールドした後、その
樹脂８の一端より脱気して、内部気圧を1mmHg程度の真
空状態にした第１の実施例と同一寸法の電子冷却パネル
を試作した。
そこで、第４及び第５の実施例における電子冷却パネ
ルの単位面積当りの熱伝導率を第６表に示す。
ルの単位面積当りの熱伝導率を第６表に示す。
第６表から明らかなように、半導体物質間の間隙部を
絶縁性の無機多孔体若しくは粉末で充填され且つ真空状
態にした構成のものは、間隙部の空気の対流による熱伝
導を抑えるため、電子冷却パネルの熱伝導率を低下させ
ることができる。又、電子冷却パネルとして使用する際
には、半導体接合部に結露を生じないため、半導体接合
部の腐食劣化を防止することができる。特に、試料番号
43で示したように、間隙を絶縁性の無機多孔体若しくは
粉末で充填すると共に、真空状態にした構成のものは、
粉末真空断熱材の寄与で1mmHg程度の低い真空度でも高
い熱伝導率の低下が達成できる上、構成、製造プロセス
も簡単で、結露防止効果も充分である。
絶縁性の無機多孔体若しくは粉末で充填され且つ真空状
態にした構成のものは、間隙部の空気の対流による熱伝
導を抑えるため、電子冷却パネルの熱伝導率を低下させ
ることができる。又、電子冷却パネルとして使用する際
には、半導体接合部に結露を生じないため、半導体接合
部の腐食劣化を防止することができる。特に、試料番号
43で示したように、間隙を絶縁性の無機多孔体若しくは
粉末で充填すると共に、真空状態にした構成のものは、
粉末真空断熱材の寄与で1mmHg程度の低い真空度でも高
い熱伝導率の低下が達成できる上、構成、製造プロセス
も簡単で、結露防止効果も充分である。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、電子冷却用の
電子部品に使用すれば、半導体物質の性能指数を低下さ
せることなく、熱伝導の小さい素子が得られる上、電圧
を印加しない運転時の熱伝導によるロスを防ぐことがで
きるという効果がある。
電子部品に使用すれば、半導体物質の性能指数を低下さ
せることなく、熱伝導の小さい素子が得られる上、電圧
を印加しない運転時の熱伝導によるロスを防ぐことがで
きるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の電子冷却パネルの斜視
図、第２図は本発明の第２の実施例の電子冷却パネルの
側面断面図、第３図は本発明の第３の実施例の電子冷却
パネルの側面断面図、第４図は本発明の第４の実施例の
電子冷却パネルの側面断面図、第５図は本発明の第５の
実施例の電子冷却パネルの側面断面図である。 １……ｐ型半導体、２……ｎ型半導体、３……Ni板、４
……アルミナ板、５……ガラス繊維又はパーライト粉
末、７……低融点ガラス、８……樹脂。
図、第２図は本発明の第２の実施例の電子冷却パネルの
側面断面図、第３図は本発明の第３の実施例の電子冷却
パネルの側面断面図、第４図は本発明の第４の実施例の
電子冷却パネルの側面断面図、第５図は本発明の第５の
実施例の電子冷却パネルの側面断面図である。 １……ｐ型半導体、２……ｎ型半導体、３……Ni板、４
……アルミナ板、５……ガラス繊維又はパーライト粉
末、７……低融点ガラス、８……樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 35/16 H01L 35/32
Claims (1)
- 【請求項１】互いに電気的に直列に接合されたｐ型半導
体物質とｎ型半導体物質に直流電流を流した時の接合界
面における発熱吸熱現象を利用する電子冷却用の電子部
品において、 前記半導体物質間の間隙部を絶縁性の無機多孔体若しく
は粉末で充填した上、前記半導体物質の気孔の前記半導
体物質に対する体積分率が5.0％以上の多孔体からなる
前記半導体物質の間隙部を1mmHg以下の真空状態になる
まで脱気することを特徴とする電子部品。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2103030A JP2936174B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電子部品 |
| DE69130654T DE69130654T2 (de) | 1990-04-20 | 1991-04-18 | Vakuumisolierter thermoelektrischer Halbleiter bestehend aus einer porösen Struktur und thermoelektrisches Bauelement |
| EP97120243A EP0834930B1 (en) | 1990-04-20 | 1991-04-18 | Thermoelectric semiconductor deaerated into a vacuum and thermoelectric panel using p-type and n-type thermoelectric semiconductors |
| EP91106177A EP0455051B1 (en) | 1990-04-20 | 1991-04-18 | Thermoelectric semiconductor having a porous structure deaerated into a vacuum and thermoelectric panel |
| DE69132779T DE69132779T2 (de) | 1990-04-20 | 1991-04-18 | Vakuumisolierter thermoelektrischer Halbleiter und thermoelektrisches Bauelement, das P- und N-Typ thermoelektrische Halbleiter benutzt |
| US07/688,424 US5168339A (en) | 1990-04-20 | 1991-04-22 | Thermoelectric semiconductor having a porous structure deaerated in a vacuum and thermoelectric panel using p-type and n-type thermoelectric semiconductors |
| US08/330,565 USRE35441E (en) | 1990-04-20 | 1994-10-28 | Thermoelectric semiconductor having a porous structure deaerated in a vacuum and thermoelectric panel using p-type and n-type thermoelectric semiconductors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2103030A JP2936174B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043475A JPH043475A (ja) | 1992-01-08 |
| JP2936174B2 true JP2936174B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=14343256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2103030A Expired - Fee Related JP2936174B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2936174B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69515245T2 (de) * | 1994-10-05 | 2000-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Elektronenemissionskathode; eine Elektronenemissionsvorrichtung, eine flache Anzeigevorrichtung, eine damit versehene thermoelektrische Kühlvorrichtung, und ein Verfahren zur Herstellung dieser Elektronenemissionskathode |
| AU5963000A (en) * | 1999-06-01 | 2000-12-18 | Hans Bollinghaus | Method and device for forming thermobranches containing a foam structure |
| JP2003046147A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Matsushita Refrig Co Ltd | 熱電素子モジュール及びその製造方法 |
| JP4901049B2 (ja) * | 2002-11-21 | 2012-03-21 | 株式会社東芝 | 熱電変換ユニット |
| JP2010278460A (ja) * | 2010-07-26 | 2010-12-09 | Toshiba Corp | 熱電変換ユニット |
| DE102010049300A1 (de) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh | Halbleiterelemente bestehend aus thermoelektrischem Material zum Einsatz in einem thermoelektrischen Modul |
| WO2013093967A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換素子とそれを用いた熱電変換モジュール |
| JPWO2013093967A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2015-04-27 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換素子とそれを用いた熱電変換モジュール |
| DE102012205087A1 (de) * | 2012-03-29 | 2013-10-02 | Evonik Industries Ag | Pulvermetallurgische Herstellung eines thermoelektrischen Bauelements |
| US10236430B2 (en) * | 2015-09-28 | 2019-03-19 | Kyocera Corporation | Thermoelectric module |
| DK3196951T3 (en) | 2016-01-21 | 2019-01-21 | Evonik Degussa Gmbh | RATIONAL PROCEDURE FOR POWDER METAL SURGICAL MANUFACTURING THERMOELECTRIC COMPONENTS |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP2103030A patent/JP2936174B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH043475A (ja) | 1992-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0834930B1 (en) | Thermoelectric semiconductor deaerated into a vacuum and thermoelectric panel using p-type and n-type thermoelectric semiconductors | |
| JP2936174B2 (ja) | 電子部品 | |
| US6670539B2 (en) | Enhanced thermoelectric power in bismuth nanocomposites | |
| Tripathi et al. | Electrical transport in light rare-earth orthochromites | |
| JP3245793B2 (ja) | 熱電変換素子の製造方法 | |
| EP3273494B1 (en) | Method for producing thermoelectric material | |
| JP2006196727A (ja) | 熱電変換素子とその製造方法 | |
| JPH1051037A (ja) | 熱電材料及び熱電変換素子 | |
| JP2007013000A (ja) | 熱電変換材料と熱電変換素子 | |
| Avogadro et al. | Specific-heat study of the phonon-fracton crossover in glassy ionic conductors | |
| Bah et al. | A CMOS compatible thermoelectric device made of crystalline silicon membranes with nanopores | |
| JP3546675B2 (ja) | 熱電材料及び熱電材料の製造方法 | |
| CN104393163A (zh) | 一种碲铋基热电材料的制备方法 | |
| US3885992A (en) | Thermocouple and method of making same | |
| US3005861A (en) | Thermoelements and thermoelectric devices embodying the same | |
| JPH069260B2 (ja) | 熱電気変換素子の製造方法 | |
| JP2510158B2 (ja) | 熱電素子およびその製造方法 | |
| JPH07221352A (ja) | 積層型熱電変換装置，熱電発電用サブユニット，および発電システム | |
| KR20180091197A (ko) | 열전 소자 | |
| JP7293116B2 (ja) | 熱電焼結体および熱電素子 | |
| US3821053A (en) | Thermocouple and method of making same | |
| JPH03148879A (ja) | 熱電素子 | |
| Quintana et al. | Conductivity of lithium gallium silicates | |
| JPH04199859A (ja) | 熱電半導体素子 | |
| JP2862998B2 (ja) | 電子冷却パネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |